基板処理装置
【課題】基板の外周端部の全体を洗浄することが可能な基板保持回転装置、それを備えた基板洗浄装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗのベベル洗浄処理時には、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。この場合、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１においては各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２においては各チャックピン６１５が開状態となる。すなわち、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。
【解決手段】基板Ｗのベベル洗浄処理時には、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。この場合、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１においては各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２においては各チャックピン６１５が開状態となる。すなわち、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置、それを備えた基板洗浄装置および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
基板処理装置においては、例えばスピンチャックにより基板が保持された状態で、基板の洗浄処理が行われる。スピンチャックとしては、基板の外周端部を保持する端面保持式のスピンチャックがある（例えば特許文献１参照）。端面保持式のスピンチャックは、例えば、モータと、モータにより回転駆動されるスピンベースと、スピンベース上に設けられる複数の保持ピンとから構成される。複数の保持ピンが基板の外周端部に当接することにより基板がスピンベース上で保持される。スピンチャックが鉛直軸の周りで回転することにより基板が水平姿勢で回転する。この状態で、基板の表面がブラシ等により洗浄される。
【特許文献１】特開平１０−９２９１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、基板の表面だけでなく基板の外周端部を洗浄する必要が生じる場合がある。このような場合、基板の外周端部が複数の保持ピンにより保持されていると、基板の外周端部の全体を均一に洗浄することが困難となる。
【０００５】
本発明の目的は、基板の外周端部の全体を洗浄することが可能な基板保持回転装置、それを備えた基板洗浄装置および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）第１の発明に係る基板保持回転装置は、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置であって、回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、回転部材を回転させる回転駆動手段と、基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に回転部材に設けられた複数の保持部材と、複数の保持部材を基板保持状態と基板解放状態とに切り替える保持部材切替手段とを備え、複数の保持部材の各々は、回転駆動手段による回転部材の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って回転軸の周りで回転し、保持部材切替手段は、回転部材の回転中に複数の保持部材のうち第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態にするとともに複数の保持部材のうち第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態にするものである。
【０００７】
その基板保持回転装置においては、回転駆動手段によって回転部材が回転軸線の周りで回転する。回転部材に設けられた複数の保持部材は、保持部材切替手段によって基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板開放状態とに切り替えられる。
【０００８】
回転部材の回転中には、保持部材切替手段により複数の保持部材のうち第１の領域に位置する保持部材が基板保持状態とされ、複数の保持部材のうち第２の領域に位置する保持部材が基板解放状態とされる。この場合、第１の領域に位置する保持部材が基板を保持した状態で移動し、第２の領域に位置する保持部材が基板の外周端部から離間した状態で移動する。それにより、第２の領域を通過する基板の外周端部と保持部材との間にスペースが形成され、そのスペースにおいて基板の外周端部の全体を洗浄することが可能となる。したがって、基板の外周端部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することが可能となる。
【０００９】
（２）保持部材切替手段は、磁力により第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態に切り替える第１の磁力発生部材と、磁力により第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態に切り替える第２の磁力発生部材とを含んでもよい。
【００１０】
この場合、磁力を利用することにより、移動する保持部材から第１および第２の磁力発生部材が離間した状態で第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態に切り替えることができるとともに第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態に切り替えることができる。したがって、保持部材切替手段の構成が複雑になることが防止される。
【００１１】
（３）第１の磁力発生部材は、第１の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して第１の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第１の磁石部材を含み、第２の磁力発生部材は、第２の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して第２の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第２の磁石部材を含んでもよい。
【００１２】
この場合、簡単な構成で確実に第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態に切り替えることができるとともに第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態に切り替えることができる。
【００１３】
（４）複数の保持部材の各々は、回転部材の下側において基板の外周端部に当接する当接位置と基板の外周端部から離間する離間位置との間で移動可能に設けられた保持部を有してもよい。
【００１４】
この場合、回転部材の下側に基板が配置された状態で保持部材の保持部が当接位置に移動することにより、回転部材の下側で基板が保持される。そのため、基板の下方に基板の下面を洗浄するためのスペースが形成される。したがって、基板の下面を洗浄することが容易になる。
【００１５】
（５）第２の発明に係る基板洗浄装置は、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、基板の外周端部を洗浄するための第１の洗浄具と、第１の洗浄具を移動させる第１の洗浄具移動手段とを備え、基板保持回転装置は、回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、回転部材を回転させる回転駆動手段と、基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に回転部材に設けられた複数の保持部材と、複数の保持部材を基板保持状態と基板解放状態とに切り替える保持部材切替手段とを含み、複数の保持部材の各々は、回転駆動手段による回転部材の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って回転軸の周りで回転し、保持部材切替手段は、回転部材の回転中に複数の保持部材のうち第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態にするとともに複数の保持部材のうち第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態にし、第１の洗浄具移動手段は、第１の領域に位置する保持部材が基板保持状態にあるとともに第２の領域に位置する保持部材が基板解放状態にあるときに第１の洗浄具を第２の領域に移動させるものである。
【００１６】
その基板洗浄装置においては、基板保持回転装置により基板が保持されつつ回転する。基板保持回転装置の回転部材は、駆動手段によって回転軸線の周りで回転する。回転部材に設けられた複数の保持部材は、保持部材切替手段によって基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板開放状態とに切り替えられる。
【００１７】
回転部材の回転中には、保持部材切替手段により複数の保持部材のうち第１の領域に位置する保持部材が基板保持状態とされ、複数の保持部材のうち第２の領域に位置する保持部材が基板解放状態とされる。この場合、第１の領域に位置する保持部材が基板を保持した状態で移動し、第２の領域に位置する保持部材が基板の外周端部から離間した状態で移動する。それにより、第２の領域を通過する基板の外周端部と保持部材との間にスペースが形成される。
【００１８】
そのスペースに第１の洗浄具が第１の洗浄具移動手段によって移動し、回転する基板の外周端部に接触する。それにより、基板の外周端部の全体を第１の洗浄具によって洗浄することができ、基板の外周端部に付着する汚染物を確実に取り除くことができる。その結果、基板の外周端部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することができる。
【００１９】
（６）基板洗浄装置は、基板の上面または下面を洗浄するための第２の洗浄具と、第２の洗浄具を移動させる第２の洗浄具移動手段とをさらに備え、第２の洗浄具移動手段は、第１の領域に位置する保持部材が基板保持状態にあるとともに第２の領域に位置する保持部材が基板解放状態にあるときに第２の洗浄具を第２の領域を通して基板の上面側または下面側に移動させてもよい。
【００２０】
この場合、第１の領域に位置する保持部材によって基板を保持しつつ回転させながら、第２の領域を通して第２の洗浄具を基板と回転部材との間に移動させることができる。それにより、回転部材の下側に基板が位置する場合において基板の上面を第２の洗浄具によって洗浄することができ、回転部材の上側に基板が位置する場合において基板の下面を第２の洗浄具によって洗浄することができる。
【００２１】
（７）保持部材切替手段は、磁力により第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態に切り替える第１の磁力発生部材と、磁力により第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態に切り替える第２の磁力発生部材とを含んでもよい。
【００２２】
この場合、磁力を利用することにより、移動する保持部材から第１および第２の磁力発生部材が離間した状態で第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態に切り替えることができるとともに第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態に切り替えることができる。したがって、保持部材切替手段の構成が複雑になることが防止される。
【００２３】
（８）第１の磁力発生部材は、第１の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して第１の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第１の磁石部材を含み、第２の磁力発生部材は、第２の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して第２の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第２の磁石部材を含んでもよい。
【００２４】
この場合、簡単な構成で確実に第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態に切り替えることができるとともに第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態に切り替えることができる。
【００２５】
（９）複数の保持部材の各々は、回転部材の下側において基板の外周端部に当接する当接位置と基板の外周端部から離間する離間位置との間で移動可能に設けられた保持部を有し、基板洗浄装置は、回転部材の下方で基板を支持する基板支持部材と、基板支持部材を昇降させる支持部材昇降手段とをさらに備えてもよい。
【００２６】
この場合、基板支持部材により基板が支持された状態で、支持部材昇降手段により基板支持部材が上昇する。それにより、基板が複数の保持部材の間に移動する。その状態で、複数の保持部材の保持部が当接位置に移動することにより、回転部材の下側で基板を保持することができる。その後、基板支持部材が下降することにより、基板の下方に基板の下面を洗浄するためのスペースが形成される。これにより、基板の下面を容易に洗浄することができる。
【００２７】
（１０）第３の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、基板の洗浄処理を行う洗浄処理ユニットを含み、洗浄処理ユニットは、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、基板の外周端部を洗浄するための洗浄具と、洗浄具を移動させる洗浄具移動手段とを備え、基板保持回転装置は、回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、回転部材を回転させる回転駆動手段と、基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に回転部材に設けられた複数の保持部材と、複数の保持部材を基板保持状態と基板解放状態とに切り替える保持部材切替手段とを含み、複数の保持部材の各々は、回転駆動手段による回転部材の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って回転軸の周りで回転し、保持部材切替手段は、回転部材の回転中に複数の保持部材のうち第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態にするとともに複数の保持部材のうち第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態にし、洗浄具移動手段は、保持部材切替手段が第１の領域にある保持部材を基板保持状態に切り替えるとともに第２の領域にある保持部材を基板解放状態に切り替えた状態で洗浄具を第２の領域に移動させるものである。
【００２８】
その基板処理装置においては、処理部により基板に所定の処理が行われ、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置へ受け渡される。露光装置により基板に露光処理が行われた後、その基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ受け渡される。露光装置による露光処理前または露光処理後には、洗浄処理ユニットにより基板の洗浄処理が行われる。
【００２９】
基板洗浄装置においては、基板保持回転装置により基板が保持されつつ回転する。基板保持回転装置の回転部材は、駆動手段によって回転軸線の周りで回転する。回転部材に設けられた複数の保持部材は、保持部材切替手段によって基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板開放状態とに切り替えられる。
【００３０】
回転部材の回転中には、保持部材切替手段により複数の保持部材のうち第１の領域に位置する保持部材が基板保持状態とされ、複数の保持部材のうち第２の領域に位置する保持部材が基板解放状態とされる。この場合、第１の領域に位置する保持部材が基板を保持した状態で移動し、第２の領域に位置する保持部材が基板の外周端部から離間した状態で移動する。それにより、第２の領域を通過する基板の外周端部と保持部材との間にスペースが形成される。
