【課題】ＥＯＴの低減及びリーク電流の低減を両立できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】被処理体上に第１の高誘電率絶縁膜を成膜する第１の成膜工程と、前記第１の高誘電率絶縁膜を、６５０℃以上で６０秒未満の間熱処理する結晶化熱処理工程と、前記第１の高誘電率絶縁膜上に、前記第１の高誘電率絶縁膜の金属元素のイオン半径よりも小さいイオン半径を有する金属元素を有し、前記第１の高誘電率絶縁膜よりも比誘電率が大きい、第２の高誘電率絶縁膜を成膜する第２の成膜工程と、を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数のマイクロ波源と処理容器との間のインピーダンス整合の精度を向上させる。
【解決手段】マイクロ波処理装置１は、ウエハＷを収容する処理容器２と、ウエハＷを処理するためのマイクロ波を生成して処理容器２に導入するマイクロ波導入装置３と、マイクロ波導入装置３を制御する制御部８とを備えている。マイクロ波導入装置３は、マイクロ波を生成する複数のマグネトロン３１と、複数のマグネトロン３１において生成されたマイクロ波を処理容器２に伝送する複数の導波管３２とを有し、複数のマイクロ波を同時に処理容器２に導入することが可能である。制御部８は、複数のマイクロ波を同時に処理容器２に導入する第１の状態が継続している間に、選択的且つ一時的に、複数のマグネトロン３１のうちの１つにおいてマイクロ波を生成し、このマイクロ波のみを処理容器２に導入する第２の状態に切り替える。 （もっと読む）

