【課題】高速論理回路素子に利用される配線構造において、連続したルテニウム（Ｒｕ）薄膜を容易に形成する方法を提供する。
【解決手段】 ルテニウム（Ｒｕ）薄膜を基板上に堆積する方法は、（ｉ）基板表面を有機金属前駆体で処理する工程と、（ｉｉ）処理した基板表面にルテニウム前駆体を吸着させる工程と、（ｉｉｉ）吸着させたルテニウム前駆体を励起させた還元性ガスで処理する工程と、そして（ｉｖ）工程（ｉｉ）および（ｉｉｉ）を繰り返すことにより、ルテニウム薄膜を基板上に形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ＵＶ照射チャンバーをクリーニングする方法を提供する。
【解決手段】 ＵＶ照射チャンバーをクリーニングする方法は、（ｉ）ＵＶ照射チャンバーに設けられた光透過窓を透過したＵＶ光で基板を照射することを完了した後に、ＵＶ照射チャンバー外でクリーニングガスのラジカル種を発生させる工程と、（ii）ＵＶ照射チャンバーの外部からＵＶ照射チャンバー内へラジカル種を導入することによって、光透過窓をクリーニングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄く且つ連続的なＲｕ膜を形成する。
【解決手段】 反応室内で基板上にルテニウム（Ｒｕ）薄膜を堆積させる方法であって、（ｉ）反応室内にルテニウム前駆体のガスを供給して、非環式ジエニルを含むルテニウム複合体であるルテニウム前駆体のガスを基板に吸着させる段階と、（ｉｉ）励起した還元ガスを反応室内に供給して、基板に吸着されたルテニウム前駆体を活性化させる段階と、（ｉｉｉ）段階（ｉ）と（ｉｉ）を繰り返し、それにより基板上にルテニウム薄膜を形成する段階とを含む方法。 （もっと読む）

【課題】 低コスト、小フットプリント及び小フェースプリントを実現する基板処理装置を提供すると共に、安定したプロセス及び高スループットを実現する基板処理装置を提供する。
【解決手段】 反応チャンバ内で基板をロード及びアンロードするための基板搬送装置は、直線方向に水平に移動可能な遠端を有したアームと、反応チャンバ内で基板をロード及びアンロードするための、下側エンドエフェクタ及び上側エンドエフェクタを含むエンドエフェクタとを備える。下側エンドエフェクタ又は上側エンドエフェクタの一方は、アームの遠端でアームに移動可能に結合され、そして他方のエンドエフェクタは、移動可能に結合されたエンドエフェクタに固定されている。固定されたエンドエフェクタは、移動可能に結合されたエンドエフェクタに固定されている。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィに使用される波長が短くなるに従って生じるレジストの劣化によるレジスト改質のような各種の問題を解決する。
【解決手段】反応空間の中に置かれた基板の上に、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ、および場合によってはＮを含む炭化ケイ素膜を形成させるための方法であって、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨを含み、その分子内に少なくとも１個のＳｉ−Ｏ結合を有する前駆体を導入する工程と、前記反応空間の中に不活性ガスを導入する工程と、前記反応空間にＲＦ電力を印加するが、ここで、前記不活性ガスの流量（ｓｃｃｍ）の前記ＲＦ電力（Ｗ／ｃｍ^２）に対する比率を、３０〜８５０に調節する工程と、それによって、前記基板の上に、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ、および場合によってはＮを含む炭化ケイ素膜を堆積させる工程を含む方法。 （もっと読む）

【課題】 慣用される方法は、高い炭素含量を有する、上述のダイヤモンド状炭素膜および炭素ポリマー膜を含めた非晶質炭素膜のような、炭素質膜をクリーニングするには、効果的ではない。
【解決手段】 予め選定された回数、基板の上に炭素質膜を堆積させたプラズマ反応炉をセルフクリーニングする方法であって、それに含まれるのは：（ｉ）酸素ガスおよび／または窒素酸化物ガスを励起させてプラズマを発生させる工程；および（ｉｉ）反応炉内に具備された上側電極の上に蓄積された炭素質膜および反応炉の内壁の上に蓄積された炭素質膜をそのプラズマに暴露させる工程、である。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスの合間の半導体処理装置が使用されていない間に、一定間隔でRPUを点火することにより、運転コスト及びスループットを改善する。
【解決手段】半導体処理装置をクリーニングするために遠隔プラズマ装置を運転する方法は、(i)半導体処理装置がアイドリング状態であるか否かを検出する工程と、(ii)アイドリング状態が検出されれば、所定時間間隔の経過後に半導体処理装置をクリーニングするために遠隔プラズマ装置を点火する工程と、(iii)工程(ii)で遠隔プラズマ装置が点火されたか否かを検出する工程と、(iv)工程(ii)で遠隔プラズマ装置が点火されなければ、遠隔プラズマ装置の点火を再試行する工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】有機モノマーをプラズマ重合化することにより、光学的性質及び／または機械的性質において優れた特性を有する薄膜ハードマスクを形成する。
【解決手段】容量結合型プラズマCVD装置により半導体基板上に炭化水素系ポリマー膜を形成する方法が与えられる。当該方法は、ビニル基またはアセチレン基により置換されない、沸点が約２０℃から約３５０℃の炭化水素系液体モノマーC_αH_βX_γ（ここで、α及びβは５以上の自然数、γはゼロを含む整数、Xは、O、NまたはF）を気化する工程と、基板が配置されたCVD反応チャンバ内に気化したガス及びCO₂ガスまたはH₂ガスを導入する工程と、ガスをプラズマ重合することにより半導体基板上に炭化水素系ポリマー膜を形成し、それによって、１９３nmでの消衰係数を減少させかつ機械的硬度を増加させるところの工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】ソースガスコンパートメントおよびパージガスコンパートメントがサセプタのサセプタ回転方向において交互して与えられる処理ターゲット上に薄膜を堆積するための装置および方法を提供する。
【解決手段】 処理ターゲット上に薄膜を堆積するための装置が：反応空間；上下に移動可能であり、かつその中心軸周りに回転可能であるサセプタ１；および、ソースガスコンパートメントおよびパージガスコンパートメントを含む複数のコンパートメントＣ１〜Ｃ４に反応空間を分割するための分離壁３を含み、それにおいて膜の堆積のためにサセプタが上昇されたとき、サセプタと分離壁の間に小さいギャップが作られ、それによってそれぞれのコンパートメントの間にガス分離が設定される。 （もっと読む）

【課題】反応炉内で、基板保持ピンとサセプタ内貫通孔の位置ずれをおこさない基板保持機構を提供する。
【解決手段】半導体処理装置は、反応チャンバと、基板を載置するための反応チャンバ内に配置されたサセプタであって、サセプタの軸線方向に貫通孔を有するところのサセプタと、サセプタに対して基板を持上げるための各貫通孔内でスライドするように配置されたリフトピンと、リフトピンと各貫通孔との間の接触抵抗を減少させるための手段とを含む。 （もっと読む）