【００３１】
そのスペースに洗浄具が洗浄具移動手段によって移動し、回転する基板の外周端部に接触する。それにより、基板の外周端部の全体を洗浄具によって洗浄することができ、基板の外周端部に付着する汚染物を取り除くことができる。その結果、基板の外周端部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することができる。
【００３２】
露光装置による露光処理前に洗浄処理ユニットにより基板の外周端部を洗浄する場合には、基板の外周端部の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止でき、寸法不良および形状不良等のパターン不良を防止することができる。また、露光装置による露光処理後に洗浄処理ユニットにより基板の外周端部を洗浄する場合には、露光パターンの現像時における現像欠陥の発生を防止することができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、基板の外周端部の全体を洗浄することが可能となる。それにより、基板の外周端部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態に係る基板保持回転装置、それを備えた基板洗浄装置および基板処理装置基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００３５】
（１）第１の実施の形態
（１−１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００３６】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００３７】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００３８】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００３９】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００４０】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００４１】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
【００４２】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００４３】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００４４】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４５】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００４６】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００４７】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
【００４８】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００４９】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
【００５０】
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の詳細は後述する。
【００５１】
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００５２】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
【００５３】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見が概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００５４】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００５５】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
【００５６】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
【００５７】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
【００５８】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
【００５９】
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００６０】
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
【００６１】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６２】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６３】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６４】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６５】
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６６】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
【００６７】
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
【００６８】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
【００６９】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
【００７０】
（１−２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００７１】
（１−２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
【００７２】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００７３】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００７４】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００７５】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００７６】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００７７】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００７８】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００７９】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００８０】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００８１】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００８２】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。ジストカバー膜が形成されることにより、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レジスト膜が液体と接触することが防止され、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。
【００８３】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００８４】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
【００８５】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
【００８６】
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００８７】
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
【００８８】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
【００８９】
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【００９０】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【００９１】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００９２】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００９３】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００９４】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００９５】
（１−２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【００９６】
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
【００９７】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【００９８】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００９９】
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【０１００】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【０１０１】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【０１０２】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【０１０３】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０１０４】
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
【０１０５】
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
【０１０６】
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【０１０７】
ここで、本実施の形態においては、第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１１（図１）、エッジ露光部ＥＥＷ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、送りバッファ部ＳＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および露光後ベーク用熱処理部１４１の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
【０１０８】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、露光装置１６、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２および基板載置部ＰＡＳＳ１３の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
【０１０９】
これらの結果、スループットを確実に向上させることができる。
【０１１０】
（１−３）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１について図面を用いて詳細に説明する。図５および図６は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の構成を示す側面図および概略平面図である。なお、図６には、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の一部の構成要素が模式的に示される。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と同様の構成を有する。
【０１１１】
図５および図６に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック６１０を備える。スピンチャック６１０は、スピンモータ６１１、回転軸６１１ａ、円板状のスピンプレート６１２、プレート支持部材６１３、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよび複数のチャックピン６１５を含む。
【０１１２】
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の上部にスピンモータ６１１が設けられている。スピンモータ６１１は、図示しない支持部材によって支持されている。スピンモータ６１１から下方に延びるように回転軸６１１ａが設けられている。回転軸６１１ａの下端部にはプレート支持部材６１３が取り付けられている。プレート支持部材６１３によりスピンプレート６１２が水平に支持されている。スピンモータ６１１によって回転軸６１１ａが回転することにより、スピンプレート６１２が鉛直軸の周りで回転する。
【０１１３】
スピンモータ６１１、回転軸６１１ａおよびプレート支持部材６１３には、液供給管６１０ａが挿通されている。液供給管６１０ａを通して、スピンチャック６１０により保持される基板Ｗ上に洗浄液を供給することができる。洗浄液としては、例えば純水が用いられる。
【０１１４】
スピンプレート６１２の周縁部には、複数（本例では５つ）のチャックピン６１５が回転軸６１１ａに関して等角度間隔で設けられている。チャックピン６１５の個数は、５つ以上であることが望ましい。その理由については後述する。
【０１１５】
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａ、ピン支持部６１５ｂ、保持部６１５ｃおよびマグネット６１６を含む。スピンプレート６１２を貫通するように軸部６１５ａが設けられ、軸部６１５ａの下端部に水平方向に延びるピン支持部６１５ｂが接続されている。ピン支持部６１５ｂの先端部から下方に突出するように保持部６１５ｃが設けられている。また、スピンプレート６１２の上面側において、軸部６１５ａの上端部にマグネット６１６が取り付けられている。
【０１１６】
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａを中心に鉛直軸の周りで回転可能であり、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部に当接する閉状態と、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部から離間する開状態とに切替可能である。なお、本例では、マグネット６１６のＮ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネット６１６のＳ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が開状態となる。
【０１１７】
スピンプレート６１２の上方には、回転軸６１１ａを中心とする周方向に沿ってマグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが配置される。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは、外側にＳ極を有し、内側にＮ極を有する。マグネットプレート６１４ａ，６１５ｂは、マグネット昇降機構６１７ａ，６１７ｂによってそれぞれ独立に昇降し、チャックピン６１５のマグネット６１６よりも高い上方位置とチャックピン６１５のマグネット６１６とほぼ等しい高さの下方位置との間で移動する。
