説明

株式会社アドバンテストにより出願された特許

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【課題】2台のレーザの繰り返し周波数をそれぞれ独立して制御しないで、2台のレーザの繰り返し周波数の差を一定にする。
【解決手段】繰り返し周波数制御装置1は、スレーブレーザ光パルスを出力するスレーブレーザ12と、スレーブレーザ光パルスを受け、スレーブ電気信号に変換するスレーブ光電変換部16と、マスタレーザ光パルスを出力するマスタレーザ23と、マスタレーザ光パルスを受け、マスタ電気信号に変換するマスタ光電変換部26と、マスタ電気信号の繰り返し周波数を所定値だけ変更する周波数変更部28と、スレーブ電気信号と、周波数変更部の出力との位相差を検出する位相比較器32と、位相比較器32の出力の高周波成分を除去するループフィルタ34とを備える。マスタレーザ23の繰り返し周波数f1は、マスタ電気信号およびスレーブ電気信号の一方または双方に基づく制御を受けない(フリーラン状態)。 (もっと読む)


【課題】非反転増幅によるFETドライブ回路を提供する。
【解決手段】第1基準電圧出力部と、入力端子および第1基準電圧出力部の間に位置する第1端子および第2端子の間に設けられ、第1端子から第2端子へと流れる電流に応じて電圧を降下させる第1電圧降下部と、第1端子および出力端子の間に接続された第1電流源と、第2基準電圧を出力する第2基準電圧出力部と、出力端子および第2端子の間に設けられ、第2基準電圧と第2端子の電圧との差に応じてオンまたはオフとなる第1スイッチ部と、第1スイッチ部がオンおよびオフの状態における第1電圧降下部が降下させる電圧の変化を補償する補償部と、を備える駆動装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】被試験デバイスへ過剰な電流が流入することを防ぐ。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、前記被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、前記電源部から前記被試験デバイスに至る経路上に設けられた誘導負荷部と、前記誘導負荷部に対して前記被試験デバイスと並列に接続された第1半導体スイッチと、前記被試験デバイスに対する電源電圧の供給を遮断する場合に、前記第1半導体スイッチをオンとする制御部とを備える試験装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】試験の異常時において被試験デバイスへの電源供給を高速に遮断する。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、電源部と被試験デバイスとの間の経路上に設けられた誘導負荷部と、誘導負荷部と被試験デバイスとの間の経路上に直列に接続された複数の半導体スイッチと、被試験デバイスへの電圧の供給を遮断する場合において、複数の半導体スイッチをオフとする制御部と、を備える試験装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】入力電圧範囲の大きな半導体スイッチ装置を提供する。
【解決手段】外部から入力される制御電圧に応じて第1端子および第2端子間を電気的に接続または切断するスイッチ装置であって、第1端子および第2端子の間にソースおよびドレインが接続され、当該スイッチ装置に入力される入力電圧とゲート電圧との差に応じてオンまたはオフとなるメインスイッチと、制御電圧および入力電圧に応じて第1基準電圧を電圧シフトさせた駆動電圧をメインスイッチのゲートに供給する制御部と、を備えるスイッチ装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】ポジティブエッジの波形、ネガティブエッジの波形の少なくとも一方を調節可能なドライバ回路を提供する。
【解決手段】分岐回路10は、送信すべき入力信号SINを複数の経路12に分岐する。各タイミング調節回路20は、それぞれが対応する経路に分岐された送信すべき信号Saのポジティブエッジおよびネガティブエッジの少なくとも一方に遅延を与える。合成出力回路30は、複数のタイミング調節回路20の出力信号Sbを合成し、合成された信号SOUTを伝送線路3に出力する。 (もっと読む)


【課題】誘導負荷部に蓄積されたエネルギーが放出されたかを検出する。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、電源部と被試験デバイスとの間の経路上に設けられた誘導負荷部と、誘導負荷部を少なくとも含む基板を収容する収容部と、基板における予め定められた箇所の電圧が設定電圧よりも大きい場合、収容部内の基板にオペレータをアクセスさせるための開閉部のロック状態を維持するロック維持部と、を備える試験装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】安定した電源電圧を供給する。
【解決手段】メイン電源10は、DUT1の電源端子P1に電力を供給する。電源補償回路20は、メイン電源10からDUT1に流れる電源電流IDDから、補償電流ICMP’をDUT1とは別経路に引きこむ。補償電流ICMP’は、それとDUT1の電源端子P1に流れ込む動作電流IOPとの和が実質的に一定となるように生成される。電源補償回路20は、試験状態においてDUT1と熱的に結合されるように配置される。 (もっと読む)


【課題】動作状態がテストパターンに依存せずに変化しうるDUTを試験する際に、電源電圧VDDを安定化する。
【解決手段】DUT1は、その動作電流IOPに変化を生じさせるイベントの発生に先立ち、そのイベントを外部に通知するための通知信号S4を生成する通知回路50を備える。メイン電源10は、DUT1の電源端子P1に電力を供給する。電源補償回路20は、制御信号SCNTに応じて制御されるスイッチ素子を有し、当該スイッチ素子のオン、オフ状態に応じて補償パルス電流を生成する。補償制御回路52は、DUT1から通知信号S4を受け、スイッチ素子を制御するための信号であって、少なくとも通知信号S4にもとづいている制御信号SCNTを、電源補償回路20に出力する。 (もっと読む)


【課題】電流電圧のパルス特性を向上させて電流電圧のDC特性に近づける。
【解決手段】半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート絶縁膜上に設けられ、ゲート絶縁膜上におけるゲート電極の端部の少なくとも一部においてゲート電極と接するゲート境界膜と、を備え、ゲート境界膜およびゲート絶縁膜は、同種の絶縁材料を含む半導体装置を提供する。ゲート電極およびゲート境界膜上に設けられた絶縁性の保護膜を更に備え、保護膜は、ゲート境界膜およびゲート絶縁膜とは別種の絶縁材料を含んでよい。 (もっと読む)


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