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Fターム[5F157CB15]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄の後処理(一連の後処理) (2,790) | 水切り、乾燥 (1,676) | 空気の吹き付け (406)

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【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Wが薬液処理される。次に、基板Wにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Wを回転させながら、基板Wを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Wを第1回転数で回転させながら基板Wへ乾燥液を供給する第1乾燥処理工程と、第1乾燥処理工程の後、基板に乾燥液を供給しながら基板を第1回転数より低い第2回転数へ減速させる第2乾燥処理工程とを有する。第2乾燥処理工程において、基板W上のリンス液および乾燥液に対してブレーキをかけた状態とし、リンス液と乾燥液を撹拌して置換させる。第2乾燥処理工程の後、第3乾燥工程において基板に乾燥液を供給しながら基板の回転数を第2回転数から第3回転数まで上げ、その後第4乾燥工程において基板を回転させて、基板上の乾燥液を振り切る。 (もっと読む)


【課題】高速回転するスピンナーテーブルからフレームとともにウエーハが脱落しないようにすることを目的とする。
【解決手段】ウエーハWを洗浄する洗浄装置2Aに備えるフレーム保持手段30は、フレーム4の下部4bを支持するフレーム支持部31と、フレーム4の上部4aを押さえスピンナーテーブル20の回転中心に対して等角度に配設された複数のフレーム押さえ部32とを備え、フレーム押さえ部32は、アーム部300と、上部301に形成されたフレーム4を押圧する爪部310と、下部302に形成された錘部320と、爪部310がフレーム4の上部4aを押圧するようにアーム部300を回転可能に支持する支点軸330と、を備え、錘部320にはスピンナーテーブル20の回転時に遠心力に加え揚力が生じるように翼321が形成され、フレーム押さえ部32がフレーム4を押さえてウエーハWがスピンナーテーブル20から脱落するのを防止する。 (もっと読む)


【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置13は、被処理ウェハWを保持して回転させるウェハ保持部130と、被処理ウェハWの接合面Wを覆う供給面141を備えた洗浄治具140とを有している。洗浄治具140には、接合面Wと供給面141との間の隙間142に接着剤Gの溶剤、溶剤のリンス液、及び不活性ガスを供給する気液供給部150と、接合面Wと供給面141との間の隙間142に供給された溶剤やリンス液(混合液)を吸引する吸引部170と、段部Aに気体を供給する気体を供給する気体供給部180とが設けられている。 (もっと読む)


【課題】酸化物の不所望量を失うことなく及び基板を過度に損傷することなく格別のパーティクル除去効率を達成する清浄方法の提供。
【解決手段】液体エーロゾル小滴をウェハー13上へ向けるための複数のノズルを含むスプレーバー20と回転モーター15により駆動される回転可能なチャック14とを備え、スプレーバー20により水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を形成して、チャック14上に支持されたウェハー13の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって、該表面と接触させる。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面をIPAなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、乾燥処理の効率化を図る。
【解決手段】遮断部材90と基板表面Wfとの間に形成される間隙空間SPに環状気体吐出口99aから低露点空気を供給しつつ溶剤吐出口97aから低表面張力溶剤を吐出させて基板表面Wfの処理液を低表面張力溶剤で置換するのに続いて、溶剤吐出口97aからの低表面張力溶剤の吐出を停止させるとともに、環状気体吐出口99aから間隙空間SPへの低露点空気の供給を継続させたまま、基板Wの表面中央部に向けて中央気体吐出口98aから乾燥用ガスを吹きつけ、さらに基板Wを高速回転させて低表面張力溶剤を基板表面Wfから除去して該基板表面Wfを乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板搬送の負荷を低減させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション5は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄するウェハ洗浄部141と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査するウェハ検査部142と、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142との間でウェハWを搬送する搬送手段143を有している。ウェハ洗浄部141、ウェハ検査部142及び搬送手段143は、筐体140の内部に設けられている。 (もっと読む)


【課題】液処理工程中に基板を上方から支持する基板支持部、あるいは基板とともに回転する天板を基板へ供給されるリンス液を用いて洗浄する。
【解決手段】液処理装置100はウエハWを上方から支持する回転自在の基板支持部10と、基板支持部10の回転中心に設けられ少なくともリンス液をウエハWに対して供給するトッププレートノズル10nとを備えている。トッププレートノズル10nは基板支持部10に対して上下方向に移動可能となっており、トッププレートノズル10nを基板支持部10から離間した状態でトッププレートノズル10nからリンス液をウエハWに対して供給する。トッププレートノズル10nを基板支持部10に接近させた状態で、トッププレートノズル10nからリンス液を基板支持部10の下面に供給して洗浄する。 (もっと読む)