【０１１８】
マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの昇降により、各チャックピン６１５が開状態と閉状態とに切り替えられる。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよびチャックピン６１５の動作の詳細については後述する。
【０１１９】
スピンチャック６１０の外方には、基板Ｗから飛散する洗浄液を受け止めるためのガード６１８が設けられている。ガード６１８は、スピンチャック６１０の回転軸６１１ａに関して回転対称な形状を有する。また、ガード６１８は、ガード昇降機構６１８ａにより昇降する。ガード６１８により受け止められた洗浄液は、図示しない排液装置または回収装置により排液または回収される。
【０１２０】
ガード６１８の外方には、３つ以上（本例では３つ）の基板受け渡し機構６２０がスピンチャック６１０の回転軸６１１ａを中心として等角度間隔で配置されている。各基板受け渡し機構６２０は、昇降回転駆動部６２１、回転軸６２２、アーム６２３および保持ピン６２４を含む。昇降回転駆動部６２１から上方に延びるように回転軸６２２が設けられ、回転軸６２２の上端部から水平方向に延びるようにアーム６２３が連結されている。アーム６２３の先端部に、基板Ｗの外周端部を保持するための保持ピン６２４が設けられている。
【０１２１】
昇降回転駆動部６２１により、回転軸６２２が昇降動作および回転動作を行う。それにより、保持ピン６２４が水平方向および上下方向に移動する。
【０１２２】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の下部には、スピンチャック６１０により保持される基板Ｗの外周端部および裏面を洗浄するための洗浄ブラシ６３０が設けられている。洗浄ブラシ６３０は略円柱形状を有し、外周面には断面Ｖ字状の溝６３５が形成されている。洗浄ブラシ６３０はブラシ保持部材６３１により保持されている。ブラシ保持部材６３１がブラシ移動機構６３２によって駆動されことにより、洗浄ブラシ６３０が水平方向および鉛直方向に移動する。
【０１２３】
洗浄ブラシ６３０の近傍におけるブラシ保持部材６３１の部分には洗浄ノズル６３３が取り付けられている。洗浄ノズル６３３には洗浄液が供給される液供給管（図示せず）が接続されている。洗浄ノズル６３３の吐出口は洗浄ブラシ６３０周辺に向けられており、吐出口から洗浄ブラシ６３０周辺に向けて洗浄液が吐出される。
【０１２４】
（１−４）基板の保持動作
次に、スピンチャック６１０による基板Ｗの保持動作について説明する。図７および図８は、スピンチャック６１０による基板Ｗの保持動作を説明するための図である。
【０１２５】
まず、図７（ａ）に示すように、ガード６１８がチャックピン６１５よりも低い位置に移動する。そして、複数の基板受け渡し機構６２０（図５）の保持ピン６２４がガード６１８の上方を通ってスピンプレート６１２の下方に移動する。複数の保持ピン６２４上に第６のセンターロボットＣＲ６（図１）により基板Ｗが載置される。
【０１２６】
このとき、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは上方位置にある。この場合、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの磁力線Ｂは、チャックピン６１５のマグネット６１６の高さにおいて内側から外側に向かう。それにより、各チャックピン６１５のマグネット６１６のＳ極が内側に吸引される。したがって、各チャックピン６１５は開状態となる。
【０１２７】
続いて、図７（ｂ）に示すように、複数の保持ピン６２４が基板Ｗを保持した状態で上昇する。これにより、基板Ｗが複数のチャックピン６１５の保持部６１５ｃの間に移動する。
【０１２８】
続いて、図８（ｃ）に示すように、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが下方位置に移動する。この場合、各チャックピン６１５のマグネット６１６のＮ極が内側に吸引される。それにより、各チャックピン６１５が閉状態となり、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃによって基板Ｗの外周端部が保持される。なお、各チャックピン６１５は、隣接する保持ピン６２４間で基板Ｗの外周端部を保持する。そのため、チャックピン６１５と保持ピン６２４とは互いに干渉しない。その後、複数の保持ピン６２４がガード６１８の外方に移動する。
【０１２９】
続いて、図８（ｄ）に示すように、ガード６１８がチャックピン６１５により保持される基板Ｗを取り囲む高さに移動する。そして、基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理が順に行われる。
【０１３０】
（１−５）洗浄処理および乾燥処理
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、洗浄処理として基板Ｗの表面（上面）を洗浄する表面洗浄処理、基板の裏面（下面）を洗浄する裏面洗浄処理、および基板Ｗの外周端部（ベベル部）を洗浄するベベル洗浄処理が行われ、その後、基板Ｗの乾燥処理が行われる。
【０１３１】
図９は基板Ｗの表面洗浄処理および裏面洗浄処理について説明するための側面図であり、図１０は基板Ｗのベベル洗浄処理について説明するための側面図および平面図である。
【０１３２】
基板Ｗの表面洗浄処理時には、図９（ａ）に示すように、スピンチャック６１０により基板Ｗが回転する状態で、液供給管６１０ａを通して基板Ｗの表面に洗浄液が供給される。洗浄液は遠心力によって基板Ｗの表面の全体に広がり、外方に飛散する。これにより、基板Ｗの表面に付着する塵埃等が洗い流される。また、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液中に溶出し、洗い流される。
【０１３３】
基板Ｗの裏面洗浄処理時には、図９（ｂ）に示すように、スピンチャック６１０により基板Ｗが回転する状態で、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの下方に移動する。そして、洗浄ブラシ６３０の上面と基板Ｗの裏面とが接触する状態で、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの中心部下方と周縁部下方との間で移動する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から洗浄液が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。
【０１３４】
基板Ｗのベベル洗浄処理時には、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。その状態で、スピンチャック６１０により基板Ｗが回転する。
【０１３５】
この場合、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１（図１０（ｂ）参照）においては各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２（図１０（ｂ）参照）においては各チャックピン６１５が開状態となる。すなわち、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。
【０１３６】
本例では、５つのチャックピン６１５のうちの少なくとも４つのチャックピン６１５がマグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１に位置する。この場合、少なくとも４つのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。それにより、基板Ｗの安定性が確保される。
【０１３７】
その状態で、洗浄ブラシ６３０が、外方領域Ｒ２においてチャックピン６１５の保持部６１５ｃと基板Ｗの外周端部との間に移動する。そして、洗浄ブラシ６３０の溝６３５が、基板Ｗの外周端部に押し当てられる。洗浄ブラシ６３０と基板Ｗとの接触部分には、洗浄ノズル６３３（図５）から洗浄液が供給される。これにより、基板Ｗの外周端部の全体が洗浄され、基板Ｗの外周端部に付着する汚染物が取り除かれる。
【０１３８】
なお、ベベル洗浄処理時に図５の液供給６１０ａを通して基板Ｗの表面に洗浄液を供給してもよい。その場合、ベベル洗浄処理と表面洗浄処理とを同時に行うことができる。また、基板Ｗの裏面を洗浄する裏面洗浄ブラシを洗浄ブラシ６３０と別個に設け、ベベル洗浄処理時に裏面洗浄ブラシを基板Ｗの裏面に接触させてもよい。その場合、ベベル洗浄処理と裏面洗浄処理とを同時に行うことができる。あるいは、ベベル洗浄処理、表面洗浄処理および裏面洗浄処理を同時に行ってもよい。
【０１３９】
上記の表面洗浄処理、裏面洗浄処理およびベベル洗浄処理の後には、基板Ｗの乾燥処理が行われる。この場合、マグネットプレート６１４ａ，６１５ｂが下方位置に配置され、全てのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。その状態で、スピンチャック６１０により基板Ｗが高速で回転する。それにより、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。
【０１４０】
なお、基板Ｗの乾燥処理時に、液供給管１０ａを通して基板Ｗに不活性ガス（例えば窒素ガス）またはエア（空気）等の気体を供給してもよい。その場合、スピンプレート６１２と基板Ｗとの間に形成される気流によって基板Ｗ上の洗浄液が外方に吹き飛ばされる。それにより、基板Ｗを効率よく乾燥させることができる。
【０１４１】
（１−６）第１の実施の形態の効果
本実施の形態では、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において、露光処理前の基板Ｗの洗浄処理が行われる。それにより、露光装置１６内の汚染を防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することを防止することができる。
【０１４２】
また、基板Ｗの表面洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗ上に液体が供給された際に、その液体中にレジストカバー膜の成分が溶出することが防止される。
【０１４３】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１では、外方領域Ｒ１に位置するチャックピン６１５の保持部６１５ｃで基板Ｗの外周端部を保持して基板Ｗを回転させながら、外方領域Ｒ２に位置するチャックピン６１５の保持部６１５ｃを基板Ｗの外周端部から離間させることにより、洗浄ブラシ６３０により基板Ｗの外周端部を洗浄することができる。この場合、基板Ｗの裏面を真空吸着により保持する吸着式のスピンチャックを用いる場合と異なり、基板Ｗの裏面に吸着痕等を形成することなく、基板Ｗの外周端部を十分に清浄にすることができる。
【０１４４】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１では、スピンチャック６１０が基板Ｗの上方に位置するので、洗浄ブラシ６３０による基板Ｗの裏面の洗浄が可能となり、基板Ｗの裏面に付着する汚染物を確実に取り除くことができる。また、塗布ユニットＲＥＳ等の他のユニットにおいて、吸着式のスピンチャックにより基板Ｗの裏面に吸着痕が形成された場合でも、その吸着痕を露光処理前に確実に取り除くことができる。これにより、露光装置内の汚染、および基板Ｗの裏面の凹凸に起因するデフォーカスの発生を確実に防止することができる。
【０１４５】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの処理不良をより確実に防止することができる。また、露光処理後の基板Ｗが清浄に維持されることにより、現像欠陥の発生を防止することができる。
【０１４６】
（１−７）変形例
上記第１の実施の形態における洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２では、磁力によってチャックピン６１５を閉状態と開状態とに切り替えているが、機械的な構造および電気的な制御によりチャックピン６１５を閉状態と開状態とに切り替えてもよい。
【０１４７】
また、上記第１の実施の形態における洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２では、基板Ｗをスピンプレート６１２の下側で保持するスピンチャック６１０が用いられるが、基板Ｗをスピンプレート６１２の上側で保持するスピンチャックを用いてもよい。
【０１４８】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。
【０１４９】
また、上記第１の実施の形態では、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２がインターフェースブロック１５内に配置されるが、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方が図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４内に配置されてもよい。あるいは、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方を含む洗浄／乾燥処理ブロックを図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１５との間に設けてもよい。
【０１５０】
また、上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１６を基板処理装置５００の外部装置として設ける場合について説明したが、これに限定されず、液体を用いずに基板Ｗの露光処理を行う露光装置を基板処理装置５００の外部装置として設けてもよい。
【０１５１】
（２）第２の実施の形態
（２−１）基板処理装置の構成および動作
図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。この基板処理装置では、基板Ｗ上に種々の膜が形成されていない状態で、基板Ｗに洗浄処理が行われる。
【０１５２】
図１１に示すように、基板処理装置８００は、インデクサ部８１０および洗浄処理部８２０を含む。インデクサ部８１０には、複数のキャリア載置台８１１およびインデクサロボットＩＲａが設けられている。キャリア載置台８１１の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲａは、キャリアＣと洗浄処理部８２０との間で基板Ｗを搬送する。
【０１５３】
洗浄処理部８２０の中央部には、メインロボットＭＲが設けられている。メインロボットＭＲとインデクサ部８１０との間には、一時的に基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ８１，ＰＡＳＳ８２が上下に設けられる。また、メインロボットＭＲを取り囲むように、２つの洗浄処理ユニットＳＳ、乾燥処理ユニットＤＲＹ、制御ユニットＣＯＮ、および処理液貯蔵部ＴＡが設けられている。
【０１５４】
なお、洗浄処理ユニットＳＳおよび乾燥処理ユニットＤＲＹの個数は上記に限らず、任意に設定してもよい。また、複数の洗浄処理ユニットＳＳおよび複数の乾燥処理ユニットＤＲＹをそれぞれ多段に積層して設けてもよい。
【０１５５】
洗浄処理ユニットＳＳにより基板Ｗに洗浄処理が行われる。洗浄処理ユニットＳＳの詳細については後述する。乾燥処理ユニットＤＲＹは、洗浄処理後の基板Ｗに乾燥処理を行う。制御ユニットＣＯＮは、基板処理装置８００の各構成要素の動作を制御する。処理液貯蔵部ＴＡには、洗浄液等の処理液を貯留する貯留タンクおよび配管等の流体関連機器が収納されている。
【０１５６】
次に、基板処理装置８００の動作について説明する。まず、インデクサロボットＩＲａがキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。続いて、インデクサロボットＩＲａが矢印Ｕ方向に移動しつつ鉛直軸の周りで回転し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８２に載置する。
【０１５７】
基板載置部ＰＡＳＳ８２に載置された未処理の基板Ｗは、メインロボットＭＲにより受け取られる。メインロボットＭＲは、その基板Ｗを洗浄処理ユニットＳＳに搬入する。その後、メインロボットＭＲは、洗浄処理ユニットＳＳから洗浄処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを乾燥処理ユニットＤＲＹに搬入する。
【０１５８】
続いて、メインロボットＭＲは、乾燥処理ユニットＤＲＹから乾燥処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ８１に載置された基板Ｗは、インデクサロボットＩＲによりキャリアＣに収納される。これにより、基板処理装置８００における基板Ｗの各処理が終了する。
