【課題】半導体ウエハ等の試料の処理の歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】ロック室の後方に相互に連結され減圧された内部を前記ウエハが搬送される真空搬送室の容器の並びと、前記真空搬送室の容器の間に配置され前記ウエハが内部に載せられて収納される中間室と、前記真空搬送室の容器の各々の左右方向のいずれかの側の側壁に連結され内部で前記ウエハが処理される処理容器を含む複数の処理ユニットと、これらの処理ユニットを連結するバイパス路を構成するバイパス室とを備え、前記複数の真空搬送室の容器は、前記ロック室から前記複数の処理ユニットのいずれかに向けて搬送される前記ウエハまたは前記複数の処理ユニットの何れかで処理された後に前記バイパス室を通り別の処理ユニットで処理されて前記ロック室へ向けて搬送される前記ウエハのいずれかのみが搬送される。 （もっと読む）

【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備え、処理ユニットの構成を変更することなくフットプリントを小さくする、基板処理システムを提供する。
【解決手段】処理ステーションと、インターフェイスステーション５と、を備えた塗布現像処理システムにおいて、インターフェイスステーション５は、ウェハを露光装置に搬入する前にウェハの裏面を洗浄する洗浄ユニット１００と、洗浄後のウェハが露光可能な状態かどうかを検査する検査ユニット１０１と、洗浄ユニット１００と検査ユニット１０１との間でウェハを搬送するアームを備えたウェハ搬送機構１２０を有している。洗浄ユニット１００と検査ユニット１０１は、インターフェイスステーション５の正面側に、上下方向に多段に設けられ、ウェハ搬送機構１２０は、洗浄ユニット１００及び検査ユニット１０１に隣接した領域に設けられている。 （もっと読む）

【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板処理の歩留まりを向上させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション５は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄する洗浄ユニット１００と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査する検査ユニット１０１と、各ユニット１００、１０１の間で基板を搬送するアームを備えたウェハ搬送機構１２０、１３０と、ウェハ搬送機構１２０、1３０の動作を制御するウェハ搬送制御部を有している。ウェハ搬送制御部は、検査の結果、ウェハの状態が洗浄ユニット１００での再洗浄により露光可能な状態になると判定されれば、当該ウェハを洗浄ユニット１００に再度搬送するように、ウェハ搬送機構１２０、１３０を制御する。 （もっと読む）

【課題】複数台の搬送ロボットを備えた線形ツールにおいて、スループットを低下させない搬送効率の高い搬送制御を提供する。
【解決手段】真空処理装置の制御部を、処理室、搬送機構部、中間室、保持機構部のそれぞれにおける動作状態、並びに被処理体の有無およびその処理状態を表わす装置状態情報を実時間に更新して保持し、装置状態情報と、被処理体の処理時間とに基づいて、予め処理室の数・配置と被処理体の処理時間との組合せの条件毎に被処理体の搬送を制御する複数の搬送アルゴリズムをシミュレーションして得られた搬送アルゴリズム判定ルールの中から搬送アルゴリズムを選択し、および選択された前記搬送アルゴリズムに基づいて、前記被処理体の搬送先を算出するように構成した。 （もっと読む）

