基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
【課題】基板のロットに対応する処理液の種別ごとに用意された複数のノズルを含む液処理部を備えた液処理装置において、液処理部に発生したトラブルに対して処理効率の低下を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】一のロットのウエハＷの液処理に用いる薬液ノズル２５ａにおいてトラブルが発生した場合に、その一のロットに対応する薬液ノズル２５ａの使用を停止し、当該薬液ノズル２５ａとは別の薬液ノズル２５ｂを用いて処理を行う次のロットについては処理を行うこととする。薬液ノズルにおけるトラブル発生の判断については、処理した各ウエハＷの液処理状態を順次検査してその良否を判定し、同一の薬液ノズルを用いて異なる液処理部ＣＯＴ１〜ＣＯＴ３にて処理されたウエハＷにおいて、例えば３回連続で不良判定となった場合に、薬液ノズルにおけるトラブル発生と判断する。
【解決手段】一のロットのウエハＷの液処理に用いる薬液ノズル２５ａにおいてトラブルが発生した場合に、その一のロットに対応する薬液ノズル２５ａの使用を停止し、当該薬液ノズル２５ａとは別の薬液ノズル２５ｂを用いて処理を行う次のロットについては処理を行うこととする。薬液ノズルにおけるトラブル発生の判断については、処理した各ウエハＷの液処理状態を順次検査してその良否を判定し、同一の薬液ノズルを用いて異なる液処理部ＣＯＴ１〜ＣＯＴ３にて処理されたウエハＷにおいて、例えば３回連続で不良判定となった場合に、薬液ノズルにおけるトラブル発生と判断する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面にノズルから薬液を供給して液処理を行う技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造におけるフォトリソグラフィー工程では、レジストの塗布、現像のための一連の処理を行う塗布、現像装置が用いられる。この装置内に配置されるレジスト塗布ユニットは薬液であるレジスト液の種類毎に割り当てられた薬液ノズルが複数設けられており、基板の種別に応じた薬液を吐出するノズルが選択されて使用される。またカップの中にスピンチャックを設けた液処理モジュールを複数個横に並べて配置し、複数の薬液ノズルを集合させて複数の液処理モジュールに対して共用化する構成も知られている。
【０００３】
そして基板の検査を行う検査ユニットを備えた塗布、現像装置も知られており、この場合にはレジスト膜を形成した後、露光前の基板の検査を行い、不良と判断された場合には、その基板の処理を行ったレジスト塗布ユニットの運転を停止してメンテナンスを行うようにしている。複数のレジスト塗布ユニットが配置されている場合には、他のレジスト塗布ユニットを使用するが、処理効率としては１台のレジスト塗布ユニット分だけ低下する。また当該レジスト塗布ユニットの上流側に位置する基板は、その位置によってはその後の処理を行わずに回収し、リワーク処理、例えば反射防止膜がすでに形成されていると薬液による除去処理を行う場合もある。
【０００４】
特許文献１には、複数の液処理用モジュールが設けられ、それらに薬液を吐出するノズル部を共通化している液処理装置について、高いスループットを得る技術が記載されているが、本発明とは異なる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−７２０１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は基板のロットに対応する処理液の種別ごとに用意された複数のノズルを含む液処理部を備えた液処理装置において、液処理部に発生したトラブルに対して処理効率の低下を抑えることができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基板処理装置は、
キャリアブロックに搬入された基板搬送容器であるキャリアから払い出された基板に対して、処理ブロックにて液処理を行い、この液処理の後に続いてモジュールにて後処理が行われ、前記液処理及び後処理を含む一連の処理を終えた基板をキャリアに受け渡す基板処理装置において、
前記処理ブロックに設けられ、基板を水平に保持する基板保持部の周囲をカップ体により囲んで構成される液処理モジュールと、基板のロットに対応する処理液の種別ごとに用意された複数のノズルと、を含む液処理部と、
前記処理ブロック内にて基板の搬送を行うための搬送機構と、
前記ノズルにおける処理液の吐出に不具合があるか否かを監視する監視部と、
この監視部により不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、当該液処理部における液処理を禁止し、当該ノズル以外のノズルを使用する基板については当該液処理部にて液処理を行うように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の基板処理方法は、
キャリアブロックに搬入された基板搬送容器であるキャリアから払い出された基板に対して、処理ブロックにて液処理を行い、この液処理の後に続いてモジュールにて後処理が行われ、前記液処理及び後処理を含む一連の処理を終えた基板をキャリアに受け渡す基板処理方法において、
前記処理ブロックに設けられ、基板を水平に保持する基板保持部の周囲をカップ体により囲んで構成される液処理モジュールと、基板のロットに対応する処理液の種別ごとに用意された複数のノズルと、を含む液処理部を用い、
搬送機構により前記液処理モジュールに基板を搬入する工程と、
前記基板に対応する種別の処理液を吐出するノズルから、処理液を基板に吐出して液処理を行う工程と、
前記ノズルにおける処理液の吐出に不具合があるか否かを監視する工程と、
この監視工程により不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、当該液処理部における液処理を禁止し、当該ノズル以外のノズルを使用する基板については当該液処理部にて液処理を行うように前記搬送機構を制御する工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
なお、本発明における記憶媒体は、
キャリアブロックに搬入された基板搬送容器であるキャリアから払い出された基板に対して、処理ブロックにて液処理を行い、この液処理の後に続いてモジュールにて後処理が行われ、前記液処理及び後処理を含む一連の処理を終えた基板をキャリアに受け渡す基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上述の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、基板のロットに対応する処理液の種別ごとに用意された複数のノズルを含む液処理部を備えた液処理装置において、ノズルにおける処理液の吐出に不具合があるか否かを監視し、不具合があると判断されたノズルを使用する基板についてだけ当該液処理部における液処理を禁止している。従って他のノズルを使用する基板については当該液処理部にて液処理を行うことができるので、後続の基板に対する処理効率の低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る塗布、現像装置を示す平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置を示す縦断側面図である。
【図４】前記塗布、現像装置内に設けられた塗布ユニットを示す斜視図である。
【図５】前記塗布ユニットに設けられたレジスト供給部の一部を示す斜視図である。
【図６】前記塗布、現像装置に設けられた制御部を模式的に示すブロック図である。
【図７】前記実施形態における基板処理フローを示す模式図である。
【図８】前記実施形態における通常運転での基板処理結果及び基板搬送スケジュールの一例を示す表である。
【図９】前記実施形態における運転スケジュールの変更方法を説明するフロー図である。
【図１０】前記実施形態における、前記レジスト供給部に設けられた薬液ノズルのうち一部が使用停止になった場合の基板処理結果及び基板搬送スケジュールの一例を示す表である。
【図１１】前記実施形態における、前記塗布ユニットに設けられた塗布モジュールのうち一部が使用停止になった場合の基板処理結果及び基板搬送スケジュールの一例を示す表である。
【図１２】前記実施形態における、前記塗布、現像装置内に設けられた加熱モジュールのうち一部が使用停止になった場合の基板処理結果及び基板搬送スケジュール５１の一例を示す表である。
【図１３】前記図１０の場合における基板の搬送動作を説明する模式図である。
【図１４】前記図１１の場合における基板の搬送動作を説明する模式図である。
【図１５】前記図１２の場合における基板の搬送動作を説明する模式図である。
【図１６】前記実施形態における他の例を説明するための平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の基板処理装置を塗布、現像装置に適用した実施形態について説明する。先ず塗布、現像装置の全体構成について、図面を参照しながら簡単に説明する。図１は、前記塗布、現像装置の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図である。この装置は、キャリアブロックＣ１と処理ブロックＣ２とインターフェイスブロックＣ３と検査ブロックＣ５とを備えている。キャリアブロックＣ１では、載置台１上に載置された密閉型のキャリアＬから受け渡しアーム１１によりウエハＷが取り出されて、当該ブロックＣ１に隣接された検査ブロックＣ５を介して処理ブロックＣ２に受け渡される。処理ブロックＣ２にて塗布処理されたウエハＷは一旦検査ブロックＣ５にて検査され、その後処理ブロックＣ２を通過し、インターフェイスブロックＣ３を介して露光装置Ｃ４に送られ、露光後のウエハＷは処理ブロックＣ２で現像処理された後、前記キャリアＬに戻される。
【００１３】