【０１５９】
（２−２）洗浄処理ユニットＳＳ
次に、洗浄処理ユニットＳＳについて上記の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と異なる点を説明する。図１２および図１３は、洗浄処理ユニットＳＳの構成を示す側面図および概略平面図である。なお、図１３には、洗浄処理ユニットＳＳの一部の構成要素が模式的に示される。
【０１６０】
図１２に示すように、洗浄処理ユニットＳＳにおいては、スピンチャック６１０の下方に表面洗浄機構６６０が設けられている。表面洗浄機構６６０は、昇降回転駆動部６６１、回転軸６６２、アーム６６３および表面洗浄ブラシ６６４を含む。昇降回転駆動部６６１から上方に延びるように回転軸６６２が設けられ、回転軸６６２の上端部から水平方向に延びるようにアーム６６３が連結されている。アーム６６３の先端部に、表面洗浄ブラシ６６４が取り付けられている。昇降回転駆動部６６１により、回転軸６２２が昇降動作および回転動作を行う。それにより、表面洗浄ブラシ６６４が水平方向および上下方向に移動する。
【０１６１】
図１３に示すように、表面洗浄機構６６０の回転軸６６２は外方領域Ｒ２に位置する。表面洗浄機構６６０のアーム６６３は、基板Ｗの外周に沿うように湾曲している。アーム６６３の長さは、マグネットプレート６１４ｂの長さとほぼ等しく設定されている。また、図１２のスピンプレート６１２の周縁部には、８つのチャックピン６１５が回転軸６１１ａに関して等角度間隔で設けられている。
【０１６２】
この洗浄処理ユニットＳＳでは、図９（ｂ）に示した基板Ｗの裏面洗浄処理および図１０に示した基板Ｗのベベル洗浄処理が行われるとともに、表面洗浄ブラシ６６４を用いた基板Ｗの表面洗浄処理が行われる。図１４は、表面洗浄ブラシ６６４を用いた基板Ｗの表面洗浄処理について説明するための側面図および概略平面図である。
【０１６３】
表面洗浄処理時には、図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。その状態で、スピンチャック６１０により基板Ｗが回転する。この場合、上記のベベル洗浄処理時と同様に、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。
【０１６４】
本例では、８つのチャックピン６１５のうちの少なくとも６つのチャックピン６１５がマグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１に位置する。この場合、少なくとも６つのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。それにより、基板Ｗの安定性が確保される。
【０１６５】
離間した基板Ｗの外周端部とチャックピン６１５の保持部６１５ｃとの間を通って表面洗浄機構６６０の回転軸６６２が所定の高さまで上昇する。そして、アーム６６３が回転軸６６２の周りで回転する。それにより、表面洗浄ブラシ６６４がスピンプレート６１２と基板Ｗの表面との間に移動する。
【０１６６】
回転軸６６２が上昇する際には、アーム６６３は基板Ｗの外周に沿った状態で維持される（図１４（ｂ）に点線で示す状態）。この場合、外方領域Ｒ２において離間する基板Ｗの外周端部とチャックピン６１５の保持部６１５ｃとの間をアーム６６３が通過する。
【０１６７】
続いて、表面洗浄ブラシ６６４の下面と基板Ｗの表面とが接触する状態で、表面洗浄ブラシ６６４が基板Ｗの中心部上方と基板Ｗの周縁部上方との間で移動する。また、図１２の液供給管６１０ａを通して基板Ｗの表面に洗浄液が供給される。これにより、基板Ｗの表面の全体が表面洗浄ブラシ６６４により洗浄され、基板Ｗの表面に付着する汚染物が十分に取り除かれる。
【０１６８】
なお、表面洗浄ブラシ６６４による表面洗浄処理と洗浄ブラシ６３０による基板Ｗのベベル洗浄処理とを同時に行ってもよい。また、基板Ｗの裏面を洗浄する裏面洗浄ブラシを洗浄ブラシ６３０および表面洗浄ブラシ６６４と別個に設け、上記の表面洗浄処理と裏面洗浄ブラシによる裏面洗浄処理とを同時に行ってもよい。あるいは、ベベル洗浄処理、表面洗浄処理および裏面洗浄処理を同時に行ってもよい。
【０１６９】
表面洗浄処理、裏面洗浄処理およびベベル洗浄処理の後には、上記の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と同様に、基板Ｗの乾燥処理が行われる。
【０１７０】
（２−３）第２の実施の形態の効果
本実施の形態では、共通の洗浄処理ユニットＳＳにおいて基板Ｗの表面、裏面および外周端部を洗浄することができる。そのため、基板Ｗの表面を洗浄するユニット、基板Ｗの裏面を洗浄するユニットおよび基板Ｗの外周端部を洗浄するユニットを別個に設ける場合に比べて、フットプリントの低減および基板処理装置８００の小型化が可能となる。また、そのような複数のユニットを設ける場合に比べて基板Ｗの搬送工程を削減することができるので、スループットを向上することができる。
【０１７１】
（２−４）
上記第２の実施の形態における洗浄処理ユニットＳＳでは、磁力によってチャックピン６１５を閉状態と開状態とに切り替えているが、機械的な構造および電気的な制御によりチャックピン６１５を閉状態と開状態とに切り替えてもよい。
【０１７２】
また、上記第２の実施の形態における洗浄処理ユニットＳＳでは、基板Ｗをスピンプレート６１２の下側で保持するスピンチャック６１０が用いられるが、基板Ｗをスピンプレート６１２の上側で保持するスピンチャックを用いてもよい。
【０１７３】
（３）他の実施の形態
上記実施の形態では、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１を基板処理装置５００に設ける場合および洗浄処理ユニットＳＳを基板処理装置８００に設ける場合について説明したが、これに限らず、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１および洗浄処理ユニットＳＳを他の基板処理装置に設けてもよく、または洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１および洗浄処理ユニットＳＳを単独で用いてもよい。
【０１７４】
（４）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１７５】
上記実施の形態では、スピンチャック６１０が基板保持回転装置の例であり、スピンプレート６１２が回転部材の例であり、スピンモータ６１１が回転駆動手段の例であり、チャックピン６１５が保持部材の例であり、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよびマグネット昇降機構６１７ａ，６１７ｂが保持部材切替手段の例であり、マグネットプレート６１４ａが第１の磁力発生部材および第１の磁石部材の例であり、マグネットプレート６１４ｂが第２の磁力発生部材および第２の磁石部材の例である。
【０１７６】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２および洗浄処理ユニットＳＳが基板洗浄装置の例であり、洗浄ブラシ６３０が第１の洗浄具の例であり、ブラシ移動機構６３２が第１の洗浄具移動手段の例であり、表面洗浄ブラシ６６４が第２の洗浄具の例であり、昇降回転駆動部６６１が第２の洗浄具移動手段の例であり、保持ピン６２４が基板支持部材の例であり、昇降回転駆動部６２１が支持部材昇降手段の例である。
【０１７７】
また、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例である。
【０１７８】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１７９】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１８０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図４】インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。
【図５】洗浄／乾燥処理ユニットの構成を示す側面図である。
【図６】洗浄／乾燥処理ユニットの構成を示す概略平面図である。
【図７】スピンチャックによる基板Ｗの保持動作を説明するための図である。
【図８】スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。
【図９】基板の表面洗浄処理および裏面洗浄処理について説明するための側面図である。
【図１０】基板のベベル洗浄処理について説明するための側面図および平面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図１２】洗浄処理ユニットの構成を示す側面図である。
【図１３】洗浄処理ユニットの構成を示す概略平面図である。
【図１４】表面洗浄ブラシを用いた基板Ｗの表面洗浄処理について説明するための側面図および概略平面図である。
【符号の説明】
【０１８１】
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
５００，８００ 基板処理装置
６１０ スピンチャック
６１１ スピンモータ
６１２ スピンプレート
６１４ａ，６１４ｂ マグネットプレート
６１５ チャックピン
６１５ｃ 保持部
６１６ マグネット
６１７ａ，６１７ｂ マグネット昇降機構
６２１ 昇降回転駆動部
６２４ 保持ピン
６３０ 洗浄ブラシ
６３２ ブラシ移動機構
６６１ 昇降回転駆動部
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄／乾燥処理ユニット
ＳＳ 洗浄処理ユニット
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置、それを備えた基板洗浄装置および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
基板処理装置においては、例えばスピンチャックにより基板が保持された状態で、基板の洗浄処理が行われる。スピンチャックとしては、基板の外周端部を保持する端面保持式のスピンチャックがある（例えば特許文献１参照）。端面保持式のスピンチャックは、例えば、モータと、モータにより回転駆動されるスピンベースと、スピンベース上に設けられる複数の保持ピンとから構成される。複数の保持ピンが基板の外周端部に当接することにより基板がスピンベース上で保持される。スピンチャックが鉛直軸の周りで回転することにより基板が水平姿勢で回転する。この状態で、基板の表面がブラシ等により洗浄される。
【特許文献１】特開平１０−９２９１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、基板の表面だけでなく基板の外周端部を洗浄する必要が生じる場合がある。このような場合、基板の外周端部が複数の保持ピンにより保持されていると、基板の外周端部の全体を均一に洗浄することが困難となる。
【０００５】
本発明の目的は、基板の外周端部の全体を洗浄することが可能な基板保持回転装置、それを備えた基板洗浄装置および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）第１の発明に係る基板保持回転装置は、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置であって、回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、回転部材を回転させる回転駆動手段と、基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に回転部材に設けられた複数の保持部材と、複数の保持部材を基板保持状態と基板解放状態とに切り替える保持部材切替手段とを備え、複数の保持部材の各々は、回転駆動手段による回転部材の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って回転軸の周りで回転し、保持部材切替手段は、回転部材の回転中に複数の保持部材のうち第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態にするとともに複数の保持部材のうち第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態にするものである。
【０００７】
その基板保持回転装置においては、回転駆動手段によって回転部材が回転軸線の周りで回転する。回転部材に設けられた複数の保持部材は、保持部材切替手段によって基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板開放状態とに切り替えられる。
【０００８】
回転部材の回転中には、保持部材切替手段により複数の保持部材のうち第１の領域に位置する保持部材が基板保持状態とされ、複数の保持部材のうち第２の領域に位置する保持部材が基板解放状態とされる。この場合、第１の領域に位置する保持部材が基板を保持した状態で移動し、第２の領域に位置する保持部材が基板の外周端部から離間した状態で移動する。それにより、第２の領域を通過する基板の外周端部と保持部材との間にスペースが形成され、そのスペースにおいて基板の外周端部の全体を洗浄することが可能となる。したがって、基板の外周端部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することが可能となる。
【０００９】
（２）保持部材切替手段は、磁力により第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態に切り替える第１の磁力発生部材と、磁力により第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態に切り替える第２の磁力発生部材とを含んでもよい。
【００１０】
この場合、磁力を利用することにより、移動する保持部材から第１および第２の磁力発生部材が離間した状態で第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態に切り替えることができるとともに第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態に切り替えることができる。したがって、保持部材切替手段の構成が複雑になることが防止される。
【００１１】
（３）第１の磁力発生部材は、第１の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して第１の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第１の磁石部材を含み、第２の磁力発生部材は、第２の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して第２の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第２の磁石部材を含んでもよい。
【００１２】
この場合、簡単な構成で確実に第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態に切り替えることができるとともに第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態に切り替えることができる。
【００１３】
（４）複数の保持部材の各々は、回転部材の下側において基板の外周端部に当接する当接位置と基板の外周端部から離間する離間位置との間で移動可能に設けられた保持部を有してもよい。
【００１４】
この場合、回転部材の下側に基板が配置された状態で保持部材の保持部が当接位置に移動することにより、回転部材の下側で基板が保持される。そのため、基板の下方に基板の下面を洗浄するためのスペースが形成される。したがって、基板の下面を洗浄することが容易になる。
【００１５】
（５）第２の発明に係る基板洗浄装置は、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、基板の外周端部を洗浄するための第１の洗浄具と、第１の洗浄具を移動させる第１の洗浄具移動手段とを備え、基板保持回転装置は、回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、回転部材を回転させる回転駆動手段と、基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に回転部材に設けられた複数の保持部材と、複数の保持部材を基板保持状態と基板解放状態とに切り替える保持部材切替手段とを含み、複数の保持部材の各々は、回転駆動手段による回転部材の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って回転軸の周りで回転し、保持部材切替手段は、回転部材の回転中に複数の保持部材のうち第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態にするとともに複数の保持部材のうち第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態にし、第１の洗浄具移動手段は、第１の領域に位置する保持部材が基板保持状態にあるとともに第２の領域に位置する保持部材が基板解放状態にあるときに第１の洗浄具を第２の領域に移動させるものである。
