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Fターム[5F031HA38]の内容

Fターム[5F031HA38]に分類される特許

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【課題】検査時間を短縮し、かつ諸所の検査温度との誤差を抑制する検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置1aは被検査体2及び熱伝導体11aを載置可能な試料台10と、前記試料台10に対向して設けられ、前記被検査体2に接触して検査する探針(検査部)14、この探針14を支持するユニット15及びユニットホルダ13を有する基板12と、前記ユニットホルダ13及び前記試料台10に接触しうる前記熱伝導体11aとを有し、検査方法は試料台10に熱伝導体11aを設置する工程と、基板12と前記熱伝導体11aを接触させる工程と、前記熱伝導体11aを前記試料台10から移動し、前記試料台10に被検査体2を設置する工程と、前記被検査体2に探針14を接触させて検査をする工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハ等の試料の処理の歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】ロック室の後方に相互に連結され減圧された内部を前記ウエハが搬送される真空搬送室の容器の並びと、前記真空搬送室の容器の間に配置され前記ウエハが内部に載せられて収納される中間室と、前記真空搬送室の容器の各々の左右方向のいずれかの側の側壁に連結され内部で前記ウエハが処理される処理容器を含む複数の処理ユニットと、これらの処理ユニットを連結するバイパス路を構成するバイパス室とを備え、前記複数の真空搬送室の容器は、前記ロック室から前記複数の処理ユニットのいずれかに向けて搬送される前記ウエハまたは前記複数の処理ユニットの何れかで処理された後に前記バイパス室を通り別の処理ユニットで処理されて前記ロック室へ向けて搬送される前記ウエハのいずれかのみが搬送される。 (もっと読む)


【課題】小型化及びコスト低減を実現した紫外線照射装置及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に対する紫外線照射を行う処理室と、少なくとも処理室内の基板を加熱する加熱機構と、処理室内を脱酸素及び脱水分状態に保持するように処理室内に気体を供給する気体供給部と、紫外線照射装置内に基板の搬入を行うための基板搬入口と処理室との間に少なくとも設けられ、処理室に連通されることで処理室内を所定雰囲気に維持する予備室と、を備えた紫外線照射装置に関する。 (もっと読む)


【課題】電機子コイルの熱を効率よく除熱する。
【解決手段】 平面モータ50を構成する固定子60内の電機子コイル38の熱は、定盤21の本体部35内に設けられた熱伝導素子71aを介して、定盤21の底部に配置された流路71b内の冷媒に伝熱され、この流路71bを有する蒸発器71を含んで蒸気圧縮冷凍サイクルを構成する冷却装置により効率良く除熱される。これにより、定盤21上の基板ステージWSTの周囲の雰囲気の揺らぎを抑えることが可能となる。そして、干渉計を用いて構成されるウエハ干渉計の高い位置計測精度を維持することができ、ウエハW(基板ステージWST)の位置決め精度を向上するとともにスループットを改善することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】大型のガラス基板等の体積固有抵抗値が大きい基板であっても、十分な冷却効果を有し、且つ、コストに見合った基板の冷却効果を得ることができる基板載置システムを提供する。
【解決手段】基板処理装置10の基板冷却システムにおいて、サセプタ12は基板Gを載置し、静電チャック14はサセプタ12の上部に設けられて基板Gを静電吸着し、ガス流路18及び温度調整ガス供給装置19は静電吸着された基板G及び静電チャック14の間の伝熱空間Tに温度調整ガスを供給し、伝熱空間Tの厚さが50μm以下に設定され、ガス流路18及び温度調整ガス供給装置19は、温度調整ガスとして窒素ガス又は酸素ガスを3Torr(400Pa)以下で伝熱空間Tに供給する。 (もっと読む)


【課題】製造プロセス中のウエハの反りを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハにおける、サポートプレートが貼り付けられている面とは反対側の被支持面の内周部を支持する支持ピンにより支持された積層体を減圧環境下において搬送する搬送ユニット20とを備え、製造プロセス中のウエハの反りを防止することを可能とした。 (もっと読む)