前記処理ブロックＣ２には、図２に示すように、この例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３を下から順に積層して構成されている。
【００１４】
これら第１〜第３のブロックＢ１〜Ｂ３はほぼ同様に構成されており、液処理ユニット２と、前記液処理ユニット２にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系のモジュールを複数段に配置した棚ユニットＵ２と、これら棚ユニットＵ２の各部と液処理ユニット２との間でウエハＷの受け渡しを行う搬送手段をなす搬送アームＡ１〜Ａ３とを備えている。
【００１５】
前記搬送アームＡ１〜Ａ３は、搬送路Ｒにおいて、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、図中Ｙ軸方向に移動自在に構成されると共に、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本のフォークを備えており、これらフォークが互いに独立して進退できるように構成されている。
【００１６】
液処理ユニット２と棚ユニットＵ２とは、前記搬送路Ｒに沿って互いに対向するように配置されている。また液処理ユニット２は、カップ体の中にスピンチャックを設けて構成された液処理モジュール２０が搬送路Ｒに沿って並ぶように配列されている。液処理モジュール２０は、第２のブロックＢ２ではレジストの下層側の反射防止膜形成用の薬液を塗布するユニット内に設けられ、第３のブロックＢ３ではレジスト液を塗布するユニット内に夫々設けられる。また第１のブロックＢ１においては、現像処理を行う液処理ユニット２が２段に亘って設けられている。
【００１７】
図１及び図３中のＵ１、Ｕ３は棚ユニットであり、棚ユニットＵ１の各段のステージ間のウエハＷの搬送は受け渡しアームＤで行われる。棚ユニットＵ３の各段のステージ間のウエハＷの搬送は受け渡しアーム１３で行われる。図３中、ＣＰＬは温調用のステージである冷却ステージ、ＴＲＳは受け渡しステージ、ＢＦはバッファステージ群である。ＢＣＴ層Ｂ２で反射防止膜が形成されたウエハＷは、バッファステージ群ＢＦ２の一つ及び冷却ステージＣＰＬ３を介してＣＯＴ層Ｂ３に送られ、レジスト膜形成後に棚ユニットＵ１を介して検査モジュール３に送られる。しかる後、シャトルアーム１２（図３参照）及び棚ユニットＵ３の冷却ステージＣＰＬ５を介して、インターフェイスブロックＣ３に送られる。露光後のウエハＷは、受け渡しステージＴＲＳ２、ＤＥＶ層Ｂ１及び受け渡しステージＴＲＳ１を介して検査モジュール３に送られ、その後キャリアＬに戻される。
【００１８】
検査ブロックＣ５は、キャリアブロックＣ１側から受け渡しステージＴＲＳ３に受け渡されたウエハＷを棚ユニットＵ１に搬送する搬送アーム１４と、棚ユニットＵ１と、検査モジュール３と、バッファステージＢＦ４との間でウエハＷの受け渡しを行う搬送アーム１５とが設けられている。検査モジュール３には、レジスト膜の膜厚の測定、レジスト膜の塗布ムラの検出などを行う検査モジュールや、現像後のパターンの線幅の検査を行う検査モジュールなどが含まれる。
【００１９】
キャリアブロックＣ１の上方側には、キャリアＬを天井に沿って搬送し、塗布、現像装置の搬入出ポートとの間でキャリアＬを搬送する天井搬送機構（ＯＨＴ）４が設けられている。
【００２０】
ここで、液処理ユニット２を代表して、第３のブロックＢ３における液処理ユニットである塗布ユニット２について図４及び図５を用いて詳細に説明する。塗布ユニット２には、液処理モジュールである塗布モジュール２０が例えば３個設けられている。この塗布モジュール２０は、主にウエハＷを保持し回転させる基板保持部であるスピンチャック２１、供給されたレジスト液の余剰分を受け止めるためのカップ体２２、スピンチャック２１と搬送アームＡ３との間におけるウエハＷの受け渡しを担う昇降ピン２３などからなる。
【００２１】
また塗布ユニット２には、レジスト供給部２８が設けられている。このレジスト供給部２８には、図５に示すように、片持ちに支持され水平に伸びる１つの共有アーム２４の先端側に複数の薬液ノズル２５が塗布モジュール２０の並びに沿って設けられている。これらの薬液ノズル２５は夫々、処理液（薬液）の種類毎に割り当てられており、液処理時には処理対象のウエハＷのロットに対応する薬液ノズル２５が選択される。つまり、一つのロットには一つの薬液が使用される。またこれらの薬液ノズル２５は夫々独立した薬液供給系統と接続されている。薬液供給系統は、薬液供給源、流量調整部、バルブ、微小流量計、薬液ノズル２５及びそれらを接続する配管などからなり、微小流量計による検出データを後述の制御部５で解析することにより、薬液供給系統内における泡がみや吐出量の異常を検出できるようになっている。また共有アーム２４の先端側の下部には、撮像機構例えばＣＣＤカメラ２９が設けられており、ＣＣＤカメラ２９により薬液ノズル２５付近を撮像し制御部５により解析することで、例えば液細りや液切れなどの薬液吐出状態の異常や薬液ノズル自体に汚れが付着しているか否かを監視することができる。またレジスト供給部２８は駆動機構２６により塗布モジュール２０の並び方向に沿って移動することで、各塗布モジュール２０に薬液を供給することができるようになっている。また２７は、各塗布モジュール２０に対応する塗布膜周縁部除去機構である。
【００２２】
塗布、現像装置は、コンピュータからなる制御部を備えている。図６は、制御部５の構成を示すものであり、実際にはＣＰＵ、プログラム及びメモリなどにより構成されるが、この実施形態の要部となる部分を中心に構成要素の一部だけを図示して説明するものとする。
【００２３】
図６中５０はバスであり、このバス５０には、搬送スケジュール５１、搬送制御部５２、搬送経路情報格納部５３、解析プログラム５４、搬送スケジュール変更プログラム５５、ＣＰＵ５６、アラーム発生部５７、検査モジュール３等が接続されている。搬送スケジュール５１には、ロット内の全てのウエハＷについてどのタイミングでどのモジュールに搬送するかといった内容が記憶されている。搬送制御部５２は、搬送スケジュール５１を参照して、各ウエハＷをそのウエハＷに対応するモジュールに搬送するように、受け渡しアーム１１、Ｄ、１４、１５、搬送アームＡ１〜Ａ３、シャトルアーム１２、インターフェイスアーム１３を制御し、これにより搬送サイクルを実行する。
【００２４】
搬送経路情報格納部５３には、ウエハＷが通ってきた搬送経路及び検査結果の情報が随時記憶される。解析プログラム５４は、検査モジュール３により検出される個々のウエハＷの塗布処理に関する検査結果の情報と、搬送経路情報格納部５３に記憶された搬送経路情報とから、不具合の原因となっている個所を特定するためのプログラムである。搬送スケジュール変更プログラム５５は、解析プログラム５４により特定された不具合が生じて使用不可になった個所の情報を参照して、その使用不可の個所を使用しないように搬送スケジュール５１を変更するためのプログラムである。
【００２５】
ＣＰＵ５６は、解析プログラム５４及び搬送スケジュール変更プログラム５５に基づき演算を実行する。アラーム発生部５７は、検査モジュール３において不良が検出された場合や使用不可の個所が発生した場合に、その旨のアラームを例えばランプの点灯やアラーム音の発生、表示画面へのアラーム表示等のようなかたちで出力する。
【００２６】
前述の微小流量計及びＣＣＤカメラ２９は、それらによる検出データを解析する制御部５の一部と共に監視部の一部を構成する。更に、検査モジュール３、搬送経路情報格納部５３、解析プログラム５４もまた監視部の一部である。この場合、搬送経路情報格納部５３は記憶部に相当し、ＣＰＵ５６及び解析プログラム５４は判断部に相当する。
【００２７】
次に本実施形態における作用について説明する。塗布、現像装置全体のウエハＷのフロー図を記載すると説明が煩雑になることから、この実施形態の理解を容易にするために、レジストを塗布する塗布ユニット２にてレジスト膜が形成される部位のフローを強調したウエハＷのフロー図を図７に示しておく。またカップ体２２及びスピンチャック２１を含む３台の塗布モジュールの符号については、便宜上ＣＯＴ１、ＣＯＴ２、ＣＯＴ３を割り当てるものとする。
【００２８】
図８は、通常運転の場合における一のロットのウエハＷが処理された処理モジュール及び検査結果を示す表であり、この表に相当するデータが搬送経路情報である。ウエハＷは、図８に示すように、３つの塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３の順序でキャリアＬからの払い出し順（搬送順）に搬入されて塗布処理され、加熱処理については２つの加熱モジュールＨＰ１、ＨＰ２に搬送順に交互に搬入されて処理される。ウエハＷの後に付した符号は、ロット内のウエハＷに割り当てられた順番である。そして検出モジュール３において全てのウエハＷについて検査が行われ、搬送経路情報格納部５３に検査結果が記憶される。
【００２９】
図８に一例を示した搬送経路情報は、ウエハＷの検査結果（この例ではレジスト膜の検査結果）が不良であるときには、レジスト塗布ユニット２あるいは加熱モジュールＨＰにトラブルがあるものと想定し、レジスト塗布ユニット２及び加熱モジュールＨＰに対応する判定個所に不良を示す「ＦＡＩＬ」の表示を書き込むようにしている。一方冷却プレートＣＰＬにおける不具合はこれら機器よりもトラブルの頻度が格段に少ないことから、トラブルの解析を容易に行うために、冷却プレートに対応する判定個所は正常を示す「ＰＡＳＳ」の表示を書き込むようにしている。
【００３０】
図８に示す例では、ウエハＷ５及びＷ７において、検査で不良と判定されている。これらウエハＷ５及びＷ７は不良品のため処分されるが、同じロットの他のウエハＷの処理については予定通りに続行される。この処理の続行の判断については、当該ウエハＷ５及びＷ７における不良は偶然による可能性もあるため、この段階ではそのまま運転を続行する。このため後続のウエハＷは各モジュールにおいて順次処理され、各ウエハＷの搬送経路の情報は搬送経路情報格納部５３に記憶される。ここまでの処理を図９のフローに対応させると、レジスト膜の塗布処理が行われたウエハＷが検査モジュール３にて検査され、その結果が搬送経路情報格納部５３に書き込まれる（ステップＳ１）。そして不良の発生の有無が確認され（ステップＳ１ａ）、不良が確認されると解析プログラム５４によりトラブルの状況の解析が行われ（ステップＳ２）、解析の取り扱いとして、偶然のトラブルと判断されたとき（ステップＳ６）には、そのまま運転を続行する（ステップＳ１０）。
