電磁放射線の第１の波長を体積内のガスに合焦することによってプラズマを持続させる方法であり、第１の波長が第１のガス種によって実質的に吸収され且つ第１のサイズと第１の温度とを有するプラズマの第１の領域にエネルギーを送達する。電磁放射線の第２の波長は、プラズマの第１の領域に合焦され、第２の波長は、第１の波長とは異なり、且つ第２のガス種によって実質的に吸収され、且つ第１のサイズよりも小さい第２のサイズと第１の温度よりも高い第２の温度とを有するプラズマの第１の領域内のプラズマの第２の領域にエネルギーを送達する。
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ウェハー上の欠陥を検出するための方法およびシステムが提供される。
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ウエハの検査のための１つまたは複数のパラメータを選択するためのコンピュータ実装方法、コンピュータ読み取り可能な記録媒体、およびシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上の回折構造体の格子型パラメータを決める。
【解決手段】半導体ウェハ１２ａ上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計６０または分光エリプソメータ３４を使って構造体の下に位置する膜１２ｂの膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体１２ｃの強度またはエリプソメトリックな特徴的パラメータを計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体１２ｃを測定して回折構造体１２ｃの強度またはエリプソメトリックな特徴的パラメータを得る。この特徴的パラメータをデータベース内の特徴的パラメータと適合させて構造体の格子型パラメータを判定する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上の回折構造体の格子型パラメータを決める。
【解決手段】半導体ウェハ１２ａ上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計６０または分光エリプソメータ３４を使って構造体の下に位置する膜１２ｂの膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体１２ｃの強度またはエリプソメトリックなパラメータを計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体１２ｃを測定して回折構造体１２ｃの強度またはエリプソメトリックなパラメータを得る。これらパラメータと参照データベースを用いて格子型パラメータを決める。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上の回折構造体の格子型パラメータを決める。
【解決手段】半導体ウェハ１２上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計６０または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜１２ｂの膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体を測定して回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を得る。この署名をデータベース内の署名と適合させて構造体の格子型パラメータを判定する。 （もっと読む）

【課題】改良された電圧コントラストテスト構造を提供する。
【解決手段】テスト構造は単一のフォトリソグラフィステップ、単一のレチクルまたはマスクで製造され、電圧コントラスト検査中に特定の電位パターンを有するサブ構造１０２、１０４ａ〜ｇを含む。電子ビームがテスト構造にわたって走査されるとき、予期された輝度パターンが作られ、テスト構造の予期された電位の結果、画像化される。しかし電圧コントラスト検査中に予期されないパターンの電位が存在するとき、これは欠陥がテスト構造内に存在することを示す。異なる電位を作るために、サブ構造の第１セット１０２は、大きい導電パッドのような比較的大きい導電構造１１０に結合され、サブ構造の第１セットは、比較的大きい導電構造に結合されないサブ構造の第２セットよりもより遅く帯電する。 （もっと読む）

【課題】集積回路の設計においてコンピュータによる設計の自動化ツールとともに使用される再使用可能な回路設計図、および、このような回路設計図に基づいて行われるレチクルの検査方法および製造方法を提供する。
【解決手段】回路設計図（２５０，３００）は、コンピュータ可読媒体上に格納され、集積回路上の回路設計図のうち少なくとも一層のレイアウトパターン（２６０，２５８，３０２）の電子表象を含む。そのレイアウトパターンは、特殊な検査処理や製造処理を実行すべきレチクル上または集積回路上のクリティカル領域（２５６，３０４）に対応するフラグ付きクリティカル領域を含む。 （もっと読む）

【課題】広いダイナミックレンジを有する光を検出することができる欠陥検査メカニズムを提供する。
【解決手段】検出された出力信号は、分析されて欠陥が試料上に存在するか決定される。ターゲットダイからの強度値は、レファレンスダイの対応する部分からの強度値と比較され、大きな強度差は欠陥として定義される。試料上の欠陥を検出する検査システムは、入射ビームを試料表面に向けて導くビーム発生器、および入射ビームに応答して試料表面から来るビームを検出するよう配置された検出器を含む。検出器は、検出された信号を発生するセンサ１０およびセンサに結合された非線形要素１８２を有する。非線形要素は、検出された信号に基づいて非線形検出信号を発生する。検出器はさらに、非線形要素に結合された第１アナログディジタル変換器（ＡＤＣ）２０２を含む。第１ＡＤＣは、非線形検出信号をディジタル化して第１ディジタル化検出信号にする。 （もっと読む）

【課題】大きいダイナミックレンジを有する光を素早く検出することができる検査メカニズムを提供する。
【解決手段】混合モード機能と共に連続ゲイン調節および対数変換を有する混合モード検出器（ＭＭＤ）２００を示す。ＭＤＤ２００は、センサまたは計測ブロック２５０および出力プロセッサ２５１を含む。計測ブロック２５０は大きくは、試料から放射されたビームを検出し、その検出されたビームに基づいて検出信号を発生する。計測ブロック２５０はまた、センサへのゲインを自動的に調節し、そのようなゲインを出力プロセッサ２５１に出力する。出力プロセッサ２５１は大きくは、ゲイン調節によって引き起こされた検出信号からの効果を打ち消して、検出されたビーム強度に対応する出力信号を作る。出力プロセッサはまた、出力データをオフセットすることによって、それが「較正された」ゲイン値に対応するようにする。 （もっと読む）