説明

ケーエルエー−テンカー コーポレイションにより出願された特許

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【解決手段】露光システム群においてアライメント性能を最適化するための方法は、露光システム群の中の各露光システムに関連した特徴的ディストーションプロファイルのセットを生成するために、各露光システムを特徴付けることをともなう。特徴的ディストーションプロファイルのセットは、データベースに格納される。さらなるパターン作成のために、上に基準パターンを形成されたウエハが用意され、そのウエハ上に次の層を作成するために、露光システム群の中から露光システムが選択される。選択された露光システムの線形パラメータおよびより高次のパラメータは、基準パターンのディストーションをモデリングするために、特徴的ディストーションプロファイルを使用して調整される。露光システムは、ひとたび調整されると、ウエハ上にリソグラフィパターンを形成するために使用される。 (もっと読む)


本発明は、レチクル・レイアウトに関する計測学的ターゲット構造設計を生成するためのコンピュータ実施方法、キャリア・メディア、そしてシステムに関する。レチクル・レイアウトに関し計測学的ターゲット構造設計を生成するためのコンピュータ実施方法の一つは、ウエハ上に計測学的ターゲット構造を形成するために使用される一つ又は複数の製造プロセスと、一つ又は複数の初期計測学的ターゲット構造設計に基づき、一つ又は複数の初期計測学的ターゲット構造がウエハ上にどのように形成されるかをシミュレートすることを含む。また本方法は、シミュレーション・ステップの結果に基づき計測学的ターゲット構造設計を生成することを含む。
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本発明は、ウエハの特性を決定するための方法とシステムに関する。一つの方法は、検査システムを用い、ウエハからの光に対応する出力を生成することを含む。出力は、ウエハ上の欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力とを含む。また本方法は、第二出力を用い、ウエハの特性を決定することを含む。一つのシステムは、ウエハに光を当て、ウエハからの光に対応する出力を生成するように設定された検査サブシステムを備える。出力は、欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力を含む。また本システムは、第二出力を用い、ウエハの特性を決定するように設定されたプロセッサを備える。
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向上した感度でウエハを検査するシステム及び方法を提供する。一システムは、ウエハ上のスポットに光を向け、ウエハ上のスポットから拡散した光に応答して出力信号を生成するように構成された検査サブシステムを含む。また、システムは、ウエハ上のスポットの近傍に位置する気体を、その気体よりも少なく光を拡散させる媒体で置換することで、システムの感度を向上させるように構成された気体フローサブシステムをも含む。さらに、システムは、出力信号を使用してウエハ上の欠陥を検出するように構成されたプロセッサを含む。
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本発明は、検査サンプル上で検知された欠陥分類のための方法とシステムに関する。一方法は、試験イメージを参照イメージに比較することを含む。試験イメージは、検査サンプル上で検出された欠陥に近接した検査サンプル上に形成された一つ又は複数のパターン化されたイメージを含む。参照イメージは、検査サンプル上に形成された素子の範囲内で異なる対象領域に関連した一つ又は複数のパターン化された特徴のイメージを含む。試験イメージの一つ又は複数のパターン化されたイメージが、参照イメージの一つ又は複数のパターン化されたイメージに合致した場合、本方法は、参照イメージに関連した対象領域に対応したビンに欠陥を分類することを含む。
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複数のデータチャンネルの同時高速検査および取得を行う方法および装置が提供される。本方法および装置は、半導体ウェーハおよびレチクルの検査を実現でき、単一の画像領域を2つの画像区画に変換し、1つの画像の方向を変更して、単一のセンサを用いて2つの検査対象位置の同時走査を実現できる移送構成に送り、フィードバック配列において第1の画像から収集した情報を利用して、第2の画像の取得パラメータを制御すること、を含む。本設計は、二連リニアセンサまたは遅延積分センサを提供し、このセンサは、2組の読み出し回路を利用して、センサの2つの領域から同時にデータを供給する分割読み出し構成モードで動作する。
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センサおよびその実装内に電荷を伝播させる方法および装置が提供される。この方法と装置は、試料を検査するために使用され、センサは、蓄積した電荷をTDIセンサのゲート間で進めるように動作する。設計の実施態様は、正弦波信号や台形信号などの複数の位相ずれ信号を表す1組の値を提供する。これらの位相ずれ信号は、変換されてセンサに送られる。変換された信号を利用して、センサは、センサ内の電荷をセンサの端部の方に転送する。フィードスルー補正や非線形性の補正などの態様に対処される。
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【解決手段】いくつかのターゲット構造を有する半導体の製造方法および装置に関する。第一の層は、第一方向に伸びる一個以上の線または溝が形成されている。第二の層は、第一構成と直交する第二方向に伸びる一個以上の線または溝が形成されており、この結果、第一方向へのターゲット構成の投影は第二方向から独立であり、第二方向へのターゲット構成の投影は第一方向から独立である。校正曲線を生成するターゲット構造とその方法についても説明する。 (もっと読む)


ウェハの検査用の方法及びシステムが提供される。一方法は、ウェハ内に侵入する第1の波長の光とウェハ内に実質的に侵入しない第2のウェハにおける光をウェハに照射することを含む。この方法は、さらに、照射工程から結果として生じるウェハからの光に応答して出力信号を発生することを含む。それに加えて、この方法は、出力信号を使用してウェハ上の欠陥を検出することを含む。この方法は、さらに、これらの出力信号を使用して欠陥が表面下欠陥であるか、又は表面欠陥であるかを判定することを含む。
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試料上に電子ビームを照射するシステム、制御サブシステム、方法が提供される。一システムは非均一速度で試料を移動させるように構成されたステージを含む。このシステムは、ステージが非均一速度で試料を移動している間に試料上に電子ビームを照射するように構成された照射サブシステムも含む。また、このシステムは、照射サブシステムが非均一速度に基づいて試料上に電子ビームを照射している間に電子ビームの1つ又は複数の特性を変えるように構成された制御サブシステムを含む。一方法は、非均一速度で試料を移動させるステップと、試料の移動中に試料上に電子ビームを照射するステップとを含む。また、この方法は、非均一速度に基づいて試料上に電子ビームを照射中に電子ビームの1つ又は複数の特性を変えるステップを含む。
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