【００３１】
図１０は、薬液ノズル２５のトラブルの場合におけるウエハＷが処理された処理モジュール及びそこでの不具合の有無と検査結果とを示した表である。この例では、ウエハＷ４〜Ｗ６において連続して不良判定となっている。３つの塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３あるいは２つの加熱モジュールＨＰ１、ＨＰ２において同時に不具合が生じるとは考えにくい。このため、この例のように同じ薬液ノズル２５を用いて別の塗布モジュールＣＯＴで処理されたウエハＷにおいて例えば３回連続で不良判定となった場合については、薬液ノズル２５のトラブルに起因すると判定される（図９中ステップＳ３）。
図１１は、塗布モジュールＣＯＴのトラブルの場合におけるウエハＷが処理された処理モジュール及びそこでの不具合の有無と検査結果とを示した表である。この例では、ウエハＷ１、Ｗ４、Ｗ７において不良判定となっている。これら３つの不良判定のウエハＷ１、Ｗ４、Ｗ７はいずれも塗布モジュールＣＯＴ１において処理されており、他の塗布モジュールＣＯＴ２、ＣＯＴ３で処理されたウエハＷについては良品判定となっている。また２つの加熱モジュールＨＰ１、ＨＰ２において同時に不具合が生じるとは考えにくい。これらのことから、この例のように同じ塗布モジュールＣＯＴで処理されたウエハＷにおいて例えば３回連続で不良判定となった場合については、塗布モジュールＣＯＴのトラブルに起因すると判定される（図９中ステップＳ４）。
【００３２】
図１２は、加熱モジュールＨＰのトラブルの場合におけるウエハＷが処理された処理モジュール及びそこでの不具合の有無と検査結果とを示した表である。この例では、ウエハＷ３、Ｗ５、Ｗ７において不良判定となっている。これら３つの不良判定のウエハＷ３、Ｗ５、Ｗ７はいずれも加熱モジュールＨＰ１において処理されており、もう一方の加熱モジュールＨＰ２で処理されたウエハＷについては良品判定となっている。また不良判定のウエハＷ３、Ｗ５、Ｗ７は夫々別々の塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３にて処理されている。これらのことから、この例のように同じ加熱モジュールＨＰで処理されたウエハＷにおいて例えば３回連続で不良判定となった場合については加熱モジュールＨＰのトラブルに起因すると判定される（図９中ステップＳ５）。
【００３３】
また上述した３つのトラブル以外の場合、即ち同じモジュールあるいは同じ薬液ノズル２５により処理されたウエハＷについて例えば３回連続で不良判定が出ていない場合、図８に示すように、そのトラブルは偶然生じたものと判定される（図９中ステップＳ６）。
【００３４】
続いて解析プログラム５４によりトラブル個所が判定された後の対処について、判定されたトラブル毎に説明する。なお図１３〜図１５中のＬ１〜Ｌ５はキャリアであり、ここで説明するノズルは、レジスト塗布ユニットで使用するノズルを指している。キャリアＬ１には薬液ノズル２５ａ（この例ではトラブルが発生する薬液ノズル）を用いて処理される一のロットのウエハＷａが収納されており、その一部のウエハＷａは現在塗布、現像装置において処理が行われている。キャリアＬ２にはトラブルが発生していない薬液ノズル２５ｂを用いて処理される次のロットのウエハＷｂが収納されており、一のロットに続いて処理されるためにキャリアブロックＣ１にて待機している。キャリアＬ３には薬液ノズル２５ａを用いて処理される一のロットのウエハＷ１が収納されており、キャリアＬ１のウエハＷａに続いて処理されるためにキャリアブロックＣ１にて待機している。キャリアＬ４は、天井搬送機構４により塗布、現像装置に向けて搬送中であり、次のロットのウエハＷｂが収納されている。キャリアＬ５は、天井搬送機構４により塗布、現像装置に向けて搬送中であり、一のロットのウエハＷａが収納されている。
【００３５】
薬液ノズル及びその薬液供給系統のトラブルの場合、塗布ユニットにおいて、図９（図中ステップＳ７）及び図１０に示すように、トラブルを起こした薬液ノズル（薬液供給系統）の使用及びそれに対応する一のロットのウエハＷａの処理を停止し、次のロットのウエハＷｂの処理を開始する。図１３は、この場合のウエハＷａ、Ｗｂ及びそれらが収納されたキャリアＬ１〜Ｌ５の搬送状況を模式的に示している。キャリアＬ１のウエハＷａは、その一部は塗布、現像装置内において処理中であり、それ以外は未処理及び処理済みのウエハＷａがキャリアＬ１内に収納されている。この場合、未処理ウエハＷａの塗布、現像装置への払い出しは停止され、処理中のウエハＷａについては処理を中断し、予定通りの搬送経路を通ってキャリアＬ１に戻される。このとき露光処理工程より前で処理が中断されたウエハＷａについては、露光ブロックＣ４への搬送はスキップされる。また搬送経路中における処理モジュールに対しては搬入、搬出だけ行われ、処理はされない。このキャリアＬ１は、天井搬送機構４により図示しない再処理装置に搬送されて、キャリアＬ１内のウエハＷａはそこで再処理（ウエハＷａ上の膜の除去処理など）される。
【００３６】
トラブルを起こした薬液ノズル（薬液供給系統）を使用するウエハＷａが収納され、トラブル発生時点で処理を行うためにキャリアブロックＣ１にて待機していたキャリアＬ３は、塗布、現像装置にて処理は行わず、天井搬送機構４により塗布、現像装置の外に搬送される。トラブル発生時点で処理を行うために天井搬送機構４により塗布、現像装置に搬送中のキャリアＬ５は、塗布、現像装置に搬送せず、塗布、現像装置の外に搬送される。
【００３７】
トラブルが発生していない薬液ノズル２５ｂを用いて処理される次のロットのウエハＷｂが収納されたキャリアＬ２、Ｌ４については、一のロットのウエハＷａに代わって、予定通り塗布、現像装置にてウエハＷｂの処理が行われる。
【００３８】
塗布モジュールＣＯＴのトラブルの場合における、ウエハＷ及びそれらを収納するキャリアＬの態様について、図９、図１１、図１４を参照して説明する。先ず例えばキャリアＬ１から払い出され塗布モジュールＣＯＴ１において処理されたウエハＷａが３枚連続で不良判定となり、塗布モジュールＣＯＴ１が運転停止となる。その後もキャリアＬ１のウエハＷａは、レジスト塗布処理については塗布モジュールＣＯＴ１以外のモジュールＣＯＴ２、ＣＯＴ３を用いて、予定通りの処理が行われる。続いて同じく一のロットのウエハＷａが収納されたキャリアＬ３、Ｌ５についても同様に予定通りの処理が行われる。その後、次のロットのウエハＷｂが収納されたキャリアＬ２、Ｌ４についても、塗布モジュールＣＯＴ１以外のモジュールＣＯＴ２、ＣＯＴ３にてレジスト塗布処理が行われること以外は、順次予定通りに処理が行われる（図９中ステップＳ８）。
【００３９】
加熱モジュールＨＰのトラブルの場合における、ウエハＷ及びそれらを収納するキャリアＬの態様について、図９、図１２、図１５を参照して説明する。先ず例えばキャリアＬ１から払い出され加熱モジュールＨＰ１において処理されたウエハＷａが３枚連続で不良判定となり、加熱モジュールＨＰ１が運転停止となる。その後もキャリアＬ１のウエハＷａは、加熱処理については加熱モジュールＨＰ２を用いて、予定通りの処理が行われる。続いて同じく一のロットのウエハＷａが収納されたキャリアＬ３、Ｌ５についても同様に予定通りの処理が行われる。その後、次のロットのウエハＷｂが収納されたキャリアＬ２、Ｌ４についても、加熱モジュールＨＰ２にて加熱処理が行われること以外は、順次予定通りに処理が行われる（図９中ステップＳ９）。
【００４０】
偶然のトラブルの場合は、不良判定の出たウエハＷだけは判定後も予定通りの搬送経路を通って元のキャリアＬに戻されその後処分され、装置自体は通常運転を続行する（図９中ステップＳ１０）。
【００４１】
この例では、検査モジュール３による検査にて不具合が検出された場合におけるその後の対処について説明したが、前述の微小流量計やＣＣＤカメラ２９により薬液ノズル２５に不具合があると判断した場合でも、上述した薬液ノズル２５に不具合が発生した場合と同様に対処する（図９中ステップＳ７参照）。
【００４２】
本実施形態によれば、液処理であるレジスト塗布に使用する複数の薬液夫々に対応した複数の薬液ノズル２５を用いてウエハＷに液処理を行う技術において、一のロットのウエハＷの液処理に用いる薬液ノズル２５においてトラブルが発生した場合に、その一のロットに対応する薬液ノズル２５（例えば２５ａ）の使用を停止し、当該薬液ノズル（２５ａ）とは別の薬液ノズル２５（例えば２５ｂ）を用いて処理を行う次のロットについて処理を開始するようにしている。従って、薬液ノズル２５による塗布不良が生じても、塗布ユニット２全体の運転を停止せずに、塗布ユニット２の正常動作部分についてはフルに活用しているため、塗布、現像装置の稼働率の低下を抑えることができる。
【００４３】
上述の実施形態では、塗布ユニット２に複数の塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３が設けられているが、本発明は塗布ユニット２に設けられる塗布モジュール２０は１個であってもよい。この場合には、薬液ノズル２５におけるレジスト液の吐出状態のトラブルは上述したように例えば図５に示すＣＣＤカメラ２９を用いた監視やレジスト液供給系統に設けられた微小流量計の検出値異常により特定することができる。こうした例においては、ノズル２５における処理液の吐出に不具合があるか否かを監視する監視部は、ＣＣＤカメラ２９及び撮像した画像データの解析用のプログラムや、前記微小流量計などが相当する。またウエハＷの表面にレーザ光を照射するレーザ照射部とウエハＷの表面を撮像するカメラとを設け、レジスト液吐出時にウエハＷの表面に生じるレジスト液の波紋を、カメラの撮像画像データにより解析することで、レジスト液の吐出異常を監視してもよい。そしてノズル２５からレジスト液の吐出異常を検出した後における塗布、現像装置の運転手法については、先の実施形態と同様である。即ち、異常と判断されたノズル２５を使用するウエハＷについては当該塗布ユニット２の使用を禁止し、例えば塗布モジュールへのウエハＷの搬入を禁止して当該塗布ユニット２をスキップさせ、他のノズル２５を使用するウエハＷについては当該塗布ユニット２によりレジスト液の塗布処理を行う。この例においても先の実施形態と同様の効果が得られる。
