説明

株式会社高松メッキにより出願された特許

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【課題】合せ材を層の中心部のコア材にのみ用いることにして、微細化が可能なメッキ手法について鋭意研究を重ねてきたもので、各金属層が均一且つ不離一体に形成され、層間において剥離が生じなく、また、LEDとの接触熱抵抗が極めて少いため、安定した放熱性および機械的強度を保持すると同時に、微細化が可能で耐薬品性についても信頼性が高いLED用ウエハを提供する。
【解決手段】Moからなる薄板状のコア材を中心として上下対称となるように、両面にAuまたはAu合金のAuメッキ表面層を形成し、コア材とAuメッキ表面層との間にそれを補完・維持する少なくともCuメッキ層からなる複合下地層を形成してなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】銀無垢材製品又は銀メッキ製品の表面を硫化変色から完全且つ安定的に防止し得る銀表面の硫化変色防止用メッキ液を提供する。
【解決手段】可溶性インジウム塩をインジウム金属量として1.0〜100.0g/L、導電性と緩衝性の塩類20.0〜300.0g/L、ピリジンカルボンのアミン系誘体0.005〜15.0g/L、六炭糖の単糖類0.1〜50.0g/L、及びアニオン系又は両性系表面活性剤0.01〜10.0g/Lとを含有するインジウム単体メッキ液からなることを特徴とする。
【発明の効果】インジウム単体又インジウム合金メッキ液は、銀メッキ皮膜の変色防止を効果しただけでなくメッキ液の保存安定性が極めて良好であり、作業性が良く作業環境も良好である。 (もっと読む)


【課題】合せ材を用いなく、用いても層の中心部の基材にのみ用いることにして鋭意研究を重ねてきたもので、各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供する。
【解決手段】層厚の中心部となる基母材の両面に1以上の金属層をめっきにより上下対称の配置となるように形成することを特徴とする。
【効果】基母材以外では合せ金属材を用いなく、これを中心にめっきにより各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、上下均等且つ対称を正確に形成した構造となることとも相まって、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】パッケージ基材に清浄に光を反射する銀メッキを施すもので、その銀メッキの上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト合金メッキ処理を施すことにより、経時的に又熱を受けてもLEDの光の反射面が高輝度を維持するLEDパッケージを提供する。
【解決手段】LEDチップが底面に接合されて納められ透明封入材が充填されるキャビティを有し、キャビティの少なくとも底面が銀メッキによる反射面であるLEDパッケージにおいて、該銀メッキの上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキが保護膜として施されている。
【効果】パッケージ基材に清浄に光を反射する銀メッキを施すもので、変色しやすいという銀メッキの欠点を解決し、その銀メッキの上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキを施すことにより、経時的に変色が防止され、LEDに係る高温でも高輝度且つ高効率な反射面を安定して維持することができる。 (もっと読む)


【課題】接続部における良好な半田接続性、接触部における良電導性を確保しつつ、中間部における低濡れ領域による半田上がりを確実に阻止できる回路基板用電気コネクタを提供することを課題とする。
【解決手段】端子20の中間部に回路基板の面に対して直角なハウジング10の壁部へ接面して保持される被保持部22が形成されており、被保持部22は壁部11に接面する接面部21−1と、接面部に対向する背面部22−4と、接面部22−1と背面部22−4をつなぐ側面部22−2,22−3とを有し、端子20は、接触部21と接続部23を除いた、少なくとも被保持部22での長手方向の一部の周面を低濡れ領域として形成されており、接触部21,(22B)が背面部における低濡れ領域の上限よりも上方域に形成され、低濡れ領域は背面部22−4における上限が側面部22−2,22−3及び接面部22−1における上限よりも下方に位置している。 (もっと読む)


