【課題】いくつかのステップを繰り返し実行するプロセス処理で使用されるレシピにおいて、繰り返し部分の共通化を実現する。
【解決手段】レシピ動作システムは、(i)順に配列された複数の動作ステップから成る少なくともひとつのレシピと、(ii)順に配列されたステップから実行すべき次のステップを選択するために、ステップが変る度にコールされるサブルーチンを含むレシピ実行プログラムとを含む。ステップは配列順と異なる順序で実行され、少なくともひとつのステップが繰り返される。 （もっと読む）

【課題】Cu拡散防止性能が保たれるように、Cuバリア絶縁膜の膜密度を必要十分な程度に維持しながら、低誘電率化を実現する方法を与える。
【解決手段】銅埋め込み配線を有する半導体装置の配線層間絶縁膜の中で銅拡散防止膜として機能する絶縁膜を形成する方法は、半導体基板が載置された反応室内に、原料ガスとして、Si_xH_y、Si_x(C_nH_m)_yH_z、及びSi_x(C_nH_m)_y(OC_nH_m)_wH_z（m,n,w,x,y,zは任意の定数）の少なくとも１つを所定の流量で流す工程と、反応室内部に、所定の周波数及び電力の高周波電力を印加し、それによってプラズマ処理反応を生成させ、半導体基板上に絶縁膜を付着させる工程と、から成り、絶縁膜は、誘電率が４.０以下で、且つ密度が１.５g/cm³以上３.０g/cm³以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不純物汚染を無くし、生産性を向上させる現場プラズマクリーニングを備えたプラズマCVD装置及び方法を与える。
【解決手段】遠隔プラズマ放電チャンバを通じて与えられるクリーニングガスを使って化学気相成長(CVD)反応チャンバをクリーニングするための方法は、1500Wから3000Wで300kHzから500kHzの高周波エネルギーを印加することによって遠隔プラズマ放電チャンバ内のクリーニングガスを解離する工程と、配管を通じて遠隔プラズマ放電チャンバから反応チャンバへ0.5slmから1.5slmの流量で活性種を供給する工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に、誘電率が２.９またはそれ以下でかつ拡散係数が２５０μm²/minまたはそれ以下のシリコン含有絶縁膜を形成する方法を与える。
【解決手段】半導体装置を製造するための方法は、(a)(i)複数の架橋可能基を含むシリコン含有炭化水素化合物から成るソースガス、(ii)架橋ガス、(iii)不活性ガス、及び(iv)流量がソースガス流量の２５％以下である酸素供給ガス、から成る反応ガスを使ったプラズマ反応により、イソプロピルアルコールを使用した測定で２５０μm²/minまたはそれ以下の拡散係数を有するシリコン含有絶縁膜を基板上に形成する工程と、(b)半導体装置を製造するべく、絶縁膜を集積処理にかける工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】ウエハ収納容器にウエハが存在しない空きスロットがある場合、あるいは収納容器内のウエハ収納枚数が搬送ロボットの一括搬送枚数の倍数でない場合など、あらゆる条件において、搬送スループットを低下させることなく、半導体ウエハを搬送するための搬送装置を与える。
【解決手段】半導体基板搬送装置は、少なくともひとつのアームと、アームに回転可能に結合された、少なくとも１枚の前記半導体基板を保持するN個のエンドエフェクタと、を含み、基板搬送処理の開始時に、搬送元の基板分布状態及び搬送先のスロットの空き状態に応じて、N個のエンドエフェクタの中から少なくとも１つの所望のエンドエフェクタが選択され、選択されたエンドエフェクタとそれ以外のエンドエフェクタとがアームに関して互いに独立に回転し、選択されたエンドエフェクタを使って半導体基板が搬送されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ソースガスとしてSi含有ガスを使ってプラズマCVDにより絶縁性微粒子を気相中で形成し、凝集を抑制しながら、形成された微粒子を基板表面まで有効に移送することにより、基板上に低誘電率膜を形成する。
【解決手段】低誘電率膜を形成するための方法は、有機シリコンガス及び不活性ガスから成る反応ガスを容量結合型ＣＶＤ装置のリアクタ内に導入する工程と、リアクタ内のプラズマ放電周期の関数として気相中で生成される微小粒子のサイズをナノメートルのオーダーのサイズに調節する工程と、基板と上部電極との間の温度勾配を約１００℃/cmに制御しながらリアクタ内の上部電極と下部電極との間に配置された基板上に生成微小粒子を堆積する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理において発生する異常条件を、一種類の信号を非連続的に検出することにより、プロセスの異常を的確にかつ簡便に診断する技術を提供する。
【解決手段】プラズマ処理の異常動作を検知する方法は、(i)反応チャンバ内でプラズマ処理が開始された後の時刻T1において、反応チャンバ内で互いに平行に配置された上部電極と下部電極との間のポテンシャルVpp1を検出する工程と、(ii)T1後の時刻T2において、上部電極と下部電極との間のポテンシャルVpp2を検出する工程と、(iii)演算値を得るために、Vpp1とVpp2とを比較する工程と、(iv)演算値が所定範囲内にあるか否かで異常動作を判定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】各処理ウエハに対する成膜時間をレシピで指定するのではなく、クリーニング処理後の処理枚数に対する成膜ステップ時間補正係数を使って制御する方法を提供する。
【解決手段】処理装置内の被処理体に対し処理を施す条件を制御パラメータにより指定するレシピを使って、複数の被処理体を連続して処理するレシピ制御オペレーションの方法は、少なくとも一つのパラメータの値を被処理体毎に補正する補正係数を該レシピとは別に指定する工程、複数の被処理体に対して該レシピ制御オペレーションを実行するに際し、被処理体毎に該補正係数を適用し該パラメータの値を調節する工程、を包含する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの搬送エラーを防止し、反応チャンバ内での異常放電を抑制するウエハ保持装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハを反応チャンバ内へ搬入または搬出する際に、サセプタ上で半導体ウエハを保持するためのウエハ保持装置１０は、一端が半導体ウエハを支持する面１４を形成する縦長形状のウエハピンロッド１１と、ウエハピンロッド１１の他端を収容する開口部１６及び内部空間１７を有し、その底面１５が反応チャンバの下面に固定されているピンサポートロッド１２と、内部空間１７に配置される阻止手段１３とから成り、ウエハピンロッド１１の他端はピンサポートロッド１２内で阻止手段１３と係合し、それによってウエハピンロッド１１の下降が阻止される。 （もっと読む）

【課題】効率的且つ清浄な反応炉クリーニングを実施し、反応炉クリーニングが確実に完了したかどうかを検出できるプラズマCVD装置を提供する。
【解決手段】セルフクリーニングの可能な半導体処理装置において、反応炉の内壁に設けられた光学窓を通して、該反応炉の内面に向けて単色性の光を照射し、その反射光を受光し、該内面に付着した物質の除去状態を検出する光学装置を備えた半導体処理装置が与えられる。クリーニングが完了したことを的確に検出することで速やかにクリーニングシーケンスを終了させ、生産性を向上させることができる。 （もっと読む）