【００４４】
上述の実施形態では、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３内には塗布ユニット２が１つ設けられているが、複数の塗布処理ユニットが設けられていてもよい。図１６は、このような例を示すＣＯＴ層Ｂ３を示しており、ウエハＷの搬送路Ｒの両側に図１に示したものと同じ塗布ユニットである第１の塗布ユニット２ａ及び第２の塗布ユニット２ｂが夫々設けられている。こうした構成例では、熱系の棚ユニットは例えば当該ＣＯＴ層におけるインターフェイスブロック側に配置することができる。そして通常時は、ウエハＷに対するレジスト液の塗布処理は、２つの塗布ユニット２ａ、２ｂにより分担して行われるが、例えば第１の塗布ユニット２ａにおいて１本のノズル２５が異常（詳しくは、ノズル２５またはノズル２５へのレジスト液の供給系にトラブルが生じている）と判断された場合、当該ノズル２５を使用するロットのウエハＷの塗布ユニット２ａへの搬入が禁止される。それ以降は、このノズル２５を使用するロットのウエハＷについては、搬送スケジュール５１を変更して他の塗布ユニット２ｂのみを用いて処理が行われる。なお不使用とされるノズル２５以外のノズル２５を使用するロットのウエハＷについては、２台の塗布ユニット２ａ、２ｂを用いて並行処理が行われる。
【００４５】
更にまた塗布ユニット２におけるノズル２５に異常がある（ノズル２５あるいはレジスト液の供給系統）と判断されてアラームが発生したときに、コンピュータが自動で搬送スケジュール５１を変更しているが、コンピュータが搬送スケジュール５１の変更を行うトリガーとしては、手動入力であってもよい。即ちオペレータがアラームの発生の認識に基づいてトラブルの対象となっているノズル２５については不使用とする（除外する）旨の指示を塗布、現像装置の操作パネルから入力し、これによりコンピュータが先の実施形態で説明したのと同様に、当該ノズル２５を使用するウエハＷに対して言わば除外搬送を行うように搬送スケジュール５１を変更するようにしてもよい。
【００４６】
以上の説明では、レジスト塗布処理の不良発生時について記載しているが、液処理ユニットとしては例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２における反射防止膜形成処理において複数種別の薬液を基板に応じて使い分ける場合には、反射防止膜形成用の液処理ユニットでもよい。更にまたＳＯＤ（Spin On Dielectric）膜、ＳＯＧ（Spin On Glass）膜、ポリイミド膜等の絶縁膜を形成するための塗布液や、洗浄液などのレジスト液以外の他の薬液を用いる場合にも本発明を適用することができる。また、本発明において、薬液ノズルから処理液が供給される対象は、ウエハＷに限定されるものではなく、ウエハＷ以外の例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板にも本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００４７】
Ｗ ウエハ
Ｌ、Ｌ１〜Ｌ５
キャリア
Ｕ１、Ｕ３
棚ユニット
２ 液処理ユニット
２０ 液処理モジュール
３ 検査モジュール
４ 天井搬送機構
５ 制御部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面にノズルから薬液を供給して液処理を行う技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造におけるフォトリソグラフィー工程では、レジストの塗布、現像のための一連の処理を行う塗布、現像装置が用いられる。この装置内に配置されるレジスト塗布ユニットは薬液であるレジスト液の種類毎に割り当てられた薬液ノズルが複数設けられており、基板の種別に応じた薬液を吐出するノズルが選択されて使用される。またカップの中にスピンチャックを設けた液処理モジュールを複数個横に並べて配置し、複数の薬液ノズルを集合させて複数の液処理モジュールに対して共用化する構成も知られている。
【０００３】
そして基板の検査を行う検査ユニットを備えた塗布、現像装置も知られており、この場合にはレジスト膜を形成した後、露光前の基板の検査を行い、不良と判断された場合には、その基板の処理を行ったレジスト塗布ユニットの運転を停止してメンテナンスを行うようにしている。複数のレジスト塗布ユニットが配置されている場合には、他のレジスト塗布ユニットを使用するが、処理効率としては１台のレジスト塗布ユニット分だけ低下する。また当該レジスト塗布ユニットの上流側に位置する基板は、その位置によってはその後の処理を行わずに回収し、リワーク処理、例えば反射防止膜がすでに形成されていると薬液による除去処理を行う場合もある。
【０００４】
特許文献１には、複数の液処理用モジュールが設けられ、それらに薬液を吐出するノズル部を共通化している液処理装置について、高いスループットを得る技術が記載されているが、本発明とは異なる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−７２０１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は基板のロットに対応する処理液の種別ごとに用意された複数のノズルを含む液処理部を備えた液処理装置において、液処理部に発生したトラブルに対して処理効率の低下を抑えることができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基板処理装置は、
キャリアブロックに搬入された基板搬送容器であるキャリアから払い出された基板に対して、処理ブロックにて液処理を行い、この液処理の後に続いてモジュールにて後処理が行われ、前記液処理及び後処理を含む一連の処理を終えた基板をキャリアに受け渡す基板処理装置において、
前記処理ブロックに設けられ、基板を水平に保持する基板保持部の周囲をカップ体により囲んで構成される液処理モジュールと、基板のロットに対応する処理液の種別ごとに用意された複数のノズルと、を含む液処理部と、
前記処理ブロック内にて基板の搬送を行うための搬送機構と、
前記ノズルにおける処理液の吐出に不具合があるか否かを監視する監視部と、
この監視部により不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、当該液処理部における液処理を禁止し、当該ノズル以外のノズルを使用する基板については当該液処理部にて液処理を行うように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の基板処理方法は、
キャリアブロックに搬入された基板搬送容器であるキャリアから払い出された基板に対して、処理ブロックにて液処理を行い、この液処理の後に続いてモジュールにて後処理が行われ、前記液処理及び後処理を含む一連の処理を終えた基板をキャリアに受け渡す基板処理方法において、
前記処理ブロックに設けられ、基板を水平に保持する基板保持部の周囲をカップ体により囲んで構成される液処理モジュールと、基板のロットに対応する処理液の種別ごとに用意された複数のノズルと、を含む液処理部を用い、
搬送機構により前記液処理モジュールに基板を搬入する工程と、
前記基板に対応する種別の処理液を吐出するノズルから、処理液を基板に吐出して液処理を行う工程と、
前記ノズルにおける処理液の吐出に不具合があるか否かを監視する工程と、
この監視工程により不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、当該液処理部における液処理を禁止し、当該ノズル以外のノズルを使用する基板については当該液処理部にて液処理を行うように前記搬送機構を制御する工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
なお、本発明における記憶媒体は、
キャリアブロックに搬入された基板搬送容器であるキャリアから払い出された基板に対して、処理ブロックにて液処理を行い、この液処理の後に続いてモジュールにて後処理が行われ、前記液処理及び後処理を含む一連の処理を終えた基板をキャリアに受け渡す基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上述の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、基板のロットに対応する処理液の種別ごとに用意された複数のノズルを含む液処理部を備えた液処理装置において、ノズルにおける処理液の吐出に不具合があるか否かを監視し、不具合があると判断されたノズルを使用する基板についてだけ当該液処理部における液処理を禁止している。従って他のノズルを使用する基板については当該液処理部にて液処理を行うことができるので、後続の基板に対する処理効率の低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る塗布、現像装置を示す平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置を示す縦断側面図である。
【図４】前記塗布、現像装置内に設けられた塗布ユニットを示す斜視図である。
【図５】前記塗布ユニットに設けられたレジスト供給部の一部を示す斜視図である。
【図６】前記塗布、現像装置に設けられた制御部を模式的に示すブロック図である。
【図７】前記実施形態における基板処理フローを示す模式図である。
【図８】前記実施形態における通常運転での基板処理結果及び基板搬送スケジュールの一例を示す表である。
