【課題】メモリバッファを用いることなく、各チャネルにかかる負荷が低減されたメモリモジュールを提供する。
【解決手段】モジュール基板１８０と、モジュール基板１８０に搭載されたメモリチップＭＣ_１０１〜ＭＣ_１７２と、メモリチップＭＣ_１０１〜ＭＣ_１７２にそれぞれ個別に接続され、リードデータ又はライトデータが伝送されるデータ入出力配線ＤＱＬ１〜ＤＱＬ７２とを備える。メモリチップＭＣ_１０１〜ＭＣ_１７２の数は、データ入出力配線ＤＱＬ１〜ＤＱＬ７２を介して同時に伝送されるリードデータ又はライトデータのビット数と等しい。このように、複数のデータ入出力配線がそれぞれ個別のメモリチップに接続されていることから、メモリバッファを用いることなく、各チャネルにかかる負荷を低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】リード動作時における位相調整精度を低下させることなく、ＤＬＬ回路の消費電力を低減する。
【解決手段】ＯＤＴ機能を有するデータ入出力回路８０と、データ入出力回路８０の動作タイミングを規定する内部クロックＬＣＬＫを生成するＤＬＬ回路１００とを備える。ＤＬＬ回路１００は、内部クロックＬＣＬＫを高精度に位相制御する第１のモードと、低消費電力で動作する第２のモードとを有し、データ入出力回路８０がＯＤＴ動作を行っていない場合には第１のモードで動作し、データ入出力回路８０がＯＤＴ動作を行っている場合には第２のモードで動作する。このように、ＯＤＴ動作の有無によってＤＬＬ回路１００の動作モードを切り替えていることから、厳密な位相制御が不要なＯＤＴ動作時における消費電力を低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】データ率を向上することが可能なレイアウト設計データを生成するマスクパターン生成装置を提供する。
【解決手段】マスクパターン生成装置１は、測定部３と、変更部４と、を含む。測定部３は、半導体装置の回路素子を構成する素子パターンと、回路素子を構成しないダミーパターンと、を含むレイアウト設計データに基づいて、ダミーパターンと他のパターンとの間隔を測定する。変更部４は、測定部３にて測定された間隔が予め指定された指定値よりも大きい場合、その間隔を規定しているダミーパターンを拡大して、その間隔が短縮するように、レイアウト設計データを変更する。 （もっと読む）

【課題】ビット線とシリコンピラーとを接続するための開口部の形成を容易化する。
【解決手段】半導体記憶装置１０は、マトリクス状に配置され、それぞれの側壁にゲート絶縁膜１２を介してゲート電極１３が形成され、かつそれぞれの上端が記憶素子と電気的に接続される多数のシリコンピラー１１と、各シリコンピラー１１の間を互いに直交する方向に配線されたビット線ＢＬ及びワード線ＷＬとを備える。ビット線ＢＬは、両側のシリコンピラー１１の下端と、１行おきに電気的に接続し、ワード線ＷＬは、両側のシリコンピラー側壁にそれぞれ形成されたゲート電極１３と、１列おきに電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】チャネル間の相互影響を抑制しつつ、少なくとも３Ｆ^２のレイアウトを実現する。
【解決手段】半導体記憶装置１は、Ｙ方向に垂直な２側面のうちの一方の側面１２ａの領域１３ａに第１のチャネルＣＨ１、他方の側面１２ｂのうちＹ方向に見て領域１３ａと重ならない領域１３ｂに第２のチャネルＣＨ２がそれぞれ設けられるとともに、これらの側面１２ａ，１２ｂの他の領域が酸化されて絶縁酸化膜とされたシリコンピラー１１と、それぞれゲート絶縁膜１４ａ，１４ｂを介して側面１２ａ，１２ｂを覆う２本のワード線ＷＬとを備え、第１のチャネルＣＨ１と第２のチャネルＣＨ２とが、上記絶縁酸化膜によって絶縁分離されている。 （もっと読む）

【課題】微細化に対応可能であり、不純物拡散領域上に形成したコンタクトプラグが近傍の導電材料とショートすることを防止する配線構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板内の不純物拡散領域２２上に選択エピタキシャル成長法により、第１の層１６ａを形成する工程と、第１の層１６ａ上に、選択エピタキシャル成長法により第２の層１８を形成する工程と、第２の層１８上に導電材料を充填することにより、コンタクトプラグ２１を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板面内に、洗浄ブラシの回転方向と基板の回転方向とが同じとなる部分の割合が非常に少なく、回転方向の同じ部分と反対の部分とが存在することに起因する基板面内での洗浄能力のばらつきが小さく、高い洗浄効果が得られる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板１を保持し、基板１を回転させる基板回転手段３０と、基板面と平行で基板回転軸ａと交差するブラシ回転軸の延在方向に並べて配置された２つの洗浄ブラシ７、８（１０）を備え、２つの洗浄ブラシ７、８（１０）がブラシ回転軸を中心として相反する方向に回転されるものであって、各洗浄ブラシ７、８、１０が基板１の回転方向と反対方向に回転される一対のブラシ４０（５０）と、一対のブラシを回転させるとともに、ブラシ回転軸の延在方向に一対のブラシを往復移動させるブラシ駆動手段１２とを備える基板洗浄装置２０とする。 （もっと読む）

【課題】非解像パターンを形成するためのレジストパターンが所望の形状とは異なった状態となり、その状態でフォトマスク上の金属膜に転写されることを防止することで、所望のパターン形状の非解像パターンを備えたフォトマスクを提供する。
【解決手段】配線用解像パターン１と、配線用解像パターン１の光隣接効果を補正するために配線用解像パターン１に離間して配置された非解像パターン２とを具備してなり、非解像パターン２の平面視形状が、その長手方向に沿って湾曲した形状とされていることを特徴とするフォトマスクを採用する。 （もっと読む）

【課題】封止体を形成する際の封止体の漏れを抑制する。
【解決手段】まず、半導体装置の配線基板となるべき製品形成部が形成された配線母基板３１を準備する。そして、製品形成部に半導体チップ１５を搭載し、配線母基板の、半導体チップが搭載されるチップ搭載面側に、配線母基板を型閉めする成型金型７０の内面に圧接する圧接部材５１ａを搭載する。その後、成型金型によって、配線母基板のチップ搭載面とは反対側の面９３と圧接部材とを圧接するように、成型金型で配線母基板を型閉めする。そして、成型金型の内部に封止体１８を充填する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの小型化と実装温度サイクル耐性との両立を図る。
【解決手段】パッケージ基板１において、基板コア層３にランド６と接する位置より、ランド６の径より小さい径の孔１４が掘削され、当該孔に基板コア層３の材料より弾性率が低い低弾性樹脂１１が充填されている。 （もっと読む）