基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
【課題】基板処理システムのフットプリントを小さくする。
【解決手段】処理ステーション３と、カセット載置台１２と、処理ステーション３とカセット載置台１２との間に配置されたウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂと、を備えた基板処理システム１において、処理ステーション３とウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂとの間には、カセット載置台１２と処理ステーション３との間で搬送されるウェハ、及び各処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられた受け渡しブロック２２が配置されている。ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂは、カセット載置台１２と受け渡しブロック２２との間でウェハを搬送する第１の搬送アームと、受け渡しユニットの各段の間でウェハを搬送する第２の搬送アームとを備え、ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂは、上下方向に並べて設けられている。
【解決手段】処理ステーション３と、カセット載置台１２と、処理ステーション３とカセット載置台１２との間に配置されたウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂと、を備えた基板処理システム１において、処理ステーション３とウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂとの間には、カセット載置台１２と処理ステーション３との間で搬送されるウェハ、及び各処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられた受け渡しブロック２２が配置されている。ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂは、カセット載置台１２と受け渡しブロック２２との間でウェハを搬送する第１の搬送アームと、受け渡しユニットの各段の間でウェハを搬送する第２の搬送アームとを備え、ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂは、上下方向に並べて設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理を行う基板処理システム、基板処理システムにおける基板の搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、ウェハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などの一連の処理が順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成されている。これらの一連の処理は、ウェハを処理する各種処理ユニットやウェハを搬送する搬送ユニットなどを搭載した基板処理システムである塗布現像処理システムで行われている。
【０００３】
例えば図１２に示すように塗布現像処理システム２００は、従来、外部からカセットＣを搬入出するためのカセットステーション２０１と、レジスト塗布処理、現像処理及び熱処理等の各種処理を行う複数の処理ユニットが多段に設けられた処理ステーション２０２と、隣接する露光ユニットＡと処理ステーション２０２との間でウェハの受け渡しを行うインターフェイスステーション２０３を一体に備えている（特許文献１）。
【０００４】
カセットステーション２０１には、外部から搬入されたカセットＣが載置されるカセット載置板２１０と、カセット載置板２１０のカセットＣと処理ステーション２０２との間でウェハを搬送するウェハ搬送機構２１１が設けられている。また、処理ステーション２０２のカセットステーション２０１側には、カセット載置板２１０から処理ステーションに搬送される基板と処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する受け渡しブロック２１２が設けられている。受け渡しブロック２１２には、ウェハを一時的に載置する受け渡しユニット（図示せず）が、上下方向に多段に設けられている。受け渡しブロック２１２には、各受け渡しユニットにおける各段の間のウェハの搬送を専門に行う他のウェハ搬送機構２１３が、受け渡しブロック２１２に隣接して設けられている。
【０００５】
そして、塗布現像処理システム２００においてウェハ処理が行われる際には、先ず１ロットの複数枚のウェハが収容されたカセットＣが所定のカセット載置板２１０に載置される。次にウェハ搬送機構２１１によりカセットＣ内のウェハが順次受け渡しブロック２１２に搬送される。その後、各ウェハは処理ステーション２０２と露光ユニットＡに搬送されて処理され、処理の終了したウェハは、ウェハ搬送機構２１１により処理ステーション２０２からカセット載置板２１０のカセットＣに戻される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２７８０２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、近年、塗布現像処理システムには、当該塗布現像処理システムがクリーンルーム床面積に占める割合であるフットプリントを小さくすることが求められている。
【０００８】
フットプリントを小さくするには、各処理ユニットを小型化したり、ウェハの搬送に要するスペースを小さくしたりする必要がある。しかしながら、処理ユニットの小型化には、当該処理ユニットの構成そのものを見直す必要があり制約が多い。
【０００９】
一方、ウェハの搬送に要するスペースを小さくする場合、例えば受け渡しブロック２１２の配置を、例えば従来よりもカセット載置部２１０寄りに変更することで、処理ステーション２０２を短縮化することが提案できる。しかしながら、受け渡しブロック２１２には、各受け渡しユニットの各段の間でウェハを搬送するための他のウェハ搬送機構２１３を隣接して設ける必要があるため、受け渡しブロック２１２も配置上の制約をうける。
【００１０】
この場合、ウェハ搬送機構２１１と他のウェハ搬送機構２１３とを一体化して、ウェハ搬送機構２１１に他のウェハ搬送機構２１３機能を持たせることで、配置上の制約となる他のウェハ搬送機構２１３を設けないようにすることが提案できる。しかしながら、ウェハ搬送機構２１１と他のウェハ搬送機構２１３を一体化した場合、例えば各受け渡しユニットの各段の間でのウェハの搬送のタイミングと、カセット載置板２１０のカセットＣと処理ステーション２０２との間でウェハを搬送するタイミングとが重複すると、いずれか一方のウェハの搬送が待機状態となり、塗布現像処理システム２００でのスループットが低下してしまう。
【００１１】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板処理システムのスループットを低下させることなく、当該基板処理システムのフットプリントを小さくすることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板を処理する複数の処理ユニットが上下方向に多段に設けられた処理ステーションと、複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、前記処理ステーションと前記カセット載置部との間に配置された基板搬送機構と、を備えた基板処理システムにおいて、前記処理ステーションと前記基板搬送機構との間には、前記カセット載置部と前記処理ステーションとの間で搬送される基板、及び前記処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられ、
前記基板搬送機構は、前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間で基板を搬送する第１の搬送アームと、前記各受け渡しユニットの各段の間で基板を搬送する第２の搬送アームとを備えていることを特徴としている。
【００１３】
本発明によれば、処理ステーションとカセット載置部との間に配置された基板搬送機構が、第１の搬送アームと第２の搬送アームを有しているので、カセット載置部と受け渡しユニットとの間の基板搬送と、各受け渡しユニットの各段の間での基板搬送の双方を、基板搬送機構により実施できる。そのため、従来設けられていた、受け渡しユニットの各段の間での基板搬送のために専用で設けられていた基板搬送機構が不要となる。その結果、受け渡しブロックをカセット載置部寄りに配置を変更する際の制約がなくなり、受け渡しブロックを従来よりもカセット載置部寄りに配置することができる。また、基板搬送機構を上下方向に複数設けているので、例えば各受け渡しユニットの各段の間での基板の搬送のタイミングと、カセットと処理ステーションとの間で基板を搬送するタイミングとが重複した場合であっても、複数の基板搬送機構のうち、基板搬送のタイミングになっていない基板搬送機構により基板を搬送することができるので、基板が待機状態となることを防止できる。したがって本発明によれば、基板処理システムのスループットを低下させることなく、当該基板処理システムのフットプリントを小さくすることができる。
【００１４】
前記複数の処理ユニットは、当該処理ユニットで処理される基板の搬送経路が最短となるように上下方向に基板の処理順に並べて配置され、前記処理ステーションには、前記処理順に配置された処理ユニット群が、上下方向に少なくとも２段設けられていてもよい。
【００１５】
前記基板搬送機構の動作を制御する制御装置を備え、前記制御装置は、前記第１の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第２の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、基板が待機状態となる時間が最小限となるように、いずれか一方の搬送アームにより優先して基板を搬送する制御を行ってもよい。
【００１６】
前記基板搬送機構の動作を制御する制御装置を備え、前記制御装置は、前記第１の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第２の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、前記第１の搬送アームによる前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送を優先するように制御し、基板を搬送していない他の基板搬送機構により、前記各受け渡しユニットの各段の間で搬送を行うように制御してもよい。
【００１７】
前記搬送機構は、前記第1の搬送アーム及び前記第２の搬送アームを水平方向及び上下方向に移動させるアーム駆動部を有していてもよい。
【００１８】
別な観点による本発明は基板を処理する複数の処理ユニットが上下方向に多段に設けられた処理ステーションと、複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、前記処理ステーションと前記カセット載置部との間に配置された基板搬送機構と、を備えた基板処理システムにおける基板の搬送方法であって、前記基板搬送機構は、上下方向に複数並べて設けられ、前記処理ステーションと前記基板搬送機構との間には、前記カセット載置部と前記処理ステーションとの間で搬送される基板、及び前記処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられ、前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送は、前記基板搬送機構の第１の搬送アームにより行われ、前記各受け渡しユニットの各段の間での基板搬送は、前記基板搬送機構の第２の搬送アームにより行われることを特徴としている。
【００１９】
前記第１の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第２の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、前記第１の搬送アームによる前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送を優先して行い、
