【課題】均熱部材を載置台内に一体的に埋め込むようにして被処理体の面内温度の均一性を高めると共に、被処理体に対する加熱効率を高めることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器４内にて被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すために前記被処理体を加熱する加熱手段３８が埋め込まれると共に、前記被処理体を載置する載置台３２と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する支柱３０とを有する載置台構造において、前記載置台内に、前記埋め込まれている前記加熱手段の上方に位置させて平面方向に広がった均熱部材４０を埋め込むように構成する。 （もっと読む）

【課題】処理空間内の圧力を高めることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理容器２内に、基板であるウエハＷの載置領域を備えた載置台３と、この載置台３と対向する天板部材４とを設け、載置台３を昇降機構５により天板部材４側へ上昇させて、載置台３と天板部材４との間で処理空間Ｓを形成する。載置台３における載置領域の外側領域と天板部材４との少なくとも一方には突起部４３が設けられ、前記処理空間Ｓの形成時にその先端が他方に接触することにより、前記外側領域と天板部材４との間の離間距離が規制され、前記載置領域を囲むように排気用の１ｍｍ未満の隙間４０が形成される。隙間４０が狭小であることから、処理空間Ｓ内に反応ガスを封じ込めることができ、処理空間内の圧力が高められる。 （もっと読む）

【課題】弁体を洗浄する際に基板処理システムを実質的に停止させる必要を無くすことができる弁体を提供する。
【解決手段】基板処理システムは、基板Ｓにドライエッチング処理を施すプロセスチャンバ１３と、基板Ｓを搬送するトランスファチャンバ１１とを備え、プロセスチャンバ１３及びトランスファチャンバ１１を連通する連通口１９ａを開放又は遮断する弁体２２は、移動可能な本体２３と、本体２３から取り外し可能に構成され、弁体２２が連通口１９ａを遮断する際、連通口１９ａを介してプロセスチャンバ１３と対向する対向部材４０から構成されるカバー部材２４とを備え、弁体２２が連通口１９ａを遮断する際、連通口１９ａを介してプロセスチャンバ１３側から弁体２２を眺めたとき、連通口１９ａ内において対向部材４０の全てを視認することができる。 （もっと読む）

【課題】気体の供給効率を低下させることなく、微細粒子を大きさに関わりなく除去することができる気体清浄化装置を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０におけるローダーモジュール１４は、搬送室１５の内部空間に大気の下降流を形成するファンフィルタユニット２０を備え、ファンフィルタユニット２０は、大気流を生じさせるファン２１と、大気流に混在するパーティクルを捕捉して除去するフィルタ２２と、ファン２１及びフィルタ２２の間に配される照射ヒータ２３とを備える。気体流上に位置し且つフィルタ２２よりも温度が高い少なくとも１つの高温部を、気体流に混在する微細粒子に対して熱泳動力を作用させることによりフィルタ２２に対する移動力を大きくすることができるように、気体流が流れる方向と直交する方向から気体流に向けて照射ヒータ２３から放射熱を照射することによって形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板であるウエハに対して面内均一性の高い成膜処理を行うこと。
【解決手段】真空容器１内において、ＢＴＢＡＳガスが供給される処理領域Ｐ１とＯ_３ガスが供給される処理領域Ｐ２を、水平面に沿って回転する回転テーブル２の周方向に沿って配置する。前記処理領域Ｐ１のＢＴＢＡＳガスを分離ガスと共に排気するために、回転テーブル２の外側に設けられた排気口６１を設けると共に、この排気口６１を覆い、基板載置領域２４の外縁から内縁に亘って伸びる中空体よりなる排気ダクト７を設ける。この排気ダクト７には、基板載置領域２４の少なくとも内縁側の位置に第２の排気用開口部が設けられており、第１の処理ガスノズル３１から吐出されたＢＴＢＡＳガスは、この第２の排気用開口部に向けて流れるので、ウエハＷの径方向に高い均一性を持ってＢＴＢＡＳガスが供給され、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを積層して半導体装置を製造する際に、当該半導体チップの回路の不良電子素子を救済し、半導体装置の歩留まりを向上させる。
【解決手段】ウェハ１０を厚み方向に貫通する一対の貫通電極５０〜５２を形成し、デバイス層１１に一対の貫通電極５０〜５２を短絡する共有配線２４、２６、２８を形成し、デバイス層１１の表面１１ａにおいて異なる場所につながる一対のフロントバンプ２０〜２２を形成する。一対の貫通電極５０〜５２に対して異なる極性で電圧を印加し、一対の貫通電極５０〜５２のうちの一の貫通電極５０〜５２上にバックバンプ８０〜８２を形成する。ウェハ１０を積層し、一のウェハ１０上のバックバンプ８０〜８２と、他のデバイス層１１上のフロントバンプ２０〜２２とを接続する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの周縁部の温度調節が容易にできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を施す基板Ｗを載置させる載置台１１は、所定の温度に温度調節される載置台本体１２と、載置台本体１２の上部に配置された、基板Ｗを吸着するための静電チャック１３を備え、静電チャック１３の上面に、中央に配置される第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と、周縁部に配置される第２の熱伝達用ガス拡散領域４８とが形成され、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７に熱伝達用ガスを供給する第１の熱伝達用ガス供給部５１と、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８に熱伝達用ガスを供給する第２の熱伝達用ガス供給部５２とを備え、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と第２の熱伝達用ガス拡散領域４８において、冷却能力をそれぞれ任意に設定して別々に制御し、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８は、静電チャック１３の上面の周縁部に形成された環状の凹部である。 （もっと読む）

