【課題】半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。
【解決手段】半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。 （もっと読む）

【課題】機械の動作をグラフィカルに制御する簡素で、効率的な方法を提供すること。
【解決手段】オブジェクトの画像を獲得し、実行可能なパターン認識コンピュータ命令に関連付けられている第１の図形をこの画像上に配置し、オブジェクトの画像において第１の特徴部分の画像の位置を特定するために上記実行可能なパターン認識コンピュータ命令を実行し、オブジェクトの画像における第１の特徴部分の前記位置に対応する位置に第１の図形を再度配置し、位置が第１の図形の位置によって決定されて第２の実行可能なパターン認識コンピュータ命令に関連付けられている第２の図形を画像上に配置し、オブジェクトの画像において第２の特徴部分の画像の位置を特定するために第２の実行可能なパターン認識コンピュータ命令を実行し、直接的または間接的に第１の図形および第２の図形の位置に依存する動作を指定する第３の図形を画像上に配置する。 （もっと読む）

【課題】予め決められた磁界強度の範囲に亘って実質的に一定量の平均熱起電力を発生することが可能な磁界レンズを提供する。
【解決手段】このレンズは非対称（異なる巻き数の）のマルチコイル部を有し、所望の範囲の磁界強度を生成すると共に、同時に、全平均起電力が一定に維持されたとき十分一定の温度サインを維持し、それによって、磁界強度が変化したときにレンズ動作の過度の遅延を回避する。非対称のレンズ構造のうちのより少ない巻き数のコイルの方が比較的に小さなインダクタンスを有し、それによって、より反応性が速くなり、ＡＣ駆動信号に迅速に反応し、必要ならば、ダイナミックフォーカスレンズにも適合する。 （もっと読む）

【課題】 一定のユーセントリックポイントを維持しつつシステム操作中にもかかわらずカラム傾斜角度の範囲に亘ってカラムを傾斜できるシステムと方法を提供する。
【解決手段】 カラム傾動装置（２０００）は、第１のサブアセンブリ（２１００）と第２のサブアセンブリ（２２００）を装備する。第１のサブアセンブリ（２１００）は据え置きにされるが、一方、モーター（２２２０）とギアユニット（２２４０）によって第２のサブアセンブリ（２２００）は、ビームが一定のユーセントリックポイントをいつも通るように、第１のサブアセンブリ（２１００）に対して移動する。ビームカラムは、第２のサブアセンブリ（２２００）と共に動くように、それに取り付けられる。真空を維持しながら、両サブアセンブリ（２１００）と（２２００）間の動きを可能にするために蛇腹アセンブリ（２３００）が取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマ・イオン源を使用した集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムにおいてミリングおよび画像化を実行する方法を提供すること。
【解決手段】本方法では、ＦＩＢシステムをミリング・モードで動作させるための最適化されたパラメータを表す第１のセットと、画像化モードで動作させるための最適化されたパラメータを表す第２のセットの２つのＦＩＢシステム動作パラメータ・セットが利用される。これらの動作パラメータは、ＩＣＰ源内のガス圧、ＩＣＰ源へのＲＦ電力およびイオン抽出電圧を含むことができ、いくつかの実施形態では、レンズ電圧およびビーム画定アパーチャ直径を含むＦＩＢシステム・イオン・カラム内のさまざまなパラメータを含むことができる。最適化されたミリング・プロセスは、基板の表面から材料をバルク（低空間分解能）高速除去する最大ミリング速度を提供する。最適化された画像化プロセスは、ミリング中の基板領域の画像化を改善するため、最小化された材料除去およびより高い空間分解能を提供する。 （もっと読む）

それぞれのガス源用のサイクリング弁によって、複数のガス源からビーム・システムの試料室内へのガス流が制御され、弁が開いている相対時間および弁の上流の圧力によって、試料室内のガス圧が決定される。真空室の内部に配置されたガス弁が、ガスを遮断する際の迅速な応答を可能にする。好ましいいくつかの実施形態では、使用中も真空システムの外部に置かれる容器内の固体または液体材料から前駆体ガスが供給され、この容器は、重大な漏れを生じることなく、ガス注入システムに容易に接続され、またはガス注入システムから容易に分離される。
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【課題】電子ビーム誘起付着、イオンビーム誘起付着およびレーザビーム誘起付着中に汚染物を除去する、または酸化可能な材料の付着またはエッチング中の酸化をリアルタイムで抑制する方法を提供する。
【解決手段】加工物にビームを照射すると同時に、付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスを、純化化合物およびキャリヤ・ガス（任意選択）とともに、または、予め混合してから、処理室内へ噴射する。ビームは、ビームを照射した領域にだけ膜を付着させ、または、ビームを照射した領域の膜だけをエッチングする。純化化合物は炭素などの不純物を、膜成長中に除去し、あるいは、エッチングされた材料の酸化を抑制する。付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスと膜純化化合物との同時注入または噴射前の予混合によって、成長／エッチング速度および達成可能な材料純度に関して、付着プロセスまたはエッチング・プロセスを最適化する。 （もっと読む）

イオンを加速し、同時に分散イオン源における電界を弱く維持し、それによって分解能を向上させるために、イオン・ビーム・システムが、抵抗管などの別個の加速電極を使用する。イオン源として磁気光学トラップを使用することができる。
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荷電粒子ビームを導く改良された方法であり、１つまたは複数の偏向器信号を変化させることによって、荷電粒子がシステムを通過するのに要する時間を補償する方法。本発明の一実施形態によれば、ＴＯＦエラーが原因で起こることがあるオーバシュート効果を低減させ、または排除するために、デジタル−アナログ（Ｄ／Ａ）変換の前に、走査パターンをデジタル・フィルタにかける。他の実施形態では、ＴＯＦエラーを補償するのに、アナログ・フィルタ、またはより低い帯域幅を有する信号増幅器の使用を使用することもできる。走査パターンを変化させることによって、オーバシュート効果をかなり低減させ、または排除することができる。
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【課題】レーザ・アブレーション中の材料の再堆積を防ぎ、材料を高い速度で除去することができる改良されたレーザ加工法を提供すること。
【解決手段】好ましい一実施形態では、レーザ・アブレーション中に放出された試料粒子が試料室のガス雰囲気中の前駆体ガスと反応するように高圧の前駆体ガス（エッチング・ガス）が充填された室内で、レーザ・アブレーションが実行される。放出された粒子が前駆体ガス粒子と衝突すると、前駆体が解離し、アブレートされた材料と結合する反応性の成分を形成する。次いで、この反応性解離副生物とアブレートされた材料とが反応して新たな揮発性の化合物が形成され、この揮発性化合物は、試料上に再堆積することなく、ガスの状態で、ポンプによって除去することができる。 （もっと読む）