本発明による磁気電気素子は、強磁性材料から成る少なくとも一つの縦長の動作構造であって、それに沿って磁壁が移動できる動作構造と、この動作構造に電流を印加する手段と、動作構造から出る磁場のための少なくとも一つの磁場センサーとを有する。本発明では、動作構造は、その中心での磁壁の横磁化方向が磁壁の移動方向に対して垂直な面内に有利な方向を持たない磁壁及び／又は質量を持たない磁壁を作り出せるように構成される。そのような移動する磁壁の運動エネルギーが消滅することを発見した。従って、この磁壁は、ウォーカー限界にも、本質的なピニングにも支配されない。そのため、本素子は、情報を速く読み出し、記録し、或いは処理し、最終的に出力できる。本発明は、強磁性材料の非断熱スピントランスファーパラメータβの測定方法にも関する。本方法は、この発見した現象の詳細な研究に基づき開発された。
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本発明は、光起電力素子を製造し、直列接続してソーラーモジュールとする方法及びソーラーモジュールに関する。
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【課題】
既存のレーザー顕微解剖装置（ＬＭＤ）での使用に適したレーザー照射チャンバーが、ＬＭＤと組み合わせて試料の元素濃度の定量的に場所分解されたナノ局所分析及び分布分析と同じ試料のナノメートルの範囲内の表面のトポグラフィーの顕微鏡による検出との双方を可能にする。オプション的には、試料が当該試料を有するスライドガラスから除去される必要なしに、その他の検査が続く。当該検査のため、試料の分析すべき領域が、ＬＭＤの顕微鏡によって検査される。
【解決手段】
この場合、当該試料は、カバーガラス（スライドガラス）の下面に存在する。同時に、このカバーガラスは、スライドガラスの下で且つＬＭＤの内部に取り付けられたレーザー照射チャンバーの一部である。当該試料の一部が照射されて分析される。オプション的には、組織の、金属が検出された特定の領域が、既存のＬＭＤ装置によってその他の分析のために適切に切除され、レーザー照射後にスライドガラスの下に取り付けられる試料容器内に収集される。
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【課題】小さく良好に操作でき、その上、選択された駆動手段と無関係に管状圧電素子の内部でロータの正確な案内を可能とするロータの電気機械式位置決め装置を準備すること【解決手段】この発明は圧電素子の内部にロータを電気機械式位置決めする少なくとも一つの管状圧電素子を備える装置に関する。これは、ロータに垂直力を及ぼすために圧電素子と接続された少なくとも一つの弾性摩擦手段を備えることを特徴とする。装置を制御する方法が開示されている。
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【課題】
本発明は、電気伝導可能で半開形の外側のハウジングを有する共振器装置であって、前記ハウジングに対して同軸に配置された電気伝導可能な棒が、このハウジングの内部に配置されている当該共振器装置に関する。
【解決手段】
この課題は、前記棒がハウジング底の方向のその一方の端部にシールを有し且つ誘電体及び前記ハウジング底と一緒にコンデンサを構成し、前記棒がその他方の端部で前記ハウジングに短絡接続されている結果、前記棒と前記ハウジングとが一緒にＬＣ共振回路を構成することができることによって解決される。
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本発明は、プラズマチャンバシステム内で基材上に微結晶シリコンを堆積するための方法であって、プラズマチャンバシステムが、プラズマ開始前には、少なくとも１種の反応性のシリコン含有ガスと水素を、または水素だけを含むステップ、プラズマを開始するステップ、プラズマ開始後、チャンバシステムに連続的に反応性のシリコン含有ガスだけを供給するか、またはプラズマ開始後、チャンバシステムに連続的に反応性のシリコン含有ガスおよび水素を含む少なくとも１種の混合物を供給し、その際、チャンバ内に供給する際の反応性のシリコン含有ガスの濃度を０．５％超に調整するステップ、およびプラズマ出力を、０．１〜２．５Ｗ／ｃｍ^２電極面の間に調整するステップ、０．５ｎｍ／ｓ超の堆積速度を選択し、かつ微結晶層を基材上に１０００ナノメートル未満の厚さで堆積するステップ、を含む方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、葉片の成長を測定するための方法および装置に関する。この方法は、ａ）撮影システムを較正するステップと、ｂ）１枚の葉片の少なくとも２枚の画像を撮像するステップと、ｃ）画像データを処理するステップであって、ｉ）しきい値セグメント化によって葉片をセグメント化することと、ｉｉ）複数回の形態学的侵食を行うことと、ｉｉｉ）保管容器の縁部を除去するためにエッジ補正することとを含むステップと、ｄ）３Ｄ再構成：ステレオアルゴリズムによって視差マップを生成し、事前に特定された較正パラメータに基づいて、視差マップから３Ｄ表面モデルを計算するステップと、ｅ）事前に取得された表面モデルを平滑化するステップと、ｆ）面積値の時系列から成長率を算出するステップとによって特徴付けられる。この装置は、少なくとも１台のカメラと、照明ユニットと、カメラおよび（赤外線）照明用のＸ／Ｙ平面でのスライドテーブルと、葉片用の保管容器と、電子的解析および制御ユニットとを備える。
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本発明は、均一磁場を生成するための装置、およびそのような装置を製造するための仕様を提供する試料室内の磁場に関する最適化法に関する。この装置は、磁場を生成するための少なくとも１つの磁場コイルを備え、磁場コイルの巻線が、連続的に前記試料室に巻き付けられ、磁場コイルの巻線直径が、少なくとも磁場コイルの部分領域で試料室の長手軸に沿って連続的に変化することを特徴とする。ここで、磁場コイルが有限長であるために引き起こされる磁場不均一性の補正が、磁場コイル全体に分散される。それにより、この装置は、従来技術に従って不均一性の補正のために使用される補正コイルを用いるよりも簡単に、かつ正確に実現することができる。磁場を最適化するための方法は、従来の磁場の級数展開ではなく、最適化パラメータに基づく磁場のシミュレーションと組み合わせて目的関数を使用する。この目的関数は、級数展開よりも大きな範囲で使用することができる。
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本発明は、薄板３５からコイル３６．１、３６．９を製作するための方法に関し、この方法は次のステップ、すなわち薄板用のスペーサ３２、３３を有するキャリアプレート３４を製作するステップと、キャリアプレートのスペーサ上に薄板を固定するステップと、薄板内にコイル形状を形成するステップを含む。安定させられた薄板はきわめて良好に加工可能である。巻線と共にコイルが固定可能であるので、巻線は空間的かつ電気的に互いに分離されたままである。
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本発明は、量子力学トンネル効果に基づくトリプルゲート又はマルチゲート素子に関する。本素子は、電子がトンネリング可能なギャップによって隔てられた少なくとも二つのトンネル電極を基質上に有する。本発明による素子は、ギャップに電界を印加して、その電界による偏向によって、トンネル電極の間をトンネリングする電子の経路を延ばすための手段を有する。一般的に、トンネル電極の間のトンネル電流の方向に対して垂直で、かつ基質に対して平行に延びる電界成分を有する電界をギャップに印加するための手段を配備することができる。トンネル電極の間のトンネル電流は、電子がギャップ内を進む経路長に対して指数関数的に依存するので、そのような電界は、トンネリング確率に対して、、そのため制御すべきトンネル電流に対して大きな逆増幅率を有する。そのような素子は、例えば、大きな増幅率の非常に速いスイッチングトランジスタとして動作することができ、そのため半導体であってはならない。
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