【課題】マイクロスクラッチと粒子との間を識別する検出システムを提供する。
【解決手段】サンプル表面（２０ａ）からの散乱光は表面（２０ａ）に対して垂直な線に対して略対称の光を集束する集束器（３８，５２）によって集束され、異なる方位角で経路へと導かれ、相対的方位角位置に関する情報が保存される。集束光は、垂直な線に対して異なる方位角で散乱した光線を表すそれぞれの信号に変換される。異常の有無および／または特徴は、この信号から判定される。あるいは、集束器（３８，５２）によって集束された、狭角および広角集束経路から得た信号は比較され、マイクロスクラッチと粒子との間を識別する。前方散乱光は、他の光線から集束され、比較されて、マイクロスクラッチと粒子との間を識別する。散乱の強度は、表面がＳおよびＰ偏光によって順次照射されたときに測定し、比較して、マイクロスクラッチと粒子との間を識別する。 （もっと読む）

【課題】レチクル上の欠陥を発見する装置及び方法を開示する。
【解決手段】検査装置を使用してレチクルの関連強度画像を、少なくとも一対取得する２０２。強度画像は、レチクルに対する異なる焦点設定が画像のそれぞれに対して施され、画像の２つの焦点値の間に一定の焦点オフセットが生じるように取得される。こうした画像を分析し、レチクルの透過関数を求める２０４。この透過関数をリソグラフィシステムのモデルに入力し、レチクルパターンの空間像を生成する。生成した空間像は、フォトレジストモデルに入力し、レチクルを使用して基板に印刷される画像パターンに対応する「レジストモデル化画像」を作成できる。このレジストモデル化画像を基準画像と比較し、欠陥情報を入手する２０６。 （もっと読む）

リソグラフィにおいて有意な欠陥を特定する方法。フォトマスクが照射され、検査ツールによって結像されるとおりの、レチクルの異なるパラメータが施される画像が生成される。パラメータの例としては、透過強度画像および反射強度画像が挙げられる。前記画像は一緒に処理され、前記フォトマスクに関連する帯域制限されたマスクパターンが復元される。チップ製造のための露光リソグラフィシステムのモデルは、レジストモデル化画像を与えるフォトレジストモデルとともに処理される前記マスクパターンの空間像を取得するために前記モデルに入力される入力として前記帯域制限されたマスクパターンを収容するように適合される。前記レジストモデル化画像は、前記フォトマスクがリソグラフィにおいて有意な欠陥を有するかどうかを判断するために使用される。 （もっと読む）

【解決手段】マスクによって生成されるパターンを映像するために使われるリソグラフィー装置の高ＮＡ効果をモデルする再構成画像を生成する方法と装置。再構成画像とマスクを特徴づける参照画像の比較。この方法は検査のためマスクレチクルを準備する手順を含む。マスクから印画するのに使用される高ＮＡリソグラフィー装置を特徴づける光ＮＡ補正のフィルター行列に付随した行列値をつくること。再構成画像を得るために処理されさらにマスクを特徴づける情報をえるために処理され参照画像と比較される原画像のデータを含む複数のフィルターされた光線を得るために高ＮＡ補正のフィルター行列に付随したフィルターでフィルターされるパターン化された照明光線を生成するためのマスクの照明。 （もっと読む）

【解決手段】
構造物内で容量的に結合された電極の少なくとも一つの対が、ダイヤフラムに加えられる圧力または力を測定する圧力または力センサー内のダイヤフラムの撓みを検知するために用いられる。構造物は、半導体ウエハー、または、平面表示パネルなどの実際の基板の特性（寸法、硬度、面積、柔軟性などの一つまたは複数の特性）と実質的に同じ特性を有することが好ましい。せん断力の測定に関しては、部材が研磨または平坦化のプロセスを経る表面に対して接触し、押し付けられ、二つの表面間に水平方向の力が加えられる場合に、部材上のせん断力を測定するために少なくとも一つのセンサーが用いられる。構造物と構造物表面が、半導体ウエハーまたは平面表示パネルなどの実際の基板と実質的に同じ特性（寸法、摩擦係数などの一つまたは複数の以上の特性）を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体ターゲットのオーバレイなどの特性を測定する装置および方法の提供。
【解決手段】一般に、次数選択された画像化および／または照射が実行され、測定システムを用いてターゲットから画像を収集する。一実施において、調節可能な空間変調は本システムの画像化経路のみに提供される。他の実施において、その空間変調は本システムの照射経路および画像化経路の両方に提供される。特定の実施において、その空間変調は±ｎの回折次数を有する、隣接するグレーティングを画像化するために用いられる。隣接するグレーティングは半導体ウエハの異なる層または同一の層内であってよい。構造物間のオーバレイは通常、グレーティングの対称中心間の距離を測定することによって見出される。この実施形態の場合、ｎ（ｎはゼロではない整数）の所定の選択に対して±ｎの次数のみが選択され、グレーティングはこれらの回折次数を用いてのみ画像化される。 （もっと読む）