【００１６】
その基板洗浄装置においては、基板保持回転装置により基板が保持されつつ回転する。基板保持回転装置の回転部材は、駆動手段によって回転軸線の周りで回転する。回転部材に設けられた複数の保持部材は、保持部材切替手段によって基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板開放状態とに切り替えられる。
【００１７】
回転部材の回転中には、保持部材切替手段により複数の保持部材のうち第１の領域に位置する保持部材が基板保持状態とされ、複数の保持部材のうち第２の領域に位置する保持部材が基板解放状態とされる。この場合、第１の領域に位置する保持部材が基板を保持した状態で移動し、第２の領域に位置する保持部材が基板の外周端部から離間した状態で移動する。それにより、第２の領域を通過する基板の外周端部と保持部材との間にスペースが形成される。
【００１８】
そのスペースに第１の洗浄具が第１の洗浄具移動手段によって移動し、回転する基板の外周端部に接触する。それにより、基板の外周端部の全体を第１の洗浄具によって洗浄することができ、基板の外周端部に付着する汚染物を確実に取り除くことができる。その結果、基板の外周端部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することができる。
【００１９】
（６）基板洗浄装置は、基板の上面または下面を洗浄するための第２の洗浄具と、第２の洗浄具を移動させる第２の洗浄具移動手段とをさらに備え、第２の洗浄具移動手段は、第１の領域に位置する保持部材が基板保持状態にあるとともに第２の領域に位置する保持部材が基板解放状態にあるときに第２の洗浄具を第２の領域を通して基板の上面側または下面側に移動させてもよい。
【００２０】
この場合、第１の領域に位置する保持部材によって基板を保持しつつ回転させながら、第２の領域を通して第２の洗浄具を基板と回転部材との間に移動させることができる。それにより、回転部材の下側に基板が位置する場合において基板の上面を第２の洗浄具によって洗浄することができ、回転部材の上側に基板が位置する場合において基板の下面を第２の洗浄具によって洗浄することができる。
【００２１】
（７）保持部材切替手段は、磁力により第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態に切り替える第１の磁力発生部材と、磁力により第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態に切り替える第２の磁力発生部材とを含んでもよい。
【００２２】
この場合、磁力を利用することにより、移動する保持部材から第１および第２の磁力発生部材が離間した状態で第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態に切り替えることができるとともに第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態に切り替えることができる。したがって、保持部材切替手段の構成が複雑になることが防止される。
【００２３】
（８）第１の磁力発生部材は、第１の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して第１の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第１の磁石部材を含み、第２の磁力発生部材は、第２の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して第２の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第２の磁石部材を含んでもよい。
【００２４】
この場合、簡単な構成で確実に第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態に切り替えることができるとともに第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態に切り替えることができる。
【００２５】
（９）複数の保持部材の各々は、回転部材の下側において基板の外周端部に当接する当接位置と基板の外周端部から離間する離間位置との間で移動可能に設けられた保持部を有し、基板洗浄装置は、回転部材の下方で基板を支持する基板支持部材と、基板支持部材を昇降させる支持部材昇降手段とをさらに備えてもよい。
【００２６】
この場合、基板支持部材により基板が支持された状態で、支持部材昇降手段により基板支持部材が上昇する。それにより、基板が複数の保持部材の間に移動する。その状態で、複数の保持部材の保持部が当接位置に移動することにより、回転部材の下側で基板を保持することができる。その後、基板支持部材が下降することにより、基板の下方に基板の下面を洗浄するためのスペースが形成される。これにより、基板の下面を容易に洗浄することができる。
【００２７】
（１０）第３の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、基板の洗浄処理を行う洗浄処理ユニットを含み、洗浄処理ユニットは、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、基板の外周端部を洗浄するための洗浄具と、洗浄具を移動させる洗浄具移動手段とを備え、基板保持回転装置は、回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、回転部材を回転させる回転駆動手段と、基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に回転部材に設けられた複数の保持部材と、複数の保持部材を基板保持状態と基板解放状態とに切り替える保持部材切替手段とを含み、複数の保持部材の各々は、回転駆動手段による回転部材の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って回転軸の周りで回転し、保持部材切替手段は、回転部材の回転中に複数の保持部材のうち第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態にするとともに複数の保持部材のうち第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態にし、洗浄具移動手段は、保持部材切替手段が第１の領域にある保持部材を基板保持状態に切り替えるとともに第２の領域にある保持部材を基板解放状態に切り替えた状態で洗浄具を第２の領域に移動させるものである。
【００２８】
その基板処理装置においては、処理部により基板に所定の処理が行われ、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置へ受け渡される。露光装置により基板に露光処理が行われた後、その基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ受け渡される。露光装置による露光処理前または露光処理後には、洗浄処理ユニットにより基板の洗浄処理が行われる。
【００２９】
基板洗浄装置においては、基板保持回転装置により基板が保持されつつ回転する。基板保持回転装置の回転部材は、駆動手段によって回転軸線の周りで回転する。回転部材に設けられた複数の保持部材は、保持部材切替手段によって基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板開放状態とに切り替えられる。
【００３０】
回転部材の回転中には、保持部材切替手段により複数の保持部材のうち第１の領域に位置する保持部材が基板保持状態とされ、複数の保持部材のうち第２の領域に位置する保持部材が基板解放状態とされる。この場合、第１の領域に位置する保持部材が基板を保持した状態で移動し、第２の領域に位置する保持部材が基板の外周端部から離間した状態で移動する。それにより、第２の領域を通過する基板の外周端部と保持部材との間にスペースが形成される。
【００３１】
そのスペースに洗浄具が洗浄具移動手段によって移動し、回転する基板の外周端部に接触する。それにより、基板の外周端部の全体を洗浄具によって洗浄することができ、基板の外周端部に付着する汚染物を取り除くことができる。その結果、基板の外周端部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することができる。
【００３２】
露光装置による露光処理前に洗浄処理ユニットにより基板の外周端部を洗浄する場合には、基板の外周端部の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止でき、寸法不良および形状不良等のパターン不良を防止することができる。また、露光装置による露光処理後に洗浄処理ユニットにより基板の外周端部を洗浄する場合には、露光パターンの現像時における現像欠陥の発生を防止することができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、基板の外周端部の全体を洗浄することが可能となる。それにより、基板の外周端部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態に係る基板保持回転装置、それを備えた基板洗浄装置および基板処理装置基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００３５】
（１）第１の実施の形態
（１−１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００３６】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００３７】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００３８】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００３９】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００４０】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００４１】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
【００４２】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００４３】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００４４】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４５】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００４６】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００４７】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
【００４８】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００４９】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
【００５０】
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の詳細は後述する。
【００５１】
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００５２】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
【００５３】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見が概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００５４】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００５５】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
【００５６】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
【００５７】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
【００５８】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
【００５９】
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００６０】
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
【００６１】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６２】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６３】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６４】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６５】
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６６】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
【００６７】
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
【００６８】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
【００６９】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
【００７０】
（１−２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００７１】
（１−２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
【００７２】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００７３】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００７４】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００７５】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００７６】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００７７】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００７８】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００７９】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００８０】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００８１】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００８２】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。ジストカバー膜が形成されることにより、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レジスト膜が液体と接触することが防止され、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。
【００８３】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００８４】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
