【課題】接着剤を介して２枚の基板を押圧によって接合する際、接合後の基板の厚みを均一なものとする。
【解決手段】第１の保持部２００に保持され、接着剤Ｇが塗布された被処理ウェハＷに、第２の保持部２０１に保持された支持ウェハＳを押圧部材２５１で押圧する。押圧部材２５１は、複数の押圧機構２５２を有している。各押圧機構２５２の押圧部２５２ｂは、ボールねじ機構によってモータＭの回転によってなされる。押圧部２５２ｂの押圧度合いは、モータＭの制御によって独立して制御されるので、接合後のウェハの厚みが所定の厚みとなるモータＭの積算回転数を求めておくことで、各押圧機構２５２の押圧部２５２ｂによる押圧を等しくすることができ、これによって接合後のウェハの厚みを均一なものとすることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ある方向に沿って延在する容器を冷却する際に、電力消費量を増加させることなく、延在する方向に沿って容器の冷却速度に差が発生することを抑制できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器６５と、処理容器６５内で、一の方向に沿って基板を所定の間隔で複数保持可能な基板保持部４４と、処理容器６５を加熱する加熱部６３と、気体を供給する供給部９１と、一の方向に沿って各々が互いに異なる位置に設けられた複数の供給口９２ａとを含み、供給部９１が供給口９２ａの各々を介して処理容器６５に気体を供給することによって処理容器６５を冷却する冷却部９０とを有する。冷却部９０は、供給口９２ａの各々を介して気体を供給する供給流量が独立に制御可能に設けられたものである。 （もっと読む）

【課題】低誘電率絶縁膜の誘電率の上昇を抑制しつつ、確実に有機膜の除去を行うことのできる有機膜の除去方法を提供する。
【解決手段】少なくともシリコンと酸素と炭素とを含み、二酸化シリコンよりも誘電率の低い低誘電率絶縁膜と、低誘電率絶縁膜の上層に形成された有機膜と、を含む積層構造のパターンが形成された被処理基板の有機膜を除去する有機膜の除去方法であって、酸素又は窒素を含む第１のガスと、ＣｘＨｙ（ｘ，ｙは正の整数）で示される第２のガスと、水素ガスとの混合ガスのプラズマを被処理基板に作用させて有機膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を加熱するバッチ式の熱処理装置において、熱処理後の基板を速やかに、かつ均一に冷却することができる冷却機構および冷却方法、ならびにこのような冷却機構を備えた熱処理装置を提供すること。
【解決手段】処理容器１１内の基板保持部材１５と加熱手段１２との間に挿入される挿入位置と挿入位置から引き出された引き出し位置との間で移動可能であり、熱処理後の基板Ｗへの輻射熱を遮蔽する筒状をなす熱遮蔽部材３０と、処理容器１１の外部に配置された空冷ポート２１とを有し、熱遮蔽部材３０は、引き出し位置において、２つの半筒状部材３１が合体および分離可能に設けられており、これらが合体した状態で、熱遮蔽部材３０が引き出し位置と挿入位置との間で移動し、かつ外側面が相対的に低輻射率の材料で構成され、内側面が相対的に高輻射率の材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】円形の基板の周縁部に塗布液を塗布してリング状の塗布膜を形成するにあたり、その幅を均一性高く形成することができる技術を提供すること。
【解決手段】基板の回転及びノズルからの塗布液の供給を行いながら、塗布液の供給位置を基板の外側から基板の周縁部に向けて移動させ、当該基板を平面で見たときにその角度が１０°以下である楔型に塗布液を塗布し、次いで、基板の回転及び塗布液の供給を続けたままノズルの移動を停止し、基板の周縁部に沿って帯状に塗布液を塗布し、この帯状に塗布された塗布液の端部を前記楔型に塗布された塗布液に接触させ、基板の全周に亘って塗布液を塗布する。 （もっと読む）

【課題】処理領域の反応ガスの濃度及び分圧を高めることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理領域に設けられ、基板の載置領域の移動方向と交差するように伸びると共に、その長さ方向に沿って吐出口が形成された反応ガス供給用のガスノズルと、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するための分離ガスが供給され、回転テーブルの回転方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域と、ガスノズルの周囲に反応ガスを滞留させるためのカバー部材と、を備え、さらに前記回転方向上流側の側壁部の下部から、回転方向上流側から流れる分離ガスを前記カバー部材の上方へガイドするガイド面を備えるように装置を構成する。そして、ガスノズルとカバー部材における回転方向上流側の側壁部との間隔を、ガスノズルから供給された反応ガスが回転方向上流側から前記ガイド面に回り込まないように設定する。 （もっと読む）

【課題】捕集効率の向上と閉塞の低減とを両立可能な排気トラップを提供する。
【解決手段】処理装置からの排ガスを流入させる流入口と、前記流入口から流入した前記排ガスを流出させる流出口と、第１の開口寸法を有する一又は複数の第１の開口部、及び前記第１の開口寸法よりも小さい第２の開口寸法を有する複数の第２の開口部を有し、前記流入口と前記流出口との間において前記流入口から前記流出口へ流れる前記排ガスの流れの方向と交差するように配置される複数のバッフル板とを備え、前記複数のバッフル板のうちの一つのバッフル板の前記第１の開口部と、隣のバッフル板の前記第１の開口部とが前記流れの方向に対して互いにずれており、前記複数のバッフル板のうちの隣り合う２つのバッフル板の間隔が、前記第２の開口寸法の０．５から２倍の範囲にある排気トラップにより上述の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】支持基板と接合されたウェハに反りや歪みが生じることを抑制する。
【解決手段】被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合する接合装置３０は、内部を密閉可能な処理容器１００と、接着剤を介して、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを押圧して接合する接合部１１３と、接合部１１３で接合された重合ウェハＴを温度調節する重合基板温調部としての受渡アーム１２０とを有する。接合部１１３及び受渡アーム１２０は、処理容器１００内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】
液処理モジュール２に載置されたウエハＷに対して処理液ノズル１１から処理液を供給して液処理を行うにあたって、処理液の供給量を安定させ、これによりウエハＷの間における塗布の均一性を図ること。
【解決手段】
ノズル１１がノズルバス１５に待機しているときに一定量だけサックバックバルブ５２によりサックバックを行ってノズル１１の先端部のレジスト液の液面を引き上げる。ノズル１１を液処理モジュール２の上方に移動させた後、ノズル１１を支持するアーム１３に設けられたカメラ１６により、当該ノズル１１の先端部を撮像し、画像データを取得する。この画像データに基づいて、液面レベルを検出し、その検出結果に応じて液面レベルが予め設定した基準レベルになるようにサックバックバルブ５２を制御する。このためレジスト吐出前の液面レベルが一定化し、処理液の吐出量が一定化する。 （もっと読む）

【課題】撓みによって生じる搬送アーム先端の下方への傾斜を低減することができる搬送装置及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】筐体内へ被搬送物を搬送する搬送装置である。搬送装置は、搬送アーム５２、アーム軸５３、複数の電磁石５０及び制御部４０を備えている。搬送アームは、被搬送物を載置するピック部５２ｂを先端に有し、水平方向に伸縮する。アーム軸５３は、搬送アーム５２を支持する。複数の電磁石５０は、筐体内部に磁場を発生させることにより搬送アーム５２に上昇方向の力を作用させる。制御部４０は、搬送アーム５２が水平方向に伸縮する際にアーム軸５３から搬送アーム５２先端までの長さが長くなるほど搬送アーム５２に作用させる上昇方向の力が大きくなるように複数の電磁石５０を制御する。 （もっと読む）