【課題】被処理物（ワーク）を損傷させることなく、被処理物に堆積した付着物を効率的に除去することができる付着物除去装置及び付着物除去方法を提供する。
【解決手段】高圧水を噴射するノズル４０が配されたノズルヘッド４１と、ノズルヘッド４１が取り付けられた高圧水噴射ガン３０と、ノズル４０に対向するようにワークＷが載置されるステージ１４とを備え、ワークＷに堆積した付着膜１００を前記ノズルから噴射される高圧水により除去する付着膜除去装置１において、高圧水噴射ガン３０は、ステージ１４に対してＹ軸方向に移動可能に構成され、ノズルヘッド４１は、高圧水噴射ガン３０の移動方向に対して直交する方向に直線状に振動可能に構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い強度を有するＩＴＯ燒結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸化スズを８〜１２重量％、並びに元素の周期表の２ａ族及び４ａ族元素のうちの少なくとも１種の元素の酸化物を０．００１〜０．１重量％含み、残部が酸化インジウムからなる。このＩＴＯ燒結体からなるターゲット。これらの酸化物を上記量で配合し、成形した後焼成してＩＴＯスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置、プレクリーニング装置等の内部に配置される装置構成部品に厚膜状に付着した物質の剥離、 脱落を長時間に亘って抑制して汚染源のパーティクルを発生させず、装置のメンテナンスに際しては、付着物を容易に除去することができる装置構成部品を提供すること。
【解決手段】 プラズマ・プレクリーニング装置１０内に配置される石英ホルダー１を基材とし、ブラスト処理した表面粗さＲａが約１０μｍの面にＡｌ溶射膜を形成して表面粗さＲａを１４〜５０μｍとし、更にその面にプラズマ溶射法によるＡｌ₂ Ｏ₃ 溶射膜を形成して表面粗さＲａを１０〜５０μｍとする。このような溶射石英ホルダー１Ａは付着物が厚膜化しても容易には剥離せず、メンテナンス時にはアルカリ水溶液によってＡｌ溶射膜を溶解することにより、基材の石英ホルダー１から付着物をＡｌ₂ Ｏ₃ 溶射膜と共に除去して再使用することができる。 （もっと読む）

【課題】微細かつ均一な結晶組織を有するＴａスパッタリングターゲットおよびその製造方法の提供。
【解決手段】Ｔａインゴットに対し、「締め鍛造と据え込み鍛造とを交互に３回以上繰り返して行う１サイクルの冷間鍛造工程」からなる鍛造パターンを３回以上実施し、かつ、各鍛造パターンの間に真空熱処理を実施してビレットを準備し、このビレットからスパッタリングターゲットを製造する。この時、アスペクト比(長さ／直径)＝０．７〜１．５のインゴットを使用し、締め鍛造と据え込み鍛造とにおけるインゴットの形状の変化を、アスペクト比(長さ／直径)＝０．７〜１．５の範囲で行う。さらに、このビレットを、４軸以上の方向から総圧延率６５〜７５％で冷間圧延した後、その圧延板を８５０℃〜９５０℃の範囲で真空熱処理する。このスパッタリングターゲットは、３０〜５０μｍの平均結晶粒径を有し、結晶粒径のばらつきは小さい。 （もっと読む）

【課題】ターゲット面内に対して一様な磁界を形成する磁石構成体、この磁石構成体を用いた漏洩磁束測定装置、漏洩磁束測定方法及び検査方法を提供する。
【解決手段】磁石を固定する固定台と、スペーサーを介して組み合わされる一対の磁石であって、一方の磁石は正極を固定台側に向けて設置され、他方の磁石は負極を固定台に向けて設置される一対の磁石とからなる磁界形成手段、及び１以上の磁界形成手段を取り付けるための基体を備えた磁石構成体であって、磁界形成手段が２以上ある場合には、各磁界形成手段が、前記一対の磁石の正極及び負極がそれぞれ直線状に一列にそろうように基体上に取り付けられていることを特徴とする磁石構成体、並びにこの磁石構成体を用いた漏洩磁束測定装置及び測定方法及び検査方法である。 （もっと読む）

【課題】Ａｕ、Ｃｕなどの金属又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金からなる膜と密着性がよく、また、耐食性があって、異常放電が少ない膜を形成できるとともに、大型基板に成膜可能なスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】基板上にＭｏ−Ｔｉ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットにおいて、Ｔｉを５０原子％より高く、６０原子％以下含有し、残部Ｍｏ及び不可避的不純物からなり、相対密度が９８％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット、並びにこれを２以上拡散接合した少なくともその一辺が１０００ｍｍ以上である接合型スパッタリングターゲット及び接合型スパッタリングターゲットの作製方法。 （もっと読む）

【課題】配向性及び中心部と周辺部とで均一な磁気特性を持ったスパッタリング用コバルトターゲット及びその製造方法の提供。
【解決手段】ターゲット表面での漏洩磁束のばらつきを±５％以内とする。コバルトインゴットに対し熱間鍛造と熱間圧延とにより板材を製作し、この板材の厚みを均一にした後、２軸方向への同じ圧延率(圧延率：１０〜１６％)での冷間圧延工程と４２０〜６００℃での熱処理工程とを繰り返し、表面での漏洩磁束のばらつきが±５％以内となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 成形体の歩留まり向上、成形時間の改善可能な成形型、この型を用いた板状焼結体の製法、この製法により製造された板状燒結体の提供。
【解決手段】 深さｄ(１５ｍｍ以上)の成形用凹部が上面に設けられた吸液性下型と下型上面に被さる吸液性上型とからなり、凹部の側面と底面との作る辺が(１／２)×ｄ以上のアールを有する成形型。凹部が主部と付属部から構成され、略矩形状上面を有する主部の隣り合う側面が作る辺がアールを有し、主部の側面の１つから凹部の長手方向外側に突出して付属部を形成し、付属部の先端部分は曲率半径１５ｍｍ以上のアールを有し、付属部の側面と底面との作る辺が(１／２)×ｄ以上のアールを有する。この型を用いて、セラミックスラリーから成形体を作製し、焼成して板状焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】 過酷な耐蝕性試験でも反射率が劣化することがないＡｇ系反射膜およびその作製方法の提供。
【解決手段】純Ａｇ膜や、ＡｇＡｕ系、ＡｇＡｕＳｎ系、ＡｇＰｄ系、ＡｇＰｄＣｕ系の合金膜に、極薄のキャップ層として、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯおよびＳｎＯ_２の金属酸化物、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＴａの酸化物、ならびにＳｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＴａの窒化物から選ばれた材料で構成された膜厚３〜５０ｎｍの膜を積層して２層膜とする。 （もっと読む）

【課題】反射率を損なうことなく、低抵抗で、より高い耐熱性及び密着性を有するＡｇ合金膜パターンを得ることができるスパッタリングターゲット、Ａｇ合金膜及びその製造方法の提供。
【解決手段】スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。第一薄膜は、Ａｇに０．１〜４．０ｗｔ％のＡｕ、０．５〜１０．０ｗｔ％のＳｎ及び１．５〜１５．０ｗｔ％のＣｕを添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜され、第二薄膜は、ＡｇにＣｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｄ、Ｂｉ、Ｓｍから選ばれた少なくとも１種を添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜される。 （もっと読む）