基板を搬送していない他の基板搬送機構により、前記各受け渡しユニットの各段の間における搬送を行ってもよい。
【００２０】
前記複数の処理ユニットは、当該処理ユニットで処理される基板の搬送経路が最短となるように上下方向に基板の処理順に並べて配置され、前記処理ステーションには、前記処理順に配置された処理ユニット群が、少なくとも上下方向に２段設けられてもよい。
【００２１】
さらに別な観点による本発明によれば、前記基板搬送方法を基板処理システムによって実行させるために、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２２】
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板処理システムのスループットを低下させることなく、当該基板処理システムのフットプリントを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施の形態にかかる基板処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる基板処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図３】本実施の形態にかかる基板処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図４】ウェハ搬送機構の構成の概略を示す斜視図である。
【図５】ウェハ搬送機構の構成の概略を示す側面図である。
【図６】上下方向に複数設けられたウェハ搬送機構近傍の構成の概略を示す背面図である。
【図７】受け渡しユニットの構成の概略を示す正面図である。
【図８】プレート及び搬送アームの構成の概略を示す平面図である。
【図９】プレート及び搬送アームの構成の概略を示す平面図である。
【図１０】基板処理システムで行われるウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。
【図１１】他の実施の形態にかかる基板処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図１２】従来の基板処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板処理システム１の内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、基板処理システム１の内部構成の概略を示す側面図である。なお、本実施の形態では、基板処理システム１が、例えば基板のフォトリソグラフィー処理を行う塗布現像処理システムである場合を例にして説明する。
【００２６】
基板処理システム１は、図１に示すように例えば外部との間で、複数枚のウェハＷが収容されたカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、フォトリソグラフィー処理の中でウェハＷに所定の処理を施す処理ユニットを複数備えた処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する露光ユニット４との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。また、基板処理システム１は、各種処理ユニットなどの制御を行う制御装置６を有している。
【００２７】
カセットステーション２は、例えばカセット搬入出部１０とウェハ搬送部１１により構成されている。カセット搬入出部１０は、例えば基板処理システム１のＹ方向負方向（図１の左方向）側の端部に設けられている。カセット搬入出部１０には、カセット載置部としてのカセット載置台１２が設けられている。カセット載置台１２上には、カセット載置板１３が例えば４つ設けられている。カセット載置板１３は、水平方向のＸ方向（図１の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板１３には、基板処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
【００２８】
ウェハ搬送部１１には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２０上を移動自在な、複数のウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂと、受け渡しブロック２２が設けられている。複数のウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂは、図２及び図３に示すように、上下方向に多段に設けられている。受け渡しブロック２２には、カセット載置板１３と処理ステーション３との間で搬送される基板を一時的に収容する受け渡しユニット３０〜３５が、図２及び図３に示すように、下から上に向かって順に多段に設けられている。ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの動作は、制御装置６によって制御される。
【００２９】
ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂは、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板１３上のカセットＣと受け渡しブロック２２の各受け渡しユニット３０〜３５との間、及び各受け渡しユニット３０〜３５の各段の間でウェハＷを搬送できる。なお、ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂ及び受け渡しユニット３０〜３５の詳細な構成については後述する。
【００３０】
カセットステーション２に隣接する処理ステーション３には、各種ユニットを備えた複数例えば３つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３が設けられている。処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられている。
【００３１】
例えば第１のブロックＧ１には、複数の液処理ユニットがウェハＷの処理順に沿って下から上の順で、且つカセットステーション２側からインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）の順に積層して配置されている。
【００３２】
具体的には、例えば図２に示すように、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成ユニット４０が最下段に配置されている。その上の段には、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット４１と、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成ユニット４２が水平方向に並んで配置されている。上部反射防止膜形成ユニット４２は、レジスト塗布ユニット４１よりも処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）に設けられている。また、下部反射防止膜形成ユニット４０とレジスト塗布ユニット４１の上の段には、露光後のウェハＷを現像処理する現像処理ユニット４３が配置されている。これらの各処理ユニット４０〜４３により処理ユニット群Ａが構成されており、処理ユニット群Ａの上方には、処理ユニット群Ａと同様の構成の処理ユニット群Ｂが配置されている。なお、上部反射防止膜形成ユニット４２に代えて、例えばレジスト膜の上層に撥水性の保護膜を形成する保護膜塗布ユニットを配置してもよい。
【００３３】
上述の各処理ユニット４０〜４３は、図２に示すように処理時にウェハＷを収容するカップＦを水平方向に複数有しており、複数のウェハＷを並行して処理することができる。
【００３４】
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理ユニット５０〜５２や、ウェハＷを疎水化処理するアドヒージョンユニット５３、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光ユニット５４が、上記の各処理ユニット４０〜４３と同様に、ウェハＷの処理順に沿って鉛直方向と水平方向に並べて配置されている。これら処理ユニット５０〜５４により処理ユニット群Ｃが構成されており、処理ユニット群Ｃの上方には、処理ユニット群Ｃと同様の構成の処理ユニット群Ｄが配置されている。なお、熱処理ユニット５０〜５２は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。
【００３５】
例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡しユニット６０〜６５が下から順に設けられている。
【００３６】
図１に示すように受け渡しブロック２２及び第１のブロックＧ１〜第３のブロックＧ３に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えば図３に示すように複数のウェハ搬送機構７０〜７５が下から順に設けられている。各ウェハ搬送機構７０〜７５は、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び鉛直方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送機構７０〜７５は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の受け渡しブロック２２、第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２及び第３のブロックＧ３内の同程度の高さの所定のユニットにウェハＷを搬送できる。
【００３７】
インターフェイスステーション５には、ウェハ搬送機構９０が設けられている。ウェハ搬送機構９０は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送機構９０は、例えば搬送アームにウェハＷを支持して、第３のブロックＧ３内の各受け渡しユニットと露光ユニット４との間でウェハＷを搬送できる。
【００３８】
次に、上述したウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂと、受け渡しユニット３０〜３５の構成について説明する。図４は、ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの構成の概略を示す斜視図であり、図５はウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの構成の概略を示す側面図である。
【００３９】
ウェハ搬送機構２１ａは、図４及び図５に示すように、上下方向に並べて配置された第１の搬送アーム１００と、第２の搬送アーム１０１を有している。第1の搬送アーム１００は、その先端が２本に分岐した略Ｕ字形状を有しており、カセットＣと受け渡しブロック２２との間でウェハＷを搬送することができる。第1の搬送アーム１００の上面には、ウェハＷを吸着保持するための吸引孔（図示せず）が設けられている。
【００４０】
第２の搬送アーム１０１は、ウェハＷよりも直径の大きい略３／４円環系状（Ｃ字形状）を有しており、受け渡しブロック２２の各段の間で上下方向にウェハＷの受け渡しを行うことができる。第２の搬送アーム１０１には、当該第２の搬送アーム１０１の内側に向かって突出する保持部１０２が例えば４箇所に設けられている。各保持部１０２の上面には、ウェハＷを吸着保持するための吸引孔（図示せず）が設けられている。
【００４１】
第１の搬送アーム１００と第２の搬送アーム１０１の基端部には、アーム駆動部１１０が設けられている。このアーム駆動部１１０により、各搬送アーム１００、１０１はそれぞれ独立して水平方向に移動できる。これら搬送アーム１００、１０１とアーム駆動部１１０は、基台１１１に支持されている。基台１１１の下方には、回転駆動部１１２が設けられている。基台１１１は、当該基台１１１の下面に設けられたシャフト１１３を介して回転駆動部１１２に接続されている。この回転駆動部１１２により、基台１１１及び各搬送アーム１００、１０１はシャフト１１３を中心軸として回転できる。なお、ウェハ搬送機構２１ｂの構成は、ウェハ搬送機構２１ａの構成と同様である。