【課題】シーズニングの時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、処理容器１２、ガス供給部４４、下部電極１４、及び、上部電極４０を備えている。処理容器１２は、処理空間Ｓを画成している。ガス供給部４４は、処理空間Ｓ内に処理ガスを供給する。下部電極１４は、処理空間Ｓの下方に設けられている。上部電極４０は、処理空間Ｓの上方に設けられており、当該上部電極４０には耐プラズマ性を有する被覆層４０ｂが形成されている。当該被覆層４０ｂの表面は研磨されている。 （もっと読む）

【課題】真空において熱をともなう処理を行う基板処理装置において、基板を高速で搬送しても基板の位置精度を高くすることができること。
【解決手段】熱をともなう真空処理が行われる真空処理ユニットに対して基板の搬入および搬出を行う基板搬送装置は、基板を位置決めする位置決めピンを有し、基板を位置決めした状態で保持するピックと、ピックにより真空処理ユニットに対して基板を搬入および搬出するようにピックを駆動させる駆動部と、ピックによる基板の搬送動作を制御する搬送制御部とを有し、搬送制御部は、基板を真空処理ユニットに搬入する際の、常温における基板の基準位置情報を予め把握しておき、実処理において、基板を真空処理ユニットに搬入する際に、その基板の基準位置からの位置ずれを算出し、位置ずれを補正して基板を真空処理ユニットに搬入するように駆動部を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に対して略垂直に近い状態で高密度に配向したカーボンナノチューブに対し、極力ダメージを与えることなくエッチングして、長さが均一に揃ったカーボンナノチューブに加工する方法及び装置の提供。
【解決手段】カーボンナノチューブが形成されたウエハＷをエッチング装置１００の処理容器１内のステージ３上に載置する。シャワーリング５７から処理容器１内にプラズマ生成ガスを導入するとともに、マイクロ波発生部３５で発生したマイクロ波を、平面アンテナ３３に導き、透過板３９を介して処理容器１内に導入する。プラズマが着火したタイミングで酸化性ガス（例えばＯ_２ガス）又は還元性ガス（例えばＨ_２ガスやＮＨ_３ガス）を処理容器１内に導入し、プラズマ化する。このように形成される低電子温度のプラズマを、ウエハＷ上のカーボンナノチューブに作用させることにより、その先端側から基端部側へ向けて長尺方向にエッチングが進行する。 （もっと読む）