【課題】それぞれの変数に対する感度は、少なくとも一部は、入射ビームの計測角に依存することから、所望の計測角のセットを選択することによって、分光計測技術の感度を、ある種のプロファイル変数について最適化する。
【解決手段】選択された所望の計測角のセットは、方位角および極角の両方を含む。また分光計測技術の感度を最適化することは、計測されるべき変数間の計測相関を低減または解消しえる。 （もっと読む）

【課題】 フォトリソグラフィシステムの１つ以上のプロセスパラメータ設定を決定する方法を提供する。
【解決手段】 フォトリソグラフィシステムの１つ以上のプロセスパラメータ設定を決定する方法が開示される。この方法は、パターンの潜像、部分的に現像されたパターンまたは完全に現像されたパターンを計測する散乱計測ツール（２５８）を利用して実行される。散乱計測ツールは、ステッパ（２５４）の終わりに、またはレジスト現像器（２５６）の始めに配置されえる。
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時分割および積分（ＴＤＩ）センサを通して電荷を伝播するための方法および装置が提供されている。この方法および装置は、ＴＤＩセンサとともに試験片の検査に使用でき、ＴＤＩセンサは、ＴＤＩセンサのゲート間において蓄積された電荷を前進させるべく動作する。この設計は、ゲート間において蓄積された電荷を前進する波形のための、複合、正弦曲線、またはそのほかの成形された波形等の実質的に非方形波形の電圧波形の形状をコントロールすることを包含する。電圧波形の形状をコントロールすることは、実質的に些細な正味の電圧変動を提供するべく隣接ゲート内において異なる電圧位相で作用する。
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半導体ウエハなどの試料を検査するための装置を提供する。装置は、深紫外線（ＤＵＶ）エネルギー源などのレーザエネルギー源と、光ファイバ配列とを備える。光ファイバ配列は、レーザエネルギー源から受け取ったエネルギーの周波数をブロード化し、周波数がブロード化された放射線とするのに使用される複数の光ファイバ構造により囲まれたコアを備える。周波数がブロード化された放射線を、試料を検査するための照明源として使用する。１つの観点では、装置は中心コアと、中心コアを概して囲む複数の構造とを備え、複数のファイバは、高圧ガスが充填された中空コアファイバ、テーパー光子ファイバ、および／またはクモの巣状光結晶ファイバを取り囲み、光エネルギーを受け取り、試料を検査するための周波数がブロード化された放射線を生成するように構成される。
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【課題】分析ツール上で実現されるプロシージャを促進する方法および装置を提供する。
【解決手段】装置は、前記試料上の欠陥を画像化し、高解像度画像を生成するよう構成された分析ツール（２０２）、およびディスプレイ装置（２１１）を含む。この装置は、前記少なくとも１つのディスプレイ装置中で検査器インタフェース（２１２）をシミュレーションするよう構成された検査器インタフェースモジュール（２１４）であって、前記検査器インタフェースは、対応する検査ツール上で利用可能な機能を含み、前記検査器インタフェースは、少なくとも一部は前記検査ツールからの欠陥結果に基づく、検査器インタフェースモジュールを含む。分析器モジュールは、検査器インタフェースモジュールの知識なしで実行し、その逆も成り立ち、この装置は、前記分析器および検査器インタフェースモジュールを知るよう構成される。 （もっと読む）

検査される表面の潜在的異常の場所を囲む部分からの散乱した輻射を示すピクセル強度も、表面上のその潜在的異常の場所を含むパッチの中のピクセル強度を速やかに再調査するためにそのようなデータを利用できるように、格納される。照明ビームと検査される表面との間に回転運動が引き起こされる場合、検査される２つの異なる表面上の対応する位置に存するピクセルのピクセル強度を比較することによって信号対雑音比を改善することができ、この場合、その２つの異なる表面上の同じ相対的場所に存する対応するピクセルが照明されて、そこから散乱した輻射が同じ光学的条件の下で集められて検出される。
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シード・プロフィールのギャラリが作られ、半導体装置についての製造プロセス情報を用いて該プロフィールに関連する初期パラメータ値が選択される。製造プロセス情報は、最適化プロセスの出発点として最善のシード・プロフィールと初期パラメータ値の最善のセットとを選択するためにも使用可能であり、該パラメータの値に到達するためにモデルにより予測されるプロフィールのパラメータ値と関連するデータが測定されたデータと比較される。周期的構造の上または下のフィルム層も考慮に入れることができる。回折構造および関連するフィルムを測定するとき、反射率Ｒ_s ，Ｒ_p などのいろいろな放射パラメータおよび楕円偏光パラメータを使用することができる。放射パラメータのうちのあるものは、該プロフィールまたは該フィルムのパラメータ値の変化に対して他の放射パラメータよりも敏感であろう。そのような変化に対してより敏感な１つ以上の放射パラメータを上述した最適化プロセスにおいて選択してより精密な測定に到達することができる。プロフィール・パラメータのエラーを補正するために上述した手法をトラック／ステッパおよびエッチャに供給してリソグラフィおよびエッチングのプロセスを制御することができる。
