説明

三星電子株式会社により出願された特許

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【課題】ブロック単位でコンテンツクエリを処理するコンテンツ名ベースの端末装置、ルーティング方法、及びルーティングテーブルを用いるネットワーク装置を提供する。
【解決手段】端末装置は、複数のセグメントを含むコンテンツを対象に、コンテンツの送信範囲およびコンテンツ名を含むブロッククエリを生成するクエリ生成部と、生成されたブロッククエリに対応するコンテンツ名をルーティングテーブルから検索するテーブル検索部と、検索されたコンテンツ名に対応するフラグを設定し、生成されたブロッククエリに対応する複数のセグメントナンバを各ナンバフィールドに設定するフィールド設定部と、検索されたコンテンツ名に対応する送信方向を示す送信ポートにブロッククエリを送信するクエリ送信部と、を含み、ブロッククエリに対応する複数のセグメントの送信方向を示す送信ポートが全て同じである。 (もっと読む)


【課題】入力される画像信号に基づいてグラデーション領域を判定して選択的に画像信号を平滑化し、入力される画像信号よりも階調数の多い画像信号に変換することが可能な画像処理装置、画像処理方法、プログラム、および表示装置を提供する。
【解決手段】Nビット(Nは正の整数)の入力画像信号から所定の周波数帯域の信号を画素ごとに検出する周波数成分検出部と、周波数成分検出部が検出した各画素に対応する検出信号をそれぞれ空間的に平滑化する検出値平滑部と、平滑化した検出信号に基づいてグラデーション領域を規定する制御信号を画素ごとに生成する制御信号生成部と、制御信号に基づいて入力画像信号の階調数が所定数拡張されたN+kビット(kは正の整数)の第1出力画像信号または入力画像信号が時間的に平滑化されて階調数が所定数拡張されたN+kビットの第2出力画像信号を画素ごとに出力する階調数拡張部とを備える画像処理装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】メモリ素子及びその動作方法を提供する。
【解決手段】メモリセルを含み、該メモリセルは、バイポーラメモリ要素及び双方向スイッチング要素を含み、該双方向スイッチング要素は、該バイポーラ・メモリ要素の両端に連結され、該双方向スイッチング要素は、第1スイッチング要素及び第2スイッチング要素を含み、該第1スイッチング要素は、該バイポーラ・メモリ要素の一端に連結され、第1スイッチング方向を有することができ、該第2スイッチング要素は、該バイポーラ・メモリ要素の他端に連結され、第2スイッチング方向を有することができ、該第2スイッチング方向は、該第1スイッチング方向に反対方向でありうる。 (もっと読む)


【課題】実空間に存在する光源に関する情報を取得し、光源に関する情報を反映した画像を表示する。
【解決手段】画像処理装置100は、魚眼レンズを通して自装置の外部から受光して画像を撮影する撮影部110と、3次元空間を規定する3次元CGモデル情報131を記憶する記憶部130と、撮影部110によって撮影された画像に写されている光源の個数を算出し、個数分に相当する光源の画像における位置を示す光源座標情報を算出する光源個数算出部120と、光源座標情報に基づいて、光源に関する実空間におけるパラメータを3次元空間におけるパラメータである光源情報として算出する光源情報算出部140と、3次元CGモデル情報131と光源情報とに基づいて、3次元画像を作成する3次元CG作成部150と、3次元画像を表示する表示部160と、を備える。 (もっと読む)


【課題】フラッシュ非発光画像を適正露光の画像として無駄な撮影をすることなくフラッシュ発光時の画像全体を適切なホワイトバランスにすることが可能な撮像装置及び撮像方法を提供する。
【解決手段】被写体からの光に基づいてフラッシュ非発光による第一の画像の明るさが適正となる第一の露光制御値と、フラッシュ発光による第二の画像の明るさが適正となる第二の露光制御値を算出し、第一及び第二の露光制御値に基づいて第一及び第二の画像を取得し、第一及び第二の露光制御値の露光制御値差分を算出し、取得された第一及び第二の画像の全画素についてそれぞれ第一の被写体輝度と第二の被写体輝度を算出し、露光制御値差分と、画素毎の第一及び第二の被写体輝度との被写体輝度差分を全画素について算出し、被写体輝度差分から画素単位にフラッシュ反射量を算出し、フラッシュ反射量から画素単位にホワイトバランスゲインを算出する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置、これに結合されたコントローラ、これを含むシステム及び動作方法を提供する。
【解決手段】メモリにライト動作を行うために選択的にデータを処理し、ライト動作中にモードレジスタコマンドに応答して、プロセシング機能のグループのうち、1つのプロセシング機能をイネーブルするデータ制御部を備え、プロセシング機能のグループは、少なくとも3つのプロセシング機能を含む半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】第1の電圧≧第2の電圧の関係を保証しつつ、第2の電圧の高速な電位切り替えを可能にする電圧安定化装置を提供する。
【解決手段】第1の電圧(Vwell)を生成する第1の電圧生成部10と、第1の電圧が予め定められる基準電圧より低い第1の状態と、基準電圧より高い第2の状態を判定する判定部20と、第1の状態にあるとき第1の電圧が供給され、第1の電圧以下の第2の電圧(Vwl)を生成する第2の電圧生成部30と、第2の状態にあるとき第1の電圧より高い電圧(Vh)が供給され、第2の電圧生成部30の出力において第2の電圧を生成する第3の電圧生成部40とを備えている。 (もっと読む)


【課題】撮像素子に蓄積された電荷を複数回掃出して画質の良好な画像を得る。
【解決手段】撮像装置10は、マトリクス状に配列された複数の画素を有する撮像素子を備え、撮像素子に露光して被写体を撮像する撮像装置であって、被写体の撮像状態を検出する検出部202と、撮像素子を遮光するように走行する幕体の動作を制御する動作制御部206と、幕体の走行に先行して、撮像素子に蓄積された電荷を掃出すことにより撮像素子の露光開始走査を制御する走査制御部204と、を備え、走査制御部204は、被写体の撮像状態に応じて、撮像素子に蓄積された電荷を複数回掃出す。 (もっと読む)


【課題】ワード線とビット線を共有するようにして積層化されたメモリセルの選択素子としてダイオードを採用する不揮発性メモリにおいて、読み出し対象のメモリセルの電流を安定的に検出することを可能とする不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】読み出し対象の第1のメモリ層の第1のメモリセルに接続された第1のワード線を第1の電圧レベルに駆動すると共に、前記第1のメモリセルに接続された第1のビット線を共有する第2のメモリ層の第2のメモリセルに接続された第2のワード線を第2の電圧レベルに駆動するワード線駆動手段と、前記第1のビット線を前記第2の電圧レベルにバイアスすると共に、前記第1のワード線を共有する第3のメモリ層の第3のメモリセルに接続された第2のビット線を前記第1の電圧レベルにバイアスするビット線バイアス手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】駆動回路及びこれを有する表示装置を提供する。
【解決手段】駆動回路は、タイミングコントローラと、第1ガンマ基準電圧発生回路と、データドライバとを含む。タイミングコントローラは、外部から信号が入力されて毎フレームごとに映像信号と制御信号とを出力する。第1ガンマ基準電圧発生回路は、第1ガンマ基準電圧と第2ガンマ基準電圧と予め設定された基準電圧に対して第1及び第2ガンマ基準電圧と異なる極性を有する第3ガンマ基準電圧及び第4ガンマ基準電圧を出力する。データドライバは、第1乃至第4ガンマ基準電圧と映像信号と制御信号とを受信してデータ電圧を生成する。 (もっと読む)


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