【課題】例えば欠陥を探しての試料の検査のあいだ、試料を照射する方法および装置を提供する。
【解決手段】ある局面において、照射装置は、それぞれ第１端および第２端を有する光ファイバの束を含む。照射装置は、１つ以上の入射ビームを、光ファイバの１つ以上の対応する第１端に選択的に伝達することによって、選択された１つ以上の入射ビームがファイバの１つ以上の対応する第２端から出力されるようにする照射セレクタをさらに含む。照射装置は、ファイバの対応する１つ以上の第２端から出力された選択された１つ以上の入射ビームを受け取り、選択された１つ以上の入射ビームを試料に向けて導くレンズ構成も含む。レンズ構成およびファイバは、ファイバの第２端において試料の画像化平面を画像化するよう互いに対して構成される。ある局面において、入射ビームはレーザビームである。本発明の具体的な応用例において、試料は、半導体デバイス、半導体ウェーハ、および半導体レチクルからなるグループから選択される。 （もっと読む）

【課題】デザイナ・インテント・データを使用してウェハとレチクルを検査する方法とシステムを提供する。
【解決手段】コンピュータで実施される方法の１つに、ウェハの検査の前にウェハ上でパターンを形成するのに使用されるレチクルの検査によって作られた検査データに基づいてウェハ上のニューサンス欠陥を識別することを含む。もう１つのコンピュータで実施される方法に、ウェハの検査によって生成されたデータを、レチクルの部分の異なるタイプを識別する指定を含むレチクルを表すデータと組み合わせて分析することによって、ウェハ上で欠陥を検出することを含む。追加のコンピュータで実施される方法に、ウェハに形成されたデバイスの特性を変更する欠陥に基づいて、ウェハの処理に使用される製造プロセスのプロパティを決定することを含む。もう１つのコンピュータで実施される方法は、ウェハの検査によって生成されたデータに基づいて集積回路の設計の１つまたは複数の特性を変更またはシミュレートすることが含まれる。 （もっと読む）

【課題】複数の画像データから高精細な画像を表す高精細画像データを生成する高精細画像生成処理において、生成する高精細画像の出力時における画質の低下が抑制されるような画像データを生成することを可能とする。
【解決手段】画像生成装置は、生成する高精細画像データの出力に用いる出力装置に関する情報を出力装置情報として取得し、出力装置情報に基づいて出力装置での出力に適した高精細画像の画像サイズを生成画像サイズとして設定する生成画像サイズ設定部を備える。また画像生成装置は、複数の画像データから、時系列に並んだ複数の画像データを合成元画像データとして取得し、取得した合成元画像データを合成して、設定した生成画像サイズの高精細画像を表す高精細画像データを生成する画像合成部を備える。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクなどの試料についての望まれない粒子や、パターンきず等の検査するためのデザインを提供する。
【解決手段】このシステムは、開口（絞り）およびフーリエフィルタリングのための外部瞳がなく、比較的緩い製造公差を提供し、ブロードバンド明視野やおよびレーザ暗視野イメージングおよび波長３６５ｎｍ以下における検査に適する。使用されるレンズは単一の材料を用いて形成または構成される。少なくとも１つの小さな折り返しミラー（３０４）およびマンジャンミラー（３０６）を含んでいる。第２の戻りイメージが第１のイメージから横方向にずれるように軸をはずして構成される。これによって、受光を許容する横方向分離および各イメージを別々に操作することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】広いダイナミックレンジを有する出力信号を提供する。
【解決手段】検出された出力信号は、それから分析されて欠陥が試料上に存在するか決定される。例えば、ターゲットダイからの強度値は、レファレンスダイの対応する部分からの強度値と比較され、大きな強度差は欠陥として定義される。具体的な実施形態において、試料上の欠陥を検出する検査システムが開示される。前記システムは、入射ビームを試料表面に向けて導くビーム発生器、および前記入射ビームに応答して前記試料表面から来るビームを検出するよう配置された検出器を含む。前記検出器は、前記検出されたビームを検出し、前記検出されたビームに基づいて信号を発生するセンサおよび前記センサに結合された非線形要素を有する。前記非線形要素は、前記検出された信号に基づいて非線形検出信号を発生する。さらに、前記非線形要素に結合された第１アナログディジタル変換器（ＡＤＣ）を含む。 （もっと読む）

【課題】検査片の特性を検知し、分析してレベル情報を有する欠陥を識別する。
【解決手段】検査システムは、システム・パラメータの１組の初期閾値を用いてレベル情報を分析し、異常の初期部分を欠陥として捕らえる。捕らえた欠陥の概要を表示し、閾値パラメータに対する潜在的に捕らえられる欠陥の動作曲線も表示する。パラメータを選択的に変化させて修正閾値を形成し、この修正閾値を用いて、異常のレベル情報を分析する。レベル情報の直前の分析に基づいて、異常の更新部分を欠陥として捕らえ、捕らえた異常の概要を、再計算した動作曲線と共に表示する。閾値を選択的に変化させ、欠陥を捕らえ直すステップは、所望に応じて繰り返し、検査システムの処方に用いるために、修正した１組の閾値パラメータを記憶する。 （もっと読む）

【課題】極微線幅の正確な測定やパターンウェハ上のエッチング構造のプロファイルに関する定量化が容易に行える測定方法と装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜の膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体１２ｃを測定して回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を得る。この署名をデータベース内の署名と適合させて構造体の格子型パラメータを判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの高速検査を可能にする。
【解決手段】半導体ウェーハ２０の一部の並行検査を同時に実行するために、複数の独立した低コスト光学検査サブシステム３０がパッケージ化及び統合される。ここで、検査に関連するウェーハ位置は、ウェーハ全体が光学サブシステムからなるシステムによってラスタスキャンモードで画像化されるように制御される。単色の可干渉性（コヒーレントな）光源がウェーハ表面を照明する。暗視野光学システムが散乱光を集光し、フーリエフィルタリングを使用して、ウェーハに作り込まれた周期的な構造によって生成されたパターンをフィルタリングする。フィルタリングされた光は、汎用デジタル信号プロセッサによって処理される。ウェーハの欠陥を検出するために、画像を比較する方法が使用され、こうした欠陥は、統計的な工程制御、特に製造設備を支援するために、メインコンピュータ５０に報告される。 （もっと読む）

干渉計システムは、２つの間隔を空けて配置された参照フラットを含み得る。前記２つの間隔を空けて配置された参照フラットは、２つの平行参照表面間に光キャビティを形成する。第１のおよび第２の基板表面が対応する第１の参照表面および第２の参照表面に実質的に平行な様態で、前記第１のまたは第２の基板表面の間の空間が前記参照表面または減衰表面のうち対応するものから３ミリメートル以下の位置に来るように、前記基板を前記キャビティ内に配置するように基板ホルダが構成され得る。前記キャビティの直径方向において対向する両側においてかつ前記キャビティ光学的に結合して、干渉計デバイスが設けられ得る。
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イメージングツールによって観察される欠陥は、欠陥画像で観察される特徴の、画像の対応する部分に関する設計情報との自動的な比較によって分類され得る。欠陥情報は、欠陥イメージングツールからの欠陥画像から生成されてよい。欠陥の近傍で基板上に形成される１つ又は複数の構造体に関する設計情報は取り出されてよい。欠陥は、欠陥画像からの欠陥情報と、欠陥の近傍での基板上に形成される１つ又は複数の構造体に関する設計情報との組み合わせに基づいて分類されてよい。
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