【課題】誘電率が低くかつ機械的強度が高い絶縁膜の形成方法を与える。
【解決手段】反応室と、反応室内部に設置された上部電極及び下部電極を含むプラズマＣＶＤ装置を使って、半導体基板上に薄膜を形成する方法は、下部電極上に半導体基板を載置する工程と、シリコン系炭化水素化合物の材料ガス、添加ガス、および不活性ガスから成る反応ガスを上部電極と下部電極との間に導入する工程と、上部電極と半導体基板との距離が半導体基板の中心付近の方が外周付近よりも短い状態で、上部電極または下部電極にRF電力を印加し、プラズマを生成する工程と、成膜速度を７９０nm/min未満に制御し、半導体基板上に低誘電率膜を成膜する工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】低コスト、小フットプリント、小フェースプリント、及び高スループットの一つまたはそれ以上を実現するウエハ搬送装置を提供する。
【解決手段】（A）ウエハ収納部とロードロックチャンバーに接続し内部に搬送ロボットを備え、該ウエハ収納部と該ロードロックチャンバー間でエアー流動下でウエハの授受を行うための、ミニエンバイロメントと、
（B）該ロードロックチャンバーの接続部の近傍で該ミニエンバイロメントの外部から該ミニエンバイロメントに開口、接続し、ウエハを一時載置して、該ミニエンバイロメントからのエアーを取り込んでウエハを冷却することができるクーリングステージと、を備えたウエハ搬送装置。 （もっと読む）

【課題】データ転送負荷を軽減したソフトウエアが動作する制御装置および信号解析システムを与える。
【解決手段】制御装置１’と入力信号解析システム８の双方に、メモリマップトファイルによりデータ転送を行うMMFソフトウエア１０、１１を設け、制御ソフトウエア４’および解析ソフトウエア９の負荷を軽減させる。また、MMFソフトウエア１０においてカウンタ情報をメモリマップトファイルに挿入しMMFソフトウエア１１にて該情報を観察することで通信異常を検出する。 （もっと読む）

【課題】基板上に蒸着された薄膜の誘電率を紫外光照射で制御する方法及び装置を提供する。
【解決手段】真空から大気圧周辺を制御できるチャンバー６と、前記チャンバー６内に設置された複数の紫外光発光体８と、前記チャンバー６内に前記発光体８に対向して設置されたヒーター１２と、前記発光体８とヒーター１２間に配置された紫外光の強度を均一化するフィルター９と、を包含し、更に該発光体８からの光の強度を該ヒーター１２面上で均一分布とするための構造を備えた半導体基板の処理装置。 （もっと読む）

【課題】半導体の多層配線技術において、下層のlow-k膜に影響を与えないように、ＵＶキュア処理を実行する方法を与える。
【解決手段】プラズマCVD装置を使って、半導体基板上に膜の多層接続構造を形成する方法は、低誘電率膜を基板上に形成する工程と、該低誘電率膜にUV（紫外線）を照射してキュアする工程と、UVブロッキング膜を積層する工程と、次の低誘電率膜を積層する工程と、該次の低誘電率膜にUVを照射してキュアする工程と、から成る。ここで、上記UVブロッキング膜は照射するUVの波長に対する消衰係数が０.２以上である。 （もっと読む）

【課題】付加的工程を必要とせずに、被処理体を保持するアーム部材上の所定位置に被処理体を配置するように、比較的高温の被処理体を移送するための機構及び方法を与える。
【解決手段】被処理体を移送するための移送機構は、被処理体の周囲と接触しかつ被処理体の動きを制限するための、その先端に設けられた先端突起を含むアーム部材を有する。アーム部材はさらに、被処理体の裏面と接触しかつ支持するためのその表面から突出する複数の支持突起を含む。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子の発生自体を制御し、効果的に基板上に低誘電率膜を堆積させる。
【解決手段】低誘電率膜を形成する方法であって、有機Siガスと不活性ガスからなる反応ガス容量結合方式のＣＶＤ装置の反応器へ導入する工程、該有機Siガスから気相中に生成する微粒子のサイズを該反応器内におけるプラズマ放電時間の関数として、nmオーダーに調整する工程、及び生成した該微粒子を該反応器内に載置された基板上に堆積する工程、を包含する。 （もっと読む）

【課題】イオン衝撃が無く、クリーニング速度が低下しない、遠隔プラズマ放電室を有するプラズマCVD装置を与える。
【解決手段】半導体基板上に薄膜を形成するための、セルフクリーニング可能なプラズマCVD処理装置は、反応炉と、反応炉内にあって、半導体基板を載置するためのサセプタと、反応炉内にあって、サセプタに対向して平行に設置されたシャワーヘッドと、シャワーヘッドの内部空間に設置された複数の貫通孔を有する整流板であって、整流板の材料が、サファイア、及び純度９９.９５％以上のアルミナセラミックスから成る集合から選択される、ところの整流板と、シャワーヘッドまたはサセプタに高周波電力を給電するための反応炉の外部に設置された少なくともひとつの高周波電源と、反応炉の外部に設置された、クリーニングガスを活性化するための遠隔プラズマ放電室と、から成る。 （もっと読む）

【課題】集積回路（IC）メタライゼーションにおいて信頼性が高いインターフェースを形成するための、生産的かつ制御可能な方法を与える。
【解決手段】埋め込み銅配線の表面が露出したビア底またはCMP直後の銅配線の上面での銅相互接続及び／またはコンタクトの信頼性を強化するための方法が与えられる。当該方法は、露出した銅表面を貴金属から成る気相化合物と接触させる工程と、銅置換反応または貴金属の選択的蒸着（例えば、ALDまたはCVD）により、露出した銅表面上に貴金属の層を選択的に形成する工程から成る。 （もっと読む）

【課題】ガス導入配管内部及びガス導入孔でのプラズマ放電の発生を抑制し、汚染物質の付着を防止するプラズマ処理装置を与える。
【解決手段】反応チャンバと、反応チャンバ内部に反応ガスを導入するためのガス導入配管と、反応チャンバ内に設置され反応ガスを反応チャンバ内に導入するためのガス導入孔を設けた上部電極と、ガス導入配管と上部電極との間に装着されたリング状の絶縁体とを有するプラズマ処理装置において、ガス導入配管及びガス導入孔の内部に円筒状の絶縁体を装着したことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）