【００４２】
また、ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂは、例えば図６に示すように、鉛直方向に平行に延伸する直動レール１２０、１２０に対し、鉛直方向に摺動自在に設けられた昇降基台１２１、１２２によりそれぞれ支持されている。各昇降基台１２１、１２２は、直動レール１２０、１２０に沿って並行に設けられた昇降機構１２３、１２４によりそれぞれ独立して昇降できる。昇降機構１２３、１２４は、例えば、モータ１２５とプーリ１２６とを組み合わせて構成され、モータ１２５の正転逆転を制御することで、昇降基台１２１、１２２の上昇下降を制御できる。各昇降基台１２１、１２２の上面には、各ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの回転駆動部１１２、１１２がそれぞれ支持されている。これにより、ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの各搬送アーム１００、１０１は、独立して回転動作及び昇降動作ができ、且つ水平方向に移動できる。
【００４３】
次に、受け渡しユニット３０の構成について説明する。図７は受け渡しユニット３０の構成の概略を示す側面図であり、図８及び図９は、受け渡しユニット３０の構成の概略を示す横断面図である。
【００４４】
受け渡しユニット３０は、例えば図７に示すように、ウェハ搬送機構２１及び処理ステーション３側の面が開口した角柱形状の筐体１３０を有している。ウェハ搬送機構２１の各搬送アーム１００、１０１とウェハ搬送機構７０〜７５の各搬送アームは、この開口から受け渡しユニット３０の内部にアクセス自在となっている。
【００４５】
筐体１３０の内側には、ウェハＷを保持する複数のプレート１４０〜１４６が鉛直方向に積層して設けられている。プレート１４０は、例えばウェハＷを載置して温度調整する温度調整板である。プレート１４０は、例えば図８に示すように、略円盤形状を有している。プレート１４０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸着保持するための吸引孔（図示せず）が設けられている。
【００４６】
プレート１４０の内部には、温度調整用として例えばペルチェ素子などの温度調整部材（図示せず）が内蔵されており、プレート１４０に載置されるウェハＷの温度を所望の温度、例えば２３℃に調整することができる。
【００４７】
プレート１４０には、上下方向に貫通する複数の貫通孔１５０が形成されている。貫通孔１５０には、昇降ピン１５１が設けられている。昇降ピン１５１は、シリンダなどの昇降駆動機構（図示せず）によって上下動できる。昇降ピン１５１は、貫通孔１５０内を挿通してプレート１４０の上面に突出し、ウェハＷを支持して昇降できる。したがって、第１の搬送アーム１００が上下動することによって、ウェハＷを第１の搬送アーム１００と昇降ピン１５１との間で受け渡しすることができる。プレート１４１、１４２の構成もプレート１４０と同様である。
【００４８】
プレート１４３は、例えばウェハＷを載置して冷却する冷却板である。プレート１４０の内部には、冷却用の冷媒を流通させる冷媒流路（図示せず）が形成されており、プレート１４０に載置されるウェハＷを冷却することができる。
【００４９】
プレート１４３の外周縁部には、例えば図９に示すように、平面視において第２の搬送アーム１０１の保持部１０２の形状に対応して凹状に窪んだ窪み部１４３ａが、周方向に沿って所定の間隔で設けられている。したがって、第２の搬送アーム１０１がプレート１４３に対して相対的に上下動することによって、第２の搬送アーム１０１とプレート１４３との間でウェハＷの受け渡しをすることができる。プレート１４４〜１４６の構成もプレート１４３と同様である。
【００５０】
受け渡しユニット３３の構成は、受け渡しユニット３０の構成と同様であるので、説明を省略する。受け渡しユニット３１、３４には、プレート１４３と同様の構成のプレートのみが例えば７枚設けられており、その他の構成については、受け渡しユニット３０と同様である。この場合、受け渡しユニット３１、３３内のウェハＷは、第１の搬送アーム１００によりカセットＣとの間で搬送されることはなく、第２の搬送アーム１０１による受け渡しブロック２２内の各段の間での搬送のみが行われる。また、受け渡しユニット３２、３５は、プレート１４０と同様の構成のプレートのみが例えば７枚設けられており、その他の構成については、受け渡しユニット３０と同様である。この場合、受け渡しユニット３２、３５内のウェハＷは、第１の搬送アーム１００により、カセットＣとの間の搬送のみが行われる。
【００５１】
即ち、上述のような構成を有するウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂ及び受け渡しブロック２２においては、ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの第１の搬送アーム１００により、カセットＣと受け渡しユニット３０、３３間のウェハ搬送、及びカセットＣと受け渡しユニット３２、３５間のウェハ搬送が行われる。また、第２の搬送アーム１０１により、受け渡しユニット３０、３３と受け渡しユニット３１、３４との間でウェハ搬送が行われる。なお、受け渡しブロック２２の構成については、本実施の形態に限定されるものではなく、受け渡しブロック２２内の各受け渡しユニット３０〜３５の配置や数、また、各受け渡しユニット３０〜３５内の各プレート１４０〜１４６の配置や数についても任意に決定が可能である。
【００５２】
また、ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂによるウェハＷの搬送は、制御装置６により、基板処理システム１の各処理ユニットでのウェハＷの処理効率が最大化するように制御される。具体的には、第１の搬送アーム１００による、例えばカセットＣと受け渡しユニット３０間でのウェハＷの搬送のタイミングと、第２の搬送アーム１０１による受け渡しユニット３０から受け渡しユニット３２へのウェハＷの搬送のタイミングが重複した場合、いずれか一方のウェハＷの搬送を優先させ、他方のウェハＷは、優先して搬送されるウェハＷの搬送が完了するまでは待機状態とする。そしてこの際、制御装置６は、待機状態となる時間が最小となるように、換言すれば、待機状態が生じることによる基板処理システム１のスループットの低下が最小限となるように、優先して搬送するウェハＷを選択する。
【００５３】
なお、第１の搬送アーム１００によるウェハ搬送のタイミングと第２の搬送アーム１０１による搬送のタイミングが重複した場合の制御は、上記の内容に限定されるものではない。例えばウェハ搬送機構２１ｂにおいてウェハ搬送のタイミングが重複した場合に、ウェハ搬送機構２１ａがウェハの搬送を行っていない状態であったり、ウェハ搬送機構２１ａにより搬送を行うほうがウェハＷの待機時間が少なくなる場合には、このウェハ搬送機構２１ａの第２の搬送アーム１０１で例えば受け渡しユニット３０、３２の段間での搬送を行い、ウェハ搬送機構２１ｂによりカセットＣと受け渡しユニット３０との間の搬送を優先的に行うようにしてもよい。こうすることで、基板処理システム１内のウェハＷの搬送を滞りなく行うことができる。
【００５４】
制御装置６は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成されている。この制御装置６には、例えば基板処理システム１の各種処理ユニットでのウェハ処理の内容や各ウェハＷの搬送ルートを定めた処理レシピが、プログラムとして例えばメモリに記憶されている。このプログラムを実行することによって、基板処理システム１の各種処理ユニットや上述した各ウェハ搬送機構の動作を制御し、基板処理システム１におけるウェハＷの各種処理や搬送の制御が行われる。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータで読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御装置６にインストールされたものであってもよい。
【００５５】
以上のように構成された基板処理システム１では、例えば次のようなウェハ処理が行われる。図１０は、かかるウェハ処理の主な工程の例を示すフロー図である。
【００５６】
ウェハＷの処理にあたっては、先ず、１ロットの複数枚のウェハＷを収容した複数のカセットＣが、カセットステーション２の所定のカセット載置板１３に載置される。その後、ウェハ搬送機構２１ｂの第１の搬送アーム１００によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、受け渡しブロック２２の例えば受け渡しユニット３０に搬送される。受け渡しユニット３０に搬送されたウェハＷは、例えばプレート１４０に載置され所定の温度に温度調整処理される（図１０の工程Ｓ１）。
【００５７】
次にウェハＷは、ウェハ搬送機構７０によって第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成ユニット４０に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される（図１０の工程Ｓ２）。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理ユニット５０に搬送され、加熱処理が行われる。その後、ウェハＷは、アドヒージョンユニット５３に搬送され、アドヒージョン処理される（図１０の工程Ｓ３）。
【００５８】
次にウェハＷは、ウェハ搬送機構７０により受け渡しユニット３０に戻され、プレート１４３に載置される。プレート１４３に載置されたウェハＷは所定の温度に冷却され、その後、ウェハ搬送機構２１の第２の搬送アーム１０１によって同じ受け渡しブロック２２の受け渡しユニット３１に搬送される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送機構７１によってレジスト塗布ユニット４１に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される（図１０の工程Ｓ４）。
【００５９】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送機構７１によって熱処理ユニット５１に搬送されて、プリベーク処理される（図１０の工程Ｓ５）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構７１によって同じ第２のブロックＧ２の上部反射防止膜形成ユニット４２に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される（図１０の工程Ｓ６）。
【００６０】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送機構７１によって熱処理ユニット５１に搬送されて、加熱され、温度調節される。次いでウェハＷは、周辺露光ユニット５４に搬送され、周辺露光処理される（図１０工程Ｓ７）。
【００６１】
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構７１によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット６１に搬送される。受け渡しユニット６１に搬送されたウェハＷは、インターフェイスステーション５のウェハ搬送機構９０によって露光ユニット４に搬送され、露光処理される（図１０の工程Ｓ８）。
【００６２】
次に、ウェハＷは、ウェハ搬送機構９０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット６２に搬送される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構７２によって第２のブロックＧ２の熱処理ユニット５２に搬送され、露光後ベーク処理される（図１０の工程Ｓ９）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構７２によって現像処理ユニット４３に搬送され、現像される（図１０の工程Ｓ１０）。現像終了後、ウェハＷは、熱処理ユニット５２に搬送され、ポストベーク処理される（図９の工程Ｓ１１）。
