説明

エフ・イ−・アイ・カンパニーにより出願された特許

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レーザ加工は、終点決定を使用することによって、またはレーザとともに荷電粒子ビームを使用することによって向上する。終点決定は、基板からの光子、電子、イオン、中性粒子などの放出を使用して、レーザの下の材料がいつ変化したか、またはいつ変化しようとしているか判定する。レーザ光学要素への付着を防ぐため、試料から除去された材料をそらすことができる。 (もっと読む)


荷電粒子ビームとレーザ・ビームとを一緒に使用して、基板をマイクロ機械加工する。第1のビームは、加工物のある領域の状態を変化させ、第2のビームは、状態が変化した材料を除去する。一実施形態では、イオン・ビームが、光子吸収性の欠陥を生成して、局所アブレーションしきい値を低下させ、レーザ・ビームが、イオン・ビームによって画定されたある領域の材料を除去することを可能にする。レーザ・ビームと荷電粒子ビームの組合せは、レーザ・ビームによって提供される高いエネルギーのために、荷電粒子ビームのスポット・サイズと同等のサイズのフィーチャを、荷電粒子加工よりも大きなミリング速度で形成することを可能にする。 (もっと読む)


【課題】HPSEMにおいて二次電子信号増幅を改善する。
【解決手段】ガス増幅マルチ・ステージを備えた荷電粒子ビーム・システム用の新規な検出器。上記ステージは一般に、サンプルまたは前ステージに関連して電圧が印加される導体によって画定される。二次電子のカスケードをマルチ・ステージにおいて創出することによって、ガスの絶縁破壊を引き起こすことなく利得を増大可能である。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子ビーム・システムにおけるビーム・ドリフトを補正する方法および装置を提供する。
【解決手段】ビームがサンプルを加工している間に、ビーム加工する改善された方法および装置がビーム・ドリフトを補正する。フィデューシャルを撮像し、ステージを移動させなくてもサンプルを加工できるように作動領域に十分近い位置にあるフィデューシャルを用いてビーム位置が整列される。加工中、ドリフトを予測するモデルを用いて、ビーム位置決めがドリフトに対して補正される。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子ビーム・システムを用いて欠陥を観察するための方法および装置を提供すること。
【解決手段】不正確に発見された欠陥が、一連のスライスをミリングし、軽い優先的エッチングを行って、類似する二次電子放出特性を有する材料間の形状的界面を提供することによって画像化される。スライスは小さな欠陥を補足するのに十分小さいものであるが、再堆積の問題を克服するには十分に大きいものである。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子ビーム・システムの2次粒子検出器を提供すること。
【解決手段】2次粒子検出器302は、真空チャンバ107内に配置されたシンチレータ304および光電子倍増管などのトランスデューサ312を含む。従来の技術のEverhart−Thomley検出器とは異なり、光電子倍増管は、真空チャンバ内に配置され、これにより、光学結合を排除することによって検出が向上し、検出器の配置について柔軟性が提供される。 (もっと読む)


【課題】フリップステージなしにFIB−STEMシステムで使用されることができるSTEMサンプル作製および解析のための方法を提供する。
【解決手段】方法は、約60度の最大傾斜を有する典型的な傾斜ステージを有するデュアル・ビームFIB/STEMシステムが、基板からSTEMサンプルを抜き出し、TEMサンプル・ホルダ上にサンプルを搭載し、FIBミリングを使用してサンプルを薄化し、かつサンプル面がSTEM撮像のために垂直電子カラムに垂直であるように、サンプルを回転するために使用されることを可能にする。 (もっと読む)


【課題】マイクロスケールおよびナノスケールの構造体を製造する方法および装置を提供すること。
【解決手段】前駆体のビーム誘起分解などのビーム法を用いて正確なパターンでマスクを堆積し、次いで選択的なプラズマ・ビームを適用する微視的構造体の製造方法であって、最初に、電子ビームなどのビーム法、集束イオン・ビーム(FIB)、またはレーザ法を用いて基板の表面部分上に保護マスクを形成することと、次に、選択的プラズマ・ビーム・エッチング法を用いて非マスク基板部分をエッチングすることとを含む。場合によっては、保護マスクを除去することを含む第3のステップが、第2の材料的に反対の選択的プラズマ・ビーム法を用いて実行されてよい。 (もっと読む)


本発明は、高圧荷電粒子ビーム・システム内でサンプルを処理する、すなわちサンプルを改変し、画像化する方法および装置を含む。本発明の実施形態は、高圧荷電粒子ビーム処理の間、サンプルがその中に配置される小室を含む。この小室は、処理に必要なガスの量を減らし、それにより迅速な導入、排気、ガス間の切替えおよび処理モードと画像化モードとの間の切替えを可能にする。小室内に処理ガスを保持することは、サンプルチャンバおよびカラムがガスと接触することを防ぐ。いくつかの実施形態では、小室壁およびサンプルの温度を制御することができる。
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本発明は、複数ガス源を備え、異なるイオン種を用いて多様な操作を実行して、加工物のサブミクロンのフィーチャを生成するかまたは変えるのに用いることのできるプラズマ・イオン・ビーム・システムを提供する。係るシステムは、本発明では、プローブ形成光学素子と組み合わせて多様なイオンのイオン・ビームを発生させるために使用するのに適し、ビーム源によって誘起される運動エネルギーの振動が実質的に生じず、これによって高分解能ビームが形成される、誘導結合型磁気増幅イオン・ビーム源を使用することが好ましい。
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