【図９】前記実施形態における運転スケジュールの変更方法を説明するフロー図である。
【図１０】前記実施形態における、前記レジスト供給部に設けられた薬液ノズルのうち一部が使用停止になった場合の基板処理結果及び基板搬送スケジュールの一例を示す表である。
【図１１】前記実施形態における、前記塗布ユニットに設けられた塗布モジュールのうち一部が使用停止になった場合の基板処理結果及び基板搬送スケジュールの一例を示す表である。
【図１２】前記実施形態における、前記塗布、現像装置内に設けられた加熱モジュールのうち一部が使用停止になった場合の基板処理結果及び基板搬送スケジュール５１の一例を示す表である。
【図１３】前記図１０の場合における基板の搬送動作を説明する模式図である。
【図１４】前記図１１の場合における基板の搬送動作を説明する模式図である。
【図１５】前記図１２の場合における基板の搬送動作を説明する模式図である。
【図１６】前記実施形態における他の例を説明するための平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の基板処理装置を塗布、現像装置に適用した実施形態について説明する。先ず塗布、現像装置の全体構成について、図面を参照しながら簡単に説明する。図１は、前記塗布、現像装置の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図である。この装置は、キャリアブロックＣ１と処理ブロックＣ２とインターフェイスブロックＣ３と検査ブロックＣ５とを備えている。キャリアブロックＣ１では、載置台１上に載置された密閉型のキャリアＬから受け渡しアーム１１によりウエハＷが取り出されて、当該ブロックＣ１に隣接された検査ブロックＣ５を介して処理ブロックＣ２に受け渡される。処理ブロックＣ２にて塗布処理されたウエハＷは一旦検査ブロックＣ５にて検査され、その後処理ブロックＣ２を通過し、インターフェイスブロックＣ３を介して露光装置Ｃ４に送られ、露光後のウエハＷは処理ブロックＣ２で現像処理された後、前記キャリアＬに戻される。
【００１３】
前記処理ブロックＣ２には、図２に示すように、この例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３を下から順に積層して構成されている。
【００１４】
これら第１〜第３のブロックＢ１〜Ｂ３はほぼ同様に構成されており、液処理ユニット２と、前記液処理ユニット２にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系のモジュールを複数段に配置した棚ユニットＵ２と、これら棚ユニットＵ２の各部と液処理ユニット２との間でウエハＷの受け渡しを行う搬送手段をなす搬送アームＡ１〜Ａ３とを備えている。
【００１５】
前記搬送アームＡ１〜Ａ３は、搬送路Ｒにおいて、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、図中Ｙ軸方向に移動自在に構成されると共に、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本のフォークを備えており、これらフォークが互いに独立して進退できるように構成されている。
【００１６】
液処理ユニット２と棚ユニットＵ２とは、前記搬送路Ｒに沿って互いに対向するように配置されている。また液処理ユニット２は、カップ体の中にスピンチャックを設けて構成された液処理モジュール２０が搬送路Ｒに沿って並ぶように配列されている。液処理モジュール２０は、第２のブロックＢ２ではレジストの下層側の反射防止膜形成用の薬液を塗布するユニット内に設けられ、第３のブロックＢ３ではレジスト液を塗布するユニット内に夫々設けられる。また第１のブロックＢ１においては、現像処理を行う液処理ユニット２が２段に亘って設けられている。
【００１７】
図１及び図３中のＵ１、Ｕ３は棚ユニットであり、棚ユニットＵ１の各段のステージ間のウエハＷの搬送は受け渡しアームＤで行われる。棚ユニットＵ３の各段のステージ間のウエハＷの搬送は受け渡しアーム１３で行われる。図３中、ＣＰＬは温調用のステージである冷却ステージ、ＴＲＳは受け渡しステージ、ＢＦはバッファステージ群である。ＢＣＴ層Ｂ２で反射防止膜が形成されたウエハＷは、バッファステージ群ＢＦ２の一つ及び冷却ステージＣＰＬ３を介してＣＯＴ層Ｂ３に送られ、レジスト膜形成後に棚ユニットＵ１を介して検査モジュール３に送られる。しかる後、シャトルアーム１２（図３参照）及び棚ユニットＵ３の冷却ステージＣＰＬ５を介して、インターフェイスブロックＣ３に送られる。露光後のウエハＷは、受け渡しステージＴＲＳ２、ＤＥＶ層Ｂ１及び受け渡しステージＴＲＳ１を介して検査モジュール３に送られ、その後キャリアＬに戻される。
【００１８】
検査ブロックＣ５は、キャリアブロックＣ１側から受け渡しステージＴＲＳ３に受け渡されたウエハＷを棚ユニットＵ１に搬送する搬送アーム１４と、棚ユニットＵ１と、検査モジュール３と、バッファステージＢＦ４との間でウエハＷの受け渡しを行う搬送アーム１５とが設けられている。検査モジュール３には、レジスト膜の膜厚の測定、レジスト膜の塗布ムラの検出などを行う検査モジュールや、現像後のパターンの線幅の検査を行う検査モジュールなどが含まれる。
【００１９】
キャリアブロックＣ１の上方側には、キャリアＬを天井に沿って搬送し、塗布、現像装置の搬入出ポートとの間でキャリアＬを搬送する天井搬送機構（ＯＨＴ）４が設けられている。
【００２０】
ここで、液処理ユニット２を代表して、第３のブロックＢ３における液処理ユニットである塗布ユニット２について図４及び図５を用いて詳細に説明する。塗布ユニット２には、液処理モジュールである塗布モジュール２０が例えば３個設けられている。この塗布モジュール２０は、主にウエハＷを保持し回転させる基板保持部であるスピンチャック２１、供給されたレジスト液の余剰分を受け止めるためのカップ体２２、スピンチャック２１と搬送アームＡ３との間におけるウエハＷの受け渡しを担う昇降ピン２３などからなる。
【００２１】
また塗布ユニット２には、レジスト供給部２８が設けられている。このレジスト供給部２８には、図５に示すように、片持ちに支持され水平に伸びる１つの共有アーム２４の先端側に複数の薬液ノズル２５が塗布モジュール２０の並びに沿って設けられている。これらの薬液ノズル２５は夫々、処理液（薬液）の種類毎に割り当てられており、液処理時には処理対象のウエハＷのロットに対応する薬液ノズル２５が選択される。つまり、一つのロットには一つの薬液が使用される。またこれらの薬液ノズル２５は夫々独立した薬液供給系統と接続されている。薬液供給系統は、薬液供給源、流量調整部、バルブ、微小流量計、薬液ノズル２５及びそれらを接続する配管などからなり、微小流量計による検出データを後述の制御部５で解析することにより、薬液供給系統内における泡がみや吐出量の異常を検出できるようになっている。また共有アーム２４の先端側の下部には、撮像機構例えばＣＣＤカメラ２９が設けられており、ＣＣＤカメラ２９により薬液ノズル２５付近を撮像し制御部５により解析することで、例えば液細りや液切れなどの薬液吐出状態の異常や薬液ノズル自体に汚れが付着しているか否かを監視することができる。またレジスト供給部２８は駆動機構２６により塗布モジュール２０の並び方向に沿って移動することで、各塗布モジュール２０に薬液を供給することができるようになっている。また２７は、各塗布モジュール２０に対応する塗布膜周縁部除去機構である。
【００２２】
塗布、現像装置は、コンピュータからなる制御部を備えている。図６は、制御部５の構成を示すものであり、実際にはＣＰＵ、プログラム及びメモリなどにより構成されるが、この実施形態の要部となる部分を中心に構成要素の一部だけを図示して説明するものとする。
【００２３】
図６中５０はバスであり、このバス５０には、搬送スケジュール５１、搬送制御部５２、搬送経路情報格納部５３、解析プログラム５４、搬送スケジュール変更プログラム５５、ＣＰＵ５６、アラーム発生部５７、検査モジュール３等が接続されている。搬送スケジュール５１には、ロット内の全てのウエハＷについてどのタイミングでどのモジュールに搬送するかといった内容が記憶されている。搬送制御部５２は、搬送スケジュール５１を参照して、各ウエハＷをそのウエハＷに対応するモジュールに搬送するように、受け渡しアーム１１、Ｄ、１４、１５、搬送アームＡ１〜Ａ３、シャトルアーム１２、インターフェイスアーム１３を制御し、これにより搬送サイクルを実行する。
【００２４】
搬送経路情報格納部５３には、ウエハＷが通ってきた搬送経路及び検査結果の情報が随時記憶される。解析プログラム５４は、検査モジュール３により検出される個々のウエハＷの塗布処理に関する検査結果の情報と、搬送経路情報格納部５３に記憶された搬送経路情報とから、不具合の原因となっている個所を特定するためのプログラムである。搬送スケジュール変更プログラム５５は、解析プログラム５４により特定された不具合が生じて使用不可になった個所の情報を参照して、その使用不可の個所を使用しないように搬送スケジュール５１を変更するためのプログラムである。
【００２５】
ＣＰＵ５６は、解析プログラム５４及び搬送スケジュール変更プログラム５５に基づき演算を実行する。アラーム発生部５７は、検査モジュール３において不良が検出された場合や使用不可の個所が発生した場合に、その旨のアラームを例えばランプの点灯やアラーム音の発生、表示画面へのアラーム表示等のようなかたちで出力する。
【００２６】
前述の微小流量計及びＣＣＤカメラ２９は、それらによる検出データを解析する制御部５の一部と共に監視部の一部を構成する。更に、検査モジュール３、搬送経路情報格納部５３、解析プログラム５４もまた監視部の一部である。この場合、搬送経路情報格納部５３は記憶部に相当し、ＣＰＵ５６及び解析プログラム５４は判断部に相当する。
【００２７】
次に本実施形態における作用について説明する。塗布、現像装置全体のウエハＷのフロー図を記載すると説明が煩雑になることから、この実施形態の理解を容易にするために、レジストを塗布する塗布ユニット２にてレジスト膜が形成される部位のフローを強調したウエハＷのフロー図を図７に示しておく。またカップ体２２及びスピンチャック２１を含む３台の塗布モジュールの符号については、便宜上ＣＯＴ１、ＣＯＴ２、ＣＯＴ３を割り当てるものとする。