【００６３】
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構７２によって受け渡しブロック２２の受け渡しユニット３２に搬送される。そして、受け渡しユニット３２のウェハＷはウェハ搬送機構２１ｂの第１の搬送アーム１００により、所定のカセット載置板１３のカセットＣに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００６４】
また、上述のような、処理ユニット群Ａ及び処理ユニット群ＣにおけるウェハＷの処理と並行して、ウェハ搬送機構２１ａにより、例えば受け渡しユニット３３に搬送されたウェハＷも処理ユニット群Ｂ及び処理ユニット群Ｄにおいて適宜処理される。この間、ウェハ搬送機構２１ａ及びウェハ搬送機構２１ｂは、上述のとおり、制御装置６によりウェハＷの待機時間が最小となるように搬送動作が制御される。
【００６５】
以上の実施の形態によれば、処理ステーション３とカセット載置台１２との間に配置されたウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂが、第１の搬送アーム１００と第２の搬送アーム１０１を有しているので、このウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂにより、カセット載置台１２上のカセットＣと各受け渡しユニット３０〜３５との間のウェハ搬送と、各受け渡しユニット３０〜３５の各段の間でのウェハ搬送とを行うことができる。そのため、従来、受け渡しユニット３０〜３５の各段の間でのウェハ搬送のために専用で設けられていた、例えば図１２に示される他のウェハ搬送機構２１３が不要となる。したがって、受け渡しブロック２２の配置をカセット載置台１２寄りに変更する際の制約がなくなり、受け渡しブロック２２を従来よりもカセット載置台寄りに配置することができる。
【００６６】
また、複数のウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂを上下方向に設けているので、例えばウェハ搬送機構２１ｂによる受け渡しユニット３０と受け渡しユニット３１との間でのウェハＷの搬送のタイミングと、カセットＣと受け渡しユニット３２との間での搬送のタイミングとが重複した場合であっても、例えばウェハ搬送機構２１ａがウェハの搬送を行っていない状態にある場合や、ウェハ搬送機構２１ａにより搬送を行うほうがウェハＷの待機時間が少なくなる場合は、このウェハ搬送機構２１ａの第２の搬送アーム１０１で例えば受け渡しユニット３０、３１の段間での搬送を行うことができる。したがって本発明によれば、基板処理システム１のスループットを低下させることなく、当該基板処理システム１のフットプリントを小さくすることができる。
【００６７】
また、例えば受け渡しユニット３０〜３５を、温度調整機能や冷却機能を有するプレート１４０〜１４６により構成したので、ウェハＷの搬送の合間に、当該ウェハＷの温度調整や冷却を行うことができる。これにより、基板処理システム１におけるウェハ処理のスループットを向上させることができる。また、従来の処理ステーション３に設けられていた温度調整用のユニットや冷却用のユニットを削減することができる。したがって、処理ステーション３を小型化することができ、基板処理システム１のフットプリントをさらに小さくできる。
【００６８】
また、複数のウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂを設けることで、いずれが一方、例えばウェハ搬送機構２１ａが故障した場合であっても、故障していない健全なウェハ搬送機構２１ｂによりウェハＷの搬送を継続できる。かかる場合、故障したウェハ搬送機構２１ａは、健全なウェハ搬送機構２１ｂと干渉しないように、例えば直動レール１２０上端部の退避位置まで移動させることが好ましい。なお、搬送機構２１ａ、２１ｂを上下方向に配置するにあたっては、例えば図２や図６に示すように同一の鉛直線上に配置する必要はなく、例えば上下に配置されたウェハ搬送機構２１ａとウェハ搬送機構２１ｂとが、平面視において一部重なり合うような配置であってもよい。
【００６９】
なお、以上の実施の形態では、例えば第１のブロックＧ１の場合についていうと、図２に示すように、各処理ユニット４０〜４３がウェハＷの処理順に沿って設けられた処理ユニット群Ａと処理ユニット群Ｂが上下に２段配置されていたが、第１のブロックや第２のブロック内の各処理ユニットの配置や設置数についてはウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの設置数や配置などに応じて適宜設定されるものであり、本実施の形態の内容に限定されるものではない。例えば、図１１に示すように、各処理ユニット４０〜４３を上下方向に２段ずつウェハＷの処理順に沿って配置し、下方に設けられたウェハ搬送機構２１ｂにより、例えば２段の下部反射防止膜形成ユニット４０、４０と、１段のレジスト塗布ユニット４１及び上部反射防止膜形成ユニット４２にかかるウェハＷの搬送を行い、上方に設けられたウェハ搬送機構２１ａにより、１段のレジスト塗布ユニット４１及び上部反射防止膜形成ユニット４２と、２段の現像処理ユニット４３、４３にかかるウェハＷの搬送を行うようにしてもよい。また、かかる場合、各受け渡しユニット３０〜３５は、対応する各処理ユニットの配置に合わせて、例えば下から上に、受け渡しユニット３０、３３、３１、３４、３２、３５の順で配置される。この場合においても、ウェハＷ搬送の際のウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの上下方向への移動距離が短くなるので、ウェハＷを効率的に搬送できる。
【００７０】
なお、以上の実施の形態では、受け渡しブロック２２はウェハ搬送部１１に設けられていたが、例えば処理ステーション３とカセットステーション２との間に設けられていてもよいし、処理ステーション３に設けてもよい。いずれの場合においても、従来、受け渡しユニット３０〜３５の各段の間でのウェハ搬送のために専用で設けられていた、図１２に示される他のウェハ搬送機構２１３が不要となるので、基板処理システム１のフットプリントを小さくすることができる。
【００７１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板に対して処理を行う際に有用である。
【符号の説明】
【００７３】
１ 基板処理システム
２ カセットステーション
３ 処理ステーション
４ 露光ユニット
５ インターフェイスステーション
６ 制御装置
１０ カセット搬入出部
１１ ウェハ搬送部
１２ カセット載置台
１３ カセット載置板
２０ 搬送路
２１ ウェハ搬送機構
２２ 受け渡しブロック
３０〜３５ 受け渡しユニット
４０ 下部反射防止膜形成ユニット
４１ レジスト塗布ユニット
４２ 上部反射防止膜形成ユニット
４３ 現像処理ユニット
５０〜５２ 熱処理ユニット
５３ アドヒージョンユニット
５４ 周辺露光ユニット
６０〜６５ 受け渡しユニット
７０〜７５ ウェハ搬送機構
９０ ウェハ搬送機構
１００ 第１の搬送アーム
１０１ 第２の搬送アーム
１０２ 保持部
１１０ アーム駆動部
１１１ 基台
１１２ 回転駆動部
１１３ シャフト
１２０ 直動レール
１２１、１２２ 昇降基台
１２３、１２４ 昇降機構
１２５ モータ
１２６ プーリ
１３０ 筐体
１４０〜１４６ プレート
１５０ 貫通孔
１５１ 昇降ピン
Ｗ ウェハ
Ｆ カップ
Ｄ ウェハ搬送領域
Ｃ カセット
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理を行う基板処理システム、基板処理システムにおける基板の搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、ウェハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などの一連の処理が順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成されている。これらの一連の処理は、ウェハを処理する各種処理ユニットやウェハを搬送する搬送ユニットなどを搭載した基板処理システムである塗布現像処理システムで行われている。
【０００３】
例えば図１２に示すように塗布現像処理システム２００は、従来、外部からカセットＣを搬入出するためのカセットステーション２０１と、レジスト塗布処理、現像処理及び熱処理等の各種処理を行う複数の処理ユニットが多段に設けられた処理ステーション２０２と、隣接する露光ユニットＡと処理ステーション２０２との間でウェハの受け渡しを行うインターフェイスステーション２０３を一体に備えている（特許文献１）。
【０００４】
カセットステーション２０１には、外部から搬入されたカセットＣが載置されるカセット載置板２１０と、カセット載置板２１０のカセットＣと処理ステーション２０２との間でウェハを搬送するウェハ搬送機構２１１が設けられている。また、処理ステーション２０２のカセットステーション２０１側には、カセット載置板２１０から処理ステーションに搬送される基板と処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する受け渡しブロック２１２が設けられている。受け渡しブロック２１２には、ウェハを一時的に載置する受け渡しユニット（図示せず）が、上下方向に多段に設けられている。受け渡しブロック２１２には、各受け渡しユニットにおける各段の間のウェハの搬送を専門に行う他のウェハ搬送機構２１３が、受け渡しブロック２１２に隣接して設けられている。
【０００５】
そして、塗布現像処理システム２００においてウェハ処理が行われる際には、先ず１ロットの複数枚のウェハが収容されたカセットＣが所定のカセット載置板２１０に載置される。次にウェハ搬送機構２１１によりカセットＣ内のウェハが順次受け渡しブロック２１２に搬送される。その後、各ウェハは処理ステーション２０２と露光ユニットＡに搬送されて処理され、処理の終了したウェハは、ウェハ搬送機構２１１により処理ステーション２０２からカセット載置板２１０のカセットＣに戻される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２７８０２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、近年、塗布現像処理システムには、当該塗布現像処理システムがクリーンルーム床面積に占める割合であるフットプリントを小さくすることが求められている。
【０００８】
フットプリントを小さくするには、各処理ユニットを小型化したり、ウェハの搬送に要するスペースを小さくしたりする必要がある。しかしながら、処理ユニットの小型化には、当該処理ユニットの構成そのものを見直す必要があり制約が多い。
【０００９】
一方、ウェハの搬送に要するスペースを小さくする場合、例えば受け渡しブロック２１２の配置を、例えば従来よりもカセット載置部２１０寄りに変更することで、処理ステーション２０２を短縮化することが提案できる。しかしながら、受け渡しブロック２１２には、各受け渡しユニットの各段の間でウェハを搬送するための他のウェハ搬送機構２１３を隣接して設ける必要があるため、受け渡しブロック２１２も配置上の制約をうける。
【００１０】
この場合、ウェハ搬送機構２１１と他のウェハ搬送機構２１３とを一体化して、ウェハ搬送機構２１１に他のウェハ搬送機構２１３機能を持たせることで、配置上の制約となる他のウェハ搬送機構２１３を設けないようにすることが提案できる。しかしながら、ウェハ搬送機構２１１と他のウェハ搬送機構２１３を一体化した場合、例えば各受け渡しユニットの各段の間でのウェハの搬送のタイミングと、カセット載置板２１０のカセットＣと処理ステーション２０２との間でウェハを搬送するタイミングとが重複すると、いずれか一方のウェハの搬送が待機状態となり、塗布現像処理システム２００でのスループットが低下してしまう。
