【課題】差動入力信号の電圧レベルが低くなっても、誤動作なく高速動作可能な差動増幅回路を提供する。
【解決手段】差動増幅回路は、ラッチ部（クロスカップル接続されたインバータ）、差動対トランジスタ（ＮＭＯＳトランジスタＭｎ０，Ｍｎ１）、電流加算トランジスタ（ＮＭＯＳトランジスタＭｎ５，Ｍｎ６）及び制御トランジスタ（ＮＭＯＳトランジスタＭｎ２）から構成される。差動増幅回路は、増幅開始信号ＥＮが入力されると増幅動作を開始し、例えばさらに遅延ＤＬＹで決まる遅延時間経過後に、電流加算トランジスタがオンすることで、差動出力信号ＯＵＴ０、ＯＵＴ１の電圧レベルの差を高速かつ誤動作なく増幅する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層として高い誘電率を有する材料が用いられ、容量の増加および微細化が可能でリーク電流を抑制できるキャパシタ素子を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】キャパシタ素子に蓄積される電荷の有無によってメモリ情報の記憶動作を行う半導体装置であって、キャパシタ素子が、高い誘電率を有する金属の酸化物を含む絶縁層と、絶縁層の第１面に接して設けられ、貴金属またはその化合物からなる貴金属材料で形成された第１電極ａと、絶縁層の第２面に接して設けられ、貴金属を除く金属またはその化合物からなる第１電極ａよりも仕事関数の小さい材料で形成された第２電極ｂとを有するものであり、第１電極ａの電位が、第２電極ｂの電位以下とされている半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】相補電界効果トランジスタのオン電流の周囲温度の変動に伴う変動を抑制する。
【解決手段】ＣＭＯＳの電源電圧ＶＰＥＲＩを生成するバッファ回路２１と、ＣＭＯＳを構成するＰチャンネルＭＯＳトランジスタのレプリカであり、かつダイオード接続されたレプリカトランジスタ２２と、ＣＭＯＳを構成するＮチャンネルＭＯＳトランジスタのレプリカであり、かつダイオード接続されたレプリカトランジスタ２３と、レプリカトランジスタ２２，２３に流れる電流の電流値が所与の目標値となるよう、レプリカトランジスタ２２，２３のアノード−カソード間の電圧を制御する電圧制御部２４とを備え、バッファ回路２１は、電圧制御部２４によって制御された電圧ＶＰＥＲＩＲを目標電圧として電源電圧ＶＰＥＲＩを生成する。 （もっと読む）

【課題】加工マージンの大きい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、主面を有する半導体基板と、半導体基板上に形成された第１絶縁膜と、第１絶縁膜に形成された複数のコンタクト孔と、複数のコンタクト孔内にそれぞれ形成された複数の第１コンタクトプラグと、第１絶縁膜上に形成され、該第１絶縁膜の複数の第１コンタクトプラグが形成された領域を含む所定領域を露出させる開口部を有する第２絶縁膜と、第１絶縁膜のうち開口部で露出した部分に形成され、半導体基板の主面に対して垂直方向に見て、開口部が形成されていない第１絶縁膜の上面の位置よりも低い上面の位置を有する凹部と、開口部を横切り、かつ複数の第１コンタクトプラグのそれぞれの上面に接続されるように、第１絶縁膜の凹部から第２絶縁膜の開口部を経て第２絶縁膜の上面にかけて形成された第２導電膜から成る複数の配線と、を有している。 （もっと読む）

【課題】イコライザ回路を含む半導体装置における高速化およびノイズ耐性の向上を提供する。
【解決手段】複数のメモリセルを選択して、アクセス期間中において、センシング前にイコライザ回路２６によりビット線へ充電を行う際、センスアンプ側ビット線とメモリセル側ビット線を選択的に接続する選択回路２２により、少なくとも選択メモリセルに接続される選択ビット線と当該選択ビットに隣接する両側の非選択ビット線の３本を選択状態にして、センスアンプ側ビット線に配置されるイコライザ回路２６から３本のビット線へ充電を行い、その後、選択ビット線のイコライズを停止してメモリセル情報に対応した選択ビット線の放電を行う。その後、センシングを行う期間中においても隣接ビット線にはイコライズ電圧を接続し続けるイコライズ制御とする。 （もっと読む）