【００２８】
図８は、通常運転の場合における一のロットのウエハＷが処理された処理モジュール及び検査結果を示す表であり、この表に相当するデータが搬送経路情報である。ウエハＷは、図８に示すように、３つの塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３の順序でキャリアＬからの払い出し順（搬送順）に搬入されて塗布処理され、加熱処理については２つの加熱モジュールＨＰ１、ＨＰ２に搬送順に交互に搬入されて処理される。ウエハＷの後に付した符号は、ロット内のウエハＷに割り当てられた順番である。そして検出モジュール３において全てのウエハＷについて検査が行われ、搬送経路情報格納部５３に検査結果が記憶される。
【００２９】
図８に一例を示した搬送経路情報は、ウエハＷの検査結果（この例ではレジスト膜の検査結果）が不良であるときには、レジスト塗布ユニット２あるいは加熱モジュールＨＰにトラブルがあるものと想定し、レジスト塗布ユニット２及び加熱モジュールＨＰに対応する判定個所に不良を示す「ＦＡＩＬ」の表示を書き込むようにしている。一方冷却プレートＣＰＬにおける不具合はこれら機器よりもトラブルの頻度が格段に少ないことから、トラブルの解析を容易に行うために、冷却プレートに対応する判定個所は正常を示す「ＰＡＳＳ」の表示を書き込むようにしている。
【００３０】
図８に示す例では、ウエハＷ５及びＷ７において、検査で不良と判定されている。これらウエハＷ５及びＷ７は不良品のため処分されるが、同じロットの他のウエハＷの処理については予定通りに続行される。この処理の続行の判断については、当該ウエハＷ５及びＷ７における不良は偶然による可能性もあるため、この段階ではそのまま運転を続行する。このため後続のウエハＷは各モジュールにおいて順次処理され、各ウエハＷの搬送経路の情報は搬送経路情報格納部５３に記憶される。ここまでの処理を図９のフローに対応させると、レジスト膜の塗布処理が行われたウエハＷが検査モジュール３にて検査され、その結果が搬送経路情報格納部５３に書き込まれる（ステップＳ１）。そして不良の発生の有無が確認され（ステップＳ１ａ）、不良が確認されると解析プログラム５４によりトラブルの状況の解析が行われ（ステップＳ２）、解析の取り扱いとして、偶然のトラブルと判断されたとき（ステップＳ６）には、そのまま運転を続行する（ステップＳ１０）。
【００３１】
図１０は、薬液ノズル２５のトラブルの場合におけるウエハＷが処理された処理モジュール及びそこでの不具合の有無と検査結果とを示した表である。この例では、ウエハＷ４〜Ｗ６において連続して不良判定となっている。３つの塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３あるいは２つの加熱モジュールＨＰ１、ＨＰ２において同時に不具合が生じるとは考えにくい。このため、この例のように同じ薬液ノズル２５を用いて別の塗布モジュールＣＯＴで処理されたウエハＷにおいて例えば３回連続で不良判定となった場合については、薬液ノズル２５のトラブルに起因すると判定される（図９中ステップＳ３）。
図１１は、塗布モジュールＣＯＴのトラブルの場合におけるウエハＷが処理された処理モジュール及びそこでの不具合の有無と検査結果とを示した表である。この例では、ウエハＷ１、Ｗ４、Ｗ７において不良判定となっている。これら３つの不良判定のウエハＷ１、Ｗ４、Ｗ７はいずれも塗布モジュールＣＯＴ１において処理されており、他の塗布モジュールＣＯＴ２、ＣＯＴ３で処理されたウエハＷについては良品判定となっている。また２つの加熱モジュールＨＰ１、ＨＰ２において同時に不具合が生じるとは考えにくい。これらのことから、この例のように同じ塗布モジュールＣＯＴで処理されたウエハＷにおいて例えば３回連続で不良判定となった場合については、塗布モジュールＣＯＴのトラブルに起因すると判定される（図９中ステップＳ４）。
【００３２】
図１２は、加熱モジュールＨＰのトラブルの場合におけるウエハＷが処理された処理モジュール及びそこでの不具合の有無と検査結果とを示した表である。この例では、ウエハＷ３、Ｗ５、Ｗ７において不良判定となっている。これら３つの不良判定のウエハＷ３、Ｗ５、Ｗ７はいずれも加熱モジュールＨＰ１において処理されており、もう一方の加熱モジュールＨＰ２で処理されたウエハＷについては良品判定となっている。また不良判定のウエハＷ３、Ｗ５、Ｗ７は夫々別々の塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３にて処理されている。これらのことから、この例のように同じ加熱モジュールＨＰで処理されたウエハＷにおいて例えば３回連続で不良判定となった場合については加熱モジュールＨＰのトラブルに起因すると判定される（図９中ステップＳ５）。
【００３３】
また上述した３つのトラブル以外の場合、即ち同じモジュールあるいは同じ薬液ノズル２５により処理されたウエハＷについて例えば３回連続で不良判定が出ていない場合、図８に示すように、そのトラブルは偶然生じたものと判定される（図９中ステップＳ６）。
【００３４】
続いて解析プログラム５４によりトラブル個所が判定された後の対処について、判定されたトラブル毎に説明する。なお図１３〜図１５中のＬ１〜Ｌ５はキャリアであり、ここで説明するノズルは、レジスト塗布ユニットで使用するノズルを指している。キャリアＬ１には薬液ノズル２５ａ（この例ではトラブルが発生する薬液ノズル）を用いて処理される一のロットのウエハＷａが収納されており、その一部のウエハＷａは現在塗布、現像装置において処理が行われている。キャリアＬ２にはトラブルが発生していない薬液ノズル２５ｂを用いて処理される次のロットのウエハＷｂが収納されており、一のロットに続いて処理されるためにキャリアブロックＣ１にて待機している。キャリアＬ３には薬液ノズル２５ａを用いて処理される一のロットのウエハＷ１が収納されており、キャリアＬ１のウエハＷａに続いて処理されるためにキャリアブロックＣ１にて待機している。キャリアＬ４は、天井搬送機構４により塗布、現像装置に向けて搬送中であり、次のロットのウエハＷｂが収納されている。キャリアＬ５は、天井搬送機構４により塗布、現像装置に向けて搬送中であり、一のロットのウエハＷａが収納されている。
【００３５】
薬液ノズル及びその薬液供給系統のトラブルの場合、塗布ユニットにおいて、図９（図中ステップＳ７）及び図１０に示すように、トラブルを起こした薬液ノズル（薬液供給系統）の使用及びそれに対応する一のロットのウエハＷａの処理を停止し、次のロットのウエハＷｂの処理を開始する。図１３は、この場合のウエハＷａ、Ｗｂ及びそれらが収納されたキャリアＬ１〜Ｌ５の搬送状況を模式的に示している。キャリアＬ１のウエハＷａは、その一部は塗布、現像装置内において処理中であり、それ以外は未処理及び処理済みのウエハＷａがキャリアＬ１内に収納されている。この場合、未処理ウエハＷａの塗布、現像装置への払い出しは停止され、処理中のウエハＷａについては処理を中断し、予定通りの搬送経路を通ってキャリアＬ１に戻される。このとき露光処理工程より前で処理が中断されたウエハＷａについては、露光ブロックＣ４への搬送はスキップされる。また搬送経路中における処理モジュールに対しては搬入、搬出だけ行われ、処理はされない。このキャリアＬ１は、天井搬送機構４により図示しない再処理装置に搬送されて、キャリアＬ１内のウエハＷａはそこで再処理（ウエハＷａ上の膜の除去処理など）される。
【００３６】
トラブルを起こした薬液ノズル（薬液供給系統）を使用するウエハＷａが収納され、トラブル発生時点で処理を行うためにキャリアブロックＣ１にて待機していたキャリアＬ３は、塗布、現像装置にて処理は行わず、天井搬送機構４により塗布、現像装置の外に搬送される。トラブル発生時点で処理を行うために天井搬送機構４により塗布、現像装置に搬送中のキャリアＬ５は、塗布、現像装置に搬送せず、塗布、現像装置の外に搬送される。
【００３７】
トラブルが発生していない薬液ノズル２５ｂを用いて処理される次のロットのウエハＷｂが収納されたキャリアＬ２、Ｌ４については、一のロットのウエハＷａに代わって、予定通り塗布、現像装置にてウエハＷｂの処理が行われる。
【００３８】
塗布モジュールＣＯＴのトラブルの場合における、ウエハＷ及びそれらを収納するキャリアＬの態様について、図９、図１１、図１４を参照して説明する。先ず例えばキャリアＬ１から払い出され塗布モジュールＣＯＴ１において処理されたウエハＷａが３枚連続で不良判定となり、塗布モジュールＣＯＴ１が運転停止となる。その後もキャリアＬ１のウエハＷａは、レジスト塗布処理については塗布モジュールＣＯＴ１以外のモジュールＣＯＴ２、ＣＯＴ３を用いて、予定通りの処理が行われる。続いて同じく一のロットのウエハＷａが収納されたキャリアＬ３、Ｌ５についても同様に予定通りの処理が行われる。その後、次のロットのウエハＷｂが収納されたキャリアＬ２、Ｌ４についても、塗布モジュールＣＯＴ１以外のモジュールＣＯＴ２、ＣＯＴ３にてレジスト塗布処理が行われること以外は、順次予定通りに処理が行われる（図９中ステップＳ８）。
【００３９】
加熱モジュールＨＰのトラブルの場合における、ウエハＷ及びそれらを収納するキャリアＬの態様について、図９、図１２、図１５を参照して説明する。先ず例えばキャリアＬ１から払い出され加熱モジュールＨＰ１において処理されたウエハＷａが３枚連続で不良判定となり、加熱モジュールＨＰ１が運転停止となる。その後もキャリアＬ１のウエハＷａは、加熱処理については加熱モジュールＨＰ２を用いて、予定通りの処理が行われる。続いて同じく一のロットのウエハＷａが収納されたキャリアＬ３、Ｌ５についても同様に予定通りの処理が行われる。その後、次のロットのウエハＷｂが収納されたキャリアＬ２、Ｌ４についても、加熱モジュールＨＰ２にて加熱処理が行われること以外は、順次予定通りに処理が行われる（図９中ステップＳ９）。
【００４０】
