透過率が、エッチング気体が存在する状態で電子ビームを基板に向けることによって、ガリウム混入基板に対して回復される。より高濃度の埋込みガリウムでは、透過率は、基板の厚さを低減せずに、大きく回復することができる。より低照射量の埋込みガリウムでは、透過率は、１００％まで回復されるが、基板の厚さは低減される。本発明は、フォトリソグラフィ・マスクの修復に使用されるのに適切である。
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【課題】特定の位相シフトと減衰の特性を有する材料を局所的に堆積させる方法を提供すること。
【解決手段】本発明はハーフトーン型位相シフト・フォトマスクの修復に特に応用可能である。修復される領域の透過率および位相の制御が可能である。好ましい実施形態では、修復領域を透過する光の位相は堆積材料の厚さを制御することによって制御され、修復領域の透過率は修復領域への不純物の導入を制御することによって制御される。 （もっと読む）

【課題】局部的プラズマ処理を提供すること。
【解決手段】局部的プラズマ処理方法は、帯電粒子蒸着およびエッチングに比べて、処理速度を向上させ、加工物損傷を低減する。一実施形態において、プラズマ噴流は、プラズマ生成チャンバを出て、反応ガスを活性化させる。プラズマおよび反応ガスの噴流は、加工物に衝撃を与え、それを処理する。反応ガスにおけるプラズマおよびイオンは、低運動エネルギーを有することが可能であるため、表面損傷がほとんどまたはまったく起こりえない。これは、蒸着プロセスに特に有用である。材料をエッチングすることが望まれる場合は、反応イオンをより高エネルギーにして、エッチングを増強することができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。ある実施の形態において、それは半導体製造施設内での製造中に半導体ウェファの欠陥をキャラクタライズする方法を提供する。その方法は以下のようなアクションからなる。半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。
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高真空下で汚染ガスの存在する中で使用されるのに適する冷陰極イオン真空計が提供されている。放電電流を少なくすることにより、そして、より正確には、真空計の電極により受け取られた電荷電流密度を減らすことにより、また、真空計の電極にある種の材料を用いることにより、絶縁物の薄膜が電極表面上に堆積されるメカニズムが弱くなり、真空計の寿命が明らかに延長される。真空計の放電電流は、陽極に対して直列に大きな抵抗を設けることによって、減らされる。一方、電荷電流密度は、電極に溝又はファンを設けることによって達成される大きな表面積を有する電極を用いると共に炭素のような低電子後方散乱及び低二次電子放出の材料を用いることによって減らされる。不都合を生じさせるガスを含む真空のために使用されるＣＣＩＧの寿命を延ばすための他の定電流モードの概念も本発明では提案されている。

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本発明は、帯電粒子源から帯電粒子ビームを抽出する方法を提供する。１セットの電極が、源の出力において提供される。電極に印加される電位は、電極の出力においてほぼゼロの電場を有する低エミッタンス成長ビームを生成する。 （もっと読む）

本発明は、後方スパッタリングされた材料がイオン生成源に到達する確率を大きく低減するために、１つまたは複数の表面輪郭をイオン・カラム内の衝突領域に追加する。傾斜表面、後方スパッタリングされた材料を捕獲するカップを画定する表面、事前にテクスチャ化およびフォレスト化された表面を含めて、いくつかの異なる表面輪郭が開示される。異なる表面は、任意に組み合わせて使用することができる。後方スパッタリングされた材料がイオン源に到達するのを低減することにより、安定するまでの時間が低減され、作業の安定性が大きく向上し、ソースの寿命が長くなる。 （もっと読む）

イオン検出器から電子検出器へと切り換え可能な粒子検出器はイオン−電子変換器およびシンチレータ検出器を有する。構成部品への１セットの電圧で、変換器は電子の軌道上で最小限の衝突を有し、それゆえに電子がシンチレータ検出器によって効率的に検出される。構成部品への異なった電圧設定で、大部分のＦＩＢ応用について充分な効率で陽イオンを収集するように検出器が陽イオンのモードで動作することが可能である。このイオン−電子変換器は円筒の形状であるか、または複数の平行プレートを有することが好ましい。 （もっと読む）