【課題】電機子コイルの熱を効率よく排熱する。
【解決手段】 定盤吸引装置を備えることにより、基板ステージWSTの位置に応じて定盤21を挟んで基板ステージWSTの逆側に設けられた第1空間35aが負圧にされ、定盤21に設けられた複数の孔部39aを介して基板ステージWSTの近傍の気体が吸引される。これにより、電機子コイル38の発熱による定盤21上の基板ステージWSTの周辺の気体の温度変動を抑えることが可能となる。そして、干渉計を用いて構成されるウエハ干渉計の高い位置計測精度を維持することができ、ウエハW(基板ステージWST)の位置決め精度を向上するとともにスループットを改善することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】
各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続的に成膜処理することである
【解決手段】
基板連続処理装置は、第1組の前処理室,成膜処理室,後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第2組の前処理密封室,成膜処理密封室,後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第2組の前処理密封室,成膜処理密封室,後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理室密封,成膜処理密封室及び後処理密封室にはシールするために、1つ若しくは複数の密封材(Oリング等)を設置するための、密封材用取り付け溝を設置してなる構成により課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】複数の構成部材により構成される大型のチャックを用い、大型の基板の温度を均一に精度良く調節して、露光精度を向上させる。
【解決手段】チャック10にほぼ同じ大きさの複数の温度調節領域を設け、チャック10を温度調節領域と異なる形状の複数の構成部材10a,10b,10cにより構成する。チャック10の各温度調節領域に、熱媒体が流れる熱媒体通路11a,11b,11cをそれぞれ独立して設け、チャック10を構成する構成部材10a,10b,10cの境界に位置する温度調節領域の熱媒体通路11b,11cを、隣接する構成部材にまたがって配置する。チャック10の各温度調節領域の温度を別々の温度センサー12で検出し、各温度センサー12の検出結果に基づいてそれぞれ独立に温度を調節した熱媒体を、チャック10の各温度調節領域の熱媒体通路11a,11b,11cへそれぞれ独立して供給する。 (もっと読む)


【課題】基板の位置決め精度が向上すると共に、プロセスへの影響が低減する基板の載置構造及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を内側に収容する複数の貫通孔と、貫通孔の内壁の3箇所に突設され、基板を上面に保持する保持部とを備える基板トレイと、貫通孔に対応して突設された複数の載置台11と、保持部に対応して、載置台11の外周部分の3箇所に形成され、保持部を収容する切欠部13とを備える載置板10とを有し、基板トレイを載置板10上に載置すると、貫通孔の内側に載置台11が配置されて、基板が載置台11の上面に各々載置される基板の載置構造において、載置台11の外径を基板の外径より大きくすると共に、大きくした載置台11の外周部分に基板の外縁を案内するガイド12を設けた。 (もっと読む)


【課題】搬送ロボット2,2を設置した搬送室1,1が並設され、搬送室の並設方向中間部を除く各搬送室の周囲複数箇所に処理室F1〜F4,R1〜R6が配置され、搬送室の並設方向中間部に設けられた基板の受渡し場所M1〜M3に、基板Sを各搬送ロボットとの間で受渡し自在に支持する基板支持部材3が配置された基板処理装置であって、スループットを向上できるようにしたものを提供する。
【解決手段】基板支持部材3は、基板Sを支持する少なくとも上下2段の支持部31,32を備える。また、上段支持部32に支持される基板Sの下面から剥離したパーティクルが下段支持部31に支持される基板Sに落下付着することを防止するため、上段支持部32と下段支持部31との間に遮蔽板33を設ける。 (もっと読む)


【課題】蛍光体を用いた板状試料の温度測定の際に生じる温度測定誤差を小さくすることができ、しかも、発熱体の温度の安定性及び応答性に優れた静電チャック装置を提供する。
【解決手段】一主面を板状試料を載置する載置面11aとするとともに静電吸着用内部電極13を内蔵してなる静電チャック部2と、この静電チャック部2を所望の温度に調整する温度調整用ベース部3とを備え、静電チャック部2の載置面11aと反対側の面にヒータエレメント4を設け、このヒータエレメント4の一部に、石英ガラス31のヒータエレメント4側の面に蛍光体層32を備えた温度測定子5を設け、静電チャック部2と温度調整用ベース部3とを、絶縁性の有機系接着剤層7を介して接着一体化した。 (もっと読む)