【課題】相補電界効果トランジスタのオフ電流の周囲温度の変動に伴う変動を抑制する。
【解決手段】ＣＭＯＳを構成するＮチャンネルＭＯＳトランジスタの基板電圧ＶＰＷを生成する基板電圧生成回路３１と、上記ＮチャンネルＭＯＳトランジスタのレプリカであり、かつダイオード接続されたレプリカトランジスタ３２と、レプリカトランジスタ３２のアノード−カソード間に所定の電圧値ＶＦの電圧を印加する電圧印加部３３とを備え、レプリカトランジスタ３２の基板電圧は基板電圧生成回路３１が生成する基板電圧ＶＰＷであり、基板電圧生成回路３１は、レプリカトランジスタ３２に流れる電流の電流値が所与の目標値となるよう、生成する基板電圧ＶＰＷを制御する。 （もっと読む）

【課題】アニール時の酸化剤の拡散によるゲート電極の酸化を抑制する。
【解決手段】半導体基板の活性領域にゲートトレンチを形成する工程と、前記半導体基板の活性領域上及びゲートトレンチ内にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の前記ゲートトレンチの開口縁近傍における窒素濃度が、前記ゲートトレンチの底部近傍における窒素濃度よりも高濃度となるように、プラズマ窒化処理によって前記ゲート絶縁膜に窒素を導入する窒化工程と、前記ゲートトレンチを埋めて前記ゲート絶縁膜を覆うようにゲート電極層を積層してから、前記ゲート電極層をエッチングによりパターニングしてゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、前記ゲート電極層のエッチングによって露出した前記活性領域をアニールするアニール工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】Ｉ／Ｏラインを駆動するドライバ回路の遠近端差に起因するリードデータの信号品質低下を抑制する。
【解決手段】
メモリセルから読み出されたリードデータを伝達するためのＩ／ＯラインＭＩＯと、リードデータに基づいてＩ／ＯラインＭＩＯを駆動する複数のドライバ回路ＭＤと、Ｉ／ＯラインＭＩＯに伝達されたリードデータを受け付けるリード回路２００と、Ｉ／ＯラインＭＩＯに接続され、Ｉ／ＯラインＭＩＯに伝達されたリードデータを増幅するアシスト回路４００とを備える。アシスト回路４００は、リード回路２００から見て、複数のドライバ回路ＭＤに含まれる所定のドライバ回路よりも遠くに配置されている。これにより、比較的長いＩ／Ｏラインを有するメモリにおいても信号レベルを急速に変化させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】シート状のモールド樹脂であって、溶融時間が長くかかることなく、また、樹脂モールドする際に空気溜まりが生じないモールド樹脂及び樹脂モールド方法を提供する。
【解決手段】本発明の樹脂モールド方法は、上型と下型とから構成され、前記下型に樹脂溜まりが形成されているモールド樹脂金型を準備する工程と、前記下型の前記樹脂溜まりに、シート状で、かつ、厚み方向に凹凸が設けられているモールド樹脂１Ａを供給する工程と、前記モールド樹脂を加熱して、溶融する工程と、前記上型によって被成型品を保持し、前記上型で保持したまま、前記樹脂溜まり内の溶融された前記モールド樹脂に前記被成型品を浸漬し、圧縮成型する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デューティ検出信号を高頻度に更新する。
【解決手段】内部クロックＲＣＬＫ，ＦＣＬＫのデューティを検出する複数のデューティ検出部２１０−１〜２１０ｍと、複数のデューティ検出部を互いに異なる位相で動作させる制御部２２０と、複数のデューティ検出部からのデューティ検出信号を選択する出力選択部２３０とを備える。本発明によれば、複数のデューティ検出部が互いに異なる位相で動作することから、各デューティ検出部におけるデューティ検出信号の生成頻度よりも高頻度でデューティ検出信号ＤＣＣＳを出力することが可能となる。このため、本発明によるデューティ検出回路をＤＬＬ回路のクロック調整に使用すれば、ＤＬＬ回路の制御周期を短縮することが可能となる。 （もっと読む）