【００１１】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板処理システムのスループットを低下させることなく、当該基板処理システムのフットプリントを小さくすることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板を処理する複数の処理ユニットが上下方向に多段に設けられた処理ステーションと、複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、前記処理ステーションと前記カセット載置部との間に配置された基板搬送機構と、を備えた基板処理システムにおいて、前記処理ステーションと前記基板搬送機構との間には、前記カセット載置部と前記処理ステーションとの間で搬送される基板、及び前記処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられ、
前記基板搬送機構は、前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間で基板を搬送する第１の搬送アームと、前記各受け渡しユニットの各段の間で基板を搬送する第２の搬送アームとを備えていることを特徴としている。
【００１３】
本発明によれば、処理ステーションとカセット載置部との間に配置された基板搬送機構が、第１の搬送アームと第２の搬送アームを有しているので、カセット載置部と受け渡しユニットとの間の基板搬送と、各受け渡しユニットの各段の間での基板搬送の双方を、基板搬送機構により実施できる。そのため、従来設けられていた、受け渡しユニットの各段の間での基板搬送のために専用で設けられていた基板搬送機構が不要となる。その結果、受け渡しブロックをカセット載置部寄りに配置を変更する際の制約がなくなり、受け渡しブロックを従来よりもカセット載置部寄りに配置することができる。また、基板搬送機構を上下方向に複数設けているので、例えば各受け渡しユニットの各段の間での基板の搬送のタイミングと、カセットと処理ステーションとの間で基板を搬送するタイミングとが重複した場合であっても、複数の基板搬送機構のうち、基板搬送のタイミングになっていない基板搬送機構により基板を搬送することができるので、基板が待機状態となることを防止できる。したがって本発明によれば、基板処理システムのスループットを低下させることなく、当該基板処理システムのフットプリントを小さくすることができる。
【００１４】
前記複数の処理ユニットは、当該処理ユニットで処理される基板の搬送経路が最短となるように上下方向に基板の処理順に並べて配置され、前記処理ステーションには、前記処理順に配置された処理ユニット群が、上下方向に少なくとも２段設けられていてもよい。
【００１５】
前記基板搬送機構の動作を制御する制御装置を備え、前記制御装置は、前記第１の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第２の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、基板が待機状態となる時間が最小限となるように、いずれか一方の搬送アームにより優先して基板を搬送する制御を行ってもよい。
【００１６】
前記基板搬送機構の動作を制御する制御装置を備え、前記制御装置は、前記第１の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第２の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、前記第１の搬送アームによる前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送を優先するように制御し、基板を搬送していない他の基板搬送機構により、前記各受け渡しユニットの各段の間で搬送を行うように制御してもよい。
【００１７】
前記搬送機構は、前記第1の搬送アーム及び前記第２の搬送アームを水平方向及び上下方向に移動させるアーム駆動部を有していてもよい。
【００１８】
別な観点による本発明は基板を処理する複数の処理ユニットが上下方向に多段に設けられた処理ステーションと、複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、前記処理ステーションと前記カセット載置部との間に配置された基板搬送機構と、を備えた基板処理システムにおける基板の搬送方法であって、前記基板搬送機構は、上下方向に複数並べて設けられ、前記処理ステーションと前記基板搬送機構との間には、前記カセット載置部と前記処理ステーションとの間で搬送される基板、及び前記処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられ、前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送は、前記基板搬送機構の第１の搬送アームにより行われ、前記各受け渡しユニットの各段の間での基板搬送は、前記基板搬送機構の第２の搬送アームにより行われることを特徴としている。
【００１９】
前記第１の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第２の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、前記第１の搬送アームによる前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送を優先して行い、
基板を搬送していない他の基板搬送機構により、前記各受け渡しユニットの各段の間における搬送を行ってもよい。
【００２０】
前記複数の処理ユニットは、当該処理ユニットで処理される基板の搬送経路が最短となるように上下方向に基板の処理順に並べて配置され、前記処理ステーションには、前記処理順に配置された処理ユニット群が、少なくとも上下方向に２段設けられてもよい。
【００２１】
さらに別な観点による本発明によれば、前記基板搬送方法を基板処理システムによって実行させるために、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２２】
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板処理システムのスループットを低下させることなく、当該基板処理システムのフットプリントを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施の形態にかかる基板処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる基板処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図３】本実施の形態にかかる基板処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図４】ウェハ搬送機構の構成の概略を示す斜視図である。
【図５】ウェハ搬送機構の構成の概略を示す側面図である。
【図６】上下方向に複数設けられたウェハ搬送機構近傍の構成の概略を示す背面図である。
【図７】受け渡しユニットの構成の概略を示す正面図である。
【図８】プレート及び搬送アームの構成の概略を示す平面図である。
【図９】プレート及び搬送アームの構成の概略を示す平面図である。
【図１０】基板処理システムで行われるウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。
【図１１】他の実施の形態にかかる基板処理システムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図１２】従来の基板処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板処理システム１の内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、基板処理システム１の内部構成の概略を示す側面図である。なお、本実施の形態では、基板処理システム１が、例えば基板のフォトリソグラフィー処理を行う塗布現像処理システムである場合を例にして説明する。
【００２６】
基板処理システム１は、図１に示すように例えば外部との間で、複数枚のウェハＷが収容されたカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、フォトリソグラフィー処理の中でウェハＷに所定の処理を施す処理ユニットを複数備えた処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する露光ユニット４との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。また、基板処理システム１は、各種処理ユニットなどの制御を行う制御装置６を有している。
【００２７】
カセットステーション２は、例えばカセット搬入出部１０とウェハ搬送部１１により構成されている。カセット搬入出部１０は、例えば基板処理システム１のＹ方向負方向（図１の左方向）側の端部に設けられている。カセット搬入出部１０には、カセット載置部としてのカセット載置台１２が設けられている。カセット載置台１２上には、カセット載置板１３が例えば４つ設けられている。カセット載置板１３は、水平方向のＸ方向（図１の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板１３には、基板処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
【００２８】
ウェハ搬送部１１には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２０上を移動自在な、複数のウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂと、受け渡しブロック２２が設けられている。複数のウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂは、図２及び図３に示すように、上下方向に多段に設けられている。受け渡しブロック２２には、カセット載置板１３と処理ステーション３との間で搬送される基板を一時的に収容する受け渡しユニット３０〜３５が、図２及び図３に示すように、下から上に向かって順に多段に設けられている。ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの動作は、制御装置６によって制御される。
【００２９】
ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂは、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板１３上のカセットＣと受け渡しブロック２２の各受け渡しユニット３０〜３５との間、及び各受け渡しユニット３０〜３５の各段の間でウェハＷを搬送できる。なお、ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂ及び受け渡しユニット３０〜３５の詳細な構成については後述する。
【００３０】
カセットステーション２に隣接する処理ステーション３には、各種ユニットを備えた複数例えば３つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３が設けられている。処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられている。
【００３１】
例えば第１のブロックＧ１には、複数の液処理ユニットがウェハＷの処理順に沿って下から上の順で、且つカセットステーション２側からインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）の順に積層して配置されている。
【００３２】
具体的には、例えば図２に示すように、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成ユニット４０が最下段に配置されている。その上の段には、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット４１と、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成ユニット４２が水平方向に並んで配置されている。上部反射防止膜形成ユニット４２は、レジスト塗布ユニット４１よりも処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）に設けられている。また、下部反射防止膜形成ユニット４０とレジスト塗布ユニット４１の上の段には、露光後のウェハＷを現像処理する現像処理ユニット４３が配置されている。これらの各処理ユニット４０〜４３により処理ユニット群Ａが構成されており、処理ユニット群Ａの上方には、処理ユニット群Ａと同様の構成の処理ユニット群Ｂが配置されている。なお、上部反射防止膜形成ユニット４２に代えて、例えばレジスト膜の上層に撥水性の保護膜を形成する保護膜塗布ユニットを配置してもよい。