【課題】基板処理システムのフットプリントを小さくする。
【解決手段】処理ステーション3と、カセット載置台12と、処理ステーション3とカセット載置台12との間に配置されたウェハ搬送機構21a、21bと、を備えた基板処理システム1において、処理ステーション3とウェハ搬送機構21a、21bとの間には、カセット載置台12と処理ステーション3との間で搬送されるウェハ、及び各処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられた受け渡しブロック22が配置されている。ウェハ搬送機構21a、21bは、カセット載置台12と受け渡しブロック22との間でウェハを搬送する第1の搬送アームと、受け渡しユニットの各段の間でウェハを搬送する第2の搬送アームとを備え、ウェハ搬送機構21a、21bは、上下方向に並べて設けられている。 (もっと読む)


【課題】 冷却効率が良好で、密着強度が高く信頼性に優れた半導体製造装置用部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体製造装置用部材は、窒化アルミニウム質基体1の表面に水酸化アルミニウムからなる被膜(水酸化アルミニウム膜2)が設けられていることを特徴とするものである。これにより、水酸化アルミニウム膜2は水分との濡れ性がいいので、水酸化アルミニウム膜2から窒化アルミニウム質基体1への伝熱が良くなり、冷却効率が良好な半導体製造装置用部材を実現できる。また、水酸化アルミニウム膜2と窒化アルミニウム質基体1との界面へのクラックの発生が抑制され、密着強度が高く信頼性に優れたものとすることができる。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置において占有床面積を小さくすることができる技術を提供すること。
【解決手段】キャリアブロックの背面側に設けられ、基板の処理の順番が前後する複数の階層部分を積層した構造を備えると共に各階層ごとに基板搬送機構及び基板を処理する処理モジュールが設けられた処理ブロックと、各々対応する階層の前記基板搬送機構により基板の受け渡しが行われる基板載置部を積層したタワー部と、キャリア載置部上のキャリアと前記タワー部の基板載置部との間、及び前記タワー部の基板載置部の間で基板の移載を行う基板移載機構と、を備え、基板移載機構は、キャリアと基板載置部との間で基板の移載を行うときに専用に用いられる第1の基板保持部材と、タワー部の基板載置部の間で基板の移載を行うときに専用に用いられる第2の基板保持部材と、を備えるように構成する。 (もっと読む)


【課題】基板処理システムのフットプリントを小さくする。
【解決手段】複数の処理ユニットが上下方向に多段に設けられた処理ステーション3と、複数枚のウェハWを収容するカセットを載置するカセット載置台12と、処理ステーション3とカセット載置台12との間に配置されたウェハ搬送機構21と、を備えた基板処理システム1において、処理ステーション3とウェハ搬送機構21との間には、カセット載置台12と処理ステーション3との間で搬送されるウェハ、及び各処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられた受け渡しブロック22が配置されている。ウェハ搬送機構21は、カセット載置台12と受け渡しブロック22との間でウェハを搬送する第1の搬送アームと、受け渡しユニットの各段の間でウェハを搬送する第2の搬送アームとを備えている。 (もっと読む)


【課題】支持基板と接合されたウェハに反りや歪みが生じることを抑制する。
【解決手段】被処理ウェハWと支持ウェハSを接合する接合装置30は、内部を密閉可能な処理容器100と、接着剤を介して、被処理ウェハWと支持ウェハSとを押圧して接合する接合部113と、接合部113で接合された重合ウェハTを温度調節する重合基板温調部としての受渡アーム120とを有する。接合部113及び受渡アーム120は、処理容器100内に配置されている。 (もっと読む)


【課題】基板のロットに対応する処理液の種別ごとに用意された複数のノズルを含む液処理部を備えた液処理装置において、液処理部に発生したトラブルに対して処理効率の低下を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】一のロットのウエハWの液処理に用いる薬液ノズル25aにおいてトラブルが発生した場合に、その一のロットに対応する薬液ノズル25aの使用を停止し、当該薬液ノズル25aとは別の薬液ノズル25bを用いて処理を行う次のロットについては処理を行うこととする。薬液ノズルにおけるトラブル発生の判断については、処理した各ウエハWの液処理状態を順次検査してその良否を判定し、同一の薬液ノズルを用いて異なる液処理部COT1〜COT3にて処理されたウエハWにおいて、例えば3回連続で不良判定となった場合に、薬液ノズルにおけるトラブル発生と判断する。 (もっと読む)


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