【課題】複数の送信リソースを共有するマルチアクセス通信システムにおいて、緊急性があるパケットを優先してスケジューリングする。
【解決手段】さまざまなアクセスに関連するパケットを、緊急パケット（Ｑ_ｕ）の第１のカテゴリと、非緊急パケットの第２のカテゴリ（Ｑ_ｎ＿_ｕ）とに分類する（１１０）。第１のスケジューリングに従って、第１のカテゴリのパケットをスケジューリング（１２０）し、これらのパケットに送信リソースを割り当て（１２５）、次いで、第２のスケジューリングに従って、第２のカテゴリのパケットをスケジューリングし（１３０）、これらのパケットに送信リソースを割り当てる（１３５）。 （もっと読む）

【課題】電磁放射線用の検出装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電磁放射線用の検出装置は、該放射線を吸収する少なくとも一つの吸収膜を備える。該吸収膜は、窒化タングステン（Ｗ_２Ｎ）で形成されて窒素に対するタングステンの化学量論比が２に等しい吸収層（４）により形成される。 （もっと読む）

【課題】犠牲材料を利用した構造体製造プロセスにおける各種制約を緩和できる可動構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の犠牲材料と第２の犠牲材料とが、基板１上に堆積させられる。第１のパターン２ａと第２のパターン６ａとが、それぞれ、第１の犠牲材料と第２の犠牲材料とによって形成される。第１の犠牲材料から作成された第１のパターンは、第２の犠牲材料から作成された第２のパターン上に配置される。第１のパターンは、第２のパターンの周囲部分を覆わない状態で形成される。活性層３が、第１のパターンおよび第２のパターンの側壁の少なくとも全体と第２のパターンのその所定の領域とを被覆する。活性層は、第１の犠牲材料にアクセスすることを可能にするようにパターニングされる。第１の犠牲材料と第２の犠牲材料とは、選択的に除去され、固定領域によって基板１に固定された自由領域を備えた可動構造体を形成する。 （もっと読む）

【課題】バッテリの定電流での充電状態を測定する方法。従来、充電状態を正確に測定ができなかったので正確に測定を可能とする方法を提供する。
【解決手段】バッテリを、回復期（ｔ１−ｔ２）の間、バッテリの両端子の電圧が、定常電圧に安定するまで、開回路にする。次に、一定のテスト電圧を、バッテリの両端子に、プリセット試験期間（ｔ２−ｔ３）の間、加えられる。バッテリの充電状態は、あらかじめ得た校正曲線を用いて、試験期間の最後に測定した電流と対応させる。 （もっと読む）

【課題】酸化層の前堆積を行うことなく、導体または半導体材料上に高密度のカーボンナノチューブマットを製造する方法を提供する。
【解決手段】拡散バリア５２０、拡散バリア上にアモルファスシリコン層５３０、アモルファスシリコン層上に金属層を含む触媒複合体を導体または半導体基板５１０上に堆積させる。次いで前記金属層に酸化処理を行い、最後に、酸化処理された金属層からカーボンナノチューブマット５８０を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン領域のシリサイド化後に選択的エッチングを不要とする電界効果トランジスタ製造方法を提供する。
【解決手段】ａ）チャネル、ゲート及びハード・マスク１１８を含んでなる構造物を基板，誘電体層１０８の上に作るステップと、ｂ）前記構造物とトランジスタの周囲領域を完全に覆う誘電体を形成するステップと、ｃ）上記誘電体部分に、チャネルの側壁を露出させる二つの穴を形成するステップと、ｄ）上記各穴の各壁部の上に第１の金属層１３２を蒸着するステップと、ｅ）前記側壁をシリサイド化するステップと、ｆ）前もってシリサイド化した部分に接してトランジスタのソース電極１３６とドレイン電極１３８を形成するように、第１の金属層の上に第２の金属層を蒸着するステップと、ｇ）ハード・マスクに対しては阻止される、第２の金属層の化学機械研磨を行なうステップと、を有する製造方法。 （もっと読む）

【課題】液体サンプルから分子のサイズによって特定の分子を分離する分離装置の提供。
【解決手段】分子は、分離装置１によって、前記分子と、分離される前記分子の流体力学直径よりも大きい流体力学直径を有する付加分子の少なくとも１つと、を含む液体サンプルから、分離される。前記分離装置は、基板２と、前記基板に配置される少なくとも１つの循環チャンネル７と、分離される前記分子と関係付けられており、且つ、前記基板の自由表面２ａの上に形成される少なくとも１つのナノチューブ３と、を備える。分離は、カーボンナノチューブのような、所定のものとして、且つ、制御された方法から選択された有効直径を有する、ナノチューブの内部チャンネル４によって達成する。前記内部チャンネルの前記有効直径は、分離される前記分子の流体力学直径よりも大きく、且つ、大きい流体力学直径の前記付加分子の流体力学直径よりも小さくなるように選択される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ_ｘＡ_ｙタイプの少なくとも１つの半導体を含有し、少なくとも４タイプの軽元素を有する基板を処理する基板処理方法を提供する。
【解決手段】４タイプの軽元素のうち第１の軽元素の熱活性化温度に対応する温度Ｔ１にて基板の第１のアニールを実行する工程と、４タイプの軽元素のうち第２の軽元素の熱活性化温度に対応する温度Ｔ２にて基板の第２のアニールを実行する工程と、４タイプの軽元素のうち第３の軽元素の熱活性化温度に対応する温度Ｔ３にて基板の第３のアニールを実行する工程と、４タイプの軽元素のうち第４の軽元素の熱活性化温度に対応する温度Ｔ４にて基板の第４のアニールを実行する工程と、を少なくとも有し、各アニールは、所定期間にわたって温度Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３またはＴ４を保持または維持する工程を有し、温度Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３およびＴ４は、Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３＞Ｔ４である。 （もっと読む）

【課題】多孔性材料から形成される微細経路を有する薄膜を、化学的機械的研磨法を用いて作製する方法を提供する。
【解決手段】貫通微細経路（１）を有する支持基板（２）の表面は、パッド（４）と浮遊状態の複数の粒子（５）を含む水溶液とに接触するよう移動される。パッド（４）および支持基板（２）の表面の間で、支持基板（２）の面に対して垂直な圧力を印加し、パッド（４）および表面の間に、支持基板の面に対して平行な方向の相対的な動きが与えられる。このようにして、少なくとも１つの粒子（５）が各微細な隙間（１）に導入され、多孔性材料を形成する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも２つの超小型電子チップのアセンブリを作製する方法および装置を提供する。
【解決手段】ウエハに形成されたチップ７のアセンブリを形成できる。各チップは、側面によって結合された２つの平行な主面を備える。少なくとも１つの側面は、スレッド部材１７を収納するための少なくとも１つの溝を備える。ウエハは、まずフレキシブルフィルム８に貼り付けられ、チップは切断される。その後、フィルムは変形されて、チップ間に間隔が設けられ、溝にアクセス可能になる。少なくとも１つのスレッド部材を通してチップを結合してデイジーチェーンが形成される。前記チップの溝にスレッドを挿入することにより、各チップはデイジーチェーンに挿入され、その後、変形可能なフィルムからチップは除去される。 （もっと読む）