【課題】レーザ・アブレーション中の材料の再堆積を防ぎ、材料を高い速度で除去することができる改良されたレーザ加工法を提供すること。
【解決手段】好ましい一実施形態では、レーザ・アブレーション中に放出された試料粒子が試料室のガス雰囲気中の前駆体ガスと反応するように高圧の前駆体ガス（エッチング・ガス）が充填された室内で、レーザ・アブレーションが実行される。放出された粒子が前駆体ガス粒子と衝突すると、前駆体が解離し、アブレートされた材料と結合する反応性の成分を形成する。次いで、この反応性解離副生物とアブレートされた材料とが反応して新たな揮発性の化合物が形成され、この揮発性化合物は、試料上に再堆積することなく、ガスの状態で、ポンプによって除去することができる。 （もっと読む）

【課題】液体金属イオン・ビームのミリングに対するビーム品質を向上させる。
【解決手段】イオン源からのイオンの非対称エネルギー分布によって、処理時間をあまり短縮することなく、低エネルギー・ビーム・テール中のイオンをフィルタによって除去することによって色収差を低減させることが可能になる。一実施形態は、イオン・ビーム・カラム内に、低エネルギー・イオンをビームから除去するフィルタを含む。 （もっと読む）

【課題】安価で、使い易く、例えば教室のテーブル上に置くことのできる十分に小さな寸法とすることができる走査型電子顕微鏡を提供すること。
【解決手段】 小型の電子顕微鏡が、サンプルが存在する真空領域の一部を形成する壁を有する取外し可能なサンプルホルダを使用する。取外し可能なサンプルホルダを用いて真空を含むことによって、撮像の前に真空排気を必要とする空気の容積が著しく低減され、顕微鏡を迅速に真空排気することができる。好適な実施形態では、摺動真空シールが電子カラムの下にサンプルホルダを位置決めすることを可能にし、サンプルホルダは最初に真空バッファの下を通過されて、サンプルホルダ内の空気が除去される。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームを使用して微細構造を製造する電子ビーム・システムを提供すること。
【解決手段】吸着物質の枯渇を制御することによって、前駆体ガスとの電子ビーム誘起化学反応を制御する。吸着物質の枯渇は、ビーム電流を、好ましくはビームを高速ブランキングすることによって制御すること、および基板を冷却することによって制御することができる。相互作用体積を小さくするため、ビームは低いエネルギーを有することが好ましい。枯渇および相互作用体積を制御することによって、ユーザは、精密な形状を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】集束ビームを使用して基板を選択的にエッチングする方法および装置を提供する。
【解決手段】ステップ１０２では、少なくとも２種類の材料を有する基板を用意する。この基板は、その上に集積回路が製造されたシリコン・ウェーハとし、この基板はさらに、集積回路の一部分の断面を露出させるために集束イオン・ビームによって切削されたトレンチを含む。ステップ１０４では、エッチングする基板表面の一部分に、エッチング剤前駆体ガスの流束を供給する。ステップ１０６では、基板表面に、エッチング抑制前駆体ガスの流束を供給する。ステップ１０８では、電子ビームなどの集束ビームを基板に向かって、少なくとも２種類の材料を含む領域上に誘導する。このエッチング前駆体ガス、エッチング抑制ガスおよび集束ビームの組合せは、第１の材料を第２の材料に比べて選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】検出能力が向上したＸ線検出器を提供すること。
【解決手段】試料室内に環状に配置された複数の検出器が大きな捕集立体角を提供する。これらの検出器は、検出器の表面での氷の形成を低減させるシャッタおよびコールド・シールドを含むことが好ましい。サンプルを取り囲む検出器を提供することによって、検出を向上させる大きな立体角が提供され、サンプルの傾斜方向にかかわらずＸ線が検出される。 （もっと読む）

【課題】基板を微細機械加工する改良された方法を提供すること。
【解決手段】本発明の好ましい実施形態は、荷電粒子ビーム・マスキングおよびレーザ・アブレーションを利用する改良された方法を提供する。荷電粒子ビーム・マスク製造と超短パルス・レーザ・アブレーションの利点の組合せを使用して、基板の加工時間を著しく短縮し、レーザ・アブレーションによって機械加工されるフィーチャの横方向解像度およびアスペクト比を向上させる、好ましくは機械加工レーザの回折限界よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】高圧環境中の試料を使用して動作する走査透過電子顕微鏡を提供すること。
【解決手段】好ましい検出器は、ガス増幅を効率的にするために散乱透過電子または非散乱透過電子を２次電子に変換することによって、ガス増幅を使用する。 （もっと読む）

半導体チップ製造分野の局所領域ナビゲーション用の改良された高精度ビーム配置法。本発明は、ステージ／ナビゲーション・システムが通常は高精度ナビゲーションを実施する能力を持たない場合であっても、比較的に大きな局所領域（例えば２００μｍ×２００μｍの領域）内の対象の位置へ高精度でナビゲートすることが可能な方法を示す。この大領域高解像度走査と、ディジタル・ズームと、理想化された座標系への画像の位置合せとの組合せによって、ステージの移動に依存せずに局所領域をナビゲートすることができる。一旦画像を取得してしまえば、試料ドリフトまたはビーム・ドリフトはアライメントに一切影響を及ぼさない。したがって、好ましい実施形態は、高精度ステージ／ナビゲーション・システムなしでも、１００ｎｍ未満の精度で試料上の位置へ正確にナビゲートすることを可能にする。
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【課題】微小金属構造を製造すること。
【解決手段】導電率が高められたパターン形成された領域を生成し、または露出させ、次いでこの領域上に、電着を使用して導体を形成することによって、微小金属構造が製造される。いくつかの実施形態では、基板上に微小金属構造が形成され、次いで基板からこの構造を除去するために、基板がエッチングされる。いくつかの実施形態では、付着前駆体ガスを含まない集束ガリウム・イオン・ビームが、シリコン基板上をあるパターンで走査して、導電パターンを生成し、次いでこの導電パターン上に、１種または数種の金属の電気化学付着によって銅構造が形成される。エッチングによってこの構造を基板から取り出すことができ、またはその場で使用することができる。ビームを使用して、トランジスタの活性層にアクセスすることができ、導体を電着させて、トランジスタが機能している間にその動作を感知しまたは変化させるためのリードを形成することができる。 （もっと読む）