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【課題】 試料の２つのレイヤ間のオーバレイ誤差を決定するための技術、装置、およびターゲットを提供する。
【解決手段】 ある実施形態において、試料の第１レイヤ内の複数の第１構造群、および前記試料の第２レイヤ内の複数の第２構造群の間のオーバレイを決定する方法が開示される。前記第１および第２構造群の一部を含むターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤが提供される。前記ターゲットＡは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸａを有するよう設計され、前記ターゲットＢは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸｂを有するよう設計され、前記ターゲットＣは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸｃを有するよう設計され、前記ターゲットＤは、その第１および第２構造部分の間にオフセットＸｄを有するよう設計される。前記オフセットＸａ、Ｘｂ、ＸｃおよびＸｄのそれぞれは好ましくはゼロとは異なる。ＸａはＸｂとは反対の符号で異なり、ＸｃはＸｄとは反対の符号で異なる。ターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤを電磁放射で照射されることによって、ターゲットＡ、Ｂ、ＣおよびＤからそれぞれスペクトルＳ_A、Ｓ_B、Ｓ_C、およびＳ_Dを得る。前記得られたスペクトルＳ_A、Ｓ_B、Ｓ_C、およびＳ_Dに基づいて線形近似を用いて前記第１および第２構造群の間の任意のオーバレイ誤差が決定される。
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【課題】 １つ以上の空間光変調器（ＳＬＭ）（１０８、１１２、１２２、２１２、２２０、２３０、３１２、３３２、３２０）を用いて検査システム（１００、２００、３００）内の光学ビームの位相および／または振幅を変える方法および装置を提供する。
【解決手段】 ある実施形態において、光学ビームで試料を光学的に検査する装置が開示される。この装置は、入射光学ビームを前記試料上に導くことによって、前記入射光学ビームの少なくとも第１部分が前記試料（１１８）から出力ビームとして導かれるビーム発生器（１０２および２０２）、および前記出力ビームの少なくとも一部を受け取るよう配置される検出器（１２６、２３４、３３６）を含む。この検出器はまた、前記出力ビームに基づいて出力信号を発生するよう動作可能である。この装置はさらに前記出力ビームを前記検出器に導く１つ以上の結像光学系（２２４、２２８、２２６、２３２）、および前記出力ビームまたは前記入射ビームのいずれかの光路内に配置される第１プログラム可能な空間光変調器（ＳＬＭ）を含む。このＳＬＭは、前記入射ビームまたは前記出力ビームの位相または振幅プロファイルを調節するよう構成される。この装置は、前記入射ビームまたは前記出力ビームの前記位相または振幅プロファイルを変えるよう前記第１ＳＬＭを構成するよう動作可能な制御システム（１２８、２３６、３３８）も有する。例えば、ＳＬＭは、異なる検査モードを達成するために入射ビームの照射プロファイルを変えるよう構成されえる。他の例では、ＳＬＭは、前記出力ビームの前記位相および／または振幅プロファイルを変えることによって、前記結像光学系によって作られる収差を実質的になくすよう構成されえる。他の実施形態において、装置は、前記入射ビームおよび前記出力ビームの両方の位相および／または振幅プロファイルを変えるよう構成可能である２つ以上のＳＬＭを含みえる。
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半導体ウエハ検査システムやフォトマスク検査システムなどの検査システムに使用するレーザ照射器を提供する。照射器の利得媒体は光ファイバを備え、増幅と、ビームスプリッティングと、周波数および／または帯域幅の変換と、ピーク出力低下と、Ｑスイッチまたはモード同期となどを用いることができる。ドープファイバ、格子、飽和性吸収体、レーザダイオードを含む構成を開示して、照射を向上させる。
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