【課題】微細パターンを形成する場合であっても、アスペクト比の高いマスクが倒れることを抑制すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、加工対象を形成する加工対象形成工程と、加工対象上に、第１マスク及び第１マスクの一方の側面側を支持する第１支持体を形成する第１マスク形成工程と、第１マスク及び第１支持体をマスクとして用いて加工対象を加工する第１加工工程と、加工対象及び第１マスクの他方の側面側を支持する第２支持体を形成する第２支持体形成工程と、第１支持体を除去する第１支持体除去工程と、第１マスク及び第２支持体をマスクとして用いて加工対象を加工する第２加工工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の回路ブロックの特性を正確に一致させる。
【解決手段】例えば、端子３１Ａ，３１Ｂと、これら端子間に設けられた回路１１０Ａ，１１０Ｂを備える。回路１１０Ａは端子３１Ａに接続され、端子３１Ａから端子３１Ｂへ向かって配置されたセル１２０Ａ，１３０Ａ，１４０Ａを含む。回路１１０Ｂは端子３１Ｂに接続され、端子３１Ｂから端子３１Ａへ向かって配置されたセル１２０Ｂ，１３０Ｂ，１４０Ｂを含む。セル１２０Ａ，１２０Ｂのレイアウトは、形状、サイズ及び向きがトランジスタレベルで同一である。セル１３０Ａ，１３０Ｂ及びセル１４０Ａ，１４０Ｂのレイアウトは、形状及びサイズが同一であり、トランジスタの向きが１８０°相違している。これにより各セルを対称配置しつつ、センシティブなセル１２０Ａ，１２０Ｂにおいては電流方向の違いによる特性差が生じない。 （もっと読む）

【課題】結晶粒のサイズを制御し、誘電体膜を貫通する結晶粒界やクラックの発生を抑制することによって、リーク電流の少ない高性能のキャパシタを提供する。
【解決手段】電極３，５の間に誘電体膜４が挟持されてなるキャパシタであって、誘電体膜４は、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、アルカリ土類金属の炭酸塩を０．１〜１０ｍｏｌ％の範囲で含む。 （もっと読む）

【課題】 保護膜の端部の位置制御バラツキを可能な液浸露光用塗布装置を提供する。
【解決手段】本発明の液浸露光用塗布装置２０は、基板上に第１の有機膜５、第２の有機膜６、および第３の有機膜７を塗布可能なトップノズル２３と、基板から第１の有機膜５を除去可能な第１溶剤、第２の有機膜６を除去可能な第２溶剤、および第３の有機膜７を除去可能な第３溶剤を前記基板上に供給可能なボトムノズルと、第１〜第３溶剤の基板への到達位置を制御する制御ユニット５１を有し、制御ユニット５１は、第３の有機膜７の端部が第１の有機膜５の端部と第２の有機膜６の端部の間に位置するように第１〜第３溶剤の到達位置を制御する。 （もっと読む）

【課題】相変化記録材料膜／上部電極層界面の接触抵抗の増大とばらつきを抑制することができる相変化素子を提供する。
【解決手段】導電性プラグ（１３）と、相変化記録材料膜（２０）と上部電極層（１５）とを含む相変化素子であって、該導電性プラグ（１３）と該相変化記録材料膜（２０）とが縦方向に接続されるとともに、該相変化記録材料膜（２０）と該上部電極層（１５）とが、該相変化記録材料膜（２０）の側面の少なくとも一部で接続されている相変化素子。 （もっと読む）

【課題】チップ間の貫通電極（ＴＳＶ）の数を増やすことなく、任意の数のチップに対して識別番号を割り付ける。
【解決手段】本発明による半導体装置は、積層された複数のチップを備えた半導体装置であって、前記複数のチップのうちの一つのチップが、所定の信号に基づきパルス信号を発生させて隣接チップに供給するパルス発生部（１１００）を備え、前記複数のチップのうち、前記一つのチップを除く各チップが、一方の隣接チップからパルス信号が供給され、該パルス信号のパルスの数を変更して他方の隣接チップに供給するパルス変更部（２２００）と、前記パルス信号のパルスの数に応じてチップの識別番号を表す識別信号を発生する識別信号発生部（２１００）を備える。 （もっと読む）

【課題】配線の占有面積を実質的に減少させる。
【解決手段】半導体装置は、第１の方向及びそれと交差する第２の方向に沿って半導体基板上に配列形成された複数の第１の接続領域と、複数の第１の接続領域を第１の方向に沿った列ごとに電気的に接続する複数の配線とを含む。複数の配線は、第２の方向に隣り合う２つの配線が互いに異なる配線層に配置され、かつ平面視において一部が重なってハニカム状に見えるように屈曲させてある。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素膜を用いて形成する電極のアスペクト比を増大させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第１非晶質炭素膜を形成し、周辺回路領域の第１非晶質炭素膜を除去してメモリセル領域の第１非晶質炭素膜を第２非晶質炭素膜とし、第２非晶質炭素膜を覆う第１シリコン酸化膜を基板全面に形成し、第２非晶質炭素膜上の第１シリコン酸化膜を除去して周辺回路領域の第１シリコン酸化膜を第２シリコン酸化膜とし、第２非晶質炭素膜と第２シリコン酸化膜を覆う第１絶縁膜を形成し、第１絶縁膜に第１開口を形成し、第１開口を埋め込む第２絶縁膜を形成し、第２絶縁膜に第２開口を形成し、第２開口と第１開口が重なる位置に露出する第２非晶質炭素膜にホールを形成し、ホール内に下部電極を形成し、第２絶縁膜を除去して第１開口内に第２非晶質炭素膜を露出させ、露出した第２非晶質炭素膜を全て除去する。 （もっと読む）

【課題】センス動作のマット間でのノイズマージン差をなくすことを可能にした半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】メモリセルを含む複数のマットと、複数のマットのうち、隣り合う２つのマットの間に設けられ、隣り合う２つのマットのそれぞれに設けられたビット線と接続されるセンスアンプ回路と、複数のマットのうち、端に配置されたマットに設けられたダミービット線と、端に配置されたマットに設けられたビット線に印加される電位に対応して、ダミービット線に印加する電位を制御する制御回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】信号転送ラインの充放電によって消費される電力を低減する。
【解決手段】フリップフロップ構成のアンプ回路ＡＭＰを含むレシーバ回路Ｒ０ｋと、データバスＤＢとレシーバ回路Ｒ０ｋの入力端Ｔ２との間に挿入され、データバスＤＢがＶＰＥＲＩ−ＮＶｔｈに達するとオフするトランジスタＭ７を備える。本発明によれば、トランジスタＭ７によって入力端Ｔ２の振幅が制限されることから、データバスＤＢがローレベルからハイレベルに変化する際の転送速度が向上する。しかも、アンプ回路ＡＭＰがフリップフロップ構成を有していることから、フリップフロップが反転した後は貫通電流が生じない。これにより、消費電力がより一層低減される。 （もっと読む）