【課題】ＳＥＭＩ規格の規定を遵守した状態で、半導体ウエーハが複数枚積層された状態で収納されている１つの第１フープの他、１枚の半導体ウエーハを収納した第２フープが複数積層されている第２フープ群（積層型フープ群）も取り扱うことができるフープオープナを提供する。
【解決手段】第１フープＦ１が載置される水平面２２を有する載置台２０と、載置台２０に着脱可能に設けられ第２フープＦ２が載置される台座部３２と、上下方向に移動可能に設けられ水平面２２の一部を形成するとともに積層された第２フープＦ２同士のロックを解除するロック解除機構３４と、を備えた構成とした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの処理作業の効率化及び歩留りの向上が図れる、板材保持容器からの板材出し入れ方法を提供する。
【解決手段】板材保持容器を機械装置に載置する載置工程１０１と、上記機械装置のスライドアームで、上記板材保持容器の多段に積層された各載置トレイのうち処理対象の半導体ウエハの位置する載置トレイの把持部を把持する把持工程１０２と、上記機械装置の連結管を上記処理対象半導体ウエハの位置する載置トレイの吸気孔に取り付ける取付工程１０３と、上記連結管を介して上記載置トレイの載置面を吸引して上記半導体ウエハを当該載置面に吸着する吸着工程１０４と、当該半導体ウエハを吸着した載置トレイの位置で、多段に積層された各載置トレイを切り離す切離工程１０５と、切り離した載置トレイを上記機械装置のスライドアームで支持して分離し処理対象の半導体ウエハの出し入れのために開放する開放工程１０６とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で製造コストを抑制でき、装置の製品寿命の低下を防止するとともに被処理体に対する処理精度を向上させ被処理体にプラズマダメージを生じさせない放電プラズマ処理装置及び放電プラズマ処理方法を得る。
【解決手段】第３電極１８から所定距離以上に離間した第１電極１２と第２電極１６との間にプラズマ化するガスが供給され第１電極１２に高周波電圧が印加されて第１電極１２と第２電極１６との間にプラズマＰ１を発生させる。第１電極１２と第３電極１８との離間距離が小さくなるように第１電極１２が第２電極１６とともに第３電極１８側に移動される。第１電極１２が第２電極１６とともに第３電極１８側に移動され、第１電極１２と第３電極１８との間にプラズマ化するガスが供給されて第１電極１２と第３電極１８との間にプラズマを発生させる。この発生したプラズマにより被処理体２６の処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】被処理体への放電面積を十分に大きくすることができ、被処理体にプラズマダメージが生じにくい放電プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】各電極間にプラズマ化するガスが供給された後、第１電極１２に高周波電圧が印加される。これにより、第１電極１２と第２電極１６との間に電位差が生じこの電極１２、１６間にプラズマＰ１が発生する。このプラズマＰ１が発生することにより、第２電極１６にわずかな電位が発生する。第２電極１６にわずかな電位が発生すると、第２電極１６と第３電極１８との間に電位差が生じ、この電極１６、１８間にもプラズマＰ２が発生する。このプラズマＰ２の電位はプラズマＰ１の電位よりも格段に低くなり、このプラズマＰ２により第２電極１６と第３電極１８との間の被処理体２２の処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】任意の枚数の半導体ウエハＷを、上下いずれの側にも柔軟に支持する。
【解決手段】搬送、保管、処理等に用いるために複数の半導体ウエハＷを保持する薄板保持容器１１である。少なくとも１枚の半導体ウエハＷを個別に保持した状態で複数枚積層された処理トレイ１２と、この処理トレイ１２を複数枚積層した状態でこれらを一体的に結合すると共に任意の位置で分割する結合機構（１８，１９）とを備えた。処理トレイ１２は、その一側面に少なくとも１枚の半導体ウエハＷを保持する一側固定保持部１３を備えると共に他側面に他の処理トレイ１２の上記一側固定保持部１３と互いに嵌合することで外部環境と隔離して上記薄板を固定して保持する収納空間を形成する他側固定保持部１４を備えた。これにより、半導体ウエハＷの枚数に応じた枚数の処理トレイ１２を積層して薄板保持容器１１を構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ移載装置の構造を簡易にしかつその製造コストを低減することができ、全ての半導体ウエハを短時間で効率良く容器から取り出しあるいは容器に収容できる半導体ウエハ移載装置、半導体ウエハ取出方法及び半導体ウエハ収容方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷの一部がフープ３２から露出してきたところで一対の支持部材１４、１６を挿入させることにより、複数枚の半導体ウエハＷの全てを一度に一対の支持部材１４、１６で支持させることができ、フープ３２から全ての半導体ウエハＷを一度に取り出すことができる。一方、複数枚の半導体ウエハＷの全てを一度に一対の支持部材１４、１６で支持させることにより、全ての半導体ウエハＷを一度にフープ３２に収容することができる。 （もっと読む）