【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板搬送の負荷を低減させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション５は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄するウェハ洗浄部１４１と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査するウェハ検査部１４２と、ウェハ洗浄部１４１とウェハ検査部１４２との間でウェハＷを搬送する搬送手段１４３を有している。ウェハ洗浄部１４１、ウェハ検査部１４２及び搬送手段１４３は、筐体１４０の内部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】小型で、基板の搬送ブロックにダウンフローを形成する際の消費エネルギーが少ない基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１の基板処理部２に対して基板Ｗの搬送を行うための第１の搬送ブロック１４２ａの下方側には、第２の基板処理部２に対して基板Ｗの搬送を行うための第２の搬送ブロック１４２ｂが積層して設けられ、第１のファンフィルタユニット３１は、第１の搬送ブロック１４２ａ内に清浄気体のダウンフローを形成し、第２のファンフィルタユニット３２は第１の搬送ブロック１４２ａの底部の床板１５に設けられた排気口１５１から前記ダウンフローを取り込んで第２の搬送ブロック１４２ｂ内に清浄気体のダウンフローを形成する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内を移動する移動容器内部の放熱を、移動容器の移動を妨げることなく実現する。
【解決手段】真空排気可能な第２搬送室１４内で被搬送物を搬送する搬送装置１であって、第２搬送室１４内を移動可能に構成された移動容器２０と、第２搬送室１４内に固定配置され気体を供給する供給ノズル４２と、を備え、移動容器２０は、容器内の雰囲気と遮断された空間部２０ｂと、空間部２０ｂに連通する給気口が設けられ、移動容器２０が所定位置へ移動した際に供給ノズル４２から給気口に供給される気体の圧力に応じて、給気口から空間部２０ｂへ気体を導入する給気ユニット２２と、空間部２０ｂに連通する排気口が設けられ、空間部２０ｂの気圧に応じて空間部２０ｂの気体を排気口から排出する排気ユニット２３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】搬送途上において基板を反転することを容易に可能とする。
【解決手段】基板処理装置は、基板の上方を向く主面を処理する処理部と、基板が載置される載置部近傍の前部移載位置５０１と処理部近傍の後部移載位置５０２との間にて基板を搬送する基板搬送部５とを有する。基板搬送部５では、基板を保持する基板保持部５１の両側部に一対の円筒部５５が設けられ、搬送方向におよそ沿って伸びる一対の外側レール部５３が基板保持部５１の両側に設けられる。昇降機構５７１，５７２は、搬送方向における一対の外側レール部５３の両端部に高低差を設けることにより、前部移載位置５０１から後部移載位置５０２へと一対の円筒部５５を転がして、基板を反転しつつ基板保持部５１を搬送する。これにより、搬送途上において基板を反転することが容易に可能となり、基板処理装置におけるスループットを向上することができる。 （もっと読む）

【課題】支持基板と接合されたウェハに反りや歪みが生じることを抑制する。
【解決手段】被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合する接合装置３０は、内部を密閉可能な処理容器１００と、接着剤を介して、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを押圧して接合する接合部１１３と、接合部１１３で接合された重合ウェハＴを温度調節する重合基板温調部としての受渡アーム１２０とを有する。接合部１１３及び受渡アーム１２０は、処理容器１００内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】接着剤を介して２枚の基板を押圧によって接合する際、接合後の基板の厚みを均一なものとする。
【解決手段】第１の保持部２００に保持され、接着剤Ｇが塗布された被処理ウェハＷに、第２の保持部２０１に保持された支持ウェハＳを押圧部材２５１で押圧する。押圧部材２５１は、複数の押圧機構２５２を有している。各押圧機構２５２の押圧部２５２ｂは、ボールねじ機構によってモータＭの回転によってなされる。押圧部２５２ｂの押圧度合いは、モータＭの制御によって独立して制御されるので、接合後のウェハの厚みが所定の厚みとなるモータＭの積算回転数を求めておくことで、各押圧機構２５２の押圧部２５２ｂによる押圧を等しくすることができ、これによって接合後のウェハの厚みを均一なものとすることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の間からはみ出る接着剤を抑制し、当該被処理基板と支持基板を適切に接合する。
【解決手段】被処理ウェハ上に接着剤を塗布する（工程Ａ１）。その後、被処理ウェハの外周部の外側端部に対して、接着剤の溶剤を供給する（工程Ａ２）。その後、被処理ウェハの外周部の内側端部に対して、接着剤の溶剤を供給する（工程Ａ３）。その後、内側端部より外側の位置であって、接着剤が残存する位置の被処理ウェハの外周部に対して、接着剤の溶剤を供給する（工程Ａ４）。その後、被処理ウェハを所定の温度に加熱して、被処理ウェハ上の接着剤を固化させる（工程Ａ５）。その後、接着剤を介して、被処理ウェハと支持ウェハを所定の温度に加熱しながら、当該被処理ウェハと支持ウェハを押圧して接合する（工程Ａ１４）。 （もっと読む）

【課題】被処理体の自重により被処理体を保持して搬送することが可能な搬送機構を提供する。
【解決手段】被処理体を搬送する搬送機構２４、６４において、屈伸及び旋回が可能になされたアーム部２６、２８、６６、６８と、アーム部の先端に設けられて処理体を保持するピック部３０、３２、７０、７２と、ピック部に設けられて被処理体の周縁部と当接して被処理体の自重により揺動して周縁部を保持する複数の保持部材３４とを備える。これにより、被処理体の自重により被処理体を保持して搬送可能する。 （もっと読む）

【課題】ダミー処理を極力廃止することができる基板処理時間設定方法を提供する。
【解決手段】他の基板処理装置１１におけるプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、次ロットの当該基板処理装置１１への供給予想時刻が算出され、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了予想時刻が算出され、次ロットの供給予想時刻及び本ロットのプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了後に続く予想アイドル時間が算出され、予想アイドル時間がダミー処理必要アイドル時間以上である場合、本ロットの未処理の各ウエハのプラズマ処理の間に補助アイドル時間が追加されて設定される。 （もっと読む）

