【課題】
装置内でスクリューコンベアによりディスクを搬送して装置外へディスクを搬出する場合に、搬出が容易で、ローダ側とアンローダ側とで同じ形状のディスクハンドリングアームにすることができるスクリュー搬送機構およびこれを用いるディスク洗浄装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、ディスクの送り先側に設けられたディスクのアンローダ位置に対応して所定のピッチより大きいピッチのピッチ拡大溝部分が各スクリュー軸にそれぞれ対応して形成され、拡大溝の部分のディスク送り方向の長さがディスクを搬出するためのハンドリングアームが挿入可能な長さであり、複数のスクリュー軸がハンドリングアームが挿入可能な間隔をもって配置されているものである。 （もっと読む）

【課題】上部処理室を下部処理室に対して低振動で高位置決めする昇降装置を備えた半導体処理装置。
【解決手段】試料載置台を備えた下部処理室２０３、電界および磁界を供給する処理室内プラズマ生成手段を備えた上部処理室２０２を備え、下部処理室２０３上に上部処理室２０２を載置して形成された真空処理室の前記試料載置台上試料にプラズマ処理を施す半導体処理装置において、前記下部処理室２０３の外壁に垂直方向に平行に取り付けた一対のサイドパネル２１３と、該一対のサイドパネル２１３の内側の対向する面のそれぞれに前記サイドパネルと平行に取り付け、それぞれの側面に前記サイドパネルと平行に溝を形成した一対のスライドガイド２０４，２０５と、前記一対のスライドガイドのそれぞれの側面に形成した前記溝のそれぞれと係合する突条と、該突条と前記溝の係合する部分にベアリング玉を循環して供給する通路を備えた昇降ベース２０７とを備えた。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上した真空処理装置を提供する。
【解決手段】少なくとも２つの真空処理容器と、この処理容器の各々で処理されるウエハ複数を収納可能なカセットを着脱可能に載せるカセット台を同時に処理できるカセットの数より多く備え、前記カセット内の複数の全ウエハを連続して処理するウエハ処理装置であって、前記カセットと前記真空処理容器との間で前記ウエハをやりとりする搬送手段と、この搬送手段により前記カセット内のダミー（クリーニング用）ウエハ複数が収納される収納室とを備えた。 （もっと読む）

【課題】一次電子線の光学条件の変化、若しくはウエハ表面に存在する一次電子線の進行方向と直交する電界の発生による二次信号の取りこぼしを最低限に抑え、Ｓ/Ｎの高い尚且つ視野内シェーディングの少ないＳＥＭ画像を得ることができ、被測定物に対して、高精度・高再現性で寸法や形状の計測、欠陥検査等の測定が可能となるパターン検査・測定技術の提供。
【解決手段】二次信号収束用レンズ６９を、前記一次電子線の進行方向上クロスオーバの位置に、若しくはウィーンフィルタ１８により二次信号が前記一次電子線を空間的に分離させ、分離された二次信号の進路上に設置する構成とする。また、前記一次電子線の光学条件（たとえば、前記リターディング電圧や帯電制御電極など）に応じて上記二次信号収束用レンズ６９の設定を変更する手段を備えることで、常に視野内二次信号の取りこぼしに起因するシェーディングが発生しないＳＥＭ像を得ることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスへの金属汚染の拡散を最小限度に抑制し歩留まりを向上させることができる荷電粒子線加工装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０に接続され非金属イオン種のイオンビーム１１を試料３５に照射するイオンビームカラム１と、イオンビーム１１により試料３５から切り出されたマイクロサンプル４３を摘出するプローブ１６を有するマイクロサンプリングユニット３と、マイクロサンプル４３とプローブ１６とを接着するガスを流出させるガス銃２と、イオンビームカラム１が接続されたと同一の真空容器１１に接続され汚染計測用ビーム１３をイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡に照射する汚染計測用ビームカラム６Ａと、汚染計測用ビーム１３を照射した際にイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡から放出される特性Ｘ線を検出する検出器７とを備えたことを特徴とする荷電粒子線加工装置。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト構造のナノプリントを樹脂に高精度に転写できるようにする。
【解決手段】樹脂層２を積層した基板１を載置した位置決め部材３を突き上げ、基板１の表面に積層されている樹脂層２を転写用型４の転写面４ａで加圧し、転写用型４の転写面４ａの凹凸形状を樹脂層２に転写し、加圧したままで、紫外線照射装置６をＯＮして、転写用型４を通して紫外線を樹脂層２に照射させて、樹脂層２の架橋反応が開始させるが半硬化状態になったときに、紫外線照射装置６からの紫外線の照射を中断し、かつ残留応力を開放するために、加圧機７による加圧力を一度解除して、内部応力がほぼ残存しないように開放された後に、再び紫外線照射装置６を作動させて、紫外線を樹脂層２に照射することによって、樹脂層２を完全に硬化させる。 （もっと読む）

