【課題】配線やビアの構成材料として銅を含む半導体装置の信頼性を高める。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板（不図示）と、その上に形成された第１の絶縁層１０２と、第１の絶縁層１０２上に形成され、銅を主成分として含むビア１０４（第１の金属膜１０８）と、第１の絶縁層１０２上に第１の金属膜１０８に接して設けられ、Ｒｕ、ＴａまたはＴｉを含む第４の層１１８ａ、Ｗを含む第５の層１１８ｂ、およびＲｕ、ＴａまたはＴｉを含む第６の層１１８ｃがこの順で形成された第２のバリアメタル膜１１８と、第２のバリアメタル膜１１８上に第６の層１１８ｃに接して設けられ、銅を主成分として含む第２の金属膜１２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】原子層成長と気相化学成長を連続して同一の反応装置に実行することにより、従来できなかった高品質膜を形成する。
【解決手段】上部室と、上部室の下側に配置され、シャワーヘッドの軸方向に見て上部室により覆われ、かつ上部室とガス連通しない下部室とを含むシャワーヘッドを使って、基板上に薄膜を形成する方法は、原子層成長（ALD）膜及び化学気相成長（CVD）膜を連続して形成するか、または熱ALD膜及びプラズマALD膜を連続して形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】低温でも優れたアッシング耐性を有する有機シリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】プラズマCVDにより有機シリコン酸化膜を形成する方法は、(i)基板が載置されるサセプタの温度を３００℃以下に調節する工程と、(ii)サセプタが設置されたリアクタ内に少なくともテトラエチルオルソシリケート(TEOS)及び酸素を導入する工程と、(iii)高周波RF電力及び低周波RF電力を印加する工程と、(iv)基板上に有機シリコン酸化膜を蒸着する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】主として、Si-O結合から成る低誘電率多孔質膜を気相法で形成する方法を与える。
【解決手段】プラズマCVD装置を使って、半導体基板上に多孔質膜を形成する方法は、Si-O結合を有するシリコン化合物を気化させて、反応室内に供給する工程と、プラズマ反応により、シロキサンオリゴマーを生成する工程と、反応室内に有機アミンを供給し、シロキサンオリゴマーと反応させて、半導体基板上に多孔質膜を形成する工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】主として、Si-O結合から成る低誘電率多孔質膜を気相法で形成する方法を与える。
【解決手段】被処理体上に多孔質膜を形成する方法は、気相中で有機化合物を重合させることで、有機化合物から成る微粒子を合成する工程と、該微粒子と、Si-O結合を有するシリコン系化合物とを反応させ、被処理体上に該微粒子を含む膜を形成する工程と、膜から該微粒子を除去する工程と、から成る。微粒子を合成する工程は、プラズマを用いて有機化合物を重合反応させる工程から成る。 （もっと読む）

【課題】ウエハとサセプタの接触面積を減少させることによって、ウエハの吸着を抑制する。
【解決手段】基板保持領域を有するCVD用の基板保持装置は、基板が載置される基準面を画成する連続面である基板保持面と、基準面より低い底面を有する複数のディンプルとを含む。それぞれのディンプルは基板支持面の一部により互いに離隔されている。 （もっと読む）

【課題】平坦かつ薄いバリア膜またはRu膜をダマシン構造で形成する。
【解決手段】金属配線構造を形成する方法は、(i)露出した配線層及び露出した絶縁層を含む多層構造を反応空間内に与える工程と、(ii)還元雰囲気中で、絶縁層の少なくとも露出面上に-NH2または>NHターミナルを導入する工程と、(iii)反応空間へ還元剤を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(iv)反応空間へハロゲン化金属化合物を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(v) N及びHを含むガスを導入し、その後反応空間をパージする工程と、(vi)金属含有バリア層を製造するべく工程(iii)から(v)を連続して繰り返す工程と、(vii)金属含有バリア層上に金属膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウエハの上面外周部及び側面部への膜形成を防止し、さらに均一な膜厚及び均一な特性を有する膜を形成するプラズマCVD成膜装置及び方法を与える。
【解決手段】直径Dw及び厚さTwを有するウエハ上に薄膜を形成するためのプラズマCVD装置１は、真空チャンバ６と、シャワープレート２１と、ウエハ４の外周上面を覆うためのマスク上部と、ウエハ４の側面部を覆うためのマスク側部を有するマスク２２を含む。マスク側部はDw+αの内径を有し、マスク上部はマスク上部の底面とトッププレート３のウエハ支持面との間にTw+βのクリアランスで配置され、ここでαはゼロ以上であり、βはゼロ以上である。 （もっと読む）

【課題】 成膜が容易で、高速で成膜可能な低誘電率薄膜を提供する。
【解決手段】気相より、空孔生成材料と、骨格生成材料とを、基板表面に供給する工程と、前記基板表面で、前記骨格生成材料によって生成される骨格が前記空孔生成材料を取り囲むように画定された薄膜を成膜する工程と、前記薄膜から前記空孔生成材料を除去し、空孔を形成する工程とを含み、前記空孔を前記骨格が取り囲むように形成された多孔質薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度分布を均一にし、かつ、膜厚及び品質が均一の膜を形成するためのプラズマCVD膜形成装置及び方法を与える。
【解決手段】プラズマCVD膜形成装置は、反応チェンバーと、反応チェンバー内に設置されたシャワープレートと、シャワープレートと実質的に平行に対向して設置された、ウエハを載置するためのサセプタとを含む。シャワープレートはサセプタに対向する面を有し、それは中心が凸となった形状を基本形状として、その上に少なくともひとつの式を重畳して形成され、該サセプタは、周辺部と、中心部と周辺部との間の位置でウエハを支持する。 （もっと読む）