【課題】反応チャンバのクリーニング速度を向上させると同時に堆積膜の均一性を改善させるＣＶＤ装置及び方法を与える。
【解決手段】プラズマＣＶＤ用の装置及びその方法が与えられる。クリーニング機能を有するプラズマＣＶＤ装置は均一な断面積を有する孔を含む改良されたシャワープレートを有し、高いクリーニング速度をもたらす。該シャワープレートは電極としても機能し、電源と接続するための電気的に導体の伸張部を有する。クリーニングガス及び反応ガスの両方が通過するシャワープレートは従来と異なるサイズの孔切削表面を有し、膜堆積処理中に良好な膜厚均一性を保証する。孔切削面領域のサイズは処理基板の大きさに応じて、または、シャワープレートの面全体の大きさに応じて変化する。 （もっと読む）

【課題】スループットを増加させると同時に、フットプリントを減少させ、かつ、装置の保守性を向上させたクラスタ型半導体処理装置を与える。
【解決手段】クラスタ型半導体処理装置は、ウエハ搬送チャンバの軸線方向に見て、ウエハ処理チャンバ用の複数の側面とウエハ搬入／搬出チャンバ用の隣接する２つの側面を含む多角形ベースを有するウエハ搬送チャンバを含む。ウエハ処理チャンバ用の複数の側面のうち隣接する２つの側面の間の角度Aは、ウエハ処理チャンバ用の複数の側面とウエハ搬入／搬出チャンバ用の２つの隣接する側面から成る全側面数で３６０°を割り算して計算された角度Bより大きい。 （もっと読む）

【課題】紫外線キュアの効率を向上させ、キュア済みの低誘電率膜の膜特性を改善する。
【解決手段】低誘電率材料を半導体処理中に処理チャンバ内でキュアする方法が与えられる。該低誘電率材料は紫外線が照射されてキュアされる。処理チャンバ内の雰囲気は、紫外線の照射中、２５から１００００ppmの酸素濃度を有する。酸素は、低誘電率材料中の-Si-H基及び-Si-OH基の形成を制限し、それにより、低誘電率材料中の吸湿及び酸化が減少する。 （もっと読む）

【課題】基板の位置を正確に検出し、基板を所定位置に精度良く配置することができる基板搬送装置を含む半導体処理装置及びその方法を与える。
【解決手段】基板処理装置は、基板搬送チャンバ、一対の位置センサ、及び基板移送ロボットを含む。各センサは光線を放射するエミッタ、及び光線を受光するレシーバから成る。基板移送ロボットはエンドエフェクタ及びロボットアクチュエータを含む。エンドエフェクタは、基板が保持されるたびにエンドエフェクタに関して同じ所定位置に基板を保持するように構成されている。ロボットアクチュエータは複数の基板ステーション内で基板を搬送するべく搬送チャンバ内でエンドエフェクタを移動させるように構成されている。エンドエフェクタにより所定の位置に保持された基板のエッジはひとつの位置センサの光線を部分的に遮ると同時に、エンドエフェクタの他の端部は他の位置センサの光線を部分的に遮る。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクとして使用するための、優れた物理的及び光学的特性を有する薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】容量結合型プラズマＣＶＤ装置により半導体基板上１に炭化水素系重合体膜を形成する方法が与えられる。当該方法は、沸点が約２０℃から約３５０℃の炭化水素系液体モノマー（ＣαＨβＸγ、ここで、α及びβは５またはそれ以上の自然数、γはゼロを含む自然数、ＸはＯ、Ｎ、またはＦ）を気化器１０により気化する工程と、基板１が配置された反応チャンバ１１内に気化したガスを導入する工程と、ガスのプラズマ重合反応により基板１上に炭化水素系重合体膜を形成する工程を含む。液体モノマーは不飽和であり、かつ、ベンゼン構造を有しない。 （もっと読む）

【課題】装置コストを増やすことなく、半導体処理装置の正確な制御を与える。
【解決手段】制御器、及び該制御器により制御される少なくともひとつのデバイスを含む半導体処理装置であって、該制御器は該デバイスと通信するためのインターフェイスを備え、該インターフェイスは通信用の時間インターバルを測定するための内部クロックを有するところの装置を制御する方法が与えられる。当該方法は、インターフェイスへ命令を送信するために使用される制御器のオペレーティングシステムのシステムクロックを、インターフェイスの内部クロックと置換する工程と、システムクロックと置換された内部クロックにより測定された時間インターバルを使って制御器からインターフェイスへ命令を送信する工程と、インターフェイス内の内部クロックにより測定された時間インターバルを使ってインターフェイスからデバイスへ命令を送信しデバイスを制御する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置等に用いる液体原料を安定して気化器に供給することのできる液体原料供給装置を提供する。
【解決手段】液体原料供給装置１０は、入口４１と出口４２とを有し、入口４１から与えられた液体原料ＬＭの流量を制御するとともに、所定量の液体原料ＬＭを出口４２から吐出する液体原料流量制御バルブ１２、気化器２４と液体原料流量制御バルブ１２との間に配設され、出口４２から吐出された液体原料ＬＭを気化器２４へ与える原料供給管５４、および出口４２の近傍において原料供給管５４に連通され、原料供給管５４へキャリアーガスＣＧを与えるキャリアーガス導入管９４を備えている。そして、液体原料流量制御バルブ１２は、原料供給管５４を介して気化器２４から離隔して配設され、原料供給管５４内の液体原料ＬＭは、キャリアーガスＣＧによって気化器２４へ圧送される。 （もっと読む）

【課題】埋め込み特性に優れ、かつ、膜の破壊及び剥離を防止する絶縁膜を形成する方法を与える。
【解決手段】無機シラザンベース絶縁膜を形成する方法が与えられる。当該方法は、Si及びHから構成されるガス並びにN及びHから選択的に構成されるガスを被処理体が配置される反応チャンバ内に導入する工程と、被処理体の温度を−５０℃から５０℃に制御する工程と、無機シラザン結合を含むSi、N及びHにより構成される膜をプラズマ反応により堆積する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】プレコート膜を蒸着することなく、基板上への金属汚染を防止する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、基板を載置しかつ電極として機能する冷却サセプタと、内部に形成された複数の貫通孔を通じて冷却サセプタの方向へガスを導入するためのシャワープレートを含む。該シャワープレートは、もう一方の電極として機能し、冷却サセプタと平行に配置される。冷却サセプタは、冷媒を流通するための冷媒流路を具備するセラミック材料から成る。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の薄膜を紫外線により効率的にキュアするための紫外線照射装置及び方法を与える。
【解決手段】紫外線により半導体基板を照射するための紫外線照射装置は、基板支持台が内部に設けられたリアクタと、紫外線透過窓を通過した紫外線により基板支持台上に載置された半導体基板を照射するための、リアクタと結合された紫外線照射ユニットと、紫外線透過窓と紫外線が透過する液体層を形成するための少なくともひとつの紫外線ランプとの間に配置された液体層形成チャネルを含む。該液体層は液体層形成チャネルを通じて流れる液体により形成される。 （もっと読む）