【課題】工程が省け迅速であって作業性が良好であり、また、絶縁皮膜の絶縁性、耐熱性、密着性(メッキ処理金属との剥離防止)、追随性(プレス時におけるクラックなし)等の要求に応じ得る絶縁皮膜付き電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】多数の電子部品が成形される広さおよび形状を有する金属箔からなる原部材の表面にメッキを施してから電子部品毎の絶縁皮膜を形成するについて、インクジェット方式を取り、コンピュータからの信号によりプリントヘッドと原部材との相対的な移動を伴わせながら、原部材の所定箇所に絶縁樹脂材を着弾させて規則的間隔でドット集団からなる画像の絶縁皮膜を形成し、各絶縁皮膜を基準に切り取りながらそれぞれに製品または半製品としてのプレス成形を施す。 (もっと読む)


【課題】メッキ処理工程で発生するNiスラッジから、有価物としての価値を生み出し得る低品位Niリサイクルスラッジの製造方法を提供する。
【解決手段】排水処理ラインでは、酸・アルカリ水洗水などを含む産廃汚泥については、酸・アルカリ貯槽又は産廃汚泥槽(源水槽)に貯留し、次の還元槽では苛性ソーダおよび無機凝集剤を注入し、次のpH調整槽でアルカリにpH調整して水酸化物を作り、凝集槽へ送られる一方、Ni濃度が20〜100%の既成のNi高濃縮汚泥が、上記源水貯槽及び/又は還元槽及び/又はpH調整槽及び/又は凝集槽に凝集剤として添加され、その結果としての凝集物を沈降槽で沈降分離し、沈降した汚泥は下から引き抜き、次いで汚泥槽で貯留しながら脱水機に引き抜き、処理業者が経済的にNiを回収できるために買い取り可能な20%〜40%のNi低濃度の有価物としてスラッジを得る。 (もっと読む)


【課題】Au,Ag,Cuメッキに由来するシアン水洗水から、メッキ工場での既存の装置および簡単な作業で、かつ有価物としての価値を有するAu,Ag,Cuリサイクルスラッジを製造する方法の提供。
【解決手段】複数のメッキラインが並列されるエリアを設けるとともに、同エリアまたは同エリアに隣接して、Au,Ag,Cuリサイクルスラッジ化処理ラインと、Niリサイクルスラッジ化処理ラインとを設け、前者ラインでは、Au,Ag,Cuを含むシアン水洗水を、水酸化ナトリウム、硫酸、次亜塩素酸ナトリウムの投入によりシアン分解処理する工程の最終段階において、活性炭を注入することによりそれにAu,Ag,Cuを吸着させ、pH調整工程においては、水酸化ナトリウムの投入とともに、後者ラインで得られたNi,Cu濃縮汚泥を凝集剤として添加することにより脱水性を向上させ、高分子凝集剤を添加して沈降槽で沈下させた汚泥を脱水する。 (もっと読む)


【課題】Niメッキに由来する水洗水からNiスラッジを分離することによる、Niを経済的に回収可能な高品位Niリサイクルスラッジの製造方法を提供する。
【解決手段】Niメッキ工程またはNiメッキと他の金属メッキの複合工程からなる複数のメッキラインが並列されるエリアを設けるとともに、同エリアまたは同エリアに隣接して、Niメッキ水洗水のスラッジ化排水処理ラインを設け、凝集槽では有機系の高分子凝集剤を注入し、その凝集物を沈降槽で沈降分離し、沈降した汚泥は下から引き抜き、それを少なくとも一回は上記pH調整槽に戻しリサイクルさせ、再度沈降した汚泥は次の濃縮工程の汚泥槽に引き抜かれ、次いで、汚泥槽で貯留しながら脱水機に引き抜き、処理業者が経済的にNiを回収できるNi高濃度の有価物としてスラッジを得る。 (もっと読む)


【課題】シールドケースを被着しなくても電磁ノイズ対策として電磁波障害が除去され、回路基板に対する取付け強度もはんだ付けの手法により保持され、しかもリフローによっても品質が維持されるシールドケースを省いたコネクタを提供する。
【解決手段】絶縁性のプラスチックで成形されたハウジングに端子を装着してなるコネクタにおいて、ハウジングの外面に、シールドケースの代わりとして導電性ペーストを、端子の近傍を除いてほゞ全面的に塗布しハウジングを被覆することによりシールド塗膜を形成し、ハウジングを両端の下端部のシールド塗膜を介して回路基板にはんだ付けし得るように構成した。 (もっと読む)


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