【課題】 ガス混合物からＨ_２、Ｎ_２、Ｏ_２又はＣＯ_２として市場で重要なガスをガス分離することを許容するシステムの提供。
【解決手段】 この課題は、層系を含有するガス分離システムにおいて、
− μｍの域の平均ポロシティーを有する貫通開放孔のある機械的に安定な基体層、並びに
− 該基体層の少なくとも一方の側に配置された、１ｎｍよりも小さい平均孔直径を有するＴｉＯ_２および／またはＺｒＯ_２を包含する貫通孔の多孔質機能層
を特徴とする、上記ガス分離システムによって解決される。 （もっと読む）

【課題】 １０^−１ｍｂａｒＬ／（ｃｍ^２Ｓ）より少ない漏出量の薄く、かつ、同時に気密なセラミック層を基体上に、追加的な熱的後処理なしに製造する方法の提供。
【解決手段】 この課題は、基体上に大気プラズマ溶射法によって薄く高密度のセラミック層を製造する方法において、以下の
− 基体を塗布すべきセラミックの溶融温度（ケルビン）の少なくとも１／４に相当する温度に予熱し、
− 溶射添加物として５０μｍ以下のｄ_５０−値を持つセラミック粉末又はセラミック粉末混合物を使用し、
− 基体に衝突する際に２００ｍ／秒よりも早い粒子速度を調整し、
− 粒子温度を、該粒子が基体表面に衝突する際に、被覆すべきセラミックの溶融温度より少なくとも５％（ケルビン温度）上にある様に調整し、
− 溶射添加物の量及びプラズマバーナーの転移速度を、基体の一度の通過の際に１００μｍより薄い層厚に調節する様に調整し、
− 薄く、かつ、同時に１０^−１ｍｂａｒＬ／（ｃｍ^２Ｓ）より少ない漏出量の気密な層を、基体の一度の通過で該基体上に生じさせる
各段階を含むことを特徴とする、上記方法によって解決される。 （もっと読む）

