説明

独立行政法人物質・材料研究機構により出願された特許

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【課題】 本発明の目的は、金属とより強固に配位可能なポリマーを合成するに好ましいターピリジン型モノマー、および、その製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のターピジン型モノマーは、式(1)で表され、XおよびXは、同一または異なるハロゲン元素であり、Rは、式(3)〜式(6)からなる群から選択されるスペーサであり、スペーサは、式(1)に示されるターピリジル置換基(A)とXとに直接結合し、X以外のハロゲン元素と直接結合せず、RおよびRは、同一または異なる、水素原子、アリ−ル基またはアルキル基である。 (もっと読む)


【課題】 本発明は高い特性を示すスピントロニクス素子を実現するために、0.65以上のスピン偏極率を持つCoFe基ホイスラー合金とそれを用いた高特性スピントロニクス素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 CoFe(GaGeX−1)ホイスラー合金は0.25<X<0.60の領域でPCAR法により測定したスピン偏極率は0.65以上の高い値を示す。また1288Kと高いキュリー点をもつことから、CoFe(GaGeX−1)ホイスラー合金が実用材料として有望である。実際、CoFe(GaGeX−1)ホイスラー合金を電極としたCPP−GMR素子は世界最高のMR比を、STO素子では高い出力を、NLSV素子では高いスピン信号を示した。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、固相反応で合成したFeTe1-x化合物における超電導特性の向上方法の提供を目的とする。
【解決手段】
本発明は、固相反応で合成したFeTe1-x化合物を70℃に加熱した酒類に浸漬することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】NbAl超電導線材開発において従来問題とされていたTaに起因する伸線加工性の問題を解決し、かつ極低温環境下で誘発されるフィラメントの磁気的結合を抑制できる新しいNbAl多芯線断面構造を提供する。
【解決手段】NbAl多芯超伝導線材において、中心コアに近いフィラメント領域に、延性の高いNbバリアフィラメントを集中配置し、外周部に磁気的結合抑制材であるTaバリアのフィラメントとNbバリアフィラメントを分散配置することで、優れた伸線加工性を有し、かつ極低温環境下で誘発されるフィラメントの磁気的結合を抑制できる新しいNbAl多芯線断面構造。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低コスト・低環境負荷で大面積化・量産化を実現することのできる導電性ZnO膜の新規な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】クエン酸の存在下、液相析出法によって酸化亜鉛(ZnO)の結晶を基板上に析出させる。クエン酸がZnOの(0001)面の表面に吸着することによって、析出反応において結晶のc軸方向の異方性成長が抑制され、基板表面に緻密な結晶膜が形成される。その後、形成されたZnO結晶膜に対して紫外線を照射することによって、膜内に取り込まれた有機酸を光分解する。その結果、有機酸にトラップされていたキャリアが結晶膜内に放出され、ZnO結晶膜に好適な導電性が付与される。 (もっと読む)


【課題】 層状希土類水酸化物、その製造方法およびその用途を提供すること。
【解決手段】 本発明の層状希土類水酸化物は、一般式Ln(OH)SO・nHO(1<n<3)で表され、Lnは、少なくとも1つの3価の希土類イオンを含み、Lnヒドロキシ多面体からなるホスト層と、ホスト層間に位置する硫酸イオンとからなり、硫酸イオン中の酸素原子が隣接するホスト層中のLnに直接合結合したピラー構造を有する。 (もっと読む)


【課題】Asイオン吸着素子を用いて、水中のAsイオン濃度を短時間に検出する方法、及び水中のAsを除去する方法を提供する。
【解決手段】ナノ構造物からなる担体にAsイオン吸着素子を担持させて、Asイオンが吸着すると光学特性が変化するレセプターを用いて、Asイオンを検出、及び除去する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、形状変化が大きく、変形量の大きさや方向の制御が容易であるとともに、使用による性能の劣化を抑制した薄膜アクチュエータの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】樹脂薄膜21と形状記憶合金薄膜22とを積層してなる積層薄膜23を拘束加熱する薄膜アクチュエータの製造方法を用いることによって前記課題を解決できる。 (もっと読む)


【課題】 半導体発光素子を用い、使用環境の温度によって発光特性が変動することが無く、また半導体発光素子の発光層の温度上昇を抑える工夫も不要な、車両用標識灯を提供する。
【解決手段】 380〜420nmの光を発する半導体発光素子と、該半導体発光素子が発する光を励起光としてアンバー色光を発する蛍光体とから構成される発光モジュール6を有することを特徴とし、蛍光体としては、下記一般式で表されるものが好ましい。
MexSi12-(m+n)Al(m+n)n16-n:Eu2+y
(式中、MeはLi、Ca、Mg、Y又はLaとCeとEuを除くランタニド金属の1種以上であり、x、y、mおよびnは、それぞれ正の数である。) (もっと読む)


【課題】短波長側の光も有効に利用することにより従来の多接合型太陽電池よりも高い変換効率を得るための、実現容易な太陽電池構造を提供する。
【解決手段】より短波長の光電変換を行うIII−V族窒化物薄膜太陽電池素子を、多接合型太陽電池素子の前段に設置する。更に、太陽電池素子の設計の自由度を確保するため、これらの太陽電池素子を全体として従来の多接合型太陽電池素子のように電気的に直列接続するのではなく、夫々の素子に別個に出力端子を設けて両者の出力を互いに独立して取り出す。 (もっと読む)


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