【課題】基板の外周端部の全体を洗浄することが可能な基板保持回転装置、それを備えた基板洗浄装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗのベベル洗浄処理時には、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。この場合、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１においては各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２においては各チャックピン６１５が開状態となる。すなわち、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。 （もっと読む）

【課題】熱処理時の異常を厳密に検知することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ベークプレートに基板が載置された際に実測されたベークプレートの表面温度と設定温度との差の積分値を算定する。常温近傍の基板がベークプレートの表面所定位置に正確に載置されると、ベークプレート表面から基板への熱伝導が直ちに生じ、基板が急速に昇温する一方でベークプレートの表面温度が一時的に低下する。しかし、基板が傾いて載置されるなどの現象が発生したときには、ベークプレートから基板への伝熱量が少なくなり、ベークプレート表面温度の低下の程度が少なくなり、積分値も小さくなる。このため、算定された積分値が所定の閾値以下である場合には、熱処理に異常が発生したものと判定する。 （もっと読む）

【課題】現像液の消費量を抑制することができる現像装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを現像する現像装置において、基板Ｗを回転可能に保持するスピンチャックと、現像液を吐出する複数の吐出口ａ０、ａ１、ａ２（以下、単に吐出口ａという）が一列に並んで形成されて、各吐出口ａから吐出された現像液を互いに分離したままで基板Ｗに着液させる現像液ノズル１１と、吐出口ａの並び方向ｄ１を平面視で基板Ｗの中心に向かう一方向に保ちつつ、この一方向に前記現像液ノズル１１を移動することによって、前記現像液ノズル１１を平面視で基板Ｗの略中心と周縁とにわたって移動する水平移動機構２１と、スピンチャックと水平移動機構２１とを制御して、吐出口ａから基板Ｗ上に現像液をそれぞれ螺旋状に着液させて基板Ｗを現像する制御部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】レジストカバー膜の膜剥がれを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】反射防止膜用熱処理部の備える熱処理ユニットＴＰは、熱処理プレート２１０に支持された基板の上方を覆い、熱処理プレート２１０に支持された基板の周縁部に密着強化剤を吐出するカバー型ノズル２２１と、カバー型ノズル２２１に気相状態の密着強化剤を供給する気化処理装置２２２とを備える。制御部９１１は、熱処理プレート２１０に載置された基板Ｗに対する熱処理が行われている間に、カバー型ノズル２２１から基板Ｗの周縁部に気相状態の密着強化剤を吐出させて密着強化処理を実行する。これによって、基板Ｗの周縁部におけるレジストカバー膜と基板表面との密着性を強化することができる。また、熱処理と密着強化処理とを並行して行うのでスループットに影響を与えることもない。 （もっと読む）

【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。 （もっと読む）

【課題】現像処理後の基板を確実に乾燥させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】リンス液によって基板Ｗの上の現像液が洗い流された後、基板Ｗの回転速度が低下し、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。その後、基板Ｗの回転速度が上昇する。基板Ｗの回転速度の上昇により、遠心力が張力よりもやや大きくなることにより、液層Ｌは、周縁部の厚みが厚くなるとともに中心部の厚みが薄くなった状態で基板Ｗ上に保持される。続いて、ガス供給ノズル７５から液層Ｌの中心部に向けてガスが吐出され、液層Ｌの中心部にホールＨが形成される。それにより、液層Ｌの周縁部に働く遠心力に釣り合う張力が消滅する。また、ガスの吐出とともに基板Ｗの回転速度がさらに上昇する。それにより、液層Ｌが基板Ｗの外方に向かって移動する。 （もっと読む）

【課題】処理部に対して高い位置精度にて基板を搬送することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬送ロボットＴＲ１は、熱処理タワー２２，２３に設けられた冷却ユニットから第１下地塗布処理部２１および第２下地塗布処理部１２１に設けられた塗布処理ユニットに基板Ｗを搬送する。また、搬送ロボットＴＲ２は、熱処理タワー３２，３３に設けられた冷却ユニットからレジスト塗布処理部３１およびレジストカバー膜塗布処理部１３１に設けられた塗布処理ユニットに基板Ｗを搬送する。冷却ユニットには、位置決め機構が設けられており、水平面内における基板Ｗの位置が基準位置に合わせ込まれる。基準位置に合わせ込まれた基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２の吸着搬送アームが吸着保持して塗布処理ユニットに搬送するため、高い位置精度にて基板Ｗを搬入することができる。 （もっと読む）

【課題】露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの洗浄後、基板Ｗの一面を覆うようにリンス液の液層Ｌが形成される。続いて、液供給ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方から外方に向かって移動する。液供給ノズル６５０は、基板Ｗの中心部上方から所定距離移動した時点で一旦停止する。この期間に、遠心力により液層Ｌが薄層領域内で分断され、液層Ｌの中心部に乾燥コアＣが形成される。その後、液供給ノズル６５０が再び外方に向かって移動することにより、乾燥コアＣを始点としてリンス液が存在しない乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上で拡大する。 （もっと読む）

【課題】露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの洗浄後、基板Ｗが回転する状態で、液供給ノズル６５０がリンス液を吐出しつつ基板Ｗの中心部上方から外方に向かって移動する。この場合、リンス液が存在しない乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上で拡大する。液供給ノズル６５０が基板Ｗの周縁部上方まで移動すると、基板Ｗの回転速度が下降する。液供給ノズル６５０の移動速度はそのままで維持される。その後、リンス液の吐出が停止されるとともに液供給ノズル６５０が基板Ｗの外方に移動する。それにより、乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上の全体に広がり、基板Ｗが乾燥される。 （もっと読む）

【課題】吐出供給および噴霧供給のいずれによっても基板に現像液を供給することができる現像装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに現像液を吐出する吐出供給が可能で、かつ、現像液の液滴を窒素ガスとともに基板Ｗに噴射する噴霧供給が可能なノズル５と、ノズル５に現像液を供給する現像液配管１１と、ノズル５に窒素ガスを供給するガス配管２１と、各配管１１、２１に設けられる開閉弁１５、２５と、各開閉弁１５、２５を開閉させる制御部４１を備えている。制御部４１は各開閉弁１５、２５を開閉させることで、吐出供給と噴霧供給を切り換えて基板Ｗに現像液を供給できる。これにより、、多様なバリエーションで基板を現像することができので、種々の基板に対してそれぞれ適切に現像することができる。 （もっと読む）