【００３３】
上述の各処理ユニット４０〜４３は、図２に示すように処理時にウェハＷを収容するカップＦを水平方向に複数有しており、複数のウェハＷを並行して処理することができる。
【００３４】
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理ユニット５０〜５２や、ウェハＷを疎水化処理するアドヒージョンユニット５３、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光ユニット５４が、上記の各処理ユニット４０〜４３と同様に、ウェハＷの処理順に沿って鉛直方向と水平方向に並べて配置されている。これら処理ユニット５０〜５４により処理ユニット群Ｃが構成されており、処理ユニット群Ｃの上方には、処理ユニット群Ｃと同様の構成の処理ユニット群Ｄが配置されている。なお、熱処理ユニット５０〜５２は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。
【００３５】
例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡しユニット６０〜６５が下から順に設けられている。
【００３６】
図１に示すように受け渡しブロック２２及び第１のブロックＧ１〜第３のブロックＧ３に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えば図３に示すように複数のウェハ搬送機構７０〜７５が下から順に設けられている。各ウェハ搬送機構７０〜７５は、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び鉛直方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送機構７０〜７５は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の受け渡しブロック２２、第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２及び第３のブロックＧ３内の同程度の高さの所定のユニットにウェハＷを搬送できる。
【００３７】
インターフェイスステーション５には、ウェハ搬送機構９０が設けられている。ウェハ搬送機構９０は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送機構９０は、例えば搬送アームにウェハＷを支持して、第３のブロックＧ３内の各受け渡しユニットと露光ユニット４との間でウェハＷを搬送できる。
【００３８】
次に、上述したウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂと、受け渡しユニット３０〜３５の構成について説明する。図４は、ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの構成の概略を示す斜視図であり、図５はウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの構成の概略を示す側面図である。
【００３９】
ウェハ搬送機構２１ａは、図４及び図５に示すように、上下方向に並べて配置された第１の搬送アーム１００と、第２の搬送アーム１０１を有している。第1の搬送アーム１００は、その先端が２本に分岐した略Ｕ字形状を有しており、カセットＣと受け渡しブロック２２との間でウェハＷを搬送することができる。第1の搬送アーム１００の上面には、ウェハＷを吸着保持するための吸引孔（図示せず）が設けられている。
【００４０】
第２の搬送アーム１０１は、ウェハＷよりも直径の大きい略３／４円環系状（Ｃ字形状）を有しており、受け渡しブロック２２の各段の間で上下方向にウェハＷの受け渡しを行うことができる。第２の搬送アーム１０１には、当該第２の搬送アーム１０１の内側に向かって突出する保持部１０２が例えば４箇所に設けられている。各保持部１０２の上面には、ウェハＷを吸着保持するための吸引孔（図示せず）が設けられている。
【００４１】
第１の搬送アーム１００と第２の搬送アーム１０１の基端部には、アーム駆動部１１０が設けられている。このアーム駆動部１１０により、各搬送アーム１００、１０１はそれぞれ独立して水平方向に移動できる。これら搬送アーム１００、１０１とアーム駆動部１１０は、基台１１１に支持されている。基台１１１の下方には、回転駆動部１１２が設けられている。基台１１１は、当該基台１１１の下面に設けられたシャフト１１３を介して回転駆動部１１２に接続されている。この回転駆動部１１２により、基台１１１及び各搬送アーム１００、１０１はシャフト１１３を中心軸として回転できる。なお、ウェハ搬送機構２１ｂの構成は、ウェハ搬送機構２１ａの構成と同様である。
【００４２】
また、ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂは、例えば図６に示すように、鉛直方向に平行に延伸する直動レール１２０、１２０に対し、鉛直方向に摺動自在に設けられた昇降基台１２１、１２２によりそれぞれ支持されている。各昇降基台１２１、１２２は、直動レール１２０、１２０に沿って並行に設けられた昇降機構１２３、１２４によりそれぞれ独立して昇降できる。昇降機構１２３、１２４は、例えば、モータ１２５とプーリ１２６とを組み合わせて構成され、モータ１２５の正転逆転を制御することで、昇降基台１２１、１２２の上昇下降を制御できる。各昇降基台１２１、１２２の上面には、各ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの回転駆動部１１２、１１２がそれぞれ支持されている。これにより、ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの各搬送アーム１００、１０１は、独立して回転動作及び昇降動作ができ、且つ水平方向に移動できる。
【００４３】
次に、受け渡しユニット３０の構成について説明する。図７は受け渡しユニット３０の構成の概略を示す側面図であり、図８及び図９は、受け渡しユニット３０の構成の概略を示す横断面図である。
【００４４】
受け渡しユニット３０は、例えば図７に示すように、ウェハ搬送機構２１及び処理ステーション３側の面が開口した角柱形状の筐体１３０を有している。ウェハ搬送機構２１の各搬送アーム１００、１０１とウェハ搬送機構７０〜７５の各搬送アームは、この開口から受け渡しユニット３０の内部にアクセス自在となっている。
【００４５】
筐体１３０の内側には、ウェハＷを保持する複数のプレート１４０〜１４６が鉛直方向に積層して設けられている。プレート１４０は、例えばウェハＷを載置して温度調整する温度調整板である。プレート１４０は、例えば図８に示すように、略円盤形状を有している。プレート１４０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸着保持するための吸引孔（図示せず）が設けられている。
【００４６】
プレート１４０の内部には、温度調整用として例えばペルチェ素子などの温度調整部材（図示せず）が内蔵されており、プレート１４０に載置されるウェハＷの温度を所望の温度、例えば２３℃に調整することができる。
【００４７】
プレート１４０には、上下方向に貫通する複数の貫通孔１５０が形成されている。貫通孔１５０には、昇降ピン１５１が設けられている。昇降ピン１５１は、シリンダなどの昇降駆動機構（図示せず）によって上下動できる。昇降ピン１５１は、貫通孔１５０内を挿通してプレート１４０の上面に突出し、ウェハＷを支持して昇降できる。したがって、第１の搬送アーム１００が上下動することによって、ウェハＷを第１の搬送アーム１００と昇降ピン１５１との間で受け渡しすることができる。プレート１４１、１４２の構成もプレート１４０と同様である。
【００４８】
プレート１４３は、例えばウェハＷを載置して冷却する冷却板である。プレート１４０の内部には、冷却用の冷媒を流通させる冷媒流路（図示せず）が形成されており、プレート１４０に載置されるウェハＷを冷却することができる。
【００４９】
プレート１４３の外周縁部には、例えば図９に示すように、平面視において第２の搬送アーム１０１の保持部１０２の形状に対応して凹状に窪んだ窪み部１４３ａが、周方向に沿って所定の間隔で設けられている。したがって、第２の搬送アーム１０１がプレート１４３に対して相対的に上下動することによって、第２の搬送アーム１０１とプレート１４３との間でウェハＷの受け渡しをすることができる。プレート１４４〜１４６の構成もプレート１４３と同様である。
【００５０】
受け渡しユニット３３の構成は、受け渡しユニット３０の構成と同様であるので、説明を省略する。受け渡しユニット３１、３４には、プレート１４３と同様の構成のプレートのみが例えば７枚設けられており、その他の構成については、受け渡しユニット３０と同様である。この場合、受け渡しユニット３１、３３内のウェハＷは、第１の搬送アーム１００によりカセットＣとの間で搬送されることはなく、第２の搬送アーム１０１による受け渡しブロック２２内の各段の間での搬送のみが行われる。また、受け渡しユニット３２、３５は、プレート１４０と同様の構成のプレートのみが例えば７枚設けられており、その他の構成については、受け渡しユニット３０と同様である。この場合、受け渡しユニット３２、３５内のウェハＷは、第１の搬送アーム１００により、カセットＣとの間の搬送のみが行われる。
【００５１】
即ち、上述のような構成を有するウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂ及び受け渡しブロック２２においては、ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの第１の搬送アーム１００により、カセットＣと受け渡しユニット３０、３３間のウェハ搬送、及びカセットＣと受け渡しユニット３２、３５間のウェハ搬送が行われる。また、第２の搬送アーム１０１により、受け渡しユニット３０、３３と受け渡しユニット３１、３４との間でウェハ搬送が行われる。なお、受け渡しブロック２２の構成については、本実施の形態に限定されるものではなく、受け渡しブロック２２内の各受け渡しユニット３０〜３５の配置や数、また、各受け渡しユニット３０〜３５内の各プレート１４０〜１４６の配置や数についても任意に決定が可能である。
【００５２】
また、ウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂによるウェハＷの搬送は、制御装置６により、基板処理システム１の各処理ユニットでのウェハＷの処理効率が最大化するように制御される。具体的には、第１の搬送アーム１００による、例えばカセットＣと受け渡しユニット３０間でのウェハＷの搬送のタイミングと、第２の搬送アーム１０１による受け渡しユニット３０から受け渡しユニット３２へのウェハＷの搬送のタイミングが重複した場合、いずれか一方のウェハＷの搬送を優先させ、他方のウェハＷは、優先して搬送されるウェハＷの搬送が完了するまでは待機状態とする。そしてこの際、制御装置６は、待機状態となる時間が最小となるように、換言すれば、待機状態が生じることによる基板処理システム１のスループットの低下が最小限となるように、優先して搬送するウェハＷを選択する。
【００５３】
なお、第１の搬送アーム１００によるウェハ搬送のタイミングと第２の搬送アーム１０１による搬送のタイミングが重複した場合の制御は、上記の内容に限定されるものではない。例えばウェハ搬送機構２１ｂにおいてウェハ搬送のタイミングが重複した場合に、ウェハ搬送機構２１ａがウェハの搬送を行っていない状態であったり、ウェハ搬送機構２１ａにより搬送を行うほうがウェハＷの待機時間が少なくなる場合には、このウェハ搬送機構２１ａの第２の搬送アーム１０１で例えば受け渡しユニット３０、３２の段間での搬送を行い、ウェハ搬送機構２１ｂによりカセットＣと受け渡しユニット３０との間の搬送を優先的に行うようにしてもよい。こうすることで、基板処理システム１内のウェハＷの搬送を滞りなく行うことができる。
