【課題】本発明は、回路規模を縮小した電気フューズ回路を提供することを目的とする。
【解決手段】電気フューズ回路は、第１端と第２端との間に直列接続された第１のスイッチ回路及びフューズを各々が含む複数のセル回路と、複数のセル回路の複数の第１端が共通に結合される１つのノードと、１つのノードと１つのデータ出力端との間に結合される１つの第２のスイッチ回路と、１つのノードと第１の電源電圧との間に結合される１つの第３のスイッチ回路とを含み、複数のセル回路の複数の第１のスイッチ回路のうちの１つを選択的に導通可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】設計のやり直しがなく、テスト時のＩＲドロップが小さくなるように複数のマクロを複数のスキャンチェーンで接続することができる半導体集積回路設計方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体集積回路内の複数のマクロを複数のスキャンチェーンで接続するための半導体集積回路設計方法であって、前記複数のマクロ間の距離に応じて、前記複数のマクロを前記複数のスキャンチェーンの中のいずれかのスキャンチェーンに接続するマクロとして割り当てる割り当てステップ（Ｓ１０１〜Ｓ１０４）と、前記複数のマクロを前記割り当てられたスキャンチェーンで接続した半導体集積回路の設計データを生成する生成ステップ（Ｓ１０５）とを有することを特徴とする半導体集積回路設計方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】有機溶媒に有機金属化合物を溶解した液体原料を使用し膜質を保持しつつ膜を薄く形成する成膜方法と、その成膜方法を実施するための成膜装置と、強誘電体膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属有機化合物を有機溶媒に溶解した溶液を気化して原料ガスを生成する工程と、気化したオクタンを原料ガスに添加してオクタン添加原料ガスを生成する工程と、オクタン添加原料ガスを成膜雰囲気に導入して基板上に金属を含む膜を成膜する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】高耐圧なトランジスタを、性能を劣化させることなく他のトランジスタと混載可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０上にＳＴＩ１１を形成し、ＳＴＩ１１で画定された領域に、高耐圧トランジスタまたは他のトランジスタのゲート酸化膜１３ａ，１３ｂ及びゲート電極１４ａ，１４ｂを形成し、高耐圧トランジスタのドレイン領域にイオン注入を行い、シリコン基板１０を酸化し、ドレイン領域上に形成される熱酸化膜１７ａの膜厚を増速酸化させ、他の領域よりも厚く形成する。 （もっと読む）

【課題】点線状のノイズも検出できる新しいノイズ検出方法の実現。
【解決手段】ピクセルのセンサーデータを処理する画像処理回路30を有する２次元固体撮像素子43であって、画像処理回路は、ピクセルのセンサーデータをラインごとに補正する補正回路を有し、２次元固体撮像素子のピクセルのセンサーデータを読み取りS11、２次元固体撮像素子のラインごとに、ピクセルのセンサーデータのバラツキ度を算出しS14,S15、算出したバラツキ度が所定の閾値以上のラインを欠陥ラインと判定しS16、欠陥ラインと判定されたラインを近接ラインのデータで補正するように前記補正回路を設定するS17。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物を原料に使用して気相成長法により形成される膜内でのパーティクル数を少なくして、膜質を向上することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】含有水分が１．０質量％以下、好ましくは０．８質量％以下の有機溶剤に有機金属化合物を溶解した溶液からなる少なくとも１つの有機金属原料を気化する工程と、気化した有機金属原料の気相成長により基板上に金属を含む膜を形成する工程とを有し、これによりパーティクルの生成を抑制する （もっと読む）

【課題】処理室でガス化学反応を伴う基板処理装置の、その装置を製造した時の、マニホールドフランジとガス導入ポートの溶接部に起因するパーティクルを抑止する。
【解決手段】溶接部を、ガス化学反応から遮蔽する、その反応に耐性を有する素材からなる、溶接部をガス化学反応から遮蔽するカバー手段を、基板処理装置内に付設することで、運用コストを含め低コストにそのパーティクル発生およびウエハへの付着を防ぐ。カバー手段としては、例えば、石英によって、溶接部をガス化学反応から遮蔽する板状の遮蔽部と、処理室中へのガス導入開口に挿入する筒状の挿入部とを組合せて構成する。 （もっと読む）

【課題】歪み技術を利用した性能のよい半導体装置を低コストで製造する。
【解決手段】シリコン基板１０上のｎＭＯＳ形成領域１２ａ及びｐＭＯＳ形成領域１２ｂにそれぞれゲート電極１５ａ，１５ｂを形成し、ｐＭＯＳ形成領域１２ｂを覆い、フォトレジストマスク１８を形成して、イオン注入によりｎＭＯＳのソース／ドレイン領域１７ａを形成するとともに、ゲート電極１５ａをアモルファス化し、フォトレジストマスク１８を除去した後に、シリコン基板１０上に、ゲート電極１５ａ，１５ｂを覆うように、引っ張り歪みを有するキャップ膜１９を形成し、ｎＭＯＳ形成領域１２ａを覆うようにフォトレジストマスク２０を形成し、ｐＭＯＳ形成領域１２ｂのキャップ膜１９に不純物をイオン注入し、フォトレジストマスク２０を除去した後に、アニール処理を行い、ｎＭＯＳのゲート電極１５ａ下のチャネルに対し、チャネル深さ方向の圧縮歪みを加える。 （もっと読む）

【課題】 条件付ＳＩＭＤ命令の無駄な実行抑止を回避する技術を提供する。
【解決手段】 条件付ＳＩＭＤ命令を有する命令セットを備えたマイクロプロセッサにおいて、命令セットは、命令により指定される複数の条件コードの全てが命令により指定される条件値を示すことを分岐条件とする条件付分岐命令を有する。条件付分岐命令は、マイクロプロセッサで動作させるプログラムのコンパイル時に、コンパイラによりプログラム内に挿入される。条件コードが第１条件値を示すことを実行条件として設定された条件付ＳＩＭＤ命令がプログラム内に存在する場合、条件付分岐命令は、プログラム内に挿入される際、その条件付ＳＩＭＤ命令で使用される複数の条件コードの全てが第２条件値を示すことを分岐条件として設定される。 （もっと読む）

【課題】
現像処理した後ウエハ周辺部を、現像液やイソプロピルアルコールのようなアルコール類の溶剤でリンスしても、ウエハ周辺部に異物が付着している。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、被加工層を有する半導体ウエハの表面上方に、周辺部を除いて、レジスト膜を塗布し、塗布したレジスト膜にパターンを露光し、潜像を形成し、潜像を形成したレジスト膜を現像し、現像後の半導体ウエハの周辺部にシンナを供給し、クリーニングした後、現像したレジスト膜を用いて半導体ウエハの被加工層に加工処理を行なう。 （もっと読む）