【課題】正確なDCバイアス電圧を検出することができ、かつ異常放電を生じさせることのないDCバイアス電圧測定回路を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の非接地電極に生じるDCバイアス電圧を測定するための回路であり、第１端子と、第２端子と、第１端子と前記第２端子との間に接続された第１抵抗と、第２端子と接地との間に接続された第２抵抗と、第２端子と接地との間に第２抵抗と並列に接続されたコンデンサと、から成り、第１端子にRF電源及び非接地電極が接続され、第２端子から前記DCバイアス電圧の測定値を出力するところの回路は、第１抵抗及び第２抵抗の抵抗値を合計した入力抵抗値が少なくとも５０MΩであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率及び高熱安定性を有するフッ素ドープ低誘電率シリコン酸化膜を形成する方法を与える。
【解決手段】容量結合プラズマCVDにより、低誘電率シリコン酸化膜を形成する方法は、シリコンソースガスとしてSiH4、フッ素ソースガスとしてSiF4、及び酸素ソースガスとしてCO2から成る処理ガスを、(SiH4+SiF4)/CO2が約０.０２から約０.２の範囲となるような流量比で、かつ、全圧が約２５０Paから約３５０Paとなるように反応チャンバへ導入する工程と、約１０MHzから約３０MHzの周波数の第１RF電力及び約４００kHzから約５００kHzの周波数の第２RF電力を印加する工程であって、２つのRF電力を重畳させることにより、反応チャンバ内部にプラズマ反応場を生成するところの工程と、それぞれのガスの流量及びそれぞれのRF電力出力を制御する工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】有機モノマーを反応ガス中に材料ガスとして含ませてプラズマによる重合を行う事により、特性が優れた薄膜のハードマスクを形成する。
【解決手段】容量結合式のプラズマCVD装置により半導体基板上に炭化水素系ポリマー膜を形成する方法において、ビニル基、アセチレン基で置換されていない沸点約２０℃〜約３５０℃の炭化水素系液体モノマー(C_αH_βX_γ、α，β：５以上の自然数，γ：0を含む整数、X：O、N、またはF) を気化させる工程、該気化したガスを基板が置かれたCVD反応室に導入する工程、及び該ガスをプラズマ重合させることにより該基板上に炭化水素系ポリマー膜を形成する工程、を包含する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの汚染を防止し、複数の処理ガスの解離を独立に制御することが可能で、コンパクトなプラズマCVD装置を与える。
【解決手段】デュアル反応チャンバプラズマ処理装置は、異なるガス流入ライン及び異なるRFシステムが取り付けられた２つの反応チャンバから成る。それぞれの反応チャンバは、RF電源からのRF電力を供給するためのRF波エントリーパス及び同一のRF電源へRF電力を戻すためのRF波リターンパスを具備する。 （もっと読む）

【課題】 より低い誘電率の膜を形成しうる高分子膜の製造方法および低誘電率の高分子膜を提供すること。
【解決手段】 気相成長法によって成膜する高分子膜の製造方法であって、少なくとも２種の有機モノマーを原料とし、それらの有機モノマーに基づく構造を骨格とした共重合高分子膜を基板表面上に形成する工程と、その後、該共重合高分子膜を形成させた温度よりも高い温度で、該共重合高分子膜を熱処理する工程を含む高分子膜の製造方法。該製造方法により得られる高分子膜。 （もっと読む）

【課題】プラズマ重合により、より低い誘電率の膜を製造する方法およびより低い誘電率の高分子膜を提供すること。
【解決手段】式（１）で示される化合物のガスを含む混合ガスを減圧下の反応室に供給する工程と、反応室内に形成されたプラズマ中を通過させることにより反応室内に設置された基板表面に前記ガスを吹き付けて、前記有機化合物を骨格に含む高分子膜を基板表面上に成長させる工程とを含む高分子膜の製造方法。該製造方法により得られる高分子膜。


（ＰＣＡは炭素原子数７以上のポリシクロ脂肪族炭化水素基。ＡＬＫは炭素原子数１〜１０の二価の脂肪族炭化水素基。ｍは１または２。ｎは０または１。Ｒ１およびＲ２は炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基、炭素原子数２〜６のアルキニル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数６〜１０のアリール基または炭素原子数６〜１０のアリールオキシ基。） （もっと読む）

【課題】低膜応力及び低誘電率を有するシリコン系絶縁膜を形成するための方法を与える。
【解決手段】シリコン系絶縁膜は、(i)少なくともひとつのビニル基を含むシリコン系炭化水素化合物（シリコン-ビニル化合物）から成るソースガス、及び(ii)添加ガスから成る反応ガスを基板が配置された反応チャンバ内に導入し、基板上に絶縁膜を蒸着するべくプラズマ重合反応を生じさせるよう反応ガスにRF電力を印加することによって、プラズマ重合反応により基板上に形成される。 （もっと読む）

【課題】低比誘電率及び優れた膜質を有する、改良された絶縁膜を形成するための方法を与える。
【解決手段】絶縁膜は、ソースガスを与えるようシリコン含有炭化水素化合物を気化し、ソースガス並びに不活性ガス及び酸化ガスのような添加ガスから成る反応ガスをプラズマCVD装置の反応空間へ導入し、−５０℃〜１００℃の温度でプラズマ重合反応によりシロキサン重合体膜を蒸着することによって、半導体基板上に形成される。反応空間内での反応ガスの滞留時間は、２.５のように低い比誘電率を有するシロキサン重合体膜を形成するような方法で反応ガスの総流量を減少させることにより延長される。 （もっと読む）