【００８５】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
【００８６】
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００８７】
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
【００８８】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
【００８９】
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【００９０】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【００９１】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００９２】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００９３】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００９４】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００９５】
（１−２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【００９６】
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
【００９７】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【００９８】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００９９】
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【０１００】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【０１０１】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【０１０２】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【０１０３】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０１０４】
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
【０１０５】
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
【０１０６】
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【０１０７】
ここで、本実施の形態においては、第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１１（図１）、エッジ露光部ＥＥＷ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、送りバッファ部ＳＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および露光後ベーク用熱処理部１４１の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
【０１０８】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、露光装置１６、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２および基板載置部ＰＡＳＳ１３の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
【０１０９】
これらの結果、スループットを確実に向上させることができる。
【０１１０】
（１−３）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１について図面を用いて詳細に説明する。図５および図６は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の構成を示す側面図および概略平面図である。なお、図６には、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の一部の構成要素が模式的に示される。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と同様の構成を有する。
【０１１１】
図５および図６に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック６１０を備える。スピンチャック６１０は、スピンモータ６１１、回転軸６１１ａ、円板状のスピンプレート６１２、プレート支持部材６１３、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよび複数のチャックピン６１５を含む。
【０１１２】
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の上部にスピンモータ６１１が設けられている。スピンモータ６１１は、図示しない支持部材によって支持されている。スピンモータ６１１から下方に延びるように回転軸６１１ａが設けられている。回転軸６１１ａの下端部にはプレート支持部材６１３が取り付けられている。プレート支持部材６１３によりスピンプレート６１２が水平に支持されている。スピンモータ６１１によって回転軸６１１ａが回転することにより、スピンプレート６１２が鉛直軸の周りで回転する。
【０１１３】
スピンモータ６１１、回転軸６１１ａおよびプレート支持部材６１３には、液供給管６１０ａが挿通されている。液供給管６１０ａを通して、スピンチャック６１０により保持される基板Ｗ上に洗浄液を供給することができる。洗浄液としては、例えば純水が用いられる。
【０１１４】
スピンプレート６１２の周縁部には、複数（本例では５つ）のチャックピン６１５が回転軸６１１ａに関して等角度間隔で設けられている。チャックピン６１５の個数は、５つ以上であることが望ましい。その理由については後述する。
【０１１５】
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａ、ピン支持部６１５ｂ、保持部６１５ｃおよびマグネット６１６を含む。スピンプレート６１２を貫通するように軸部６１５ａが設けられ、軸部６１５ａの下端部に水平方向に延びるピン支持部６１５ｂが接続されている。ピン支持部６１５ｂの先端部から下方に突出するように保持部６１５ｃが設けられている。また、スピンプレート６１２の上面側において、軸部６１５ａの上端部にマグネット６１６が取り付けられている。
【０１１６】
各チャックピン６１５は、軸部６１５ａを中心に鉛直軸の周りで回転可能であり、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部に当接する閉状態と、保持部６１５ｃが基板Ｗの外周端部から離間する開状態とに切替可能である。なお、本例では、マグネット６１６のＮ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネット６１６のＳ極が内側にある場合に各チャックピン６１５が開状態となる。
【０１１７】
スピンプレート６１２の上方には、回転軸６１１ａを中心とする周方向に沿ってマグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが配置される。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは、外側にＳ極を有し、内側にＮ極を有する。マグネットプレート６１４ａ，６１５ｂは、マグネット昇降機構６１７ａ，６１７ｂによってそれぞれ独立に昇降し、チャックピン６１５のマグネット６１６よりも高い上方位置とチャックピン６１５のマグネット６１６とほぼ等しい高さの下方位置との間で移動する。
【０１１８】
マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの昇降により、各チャックピン６１５が開状態と閉状態とに切り替えられる。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよびチャックピン６１５の動作の詳細については後述する。
【０１１９】
スピンチャック６１０の外方には、基板Ｗから飛散する洗浄液を受け止めるためのガード６１８が設けられている。ガード６１８は、スピンチャック６１０の回転軸６１１ａに関して回転対称な形状を有する。また、ガード６１８は、ガード昇降機構６１８ａにより昇降する。ガード６１８により受け止められた洗浄液は、図示しない排液装置または回収装置により排液または回収される。
【０１２０】
ガード６１８の外方には、３つ以上（本例では３つ）の基板受け渡し機構６２０がスピンチャック６１０の回転軸６１１ａを中心として等角度間隔で配置されている。各基板受け渡し機構６２０は、昇降回転駆動部６２１、回転軸６２２、アーム６２３および保持ピン６２４を含む。昇降回転駆動部６２１から上方に延びるように回転軸６２２が設けられ、回転軸６２２の上端部から水平方向に延びるようにアーム６２３が連結されている。アーム６２３の先端部に、基板Ｗの外周端部を保持するための保持ピン６２４が設けられている。
【０１２１】
昇降回転駆動部６２１により、回転軸６２２が昇降動作および回転動作を行う。それにより、保持ピン６２４が水平方向および上下方向に移動する。
【０１２２】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の下部には、スピンチャック６１０により保持される基板Ｗの外周端部および裏面を洗浄するための洗浄ブラシ６３０が設けられている。洗浄ブラシ６３０は略円柱形状を有し、外周面には断面Ｖ字状の溝６３５が形成されている。洗浄ブラシ６３０はブラシ保持部材６３１により保持されている。ブラシ保持部材６３１がブラシ移動機構６３２によって駆動されことにより、洗浄ブラシ６３０が水平方向および鉛直方向に移動する。
【０１２３】
洗浄ブラシ６３０の近傍におけるブラシ保持部材６３１の部分には洗浄ノズル６３３が取り付けられている。洗浄ノズル６３３には洗浄液が供給される液供給管（図示せず）が接続されている。洗浄ノズル６３３の吐出口は洗浄ブラシ６３０周辺に向けられており、吐出口から洗浄ブラシ６３０周辺に向けて洗浄液が吐出される。
【０１２４】
（１−４）基板の保持動作
次に、スピンチャック６１０による基板Ｗの保持動作について説明する。図７および図８は、スピンチャック６１０による基板Ｗの保持動作を説明するための図である。
【０１２５】
まず、図７（ａ）に示すように、ガード６１８がチャックピン６１５よりも低い位置に移動する。そして、複数の基板受け渡し機構６２０（図５）の保持ピン６２４がガード６１８の上方を通ってスピンプレート６１２の下方に移動する。複数の保持ピン６２４上に第６のセンターロボットＣＲ６（図１）により基板Ｗが載置される。
【０１２６】
このとき、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは上方位置にある。この場合、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの磁力線Ｂは、チャックピン６１５のマグネット６１６の高さにおいて内側から外側に向かう。それにより、各チャックピン６１５のマグネット６１６のＳ極が内側に吸引される。したがって、各チャックピン６１５は開状態となる。
【０１２７】
続いて、図７（ｂ）に示すように、複数の保持ピン６２４が基板Ｗを保持した状態で上昇する。これにより、基板Ｗが複数のチャックピン６１５の保持部６１５ｃの間に移動する。
【０１２８】
続いて、図８（ｃ）に示すように、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが下方位置に移動する。この場合、各チャックピン６１５のマグネット６１６のＮ極が内側に吸引される。それにより、各チャックピン６１５が閉状態となり、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃによって基板Ｗの外周端部が保持される。なお、各チャックピン６１５は、隣接する保持ピン６２４間で基板Ｗの外周端部を保持する。そのため、チャックピン６１５と保持ピン６２４とは互いに干渉しない。その後、複数の保持ピン６２４がガード６１８の外方に移動する。
【０１２９】
続いて、図８（ｄ）に示すように、ガード６１８がチャックピン６１５により保持される基板Ｗを取り囲む高さに移動する。そして、基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理が順に行われる。
【０１３０】
（１−５）洗浄処理および乾燥処理
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、洗浄処理として基板Ｗの表面（上面）を洗浄する表面洗浄処理、基板の裏面（下面）を洗浄する裏面洗浄処理、および基板Ｗの外周端部（ベベル部）を洗浄するベベル洗浄処理が行われ、その後、基板Ｗの乾燥処理が行われる。
【０１３１】
図９は基板Ｗの表面洗浄処理および裏面洗浄処理について説明するための側面図であり、図１０は基板Ｗのベベル洗浄処理について説明するための側面図および平面図である。
【０１３２】
基板Ｗの表面洗浄処理時には、図９（ａ）に示すように、スピンチャック６１０により基板Ｗが回転する状態で、液供給管６１０ａを通して基板Ｗの表面に洗浄液が供給される。洗浄液は遠心力によって基板Ｗの表面の全体に広がり、外方に飛散する。これにより、基板Ｗの表面に付着する塵埃等が洗い流される。また、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液中に溶出し、洗い流される。
【０１３３】
基板Ｗの裏面洗浄処理時には、図９（ｂ）に示すように、スピンチャック６１０により基板Ｗが回転する状態で、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの下方に移動する。そして、洗浄ブラシ６３０の上面と基板Ｗの裏面とが接触する状態で、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの中心部下方と周縁部下方との間で移動する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から洗浄液が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。
【０１３４】
基板Ｗのベベル洗浄処理時には、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。その状態で、スピンチャック６１０により基板Ｗが回転する。
【０１３５】
この場合、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１（図１０（ｂ）参照）においては各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２（図１０（ｂ）参照）においては各チャックピン６１５が開状態となる。すなわち、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。
【０１３６】
本例では、５つのチャックピン６１５のうちの少なくとも４つのチャックピン６１５がマグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１に位置する。この場合、少なくとも４つのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。それにより、基板Ｗの安定性が確保される。
【０１３７】
その状態で、洗浄ブラシ６３０が、外方領域Ｒ２においてチャックピン６１５の保持部６１５ｃと基板Ｗの外周端部との間に移動する。そして、洗浄ブラシ６３０の溝６３５が、基板Ｗの外周端部に押し当てられる。洗浄ブラシ６３０と基板Ｗとの接触部分には、洗浄ノズル６３３（図５）から洗浄液が供給される。これにより、基板Ｗの外周端部の全体が洗浄され、基板Ｗの外周端部に付着する汚染物が取り除かれる。
【０１３８】
なお、ベベル洗浄処理時に図５の液供給６１０ａを通して基板Ｗの表面に洗浄液を供給してもよい。その場合、ベベル洗浄処理と表面洗浄処理とを同時に行うことができる。また、基板Ｗの裏面を洗浄する裏面洗浄ブラシを洗浄ブラシ６３０と別個に設け、ベベル洗浄処理時に裏面洗浄ブラシを基板Ｗの裏面に接触させてもよい。その場合、ベベル洗浄処理と裏面洗浄処理とを同時に行うことができる。あるいは、ベベル洗浄処理、表面洗浄処理および裏面洗浄処理を同時に行ってもよい。