【課題】主にパーティクルの発生を防止できる部品搬送装置及びその収納方法を提供する。
【解決手段】第１のモータ４８の回転軸が回転すると第１のモータ側マグネット部材４６が回転軸と共に回転し磁力の相互作用により軸部材側マグネット部材１８、リンクアーム組２０の一方側リンクアーム２０Ａが回転する。一方側リンクアーム２０Ａが回転すると各リンクアーム側マグネット部材２６、３０の磁力の相互作用により同じリンクアーム組２０の他方側リンクアーム２０Ｂも回転する。また同様にしてリンクアーム組２０と連結する他のリンクアーム組２８、３４も回転する。これらの回転により各リンクアーム組２０、２８、３４が伸縮可能となる。このように第１モータ４８の駆動力を非接触で各リンクアーム組２０、２８、３４まで伝達させることができ各構成部材の摩擦等によるパーティクルが発生することがない。 （もっと読む）

【課題】環境への悪影響を防止でき、製造コスト及びランニングコストを低減することができる大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】混合器３０により、純水が気化された水蒸気と不活性ガスとが混合されて処理ガスが生成される。生成された処理ガスは、導管２８により印加電極１２と接地電極１４との間に供給される。また、高周波電源２６により印加電極１２と接地電極１４との間に高周波電圧が印加される。これにより、印加電極１２と接地電極１４との間の処理ガスが電離してプラズマが発生し、処理ガスが電離した励起状態となって活性化される。印加電極１２と接地電極１４との間に発生したプラズマが被処理物Ｓの表面に照射することにより、被処理物Ｓの表面処理（表面改質）が行われる。 （もっと読む）

【課題】ランニングコスト及び製造コストを低減することができる真空装置及び真空装置の制御方法を提供する。
【解決手段】大気圧状態又は真空状態となるチャンバ１４と、チャンバ１４の内部を駆動により真空状態にするポンプ３２と、チャンバ１４とポンプ３２とを接続する接続管３０と、接続管３０に設けられ開閉により接続管３０の内部の空気流動を制御するバルブ３４と、バルブ３４とポンプ３２との間に設けられ開閉により接続管３０の内部の空気流動を制御する補助バルブ３８と、を有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】 生産用装置の稼働状況に応じて冷却水を供給することで冷却水の供給動力を省くことができるとともに、容易且つ安価に生産用装置に組み込むことができる流量制御装置を提供する。
【解決手段】 生産用装置の一部をなすドライポンプ１１に供給された冷却水を回収する回収管Ｐ２には、冷却水の温度を検出する冷却水温度検出部２１及び流量連続制御バルブ２３が設けられている。バルブコントローラ２２は、ドライポンプ１１の動作を制御するドライポンプコントローラ２４からドライポンプ１１の動作開始を示す旨の状態信号Ｓ２が出力された場合に、予め設定されたプログラムに従って流量連続制御バルブ２３の開口度を制御する。また、状態信号Ｓ２が出力されてから所定時間経過後は、冷却水温度検出部２１の検出結果に基づいて流量連続制御バルブ２３の開口度を制御する。 （もっと読む）