説明

ケーエルエー−テンカー コーポレイションにより出願された特許

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【課題】複数レイヤ試料の2つのレイヤ間のオーバレイ誤差を決定する方法を提供する。
【解決手段】試料の第1レイヤから形成される第1構造および第2レイヤから形成される第2構造をそれぞれ有する複数の周期的ターゲットについて、光学システムを用い、周期的ターゲットのそれぞれについて光学信号が計測される。第1および第2構造の間には既定義されたオフセットが存在する。散乱計測オーバレイ技術を用いて既定義されたオフセットに基づいて周期的ターゲットからの前記計測された光学信号を分析することによって第1および第2構造間のオーバレイ誤差が決定される。本光学システムは、反射計、偏光計、画像化、干渉計、および/または走査角システムのうちの任意の1つ以上を備える。 (もっと読む)


【課題】今までに利用可能な構造よりも長い寿命、高い安定性、高い損傷閾値を与えるように特に処理された材料を使用して213nm又は213nm未満の波長の光エネルギを効果的且つ効率的に生成する光源を提供することが望ましい。
【解決手段】光エネルギを生成するための方法が提供される。方法は、約998nmの波長の基本周波数レーザエネルギを生成する段階と、基本周波数レーザエネルギの一部を第2高調波周波数レーザエネルギへ変換する段階と、第2高調波周波数レーザエネルギを第4高調波周波数レーザエネルギへ更に変換する段階と、第4高調波周波数レーザエネルギを基本周波数レーザエネルギの一部と混合させて、和周波数のレーザエネルギを生成する段階とを含む光エネルギを生成するための方法を提供する。混合は、ホウ酸セシウムリチウム(CLBO)の結晶における非臨界位相整合によって行なわれる。 (もっと読む)


【課題】サンプルの異常を検出する光学装置において、より広範囲な用途に使用され、感度と性能が改善されたコストのより低い改良された表面検査システムを提供する。
【解決手段】サンプル18の表面上の照明される領域に対して或る入射角度で放射光線を焦点の合った光線へと焦点を合わせる第1の光学機器12と、第1の検出器アレイ32と、第1の光線16から生じ、サンプル表面上の照明される領域20から散乱される放射線を集光すると共に前記照明される領域の一部分から集光された散乱される放射線を前記第1のアレイにおける対応する検出器へと焦点を合わせる集光光学機器30と、を備え、前記第1の光学機器が光線をサンプルの表面に反射する集光光学機器の集光開口に反射器106を有し、前記反射器が集光光学機器の集光開口の妨害を低減する細長い形状を有する光学装置。 (もっと読む)


【課題】レティクルの設計パターンにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装された方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィック変数の異なる値に対する該レティクルの画像を取得する工程において、画像は、ノミナル値で得られた二つまたはそれ以上の参照画像および一つまたはそれ以上の変調された画像を含む、該取得する工程と、該二つまたはそれ以上の参照画像から複合参照画像を生成する工程と、を含むことを特徴とする方法。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィ・プロセスを評価し、かつ制御するための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】リソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内変動を低減するための方法は、リソグラフィ・プロセス中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも1つの特性を測定する工程22を含む。リソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準には、それだけには限られないかもしれないが、リソグラフィ・プロセス中に形成されたフィーチャのクリティカル寸法測定工程38を含む。本方法はまた、リソグラフィ・プロセスのステップを実行するように構成されたプロセス・モジュール、例えば現像工程36の少なくとも1つのパラメータを変更し、クリティカルディメンジョンのウェハ内変動を低減する工程46を含む。プロセス・モジュールのパラメータは、レジストの少なくともその1つの測定された特性に応答して変更することができる。 (もっと読む)


【課題】異なるパラメータを使用して試験片の検査を行う方法とシステムを提供する。
【解決手段】コンピュータによって実施される方法は、選択された欠陥に基づいて検査のための最適パラメータを決定することを含む。また該方法は、検査に先行して、検査システムのパラメータを最適パラメータに設定する。別の該方法は、約350nmより下の波長を有する光と、約350nmより上の波長を有する光を用いて試験片を照明する。また該方法は、試験片から収集された光を表す信号を処理し、試験片上の欠陥または工程の変動を検出する。試験片を検査する1つのシステムは、広帯域光源504に結合された第1の光学サブシステムと、レーザ503に結合された第2の光学サブシステムを含む。またこのシステムは第1と第2の光学サブシステムから、光を試験片上に集束させる対物鏡507に光を結合するように構成された第3の光学サブシステムも含む。 (もっと読む)


【課題】表面検査ツールおよび方法を提供する。
【解決手段】検査ツールの実施形態は、光ビームをワークピース上に導くことによって、前記ワークピースの欠陥から散乱された光、および前記ワークピースの通常の散乱パターンにしたがって散乱された光を含む、散乱された光を発生する照射源を含む。この実施形態は、前記ワークピースから散乱された光を受け取り、前記ワークピースの欠陥から散乱された前記光を、この光を電気信号に変換する前記フォトセンサに選択的に導くプログラム可能な光選択アレイを含む。処理回路は、前記光検出要素からの電気信号を受け取り、ワークピースの欠陥の特徴付けを含みえる前記ワークピースの表面分析を行う。プログラム可能な光選択アレイは、以下に限定されないが、反射器アレイおよびフィルタアレイを含みえる。本発明はまた関連付けられた表面検査方法も含む。 (もっと読む)


【課題】開口から形成された2つのリングを備えたフレームを有するコンパクトな表面検査光学ヘッドを提供する。
【解決手段】検査される表面(20)に対して垂直な方向を取り囲んだ第1の組の開口(12a)が、マイクロスクラッチの検出に有用な散乱照射線を集めるために使用されるファイバ(42)に接続され、パターン化された表面上の異常を検出する。さらに、検査される表面に対して低い高度角度の開口の第2のリング(12b)は、パターン化された表面上の異常検出を行う。開口のこのようなリング(12b)は、パターン回折や散乱によって飽和される検出器(44)からの信号出力が捨てられるように収集スペースを方位角で区分し、飽和されていない検出器の出力のみが異常検出のために使用される。 (もっと読む)


【課題】半導体のような試料の表面特性を測定するためのシステムに関し、自己較正機能を備えたエリプソメータを提供する。
【解決手段】照会用放射ビーム11を試料20に照射する前および後に、前記ビームの偏光を変調するために2つの位相変調器または偏光要素が用いられる。試料からの変調放射が検出され、検出された信号から解析器26までの高調波が導出する。解析器26までの高調波は、固定偏光要素、円形減衰補償、偏光要素の偏光解消および位相変調器のリターダンスなどのエリプソメトリックパラメータおよびシステムパラメータを導出するために用い得る。自己較正エリプソメータならびに組合わせシステムは、膜厚および試料により引き起こされた放射の偏光解消さなどの試料特性を測定するために用い得る。 (もっと読む)


ウェーハ縁部/ウェーハロールオフ領域における特徴の検出および定量化を向上させるための方法が本明細書において開示される。特徴検出の正確さを改良しその範囲を増加させることを可能にする変更および改良が従来の方法に対して加えられた。
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