偶然のトラブルの場合は、不良判定の出たウエハＷだけは判定後も予定通りの搬送経路を通って元のキャリアＬに戻されその後処分され、装置自体は通常運転を続行する（図９中ステップＳ１０）。
【００４１】
この例では、検査モジュール３による検査にて不具合が検出された場合におけるその後の対処について説明したが、前述の微小流量計やＣＣＤカメラ２９により薬液ノズル２５に不具合があると判断した場合でも、上述した薬液ノズル２５に不具合が発生した場合と同様に対処する（図９中ステップＳ７参照）。
【００４２】
本実施形態によれば、液処理であるレジスト塗布に使用する複数の薬液夫々に対応した複数の薬液ノズル２５を用いてウエハＷに液処理を行う技術において、一のロットのウエハＷの液処理に用いる薬液ノズル２５においてトラブルが発生した場合に、その一のロットに対応する薬液ノズル２５（例えば２５ａ）の使用を停止し、当該薬液ノズル（２５ａ）とは別の薬液ノズル２５（例えば２５ｂ）を用いて処理を行う次のロットについて処理を開始するようにしている。従って、薬液ノズル２５による塗布不良が生じても、塗布ユニット２全体の運転を停止せずに、塗布ユニット２の正常動作部分についてはフルに活用しているため、塗布、現像装置の稼働率の低下を抑えることができる。
【００４３】
上述の実施形態では、塗布ユニット２に複数の塗布モジュールＣＯＴ１〜ＣＯＴ３が設けられているが、本発明は塗布ユニット２に設けられる塗布モジュール２０は１個であってもよい。この場合には、薬液ノズル２５におけるレジスト液の吐出状態のトラブルは上述したように例えば図５に示すＣＣＤカメラ２９を用いた監視やレジスト液供給系統に設けられた微小流量計の検出値異常により特定することができる。こうした例においては、ノズル２５における処理液の吐出に不具合があるか否かを監視する監視部は、ＣＣＤカメラ２９及び撮像した画像データの解析用のプログラムや、前記微小流量計などが相当する。またウエハＷの表面にレーザ光を照射するレーザ照射部とウエハＷの表面を撮像するカメラとを設け、レジスト液吐出時にウエハＷの表面に生じるレジスト液の波紋を、カメラの撮像画像データにより解析することで、レジスト液の吐出異常を監視してもよい。そしてノズル２５からレジスト液の吐出異常を検出した後における塗布、現像装置の運転手法については、先の実施形態と同様である。即ち、異常と判断されたノズル２５を使用するウエハＷについては当該塗布ユニット２の使用を禁止し、例えば塗布モジュールへのウエハＷの搬入を禁止して当該塗布ユニット２をスキップさせ、他のノズル２５を使用するウエハＷについては当該塗布ユニット２によりレジスト液の塗布処理を行う。この例においても先の実施形態と同様の効果が得られる。
【００４４】
上述の実施形態では、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３内には塗布ユニット２が１つ設けられているが、複数の塗布処理ユニットが設けられていてもよい。図１６は、このような例を示すＣＯＴ層Ｂ３を示しており、ウエハＷの搬送路Ｒの両側に図１に示したものと同じ塗布ユニットである第１の塗布ユニット２ａ及び第２の塗布ユニット２ｂが夫々設けられている。こうした構成例では、熱系の棚ユニットは例えば当該ＣＯＴ層におけるインターフェイスブロック側に配置することができる。そして通常時は、ウエハＷに対するレジスト液の塗布処理は、２つの塗布ユニット２ａ、２ｂにより分担して行われるが、例えば第１の塗布ユニット２ａにおいて１本のノズル２５が異常（詳しくは、ノズル２５またはノズル２５へのレジスト液の供給系にトラブルが生じている）と判断された場合、当該ノズル２５を使用するロットのウエハＷの塗布ユニット２ａへの搬入が禁止される。それ以降は、このノズル２５を使用するロットのウエハＷについては、搬送スケジュール５１を変更して他の塗布ユニット２ｂのみを用いて処理が行われる。なお不使用とされるノズル２５以外のノズル２５を使用するロットのウエハＷについては、２台の塗布ユニット２ａ、２ｂを用いて並行処理が行われる。
【００４５】
更にまた塗布ユニット２におけるノズル２５に異常がある（ノズル２５あるいはレジスト液の供給系統）と判断されてアラームが発生したときに、コンピュータが自動で搬送スケジュール５１を変更しているが、コンピュータが搬送スケジュール５１の変更を行うトリガーとしては、手動入力であってもよい。即ちオペレータがアラームの発生の認識に基づいてトラブルの対象となっているノズル２５については不使用とする（除外する）旨の指示を塗布、現像装置の操作パネルから入力し、これによりコンピュータが先の実施形態で説明したのと同様に、当該ノズル２５を使用するウエハＷに対して言わば除外搬送を行うように搬送スケジュール５１を変更するようにしてもよい。
【００４６】
以上の説明では、レジスト塗布処理の不良発生時について記載しているが、液処理ユニットとしては例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２における反射防止膜形成処理において複数種別の薬液を基板に応じて使い分ける場合には、反射防止膜形成用の液処理ユニットでもよい。更にまたＳＯＤ（Spin On Dielectric）膜、ＳＯＧ（Spin On Glass）膜、ポリイミド膜等の絶縁膜を形成するための塗布液や、洗浄液などのレジスト液以外の他の薬液を用いる場合にも本発明を適用することができる。また、本発明において、薬液ノズルから処理液が供給される対象は、ウエハＷに限定されるものではなく、ウエハＷ以外の例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板にも本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００４７】
Ｗ ウエハ
Ｌ、Ｌ１〜Ｌ５
キャリア
Ｕ１、Ｕ３
棚ユニット
２ 液処理ユニット
２０ 液処理モジュール
３ 検査モジュール
４ 天井搬送機構
５ 制御部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアブロックに搬入された基板搬送容器であるキャリアから払い出された基板に対して、処理ブロックにて液処理を行い、この液処理の後に続いてモジュールにて後処理が行われ、前記液処理及び後処理を含む一連の処理を終えた基板をキャリアに受け渡す基板処理装置において、
前記処理ブロックに設けられ、基板を水平に保持する基板保持部の周囲をカップ体により囲んで構成される液処理モジュールと、基板のロットに対応する処理液の種別ごとに用意された複数のノズルと、を含む液処理部と、
前記処理ブロック内にて基板の搬送を行うための搬送機構と、
前記ノズルにおける処理液の吐出に不具合があるか否かを監視する監視部と、
この監視部により不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、当該液処理部における液処理を禁止し、当該ノズル以外のノズルを使用する基板については当該液処理部にて液処理を行うように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記液処理部は、前記液処理モジュールを複数配列し、外部から基板が順番に搬入され、
前記ノズルユニットは、複数の液処理モジュールに対して共通化され、複数の液処理モジュールの上方領域の間を移動することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記監視部は、前記液処理ユニットにて液処理が行われた後の基板に対して検査を行う検査部と、前記複数の液処理モジュールの各々を含む基板の搬送経路の情報を記憶する記憶部と、前記検査部における基板の検査結果と基板の搬送経路の情報とを用い、前記複数の液処理モジュールの全てについて、液処理モジュールで処理された基板が不良のときには、当該基板の処理に用いたノズルの吐出に不具合があると判断する判断部と、を備えたことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、キャリアから既に払い出され、不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、前記液処理の後に後処理が行われるモジュールを当該後処理を行わずに通過させるように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、キャリアから払い出される前の基板であって、不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、キャリアからの払い出しを禁止するように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記液処理部は、複数設けられ、
前記制御部は、一の液処理部にてノズルに不具合があると判断されたときには当該ノズルを使用する基板については、他の液処理部にて液処理を行うように搬送機構を制御することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
キャリアブロックに搬入された基板搬送容器であるキャリアから払い出された基板に対して、処理ブロックにて液処理を行い、この液処理の後に続いてモジュールにて後処理が行われ、前記液処理及び後処理を含む一連の処理を終えた基板をキャリアに受け渡す基板処理方法において、
前記処理ブロックに設けられ、基板を水平に保持する基板保持部の周囲をカップ体により囲んで構成される液処理モジュールと、基板のロットに対応する処理液の種別ごとに用意された複数のノズルと、を含む液処理部を用い、
搬送機構により前記液処理モジュールに基板を搬入する工程と、
前記基板に対応する種別の処理液を吐出するノズルから、処理液を基板に吐出して液処理を行う工程と、
前記ノズルにおける処理液の吐出に不具合があるか否かを監視する工程と、
この監視工程により不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、当該液処理部における液処理を禁止し、当該ノズル以外のノズルを使用する基板については当該液処理部にて液処理を行うように前記搬送機構を制御する工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