本発明は、ＣＭＯＳカメラ画像をデジタル画像処理する方法及び装置に関する。ＣＭＯＳカメラは、高コントラストで移動する物体の録画時に残像効果を有する。この残像効果は、画像の評価時に誤りのある値を誘導する。ＣＭＯＳカメラ画像の改良されたデジタル画像評価を可能にすることが、本発明の方法及び装置によって可能である。出力信号値の経時変化から特定の減衰定数ｃと出力信号ｇとの積を減算することによって、残像効果なしの実際のフォト電流が算出され得る。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、少なくとも１０容量％の開放気孔率を有する多孔質のニアネットシェイプ金属−または−セラミック部材の製造方法において、
ａ）金属および／またはセラミック粉末、少なくとも１種類の熱可塑性バインダーおよび 少なくとも１種類のプレイス・ホールディング材料から射出成形性物質を製造し；
ｂ）こうして生成された射出成形性物質を射出成型工程によって製造すべき部材の型状に し；
ｃ）冷却された射出成形品（グリーンボディー）を毛管作用物質に曝しバインダーを除き 、その際に開放気孔を生じさせ；
ｄ）プレイス・ホールディング材料を液体を用いて部材から少なくとも一部除き；
ｅ）その部材を熱によるバインダー除去工程に付し、
ｆ）次いで該部材を焼結処理する、
各段階に従うことを特徴とする、上記方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、脳の異常に同期する活動をデカップリング及び／又は非同期にする装置に関する。この装置では、本発明により、脳領域の一部の領域又は機能的に関連する脳領域内の活動が、電極によって刺激される。その結果、異常な領域の影響されたニューロン群が、デカップリングされ非同期にれて、患者の症状が抑制される。装置の別の実施形では、病気に起因した異常に同期する脳の活動が、非同期にされて、症状を抑制する。その結果、フィードバック刺激信号、すなわち測定され時間遅延され処理されたニューロン活動が使用される。この場合、刺激信号が、必要に応じて自律制御方法で本発明にしたがって制御される。その結果、デカップリングすべきニューロン群又は非同期にすべきニューロン群に対して結果として生じる刺激の影響の強度が、問題のないデカップリング及び／又は非同期の後に自動的に最小になる。問題なく操作するため、装置は、複雑な校正も刺激パラメータの制御も不要であるものの、これらは、追加の制御システムによって好適に適合され最適にされる。刺激電極（２）及び少なくとも１つのセンサ（３）が、それらの局所の周囲内でデカップリング及び／又は非同期を作るように、装置は、制御システムによって作動される刺激電極（２）及び少なくとも１つのセンサ（３）を有する。
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本発明は、脳刺激によって患者を治療する装置，電子構成要素，医療でのこの装置及びこの電子構成要素の使用に関する。
従来の技術によれば、脳電極が、患者を治療するための連続刺激に対して使用される。この関係では、高周波の連続刺激が、脳、例えば視床又は基底神経節の領域内の反生理学的な、すなわち異常な入力として数年の経過で該当する神経細胞群を順応させうることが特に欠点である。同じ刺激結果を得るためには、この順応の結果、より高い刺激振幅によって刺激する必要がある。本発明によれば、これらの欠点は、以下の構成要素から構成された装置を提供することによって除去される。この装置は、以下の構成要素を有する：
−脳領域を刺激する少なくとも１つの電極（２），
−電気信号を測定する少なくとも１つのセンサ（３，２），
−制御装置，この制御装置は、センサ（３，２）によって測定された電気信号の異常な特徴の発生を検出し、異常な特徴の発生時に少なくとも１つの成分を刺激シーケンスのグループａ）〜ｄ）
ａ）短い高周波パルス列
ｂ）別の非同期にする短い高周波パルス列が後続するリセットする短い高周波パルス列，又は
ｃ）非同期にする高周波パルス列が後続する高周波パルス列のリセットする低周波シーケンス
ｄ）短い非同期にする高周波パルス列が後続するリセットするシングルパルス
から電極（２）に出力する。
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【課題】
主にＴ₁ を数値化した画像を高い信号対ノイズの関係で生じるこの種のイメージング方法を提供すること。さらに、前記イメージング方法を実施するのに適しているこの種の核スピン断層撮影装置を提供すること。
【解決手段】
この発明は、高い信号対ノイズ関係と高い立体的解像度を有する主にＴ₁ を数量化した画像を発生させるイメージング方法と核スピン断層撮影装置に関する。この発明によると、このイメージング方法は、それが少なくとも一つの層選択的α−高周波数インパルス並びに層を選択してｋ−空間を符号化する磁気勾配（Ｇ_x ，Ｇ_y ，Ｇ_z ）を包含する少なくとも一つのデータ取得モジュールを有することを特徴とする。取得されたデータはスピン格子緩和の時点を記載し、この際にデータを取得するデータ取得モジュールが少なくとも一つの別の時点を繰り返えされる。さらに少なくとも一つの１８０°−高周波数インパルス或いは少なくとも一つの１８０°−高周波数インパルスと１８０°−高周波数インパルスに先行された少なくとも一つの９０°−高周波数インパルスがスピン格子緩和を発生させるためにデータ取得モジュールに接続されている。層選択的α−高周波数インパルスに基づいて磁気勾配Ｇ_x とＧ_y はｋ−空間を符号化するために接続され、この際に磁気勾配Ｇ_x とＧ_y の時間的経過が正弦状に生じるので、ｋ−空間の螺旋状カバーが生じて、そしてさらにデータがｋ−空間符号化中に取得される。
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【課題】 ＺｎＯ層を洗浄することができ並びにライン分離処理システムを行うことができ、層の湿式化学的粗面化と関連付けて層の構造化後にできるだけ少ない方法技術的な経費および時間消費量で大きな表面積、即ち一般に１ｍ^２またはそれ以上の表面積に再現可能で均質に実現できる方法および装置の提供。
【解決手段】 柔軟性のないまたは柔軟性のある支持体の上に配置された予備構造化された酸化亜鉛層を有する基板を処理する手段において、該基板をエッチング液で処理するための第一の手段、該基板を洗浄液で処理するための第二の手段および第一の手段から第二の手段に基板を運搬するための別の手段よりなることを特徴とする、上記装置。 （もっと読む）

【課題】 ９００℃より下の温度で導電性がありそして電極と燃料電池のインタコネクタとの間に確り接合する接続層を形成することができそして０．０１Ωｃｍ_２より小さい電気的接触抵抗Ｒ_ｏを有するセラミック層の、燃料電池での用途のための提供。
【解決手段】 この課題は、鋼よりなるインタコネクタ並びにその上に配置されたセラミック製導電性接続層を含む鋼−セラミック複合体の製造方法において、以下の各段階
ａ）１８〜２４重量％のＣｒを含むフェライト鋼よりなるインタコネクタを使用し、
ｂ）インタコネクタの上に式 Ｌｎ_１−ｘＳｒ_ｘＭｎ_１−ｙＣｏ_ｙＯ_３−δまたは
Ｌｎ_１−ｘＳｒ_ｘＦｅ_１−ｙＣｏ_ｙＯ_３−δ ［式中、０．１≦ｘ≦０．４、０．１≦ｙ≦０．６、０≦δ≦ｘ／２およびＬｎ＝Ｌａ〜Ｌｕを意味する。］の組成を有するペロブスカイトを含む懸濁物またはペーストを塗布し、ｃ）インタコネクタおよびその上に塗布される懸濁物またはペーストを８００〜９００℃の接合温度に加熱し、その際に懸濁物またはペーストからセラミック製導電性接続層が形成されることを特徴とする、上記方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】
半導体構造が、少なくとも１つの第１材料領域及び１つの第２材料領域を有する。この場合、第２材料領域が、第１材料領域をエピタキシャルに包囲して界面を形成する。この構造は、フェルミ準位ピニングが両材料領域の界面に対向する第２材料領域の非エピタキシャル界面に存在し、第１材料領域が自由荷電キャリアに対する量子井戸を形成することを特徴とする。これによって、量子井戸内の制御可能な荷電キャリア濃度が調整され得る。
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