【課題】被処理体に付着する異物数を低減させた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理室と、処理室にガスを供給する手段と、処理室を減圧する排気手段と、プラズマ生成用高周波電源と、磁場を生成するためのコイルと、被処理体を載置するための載置電極とを有する半導体製造装置において、被処理体への所定の処理を行っている時のプラズマ分布に比べて、プラズマ着火時または所定の処理終了後の被処理体面内のプラズマ分布が凸型になるように、磁場分布を変更することにより、被処理体直上の処理ガスの温度勾配を発生させ、熱泳動力によって異物粒子を前記被処理体の外周方向に輸送した。 （もっと読む）

【課題】処理用のガスの分流器について高精度に処理用ガス流量の検定を行うことで処理の精度を向上した真空処理装置を提供する。
【解決手段】内部が減圧される真空容器内の処理室に複数の経路を介して処理用ガスを供給し、前記処理室内に配置した試料を処理する真空処理装置であって、前記複数の経路に異なる流量の前記ガスを分配する比を調節する分流器と、前記分流器及び前記経路それぞれを最大流量の前記ガスを通流可能な状態にし、前記処理室の排気を停止して、前記処理室に前記ガスを供給した際のこの処理室内の圧力変化率と前記分流器を所定の分流比で前記ガスを通流可能な状態にして、前記複数の経路の各々からのみ前記処理室内に前記ガスを供給した際のこの処理室内の圧力変化率とを用いて、前記分流器の検定を行う機能を備えたもの。 （もっと読む）

【課題】 荷電ビーム露光装置の偏向収差を低減する偏向器アレイ、その偏向器アレイを有する露光装置およびデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 偏向器アレイを構成する偏向器の電極の配列の向きを変えることにより、偏向器アレイを構成する偏向器の中心同士の間の距離の最小値に対して電極の長さを長くし、奇数列の偏向器と偶数列の偏向器２００ａが、電極２１３ａの長手方向に１個づつ互いにずれて配置され、最も近くに配置される偏向器２１３ａの中心同士を結ぶ方向と、荷電ビームが偏向される方向３００とが垂直以外に形成される。 （もっと読む）

【課題】画像分割処理に伴うメモリの必要数を減少でき、画像処理不可能領域の発生を防止するデータ転送の転送時間も短縮化可能な画像処理装置を実現する。
【解決手段】１つのセンサにより得られた画像１０１を複数のチャンネルｃｈ１〜ｃｈ４に分割しチャンネル方向分割部１０２のより一方側に隣接する一つのチャンネルを含んだ２チャンネル分の画像データとし、分割した複数のチャンネル数より１つ少ないデータ単位数と３とする。３単位の画像データそれぞれに対して、画像処理不可能領域が発生しない程度にデータ重複部分を転送画像制御回路１０３により設定して単位画像データ毎に画像データを切り出し、切り出し処理後の画像データに対してプロセッサ部１０４により処理を行う。したがって、画像処理に要するメモリ数及び画像処理のプロセッサ数は、分割したチャンネル数より少ない数とすることができる。 （もっと読む）