【課題】半導体チップ製造分野の局所領域ナビゲーション用の改良された高精度ビーム配置法を提供すること。
【解決手段】例えばメモリ・アレイまたは類似の構造内の個々のビット・セルの欠陥を特徴づけまたは補正するために、本発明の好ましい実施形態を使用して、メモリ・アレイまたは類似の構造内の単一のビット・セルへ迅速にナビゲートすることができる。アレイの（Ｘ軸またはＹ軸に沿った）１つのエッジのセルの「ストリップ」を走査するために高解像度走査を使用して、所望のセルを含む列の位置を特定し、続いて、位置が特定された列に沿って（もう一方の方向に）、所望のセル位置に到達するまで同様に高速走査する。これによって、アレイ全体を画像化するのにかかる時間の大きな消費なしに、パターン認識ツールを使用して、所望のセルへナビゲートするのに必要なセルを自動的に「数える」ことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】曲りおよびカーテニングを低減させまたは防ぐような方式でＴＥＭ試料を作製する方法および装置を提供すること。
【解決手段】本発明の好ましい実施形態は、試料を作製するプロセスの最中に、ＴＥＭ試料の面に材料を付着させる。好ましいいくつかの実施形態では、反対側の面を薄くする前に、既に薄くした試料面に材料を付着させることができ、付着させた材料は、試料の構造的完全性を強化し、カーテニング現象のために薄くなりすぎたエリアを再び埋める役目を果たすことができる。好ましい実施形態では、ミリングしている面に材料を付着させることもでき、付着させた材料は、その試料面のカーテニングを低減または排除する役目を果たすことができる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子システムにおいて異なるビーム電流を有する動作モードを高速に切り替える方法を提供する。
【解決手段】実施しようとする加工に応じてＦＩＢカラム内の電極電圧の設定を行い（２６０８，２６２４）、小径のビーム画定絞り（ＢＤＡ）を選択し（２６１０、２６２６）、小電流で整列マークを画像化し（２６１２，２６２８）、前記マークの位置を決定する。次いで、ミリング用のＢＤＡ（大または中間の径）を選択し（２６１４、２６３０）、前記位置情報に基づいて大または中の電流でミリングを行う（２６１６，２６３２）。前記画像化からミリングへの切換えの際には、ＢＤＡだけを変更し、ＦＩＢカラム内の電極電圧は変更せず、ビームの位置変更もしない。これにより、電源設定時間に起因する遅延を回避する。 （もっと読む）

【課題】改良された付着プロセスを提供すること。
【解決手段】ビームを使用して、自発的反応の開始をサポートする条件を提供するように準備された表面の領域における前駆体ガスの自発的付着によって、材料を、所望のパターンに付着させる。いったん反応が開始されると、ビームが存在しなくなっても、反応が開始された表面の領域において反応は継続する。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムなどの集束粒子ビーム・システム用の荷電粒子源を提供すること。
【解決手段】この源は、荷電粒子システムの軸を中心とすることができる小さな領域内にある独立してアドレス指定可能な多数の放出器を使用する。１つのチップから放出させ、または２つ以上のチップから同時に放出させることを可能にするため、これらの放出器は全て、個別に制御することができる。１つの放出器だけが活動化されるモードは高輝度に対応し、複数の放出器が同時に活動化されるモードは、高い角強度およびより低い輝度を提供する。単一の放出器を逐次的に使用することによって源の寿命を延ばすことができる。全ての放出器に対する機械／電気組合せアラインメント手順が記載される。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム・システム用の環境セルを提供すること。
【解決手段】荷電粒子ビーム・システム用の環境セルは、Ｘ−Ｙステージ上に取り付けられたセルと集束カラムの光軸との間の相対運動を可能にし、それによってセル内に副ステージを配置する必要性を排除する。後退可能な蓋などの柔軟なセル構成は、ビーム誘起プロセスおよび熱誘起プロセスを含むさまざまなプロセスを可能にする。荷電粒子ビーム・システム内において光電子のガス・カスケード増幅を使用して実行される光子収率分光法は、セル内の材料の分析およびセル内の処理の監視を可能にする。後退可能な鏡を使用してルミネセンス分析を実行することもできる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム・システムを用いてスライス・アンド・ビュー技法を実行するための方法および装置を提供すること。
【解決手段】試料の画像内の着目フィーチャの位置がマシン・ビジョンによって突き止められ、後続のスライス・アンド・ビューの繰返しにおいてミリングし、画像化する領域が、少なくとも部分的に、マシン・ビジョンによって集められたデータの分析によって決定される。決定されたミリング領域を、フィーチャの周囲の境界ボックスとして表現することができ、境界ボックスの寸法は、分析ステップに基づいて変更することができる。デュアル・ビーム・システムでは、次いで、これに応じてＦＩＢを調整して、後続のスライス・アンド・ビューの繰返しにおいて新しいフェースをスライシングし、ミリングし、ＳＥＭが、この新しいフェースを画像化する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭレンズに電流を流しながらイオン・ビームを操作することのできる二重ビーム装置を提供すること。
【解決手段】二重ビーム装置はイオン・ビーム装置および磁気対物レンズを備える走査電子顕微鏡を含む。イオン・ビーム装置がＳＥＭ対物レンズからの磁界の存在下で最適に動作するようにされるので、対物レンズはイオン・ビームの動作中に停止しない。任意選択的な二次粒子検出器および任意選択的な荷電中和フラッド銃が磁界の存在下で動作するようにされる。磁気対物レンズは、焦点を変化させたときに、レンズを構成する各部におけるエネルギー放散が時間的に略一定となるように設計されるので、磁界を変化させたとき装置を安定化させる時間を必要としない。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマイオン源が高ｄｃ電圧にバイアスされた集束イオンビームシステムにおいて、イオン源内のプラズマに点火する方法を提供する。
【解決手段】バイアス電源９３０からの高ｄｃ電圧は、集束イオンビームカラムの近くでプラズマ点火装置９５０からの振動波形が結合（重畳）されて、プラズマ室９５４の一部を構成する源バイアス電極９０６に印加される。プラズマ点火装置９５０は論理回路９２４によって制御されるプラズマ点火装置電源９２５によって駆動される。電位の低いプラズマ点火装置９５０からの振動波形は、絶縁変圧器またはキャパシタ等を通して高ｄｃ電圧に結合（重畳）される。集束イオンビームカラムの近くにプラズマ点火装置９５０を取り付けることによって、高ｄｃ電圧を供給するケーブルの静電容量の影響が最小化される。 （もっと読む）