【課題】垂直配向した磁気磁気記録層を有する磁気薄膜の磁気特性の測定に適した磁気書き込みと読み出しヘッドのシステムを提供する。
【解決手段】本システムはコンピュータと交信する巨視的記録ヘッドを有する。該記録ヘッドはヨークと磁場を発生するための少なくとも１つの磁場発生因子を有し、該ヨークは磁気記録媒体層を有するデバイスの第一の側の上に位置決めされることが可能である第一磁極と、第一磁極と反対側にあり、かつデバイスの第二の側の下に位置決めされることが可能である第二磁極とを有し、デバイスを通過する磁束の封じ込めを提供する第一ならびに第二の磁極の位置決めを行う。本システムは、さらに、デバイスとヨークの相対的な位置決めと移動を実行可能であり、デバイスと巨視的記録ヘッドと交信可能な移送機構を有している。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の実施形態は、基板の層の間のアライメントを決定する際に利用されるスキャトロメトリターゲットを含む。ターゲット配列が、基板上に形成されており、複数のターゲットセルを備えている。各セルは、周期的なフィーチャを含む２つの層を有しており、それらの層は、上側の層が下側の層よりも上に配列されるよう構成され、上側の層の周期的なフィーチャは、下側の層の周期的なフィーチャに対するオフセット、および／または、下側の層の周期的なフィーチャと異なるピッチを有するよう構成されている。それらのピッチは、ターゲットが照明源にさらされた時に周期信号を生成するよう配列されている。ターゲットは、さらに、セルの間に配列された曖昧性除去用フィーチャを備えており、曖昧性除去用フィーチャは、照明源にさらされた時にセルによって生成される周期信号により引き起こされる曖昧性を解決するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】誤った欠陥検知または、検査感度の損失を引き起こすことのない基材支持の装置及び方法を提供する。
【解決手段】ステージミラー１１０に対する基材チャック１０６の変位を感知し、ステージミラーへ結合されているＺステージアクチュエータ１２６及びＸＹステージアクチュエータ１４６、１４８のうちの一方又は両方を有する１つ以上のフィードバックループにおける変位に比例する信号を結合することによって、ステージミラーに対する基材チャックの運動が動的に補償される。これに代えて、基材支持装置は、Ｚステージプレート1１２、ステージミラー１１０、Ｚステージプレートへ取り付けられている１つ以上のアクチュエータ、及びステージミラーへ取り付けられている基材チャックを含み得る。基材チャックは基材チャックの６つの運動自由度に対する拘束を有する。 （もっと読む）

検査データと組み合わせて設計データを使用するためのさまざまな方法及びシステムが実現される。設計データ空間における検査データの位置を決定するための一コンピュータ実施方法は、ウェハ上のアライメント部位に対する検査システムにより取り込まれたデータを所定のアライメント部位に対するデータにアラインさせることを含む。この方法は、さらに、設計データ空間における所定のアライメント部位の位置に基づいて設計データ空間におけるウェハ上のアライメント部位の位置を決定することを含む。それに加えて、この方法は、設計データ空間におけるウェハ上のアライメント部位の位置に基づいて設計データ空間における検査システムによりそのウェハについて取り込まれた検査データの位置を決定することを含む。一実施形態では、検査データの位置は、サブピクセル精度で決定される。
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