【０１３９】
上記の表面洗浄処理、裏面洗浄処理およびベベル洗浄処理の後には、基板Ｗの乾燥処理が行われる。この場合、マグネットプレート６１４ａ，６１５ｂが下方位置に配置され、全てのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。その状態で、スピンチャック６１０により基板Ｗが高速で回転する。それにより、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。
【０１４０】
なお、基板Ｗの乾燥処理時に、液供給管１０ａを通して基板Ｗに不活性ガス（例えば窒素ガス）またはエア（空気）等の気体を供給してもよい。その場合、スピンプレート６１２と基板Ｗとの間に形成される気流によって基板Ｗ上の洗浄液が外方に吹き飛ばされる。それにより、基板Ｗを効率よく乾燥させることができる。
【０１４１】
（１−６）第１の実施の形態の効果
本実施の形態では、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において、露光処理前の基板Ｗの洗浄処理が行われる。それにより、露光装置１６内の汚染を防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することを防止することができる。
【０１４２】
また、基板Ｗの表面洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗ上に液体が供給された際に、その液体中にレジストカバー膜の成分が溶出することが防止される。
【０１４３】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１では、外方領域Ｒ１に位置するチャックピン６１５の保持部６１５ｃで基板Ｗの外周端部を保持して基板Ｗを回転させながら、外方領域Ｒ２に位置するチャックピン６１５の保持部６１５ｃを基板Ｗの外周端部から離間させることにより、洗浄ブラシ６３０により基板Ｗの外周端部を洗浄することができる。この場合、基板Ｗの裏面を真空吸着により保持する吸着式のスピンチャックを用いる場合と異なり、基板Ｗの裏面に吸着痕等を形成することなく、基板Ｗの外周端部を十分に清浄にすることができる。
【０１４４】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１では、スピンチャック６１０が基板Ｗの上方に位置するので、洗浄ブラシ６３０による基板Ｗの裏面の洗浄が可能となり、基板Ｗの裏面に付着する汚染物を確実に取り除くことができる。また、塗布ユニットＲＥＳ等の他のユニットにおいて、吸着式のスピンチャックにより基板Ｗの裏面に吸着痕が形成された場合でも、その吸着痕を露光処理前に確実に取り除くことができる。これにより、露光装置内の汚染、および基板Ｗの裏面の凹凸に起因するデフォーカスの発生を確実に防止することができる。
【０１４５】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの処理不良をより確実に防止することができる。また、露光処理後の基板Ｗが清浄に維持されることにより、現像欠陥の発生を防止することができる。
【０１４６】
（１−７）変形例
上記第１の実施の形態における洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２では、磁力によってチャックピン６１５を閉状態と開状態とに切り替えているが、機械的な構造および電気的な制御によりチャックピン６１５を閉状態と開状態とに切り替えてもよい。
【０１４７】
また、上記第１の実施の形態における洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２では、基板Ｗをスピンプレート６１２の下側で保持するスピンチャック６１０が用いられるが、基板Ｗをスピンプレート６１２の上側で保持するスピンチャックを用いてもよい。
【０１４８】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。
【０１４９】
また、上記第１の実施の形態では、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２がインターフェースブロック１５内に配置されるが、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方が図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４内に配置されてもよい。あるいは、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方を含む洗浄／乾燥処理ブロックを図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１５との間に設けてもよい。
【０１５０】
また、上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１６を基板処理装置５００の外部装置として設ける場合について説明したが、これに限定されず、液体を用いずに基板Ｗの露光処理を行う露光装置を基板処理装置５００の外部装置として設けてもよい。
【０１５１】
（２）第２の実施の形態
（２−１）基板処理装置の構成および動作
図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。この基板処理装置では、基板Ｗ上に種々の膜が形成されていない状態で、基板Ｗに洗浄処理が行われる。
【０１５２】
図１１に示すように、基板処理装置８００は、インデクサ部８１０および洗浄処理部８２０を含む。インデクサ部８１０には、複数のキャリア載置台８１１およびインデクサロボットＩＲａが設けられている。キャリア載置台８１１の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲａは、キャリアＣと洗浄処理部８２０との間で基板Ｗを搬送する。
【０１５３】
洗浄処理部８２０の中央部には、メインロボットＭＲが設けられている。メインロボットＭＲとインデクサ部８１０との間には、一時的に基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ８１，ＰＡＳＳ８２が上下に設けられる。また、メインロボットＭＲを取り囲むように、２つの洗浄処理ユニットＳＳ、乾燥処理ユニットＤＲＹ、制御ユニットＣＯＮ、および処理液貯蔵部ＴＡが設けられている。
【０１５４】
なお、洗浄処理ユニットＳＳおよび乾燥処理ユニットＤＲＹの個数は上記に限らず、任意に設定してもよい。また、複数の洗浄処理ユニットＳＳおよび複数の乾燥処理ユニットＤＲＹをそれぞれ多段に積層して設けてもよい。
【０１５５】
洗浄処理ユニットＳＳにより基板Ｗに洗浄処理が行われる。洗浄処理ユニットＳＳの詳細については後述する。乾燥処理ユニットＤＲＹは、洗浄処理後の基板Ｗに乾燥処理を行う。制御ユニットＣＯＮは、基板処理装置８００の各構成要素の動作を制御する。処理液貯蔵部ＴＡには、洗浄液等の処理液を貯留する貯留タンクおよび配管等の流体関連機器が収納されている。
【０１５６】
次に、基板処理装置８００の動作について説明する。まず、インデクサロボットＩＲａがキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。続いて、インデクサロボットＩＲａが矢印Ｕ方向に移動しつつ鉛直軸の周りで回転し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８２に載置する。
【０１５７】
基板載置部ＰＡＳＳ８２に載置された未処理の基板Ｗは、メインロボットＭＲにより受け取られる。メインロボットＭＲは、その基板Ｗを洗浄処理ユニットＳＳに搬入する。その後、メインロボットＭＲは、洗浄処理ユニットＳＳから洗浄処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを乾燥処理ユニットＤＲＹに搬入する。
【０１５８】
続いて、メインロボットＭＲは、乾燥処理ユニットＤＲＹから乾燥処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ８１に載置された基板Ｗは、インデクサロボットＩＲによりキャリアＣに収納される。これにより、基板処理装置８００における基板Ｗの各処理が終了する。
【０１５９】
（２−２）洗浄処理ユニットＳＳ
次に、洗浄処理ユニットＳＳについて上記の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と異なる点を説明する。図１２および図１３は、洗浄処理ユニットＳＳの構成を示す側面図および概略平面図である。なお、図１３には、洗浄処理ユニットＳＳの一部の構成要素が模式的に示される。
【０１６０】
図１２に示すように、洗浄処理ユニットＳＳにおいては、スピンチャック６１０の下方に表面洗浄機構６６０が設けられている。表面洗浄機構６６０は、昇降回転駆動部６６１、回転軸６６２、アーム６６３および表面洗浄ブラシ６６４を含む。昇降回転駆動部６６１から上方に延びるように回転軸６６２が設けられ、回転軸６６２の上端部から水平方向に延びるようにアーム６６３が連結されている。アーム６６３の先端部に、表面洗浄ブラシ６６４が取り付けられている。昇降回転駆動部６６１により、回転軸６２２が昇降動作および回転動作を行う。それにより、表面洗浄ブラシ６６４が水平方向および上下方向に移動する。
【０１６１】
図１３に示すように、表面洗浄機構６６０の回転軸６６２は外方領域Ｒ２に位置する。表面洗浄機構６６０のアーム６６３は、基板Ｗの外周に沿うように湾曲している。アーム６６３の長さは、マグネットプレート６１４ｂの長さとほぼ等しく設定されている。また、図１２のスピンプレート６１２の周縁部には、８つのチャックピン６１５が回転軸６１１ａに関して等角度間隔で設けられている。
【０１６２】
この洗浄処理ユニットＳＳでは、図９（ｂ）に示した基板Ｗの裏面洗浄処理および図１０に示した基板Ｗのベベル洗浄処理が行われるとともに、表面洗浄ブラシ６６４を用いた基板Ｗの表面洗浄処理が行われる。図１４は、表面洗浄ブラシ６６４を用いた基板Ｗの表面洗浄処理について説明するための側面図および概略平面図である。
【０１６３】
表面洗浄処理時には、図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。その状態で、スピンチャック６１０により基板Ｗが回転する。この場合、上記のベベル洗浄処理時と同様に、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。
【０１６４】
本例では、８つのチャックピン６１５のうちの少なくとも６つのチャックピン６１５がマグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１に位置する。この場合、少なくとも６つのチャックピン６１５により基板Ｗが保持される。それにより、基板Ｗの安定性が確保される。
【０１６５】
離間した基板Ｗの外周端部とチャックピン６１５の保持部６１５ｃとの間を通って表面洗浄機構６６０の回転軸６６２が所定の高さまで上昇する。そして、アーム６６３が回転軸６６２の周りで回転する。それにより、表面洗浄ブラシ６６４がスピンプレート６１２と基板Ｗの表面との間に移動する。
【０１６６】
回転軸６６２が上昇する際には、アーム６６３は基板Ｗの外周に沿った状態で維持される（図１４（ｂ）に点線で示す状態）。この場合、外方領域Ｒ２において離間する基板Ｗの外周端部とチャックピン６１５の保持部６１５ｃとの間をアーム６６３が通過する。
【０１６７】
続いて、表面洗浄ブラシ６６４の下面と基板Ｗの表面とが接触する状態で、表面洗浄ブラシ６６４が基板Ｗの中心部上方と基板Ｗの周縁部上方との間で移動する。また、図１２の液供給管６１０ａを通して基板Ｗの表面に洗浄液が供給される。これにより、基板Ｗの表面の全体が表面洗浄ブラシ６６４により洗浄され、基板Ｗの表面に付着する汚染物が十分に取り除かれる。
【０１６８】
なお、表面洗浄ブラシ６６４による表面洗浄処理と洗浄ブラシ６３０による基板Ｗのベベル洗浄処理とを同時に行ってもよい。また、基板Ｗの裏面を洗浄する裏面洗浄ブラシを洗浄ブラシ６３０および表面洗浄ブラシ６６４と別個に設け、上記の表面洗浄処理と裏面洗浄ブラシによる裏面洗浄処理とを同時に行ってもよい。あるいは、ベベル洗浄処理、表面洗浄処理および裏面洗浄処理を同時に行ってもよい。
【０１６９】
表面洗浄処理、裏面洗浄処理およびベベル洗浄処理の後には、上記の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と同様に、基板Ｗの乾燥処理が行われる。
【０１７０】
（２−３）第２の実施の形態の効果
本実施の形態では、共通の洗浄処理ユニットＳＳにおいて基板Ｗの表面、裏面および外周端部を洗浄することができる。そのため、基板Ｗの表面を洗浄するユニット、基板Ｗの裏面を洗浄するユニットおよび基板Ｗの外周端部を洗浄するユニットを別個に設ける場合に比べて、フットプリントの低減および基板処理装置８００の小型化が可能となる。また、そのような複数のユニットを設ける場合に比べて基板Ｗの搬送工程を削減することができるので、スループットを向上することができる。
【０１７１】
（２−４）
上記第２の実施の形態における洗浄処理ユニットＳＳでは、磁力によってチャックピン６１５を閉状態と開状態とに切り替えているが、機械的な構造および電気的な制御によりチャックピン６１５を閉状態と開状態とに切り替えてもよい。
【０１７２】
また、上記第２の実施の形態における洗浄処理ユニットＳＳでは、基板Ｗをスピンプレート６１２の下側で保持するスピンチャック６１０が用いられるが、基板Ｗをスピンプレート６１２の上側で保持するスピンチャックを用いてもよい。
【０１７３】
（３）他の実施の形態
上記実施の形態では、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１を基板処理装置５００に設ける場合および洗浄処理ユニットＳＳを基板処理装置８００に設ける場合について説明したが、これに限らず、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１および洗浄処理ユニットＳＳを他の基板処理装置に設けてもよく、または洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１および洗浄処理ユニットＳＳを単独で用いてもよい。
【０１７４】
（４）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１７５】
上記実施の形態では、スピンチャック６１０が基板保持回転装置の例であり、スピンプレート６１２が回転部材の例であり、スピンモータ６１１が回転駆動手段の例であり、チャックピン６１５が保持部材の例であり、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよびマグネット昇降機構６１７ａ，６１７ｂが保持部材切替手段の例であり、マグネットプレート６１４ａが第１の磁力発生部材および第１の磁石部材の例であり、マグネットプレート６１４ｂが第２の磁力発生部材および第２の磁石部材の例である。
【０１７６】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２および洗浄処理ユニットＳＳが基板洗浄装置の例であり、洗浄ブラシ６３０が第１の洗浄具の例であり、ブラシ移動機構６３２が第１の洗浄具移動手段の例であり、表面洗浄ブラシ６６４が第２の洗浄具の例であり、昇降回転駆動部６６１が第２の洗浄具移動手段の例であり、保持ピン６２４が基板支持部材の例であり、昇降回転駆動部６２１が支持部材昇降手段の例である。
【０１７７】
また、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例である。
【０１７８】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１７９】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１８０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図４】インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。
【図５】洗浄／乾燥処理ユニットの構成を示す側面図である。
【図６】洗浄／乾燥処理ユニットの構成を示す概略平面図である。
【図７】スピンチャックによる基板Ｗの保持動作を説明するための図である。
【図８】スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。
【図９】基板の表面洗浄処理および裏面洗浄処理について説明するための側面図である。
【図１０】基板のベベル洗浄処理について説明するための側面図および平面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図１２】洗浄処理ユニットの構成を示す側面図である。