【００５４】
制御装置６は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成されている。この制御装置６には、例えば基板処理システム１の各種処理ユニットでのウェハ処理の内容や各ウェハＷの搬送ルートを定めた処理レシピが、プログラムとして例えばメモリに記憶されている。このプログラムを実行することによって、基板処理システム１の各種処理ユニットや上述した各ウェハ搬送機構の動作を制御し、基板処理システム１におけるウェハＷの各種処理や搬送の制御が行われる。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータで読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御装置６にインストールされたものであってもよい。
【００５５】
以上のように構成された基板処理システム１では、例えば次のようなウェハ処理が行われる。図１０は、かかるウェハ処理の主な工程の例を示すフロー図である。
【００５６】
ウェハＷの処理にあたっては、先ず、１ロットの複数枚のウェハＷを収容した複数のカセットＣが、カセットステーション２の所定のカセット載置板１３に載置される。その後、ウェハ搬送機構２１ｂの第１の搬送アーム１００によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、受け渡しブロック２２の例えば受け渡しユニット３０に搬送される。受け渡しユニット３０に搬送されたウェハＷは、例えばプレート１４０に載置され所定の温度に温度調整処理される（図１０の工程Ｓ１）。
【００５７】
次にウェハＷは、ウェハ搬送機構７０によって第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成ユニット４０に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される（図１０の工程Ｓ２）。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理ユニット５０に搬送され、加熱処理が行われる。その後、ウェハＷは、アドヒージョンユニット５３に搬送され、アドヒージョン処理される（図１０の工程Ｓ３）。
【００５８】
次にウェハＷは、ウェハ搬送機構７０により受け渡しユニット３０に戻され、プレート１４３に載置される。プレート１４３に載置されたウェハＷは所定の温度に冷却され、その後、ウェハ搬送機構２１の第２の搬送アーム１０１によって同じ受け渡しブロック２２の受け渡しユニット３１に搬送される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送機構７１によってレジスト塗布ユニット４１に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される（図１０の工程Ｓ４）。
【００５９】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送機構７１によって熱処理ユニット５１に搬送されて、プリベーク処理される（図１０の工程Ｓ５）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構７１によって同じ第２のブロックＧ２の上部反射防止膜形成ユニット４２に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される（図１０の工程Ｓ６）。
【００６０】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送機構７１によって熱処理ユニット５１に搬送されて、加熱され、温度調節される。次いでウェハＷは、周辺露光ユニット５４に搬送され、周辺露光処理される（図１０工程Ｓ７）。
【００６１】
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構７１によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット６１に搬送される。受け渡しユニット６１に搬送されたウェハＷは、インターフェイスステーション５のウェハ搬送機構９０によって露光ユニット４に搬送され、露光処理される（図１０の工程Ｓ８）。
【００６２】
次に、ウェハＷは、ウェハ搬送機構９０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット６２に搬送される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構７２によって第２のブロックＧ２の熱処理ユニット５２に搬送され、露光後ベーク処理される（図１０の工程Ｓ９）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構７２によって現像処理ユニット４３に搬送され、現像される（図１０の工程Ｓ１０）。現像終了後、ウェハＷは、熱処理ユニット５２に搬送され、ポストベーク処理される（図９の工程Ｓ１１）。
【００６３】
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構７２によって受け渡しブロック２２の受け渡しユニット３２に搬送される。そして、受け渡しユニット３２のウェハＷはウェハ搬送機構２１ｂの第１の搬送アーム１００により、所定のカセット載置板１３のカセットＣに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００６４】
また、上述のような、処理ユニット群Ａ及び処理ユニット群ＣにおけるウェハＷの処理と並行して、ウェハ搬送機構２１ａにより、例えば受け渡しユニット３３に搬送されたウェハＷも処理ユニット群Ｂ及び処理ユニット群Ｄにおいて適宜処理される。この間、ウェハ搬送機構２１ａ及びウェハ搬送機構２１ｂは、上述のとおり、制御装置６によりウェハＷの待機時間が最小となるように搬送動作が制御される。
【００６５】
以上の実施の形態によれば、処理ステーション３とカセット載置台１２との間に配置されたウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂが、第１の搬送アーム１００と第２の搬送アーム１０１を有しているので、このウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂにより、カセット載置台１２上のカセットＣと各受け渡しユニット３０〜３５との間のウェハ搬送と、各受け渡しユニット３０〜３５の各段の間でのウェハ搬送とを行うことができる。そのため、従来、受け渡しユニット３０〜３５の各段の間でのウェハ搬送のために専用で設けられていた、例えば図１２に示される他のウェハ搬送機構２１３が不要となる。したがって、受け渡しブロック２２の配置をカセット載置台１２寄りに変更する際の制約がなくなり、受け渡しブロック２２を従来よりもカセット載置台寄りに配置することができる。
【００６６】
また、複数のウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂを上下方向に設けているので、例えばウェハ搬送機構２１ｂによる受け渡しユニット３０と受け渡しユニット３１との間でのウェハＷの搬送のタイミングと、カセットＣと受け渡しユニット３２との間での搬送のタイミングとが重複した場合であっても、例えばウェハ搬送機構２１ａがウェハの搬送を行っていない状態にある場合や、ウェハ搬送機構２１ａにより搬送を行うほうがウェハＷの待機時間が少なくなる場合は、このウェハ搬送機構２１ａの第２の搬送アーム１０１で例えば受け渡しユニット３０、３１の段間での搬送を行うことができる。したがって本発明によれば、基板処理システム１のスループットを低下させることなく、当該基板処理システム１のフットプリントを小さくすることができる。
【００６７】
また、例えば受け渡しユニット３０〜３５を、温度調整機能や冷却機能を有するプレート１４０〜１４６により構成したので、ウェハＷの搬送の合間に、当該ウェハＷの温度調整や冷却を行うことができる。これにより、基板処理システム１におけるウェハ処理のスループットを向上させることができる。また、従来の処理ステーション３に設けられていた温度調整用のユニットや冷却用のユニットを削減することができる。したがって、処理ステーション３を小型化することができ、基板処理システム１のフットプリントをさらに小さくできる。
【００６８】
また、複数のウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂを設けることで、いずれが一方、例えばウェハ搬送機構２１ａが故障した場合であっても、故障していない健全なウェハ搬送機構２１ｂによりウェハＷの搬送を継続できる。かかる場合、故障したウェハ搬送機構２１ａは、健全なウェハ搬送機構２１ｂと干渉しないように、例えば直動レール１２０上端部の退避位置まで移動させることが好ましい。なお、搬送機構２１ａ、２１ｂを上下方向に配置するにあたっては、例えば図２や図６に示すように同一の鉛直線上に配置する必要はなく、例えば上下に配置されたウェハ搬送機構２１ａとウェハ搬送機構２１ｂとが、平面視において一部重なり合うような配置であってもよい。
【００６９】
なお、以上の実施の形態では、例えば第１のブロックＧ１の場合についていうと、図２に示すように、各処理ユニット４０〜４３がウェハＷの処理順に沿って設けられた処理ユニット群Ａと処理ユニット群Ｂが上下に２段配置されていたが、第１のブロックや第２のブロック内の各処理ユニットの配置や設置数についてはウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの設置数や配置などに応じて適宜設定されるものであり、本実施の形態の内容に限定されるものではない。例えば、図１１に示すように、各処理ユニット４０〜４３を上下方向に２段ずつウェハＷの処理順に沿って配置し、下方に設けられたウェハ搬送機構２１ｂにより、例えば２段の下部反射防止膜形成ユニット４０、４０と、１段のレジスト塗布ユニット４１及び上部反射防止膜形成ユニット４２にかかるウェハＷの搬送を行い、上方に設けられたウェハ搬送機構２１ａにより、１段のレジスト塗布ユニット４１及び上部反射防止膜形成ユニット４２と、２段の現像処理ユニット４３、４３にかかるウェハＷの搬送を行うようにしてもよい。また、かかる場合、各受け渡しユニット３０〜３５は、対応する各処理ユニットの配置に合わせて、例えば下から上に、受け渡しユニット３０、３３、３１、３４、３２、３５の順で配置される。この場合においても、ウェハＷ搬送の際のウェハ搬送機構２１ａ、２１ｂの上下方向への移動距離が短くなるので、ウェハＷを効率的に搬送できる。
【００７０】
なお、以上の実施の形態では、受け渡しブロック２２はウェハ搬送部１１に設けられていたが、例えば処理ステーション３とカセットステーション２との間に設けられていてもよいし、処理ステーション３に設けてもよい。いずれの場合においても、従来、受け渡しユニット３０〜３５の各段の間でのウェハ搬送のために専用で設けられていた、図１２に示される他のウェハ搬送機構２１３が不要となるので、基板処理システム１のフットプリントを小さくすることができる。
【００７１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板に対して処理を行う際に有用である。
【符号の説明】
【００７３】
１ 基板処理システム
２ カセットステーション
３ 処理ステーション
４ 露光ユニット
５ インターフェイスステーション
６ 制御装置
１０ カセット搬入出部
１１ ウェハ搬送部
１２ カセット載置台
１３ カセット載置板
２０ 搬送路
２１ ウェハ搬送機構
２２ 受け渡しブロック
３０〜３５ 受け渡しユニット
４０ 下部反射防止膜形成ユニット
４１ レジスト塗布ユニット
４２ 上部反射防止膜形成ユニット
４３ 現像処理ユニット
５０〜５２ 熱処理ユニット
５３ アドヒージョンユニット
５４ 周辺露光ユニット
６０〜６５ 受け渡しユニット
７０〜７５ ウェハ搬送機構
９０ ウェハ搬送機構
１００ 第１の搬送アーム
１０１ 第２の搬送アーム
１０２ 保持部
１１０ アーム駆動部
１１１ 基台
１１２ 回転駆動部
１１３ シャフト
１２０ 直動レール
１２１、１２２ 昇降基台
１２３、１２４ 昇降機構