【課題】測定時のＳ／Ｎ比（シグナル／ノイズ比）の低下を抑制し、短時間の測定で精密な測定を行い、リアルタイム性の向上が図られるような光学的検知装置を提供する。
【解決手段】測定用の光が通過する測定光路と、前記測定光路に測定用の光を照射する光源と、前記測定光路を通過した光を受光し、吸収スペクトルの検出を行う検出器と、を有し、前記測定光路と前記光源とを連結させる第１の連結路と、前記測定光路と前記検出器とを所定の間隔でもって連結させる第２の連結路と、が設けられ、前記第１の連結路は前記測定光路と前記光源との間の空間を密閉可能な構成であり、前記第２の連結路は前記測定光路と前記検出器との間の空間を密閉可能な構成であり、前記第１の連結路及び前記第２の連結路の内部を排気する排気機構と、前記第１の連結路及び前記第２の連結路の内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を備えた光学的検知装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の熱処理を適切に行い、当該被処理基板と支持基板の接合を適切に行う。
【解決手段】被処理ウェハ上に接着剤を塗布する（工程Ａ１）。その後、被処理ウェハの熱処理において、熱処理室の内部を排気すると共に熱処理室の内部に不活性ガスを供給し、熱処理室の内部を不活性ガスの雰囲気に置換して無酸素雰囲気にする（工程Ａ２）。その後、熱処理室Ｋの内部の排気を停止すると共に熱処理室の内部への不活性ガスの供給を停止し、熱板によって被処理ウェハ上の接着剤の表面を加熱して乾燥させる（工程Ａ３）。その後、熱処理室の内部を排気すると共に熱処理室の内部に不活性ガスを供給し、熱板によって被処理ウェハ上の接着剤を所定の温度に加熱する（工程Ａ４）。その後、接着剤を介して、被処理ウェハと支持ウェハを押圧して接合する（工程Ａ１３）。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣＯＨ膜からなる層間絶縁膜に形成された埋め込み用の凹部に銅材を埋め込んで導電路を形成するにあたり、導電路の抵抗を低くすること。
【解決手段】ＳｉＣＯＨ膜にプラズマにより凹部を形成すると表面が疎水性になる。このＳｉＣＯＨ膜に水素ガスのリモートプラズマを供給し、Ｈラジカル及びＨイオンにより凹部の表面を親水性に改質する。またプラズマに代えて過酸化水素水を供給してもよく、この場合表面にＯＨ基が形成される。次いで例えばＲｕ_３（ＣＯ）_１２ガスとＣＯガスとを用いてＣＶＤによりＲｕ膜４を成膜し、その後銅材５を埋め込み、ＣＭＰ処理をして上層側の配線構造を形成する。また改質にあたって、グリム、ＤＭＥＤＡなどを用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板に対する誘導電流の影響を排除して均一に熱処理を行うことができる、誘導加熱を利用した熱処理装置を提供すること。
【解決手段】熱処理が施される複数の基板Ｓを収容する処理容器２と、処理容器２内で複数の基板を保持する基板保持部材３と、処理容器２内に誘導磁界を形成して誘導加熱するための誘導加熱コイル１５と、誘導加熱コイル１５に高周波電力を印加する高周波電源１６と処理容器２内に処理ガスを供給するガス供給手段８，９，１０と、処理容器２内を排気する排気手段１１，１２，１４と、処理容器２内で基板保持部材３を囲うように誘導加熱コイル１５と基板保持部材３との間に設けられ、誘導磁界によって形成された誘導電流により加熱され、その輻射熱で基板保持部材３に保持された基板Ｓを加熱する誘導発熱体７とを具備し、誘導発熱体７により、基板Ｓへ誘導電流が流れることが阻止される。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより不純物の少ないニッケル膜を高スループットで成膜することができるニッケル膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、成膜原料として、分子構造中に窒素−炭素結合をもつ配位子を有し、配位子中の窒素がニッケルに配位した構造を有するニッケル含有化合物を用い、還元ガスとして、アンモニア、ヒドラジン、およびこれらの誘導体から選択された少なくとも１種を用いたＣＶＤにより初期ニッケル膜を成膜する第１工程と、初期ニッケル膜の上に、成膜原料として、分子構造中に窒素−炭素結合をもつ配位子を有し、配位子中の窒素がニッケルに配位した構造を有するニッケル含有化合物を用い、還元ガスとして水素ガスを用いたＣＶＤにより主ニッケル膜を成膜する第２工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するＡＬＤにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。
【解決手段】ＡＬＤを行う成膜装置１０１と、アニール処理を行う熱処理装置１０２と、を真空搬送室１０３に気密に接続すると共に、真空搬送室１０３内に自転機構である回転ステージ１３２を設ける。そして、ウェハに対してＢＴＢＡＳガスを供給してこのガスを吸着させ、次いでＢＴＢＡＳガスと反応して流動性を持つシロキサン重合体を生成するエタノールガス及びこのシロキサン重合体を酸化するＯ3ガスをこの順番で供給して成膜処理を行うと共に、この成膜処理の途中で成膜装置１０１からウェハを取り出して、基板を回転させてその向きを変更し、またアニール処理を行って反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

【課題】互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層すると共に基板に対してプラズマ処理を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】２つのプラズマ発生部８１、８２を回転テーブル２の回転方向に互いに離間させて設けると共に、これらプラズマ発生部８１、８２とウエハＷとの間にファラデーシールド９５を各々配置する。そして、各々のプラズマ発生部８１、８２におけるアンテナ８３と直交する方向に伸びるスリット９７を各々のファラデーシールド９５に設けて、各々のアンテナ８３において発生する電磁界のうち電界については遮断し、一方磁界についてはウエハＷ側に通過させる。 （もっと読む）

【課題】基板のロットに対応する処理液の種別ごとに用意された複数のノズルを含む液処理部を備えた液処理装置において、液処理部に発生したトラブルに対して処理効率の低下を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】一のロットのウエハＷの液処理に用いる薬液ノズル２５ａにおいてトラブルが発生した場合に、その一のロットに対応する薬液ノズル２５ａの使用を停止し、当該薬液ノズル２５ａとは別の薬液ノズル２５ｂを用いて処理を行う次のロットについては処理を行うこととする。薬液ノズルにおけるトラブル発生の判断については、処理した各ウエハＷの液処理状態を順次検査してその良否を判定し、同一の薬液ノズルを用いて異なる液処理部ＣＯＴ１〜ＣＯＴ３にて処理されたウエハＷにおいて、例えば３回連続で不良判定となった場合に、薬液ノズルにおけるトラブル発生と判断する。 （もっと読む）