【課題】係合部が基板保持部材に係合できない。
【解決手段】基板貼り合わせ装置は、複数の基板を加圧して貼り合わせる複数の加圧室と、前記基板を保持する基板保持部材と、前記基板及び前記基板保持部材を前記複数の加圧室に搬送する搬送部と、前記複数の加圧室にそれぞれ設けられ、前記基板保持部材の係合部に係合される係合部材であって、前記基板保持部材が異なる複数の向きのいずれの向きで前記加圧室に搬入された場合も前記係合部に係合する係合部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】実運転に近い条件で、効率的に試運転を実行可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】搬送容器（ＦＯＵＰ１〜４）から基板Ｗを取り出して処理モジュール２にて処理を行い、元の搬送容器に戻す基板処理装置１において、選択部３１は、基板搬送機構１５、１７や処理モジュール２の動作確認運転を行うモードの選択を受け付け、ジョブ設定部３２は、動作確認用の複数のコントロールジョブ（ＣＪ）を設定すると共に、基板Ｗに対して実行されるレシピであるプロセスジョブ（ＰＪ）をＣＪ毎に設定し、制御部３は、順番が相前後する２つのＣＪのＰＪが並列で実行可能か判断する。 （もっと読む）

【課題】基板搬送機構の保持部材に基板を水平に保持し、昇降部材を介して載置台に基板を受け渡すにあたって、受け渡しに要する時間を短縮できる技術を提供すること。
【解決手段】保持部材２３の保持部に水平に保持されたウエハＷａ（Ｗｂ）を昇降ピン３７ａ（３７ｂ）を介して載置台３ａ（３ｂ）に受け渡すにあたって、保持部材２３上のウエハＷａ、Ｗｂの位置を検出し、その検出結果に基づいて保持部材２３を移動させると共に、昇降ピン３７ａ（３７ｂ）の上昇のタイミングを求め、保持部材２３を移動させながら昇降ピン３７ａ（３７ｂ）を突き上げてウエハＷａ（Ｗｂ）を受け取るようにしている。そしてウエハＷａ（Ｗｂ）を昇降ピン３７ａ（３７ｂ）に受け渡す動作が安定するように減速区間を設定し、それ以外の区間では、従来通り高速で保持部材２３を移動させる。 （もっと読む）

【課題】真空処理室に設けられる基板載置台の表面部の状態の確認や当該表面部の交換を行うことによる真空処理の停止時間を短くすると共に、前記表面部の状態を精度高く管理すること。
【解決手段】基板が搬送される常圧雰囲気の常圧搬送室と、常圧搬送室とロードロック室を介して接続される真空処理室と、前記真空処理室に設けられ、本体部と、当該本体部に対して着脱自在な表面部とを有する基板載置台と、前記ロードロック室または常圧搬送室に設けられ、前記表面部を収納するための保管部と、常圧搬送室からロードロック室を介して真空処理室へ基板を搬送し、また前記保管部と前記真空処理室の本体部との間で前記表面部を搬送するための搬送機構と、を備えるように基板処理装置を構成する。これによって真空処理室の大気開放を防ぐと共に表面部の状態の確認が容易になるので当該表面部を精度高く管理することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度を精度良く制御する方法を提供する。
【解決手段】ウエハの裏面膜の種類の測定結果を取得する取得ステップと、チャンバ内に投入されるパワーと裏面膜の種類とウエハの温度とを対応付けて記憶した第１のデータベース３３０から、前記測定結果であるウエハの裏面膜の種類と、前記ウエハを処理するために投入されるパワーとに対応したウエハの温度を選択する選択ステップと、前記選択されたウエハの温度に基づき、前記ウエハの温度を調整する調整ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理作業の異常時にパネルをバックアップから退避しパネルの変形を防止することが可能なＦＰＤモジュールの組立装置を提供する。
【解決手段】 パネルの作業辺に対して各種処理作業を行う処理ヘッドを有する複数の処理ユニットと、複数の処理ユニットの作業位置にパネルを搬送する搬送ステージと、処理ユニットに配設され、パネルの作業辺を含む少なくとも２つの周縁辺を吸着することによりパネルを保持するパネル保持部と、を備える。そして、パネル保持部に設けられ、各種処理作業またはパネルの搬送の異常時に、パネルを作業位置よりも上昇可能に支持すると共に、異常の解除時に、パネルを作業位置に下降可能に支持するパネル昇降機構を備えた。 （もっと読む）