前記液処理部は、前記液処理モジュールを複数配列し、外部から基板が順番に搬入され、
前記ノズルユニットは、複数の液処理モジュールに対して共通化され、複数の液処理モジュールの上方領域の間を移動することを特徴とする請求項７記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記監視する工程は、前記液処理ユニットにて液処理が行われた後の基板に対して検査を行う工程と、前記複数の液処理モジュールの各々を含む基板の搬送経路の情報を記憶する工程と、前記検査部における基板の検査結果と基板の搬送経路の情報とを用い、前記複数の液処理モジュールの全てについて、液処理モジュールで処理された基板が不合格のときには、当該基板の処理に用いたノズルの吐出に不具合があると判断する工程と、を備えたことを特徴とする請求項８記載の基板処理方法。
【請求項１０】
キャリアから既に払い出され、不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、前記液処理の後に後処理が行われるモジュールを当該後処理を行わずに通過させることを特徴とする請求項７ないし９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
キャリアから払い出される前の基板であって、不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、キャリアからの払い出しを禁止することを特徴とする請求項７ないし１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記液処理部は、複数設けられ、
一の液処理部にてノズルに不具合があると判断されたときには当該ノズルを使用する基板については、他の液処理部にて液処理を行うように搬送機構が制御されることを特徴とする請求項７ないし９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
キャリアブロックに搬入された基板搬送容器であるキャリアから払い出された基板に対して、処理ブロックにて液処理を行い、この液処理の後に続いてモジュールにて後処理が行われ、前記液処理及び後処理を含む一連の処理を終えた基板をキャリアに受け渡す基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項７ないし１２のいずれか一つに記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【請求項１】
キャリアブロックに搬入された基板搬送容器であるキャリアから払い出された基板に対して、処理ブロックにて液処理を行い、この液処理の後に続いてモジュールにて後処理が行われ、前記液処理及び後処理を含む一連の処理を終えた基板をキャリアに受け渡す基板処理装置において、
前記処理ブロックに設けられ、基板を水平に保持する基板保持部の周囲をカップ体により囲んで構成される液処理モジュールと、基板のロットに対応する処理液の種別ごとに用意された複数のノズルと、を含む液処理部と、
前記処理ブロック内にて基板の搬送を行うための搬送機構と、
前記ノズルにおける処理液の吐出に不具合があるか否かを監視する監視部と、
この監視部により不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、当該液処理部における液処理を禁止し、当該ノズル以外のノズルを使用する基板については当該液処理部にて液処理を行うように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記液処理部は、前記液処理モジュールを複数配列し、外部から基板が順番に搬入され、
前記ノズルユニットは、複数の液処理モジュールに対して共通化され、複数の液処理モジュールの上方領域の間を移動することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記監視部は、前記液処理ユニットにて液処理が行われた後の基板に対して検査を行う検査部と、前記複数の液処理モジュールの各々を含む基板の搬送経路の情報を記憶する記憶部と、前記検査部における基板の検査結果と基板の搬送経路の情報とを用い、前記複数の液処理モジュールの全てについて、液処理モジュールで処理された基板が不良のときには、当該基板の処理に用いたノズルの吐出に不具合があると判断する判断部と、を備えたことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、キャリアから既に払い出され、不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、前記液処理の後に後処理が行われるモジュールを当該後処理を行わずに通過させるように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、キャリアから払い出される前の基板であって、不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、キャリアからの払い出しを禁止するように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記液処理部は、複数設けられ、
前記制御部は、一の液処理部にてノズルに不具合があると判断されたときには当該ノズルを使用する基板については、他の液処理部にて液処理を行うように搬送機構を制御することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
キャリアブロックに搬入された基板搬送容器であるキャリアから払い出された基板に対して、処理ブロックにて液処理を行い、この液処理の後に続いてモジュールにて後処理が行われ、前記液処理及び後処理を含む一連の処理を終えた基板をキャリアに受け渡す基板処理方法において、
前記処理ブロックに設けられ、基板を水平に保持する基板保持部の周囲をカップ体により囲んで構成される液処理モジュールと、基板のロットに対応する処理液の種別ごとに用意された複数のノズルと、を含む液処理部を用い、
搬送機構により前記液処理モジュールに基板を搬入する工程と、
前記基板に対応する種別の処理液を吐出するノズルから、処理液を基板に吐出して液処理を行う工程と、
前記ノズルにおける処理液の吐出に不具合があるか否かを監視する工程と、
この監視工程により不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、当該液処理部における液処理を禁止し、当該ノズル以外のノズルを使用する基板については当該液処理部にて液処理を行うように前記搬送機構を制御する工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
前記液処理部は、前記液処理モジュールを複数配列し、外部から基板が順番に搬入され、
前記ノズルユニットは、複数の液処理モジュールに対して共通化され、複数の液処理モジュールの上方領域の間を移動することを特徴とする請求項７記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記監視する工程は、前記液処理ユニットにて液処理が行われた後の基板に対して検査を行う工程と、前記複数の液処理モジュールの各々を含む基板の搬送経路の情報を記憶する工程と、前記検査部における基板の検査結果と基板の搬送経路の情報とを用い、前記複数の液処理モジュールの全てについて、液処理モジュールで処理された基板が不合格のときには、当該基板の処理に用いたノズルの吐出に不具合があると判断する工程と、を備えたことを特徴とする請求項８記載の基板処理方法。
【請求項１０】
キャリアから既に払い出され、不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、前記液処理の後に後処理が行われるモジュールを当該後処理を行わずに通過させることを特徴とする請求項７ないし９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
キャリアから払い出される前の基板であって、不具合があると判断されたノズルを使用する基板については、キャリアからの払い出しを禁止することを特徴とする請求項７ないし１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記液処理部は、複数設けられ、
一の液処理部にてノズルに不具合があると判断されたときには当該ノズルを使用する基板については、他の液処理部にて液処理を行うように搬送機構が制御されることを特徴とする請求項７ないし９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
キャリアブロックに搬入された基板搬送容器であるキャリアから払い出された基板に対して、処理ブロックにて液処理を行い、この液処理の後に続いてモジュールにて後処理が行われ、前記液処理及び後処理を含む一連の処理を終えた基板をキャリアに受け渡す基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項７ないし１２のいずれか一つに記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１３−５５１９１（Ｐ２０１３−５５１９１Ａ）
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９１６８４（Ｐ２０１１−１９１６８４）
【出願日】平成２３年９月２日（２０１１．９．２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２日（２０１１．９．２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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