【図１３】洗浄処理ユニットの構成を示す概略平面図である。
【図１４】表面洗浄ブラシを用いた基板Ｗの表面洗浄処理について説明するための側面図および概略平面図である。
【符号の説明】
【０１８１】
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
５００，８００ 基板処理装置
６１０ スピンチャック
６１１ スピンモータ
６１２ スピンプレート
６１４ａ，６１４ｂ マグネットプレート
６１５ チャックピン
６１５ｃ 保持部
６１６ マグネット
６１７ａ，６１７ｂ マグネット昇降機構
６２１ 昇降回転駆動部
６２４ 保持ピン
６３０ 洗浄ブラシ
６３２ ブラシ移動機構
６６１ 昇降回転駆動部
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄／乾燥処理ユニット
ＳＳ 洗浄処理ユニット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置であって、
回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
前記回転部材を回転させる回転駆動手段と、
基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に前記回転部材に設けられた複数の保持部材と、
前記複数の保持部材を前記基板保持状態と前記基板解放状態とに切り替える保持部材切替手段とを備え、
前記複数の保持部材の各々は、前記回転駆動手段による前記回転部材の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って前記回転軸の周りで回転し、
前記保持部材切替手段は、前記回転部材の回転中に前記複数の保持部材のうち前記第１の領域に位置する保持部材を前記基板保持状態にするとともに前記複数の保持部材のうち前記第２の領域に位置する保持部材を前記基板解放状態にすることを特徴とする基板保持回転装置。
【請求項２】
前記保持部材切替手段は、
磁力により前記第１の領域に位置する保持部材を前記基板保持状態に切り替える第１の磁力発生部材と、
磁力により前記第２の領域に位置する保持部材を前記基板解放状態に切り替える第２の磁力発生部材とを含むことを特徴とする請求項１記載の基板保持回転装置。
【請求項３】
前記第１の磁力発生部材は、前記第１の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して前記第１の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第１の磁石部材を含み、
前記第２の磁力発生部材は、前記第２の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して前記第２の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第２の磁石部材を含むことを特徴とする請求項２記載の基板保持回転装置。
【請求項４】
前記複数の保持部材の各々は、前記回転部材の下側において基板の外周端部に当接する当接位置と基板の外周端部から離間する離間位置との間で移動可能に設けられた保持部を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板保持回転装置。
【請求項５】
基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、
基板の外周端部を洗浄するための第１の洗浄具と、
前記第１の洗浄具を移動させる第１の洗浄具移動手段とを備え、
前記基板保持回転装置は、
回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
前記回転部材を回転させる回転駆動手段と、
基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に前記回転部材に設けられた複数の保持部材と、
前記複数の保持部材を前記基板保持状態と前記基板解放状態とに切り替える保持部材切替手段とを含み、
前記複数の保持部材の各々は、前記回転駆動手段による前記回転部材の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って前記回転軸の周りで回転し、
前記保持部材切替手段は、前記回転部材の回転中に前記複数の保持部材のうち前記第１の領域に位置する保持部材を前記基板保持状態にするとともに前記複数の保持部材のうち前記第２の領域に位置する保持部材を前記基板解放状態にし、
前記第１の洗浄具移動手段は、前記第１の領域に位置する保持部材が前記基板保持状態にあるとともに前記第２の領域に位置する保持部材が前記基板解放状態にあるときに前記第１の洗浄具を前記第２の領域に移動させることを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項６】
基板の上面または下面を洗浄するための第２の洗浄具と、
前記第２の洗浄具を移動させる第２の洗浄具移動手段とをさらに備え、
前記第２の洗浄具移動手段は、前記第１の領域に位置する保持部材が前記基板保持状態にあるとともに前記第２の領域に位置する保持部材が前記基板解放状態にあるときに前記第２の洗浄具を前記第２の領域を通して基板の上面側または下面側に移動させることを特徴とする請求項５記載の基板洗浄装置。
【請求項７】
前記保持部材切替手段は、
磁力により前記第１の領域に位置する保持部材を前記基板保持状態に切り替える第１の磁力発生部材と、
磁力により前記第２の領域に位置する保持部材を前記基板解放状態に切り替える第２の磁力発生部材とを含むことを特徴とする請求項５または６記載の基板洗浄装置。
【請求項８】
前記第１の磁力発生部材は、前記第１の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して前記第１の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第１の磁石部材を含み、
前記第２の磁力発生部材は、前記第２の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して前記第２の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第２の磁石部材を含むことを特徴とする請求項７記載の基板洗浄装置。
【請求項９】
前記複数の保持部材の各々は、前記回転部材の下側において基板の外周端部に当接する当接位置と基板の外周端部から離間する離間位置との間で移動可能に設けられた保持部を有し、
前記回転部材の下方で基板を支持する基板支持部材と、
前記基板支持部材を昇降させる支持部材昇降手段とをさらに備えることを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載の基板洗浄装置。
【請求項１０】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
基板の洗浄処理を行う洗浄処理ユニットを含み、
前記洗浄処理ユニットは、
基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、
基板の外周端部を洗浄するための洗浄具と、
前記洗浄具を移動させる洗浄具移動手段とを備え、
前記基板保持回転装置は、
回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
前記回転部材を回転させる回転駆動手段と、
基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に前記回転部材に設けられた複数の保持部材と、
前記複数の保持部材を前記基板保持状態と前記基板解放状態とに切り替える保持部材切替手段とを含み、
前記複数の保持部材の各々は、前記回転駆動手段による前記回転部材の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って前記回転軸の周りで回転し、
前記保持部材切替手段は、前記回転部材の回転中に前記複数の保持部材のうち前記第１の領域に位置する保持部材を前記基板保持状態にするとともに前記複数の保持部材のうち前記第２の領域に位置する保持部材を前記基板解放状態にし、
前記洗浄具移動手段は、前記保持部材切替手段が前記第１の領域にある保持部材を前記基板保持状態に切り替えるとともに前記第２の領域にある保持部材を前記基板解放状態に切り替えた状態で前記洗浄具を前記第２の領域に移動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置であって、
回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
前記回転部材を回転させる回転駆動手段と、
基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に前記回転部材に設けられた複数の保持部材と、
前記複数の保持部材を前記基板保持状態と前記基板解放状態とに切り替える保持部材切替手段とを備え、
前記複数の保持部材の各々は、前記回転駆動手段による前記回転部材の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って前記回転軸の周りで回転し、
前記保持部材切替手段は、前記回転部材の回転中に前記複数の保持部材のうち前記第１の領域に位置する保持部材を前記基板保持状態にするとともに前記複数の保持部材のうち前記第２の領域に位置する保持部材を前記基板解放状態にすることを特徴とする基板保持回転装置。
【請求項２】
前記保持部材切替手段は、
磁力により前記第１の領域に位置する保持部材を前記基板保持状態に切り替える第１の磁力発生部材と、
磁力により前記第２の領域に位置する保持部材を前記基板解放状態に切り替える第２の磁力発生部材とを含むことを特徴とする請求項１記載の基板保持回転装置。
【請求項３】
前記第１の磁力発生部材は、前記第１の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して前記第１の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第１の磁石部材を含み、
前記第２の磁力発生部材は、前記第２の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して前記第２の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第２の磁石部材を含むことを特徴とする請求項２記載の基板保持回転装置。
【請求項４】
前記複数の保持部材の各々は、前記回転部材の下側において基板の外周端部に当接する当接位置と基板の外周端部から離間する離間位置との間で移動可能に設けられた保持部を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板保持回転装置。
【請求項５】
基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、
基板の外周端部を洗浄するための第１の洗浄具と、
前記第１の洗浄具を移動させる第１の洗浄具移動手段とを備え、
前記基板保持回転装置は、
回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
前記回転部材を回転させる回転駆動手段と、
基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に前記回転部材に設けられた複数の保持部材と、
前記複数の保持部材を前記基板保持状態と前記基板解放状態とに切り替える保持部材切替手段とを含み、
前記複数の保持部材の各々は、前記回転駆動手段による前記回転部材の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って前記回転軸の周りで回転し、
前記保持部材切替手段は、前記回転部材の回転中に前記複数の保持部材のうち前記第１の領域に位置する保持部材を前記基板保持状態にするとともに前記複数の保持部材のうち前記第２の領域に位置する保持部材を前記基板解放状態にし、
前記第１の洗浄具移動手段は、前記第１の領域に位置する保持部材が前記基板保持状態にあるとともに前記第２の領域に位置する保持部材が前記基板解放状態にあるときに前記第１の洗浄具を前記第２の領域に移動させることを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項６】
基板の上面または下面を洗浄するための第２の洗浄具と、
前記第２の洗浄具を移動させる第２の洗浄具移動手段とをさらに備え、
前記第２の洗浄具移動手段は、前記第１の領域に位置する保持部材が前記基板保持状態にあるとともに前記第２の領域に位置する保持部材が前記基板解放状態にあるときに前記第２の洗浄具を前記第２の領域を通して基板の上面側または下面側に移動させることを特徴とする請求項５記載の基板洗浄装置。
【請求項７】
前記保持部材切替手段は、
磁力により前記第１の領域に位置する保持部材を前記基板保持状態に切り替える第１の磁力発生部材と、
磁力により前記第２の領域に位置する保持部材を前記基板解放状態に切り替える第２の磁力発生部材とを含むことを特徴とする請求項５または６記載の基板洗浄装置。
【請求項８】
前記第１の磁力発生部材は、前記第１の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して前記第１の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第１の磁石部材を含み、
前記第２の磁力発生部材は、前記第２の領域に位置する保持部材に対して近接または離間して前記第２の領域に位置する保持部材に磁力を作用させる第２の磁石部材を含むことを特徴とする請求項７記載の基板洗浄装置。
【請求項９】
前記複数の保持部材の各々は、前記回転部材の下側において基板の外周端部に当接する当接位置と基板の外周端部から離間する離間位置との間で移動可能に設けられた保持部を有し、
前記回転部材の下方で基板を支持する基板支持部材と、
前記基板支持部材を昇降させる支持部材昇降手段とをさらに備えることを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載の基板洗浄装置。
【請求項１０】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
基板の洗浄処理を行う洗浄処理ユニットを含み、
前記洗浄処理ユニットは、
基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置と、
基板の外周端部を洗浄するための洗浄具と、
前記洗浄具を移動させる洗浄具移動手段とを備え、
前記基板保持回転装置は、
回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
前記回転部材を回転させる回転駆動手段と、
基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に前記回転部材に設けられた複数の保持部材と、
前記複数の保持部材を前記基板保持状態と前記基板解放状態とに切り替える保持部材切替手段とを含み、
前記複数の保持部材の各々は、前記回転駆動手段による前記回転部材の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って前記回転軸の周りで回転し、
前記保持部材切替手段は、前記回転部材の回転中に前記複数の保持部材のうち前記第１の領域に位置する保持部材を前記基板保持状態にするとともに前記複数の保持部材のうち前記第２の領域に位置する保持部材を前記基板解放状態にし、
前記洗浄具移動手段は、前記保持部材切替手段が前記第１の領域にある保持部材を前記基板保持状態に切り替えるとともに前記第２の領域にある保持部材を前記基板解放状態に切り替えた状態で前記洗浄具を前記第２の領域に移動させることを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００９−１２３８００（Ｐ２００９−１２３８００Ａ）
【公開日】平成２１年６月４日（２００９．６．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２９４０７２（Ｐ２００７−２９４０７２）
【出願日】平成１９年１１月１３日（２００７．１１．１３）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年６月４日（２００９．６．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１１月１３日（２００７．１１．１３）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
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