１２５ モータ
１２６ プーリ
１３０ 筐体
１４０〜１４６ プレート
１５０ 貫通孔
１５１ 昇降ピン
Ｗ ウェハ
Ｆ カップ
Ｄ ウェハ搬送領域
Ｃ カセット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する複数の処理ユニットが上下方向に多段に設けられた処理ステーションと、複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、前記処理ステーションと前記カセット載置部との間に配置された基板搬送機構と、を備えた基板処理システムにおいて、
前記処理ステーションと前記基板搬送機構との間には、前記カセット載置部と前記処理ステーションとの間で搬送される基板、及び前記処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられ、
前記基板搬送機構は、前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間で基板を搬送する第１の搬送アームと、前記各受け渡しユニットの各段の間で基板を搬送する第２の搬送アームとを備え、
前記基板搬送機構は、上下方向に複数並べて設けられていることを特徴とする、基板処理システム。
【請求項２】
前記複数の処理ユニットは、当該処理ユニットで処理される基板の搬送経路が最短となるように上下方向に基板の処理順に並べて配置され、
前記処理ステーションには、前記処理順に配置された処理ユニット群が、上下方向に少なくとも２段設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記基板搬送機構の動作を制御する制御装置を備え、
前記制御装置は、前記第１の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第２の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、基板が待機状態となる時間が最小限となるように、いずれか一方の搬送アームにより優先して基板を搬送する制御を行うことを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記基板搬送機構の動作を制御する制御装置を備え、
前記制御装置は、前記第１の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第２の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、前記第１の搬送アームによる前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送を優先するように制御し、基板を搬送していない他の基板搬送機構により、前記各受け渡しユニットの各段の間で搬送を行うように制御することを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記搬送機構は、前記第1の搬送アーム及び前記第２の搬送アームを水平方向及び上下方向に移動させるアーム駆動部を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項６】
基板を処理する複数の処理ユニットが上下方向に多段に設けられた処理ステーションと、複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、前記処理ステーションと前記カセット載置部との間に配置された基板搬送機構と、を備えた基板処理システムにおける基板の搬送方法であって、
前記基板搬送機構は、上下方向に複数並べて設けられ、
前記処理ステーションと前記基板搬送機構との間には、前記カセット載置部と前記処理ステーションとの間で搬送される基板、及び前記処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられ、
前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送は、前記基板搬送機構の第１の搬送アームにより行われ、前記各受け渡しユニットの各段の間での基板搬送は、前記基板搬送機構の第２の搬送アームにより行われることを特徴とする、基板搬送方法。
【請求項７】
前記第１の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第２の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、基板が待機状態となる時間が最小限となるように、いずれか一方の搬送アームにより優先して基板を搬送することを特徴とする、請求項６に記載の基板搬送方法。
【請求項８】
前記第１の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第２の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、前記第１の搬送アームによる前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送を優先して行い、
基板を搬送していない他の基板搬送機構により、前記各受け渡しユニットの各段の間における搬送を行うことを特徴とする、請求項６に記載の基板搬送方法。
【請求項９】
前記複数の処理ユニットは、当該処理ユニットで処理される基板の搬送経路が最短となるように上下方向に基板の処理順に並べて配置され、
前記処理ステーションには、前記処理順に配置された処理ユニット群が、少なくとも上下方向に２段設けられていることを特徴とする、請求項６〜８のいずれかに記載の基板搬送方法。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずかに記載の基板搬送方法を基板処理システムによって実行させるために、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項１】
基板を処理する複数の処理ユニットが上下方向に多段に設けられた処理ステーションと、複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、前記処理ステーションと前記カセット載置部との間に配置された基板搬送機構と、を備えた基板処理システムにおいて、
前記処理ステーションと前記基板搬送機構との間には、前記カセット載置部と前記処理ステーションとの間で搬送される基板、及び前記処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられ、
前記基板搬送機構は、前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間で基板を搬送する第１の搬送アームと、前記各受け渡しユニットの各段の間で基板を搬送する第２の搬送アームとを備え、
前記基板搬送機構は、上下方向に複数並べて設けられていることを特徴とする、基板処理システム。
【請求項２】
前記複数の処理ユニットは、当該処理ユニットで処理される基板の搬送経路が最短となるように上下方向に基板の処理順に並べて配置され、
前記処理ステーションには、前記処理順に配置された処理ユニット群が、上下方向に少なくとも２段設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記基板搬送機構の動作を制御する制御装置を備え、
前記制御装置は、前記第１の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第２の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、基板が待機状態となる時間が最小限となるように、いずれか一方の搬送アームにより優先して基板を搬送する制御を行うことを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記基板搬送機構の動作を制御する制御装置を備え、
前記制御装置は、前記第１の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第２の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、前記第１の搬送アームによる前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送を優先するように制御し、基板を搬送していない他の基板搬送機構により、前記各受け渡しユニットの各段の間で搬送を行うように制御することを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記搬送機構は、前記第1の搬送アーム及び前記第２の搬送アームを水平方向及び上下方向に移動させるアーム駆動部を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項６】
基板を処理する複数の処理ユニットが上下方向に多段に設けられた処理ステーションと、複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、前記処理ステーションと前記カセット載置部との間に配置された基板搬送機構と、を備えた基板処理システムにおける基板の搬送方法であって、
前記基板搬送機構は、上下方向に複数並べて設けられ、
前記処理ステーションと前記基板搬送機構との間には、前記カセット載置部と前記処理ステーションとの間で搬送される基板、及び前記処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられ、
前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送は、前記基板搬送機構の第１の搬送アームにより行われ、前記各受け渡しユニットの各段の間での基板搬送は、前記基板搬送機構の第２の搬送アームにより行われることを特徴とする、基板搬送方法。
【請求項７】
前記第１の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第２の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、基板が待機状態となる時間が最小限となるように、いずれか一方の搬送アームにより優先して基板を搬送することを特徴とする、請求項６に記載の基板搬送方法。
【請求項８】
前記第１の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第２の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、前記第１の搬送アームによる前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送を優先して行い、
基板を搬送していない他の基板搬送機構により、前記各受け渡しユニットの各段の間における搬送を行うことを特徴とする、請求項６に記載の基板搬送方法。
【請求項９】
前記複数の処理ユニットは、当該処理ユニットで処理される基板の搬送経路が最短となるように上下方向に基板の処理順に並べて配置され、
前記処理ステーションには、前記処理順に配置された処理ユニット群が、少なくとも上下方向に２段設けられていることを特徴とする、請求項６〜８のいずれかに記載の基板搬送方法。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずかに記載の基板搬送方法を基板処理システムによって実行させるために、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
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【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１３−６９８７４（Ｐ２０１３−６９８７４Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０７４６６（Ｐ２０１１−２０７４６６）
【出願日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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