【課題】液体が付着した板状物を短時間で乾燥することができる乾燥装置を提供する。
【解決手段】板状物に付着した液体を除去して乾燥するための乾燥装置であって、板状物を保持する保持面を有する保持テーブルと、保持テーブルに超音波振動を付与する超音波振動付与手段とを具備し、超音波振動付与手段を作動して保持テーブルに超音波振動を付与し、保持テーブルに保持された板状物に超音波振動を付与することにより、板状物に付着した液体を微粒子にして飛散せしめる。 (もっと読む)


【課題】 輸送支持具の固定時間を短縮し、輸送支持具の壁の満足のいく清浄度を保証するために使用される、洗浄ステージ後の、異物、特に分子汚染化合物(AMC、VOC)および/または湿気の除去を大幅に改善かつ加速する、方法、ならびに輸送支持具用の処理ステーションを提案する。
【解決手段】 基板の運搬および保管のための輸送支持具(1)の処理方法であって、
前記輸送支持具(1)上の処理されるべき表面(1a)から異物を除去するために前記処理されるべき表面(1a)がその間に準大気圧のガス圧(PSA)と赤外線(IR)との複合作用にさらされる処理ステージを含み、前記赤外線は断続的赤外線であり、材料の温度を最高許容温度を超えない温度設定あたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断/回復されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Wの回転速度が600rpmから10rpmに減速されてDIW液膜がパドル状に形成される。そして、9秒間だけDIWの供給を継続した後に停止し、所定時間(0.5秒間)が経過してパドル状の液膜の膜厚t1がほぼ均一になるのを待って、IPAが基板表面Wfの表面中央部に向けて例えば100(mL/min)の流量で吐出される。このIPA供給によって、基板Wの表面中央部ではDIWがIPAに置換されて置換領域SRが形成される。さらにIPA供給から3秒が経過すると、基板Wの回転速度が10rpmから300rpmに加速される。これによって、置換領域SRが基板Wの径方向に拡大して基板表面Wfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 (もっと読む)


【課題】 高圧蒸気を用いて被洗浄物を洗浄し且つ該被洗浄物の乾燥を行う洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】 所定の軸を中心に被洗浄物を回転可能に支持するステージユニットと、被洗浄物に対して飽和蒸気を吹き付け可能なノズル部と、ステージユニット及びノズル部を収容する筐体と、筐体から洗浄により生じた物質を排出するための排気系と接続される排気管と、飽和蒸気を生成する飽和蒸気発生ユニットと、を有しステージユニットは飽和蒸気の吹き付け時の低速回転モードと、被洗浄物を乾燥させるための高速回転モードとを有する。 (もっと読む)


【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理方法および基板処理装置において、パーティクル除去効率を向上させる。
【解決手段】基板Wの表面Wfに、DIWにポリスチレン微粒子Pを分散させた処理液Lによる液膜LPを形成する。冷却ガス吐出ノズル3から冷却ガスを吐出させながら該ノズルを基板Wに対し走査移動させて、液膜LPを凍結させる。液膜中に混入された微粒子Pが凝固核となって氷塊ICの生成が促進されるため、液相から固相への相変化時間を短くしてパーティクル除去効率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】単位時間当たりに多数のウェハを洗浄できる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】複数枚の半導体基板を一度に洗浄するバッチ方式の洗浄方法であって、複数枚の半導体基板を所定の間隔で保持した状態で搬送する第1の工程と、複数枚の半導体基板の表面及び裏面ごとに複数本ずつ設けられ、長手方向が表面及び裏面に対して平行に配置されたロールブラシで、複数枚の半導体基板を挟持する第2の工程と、表面及び裏面ごとに設けられた複数本のロールブラシを回転させて、複数枚の半導体基板を洗浄する第3の工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置は、被処理ウェハWを保持するウェハ保持部130と、被処理ウェハWの接合面Wを覆う供給面141を備えた洗浄治具140とを有している。洗浄治具140には、隙間142に溶剤を供給する溶剤供給部150と、隙間142にリンス液を供給するリンス液供給部151と、隙間142に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部152とが設けられている。溶剤供給部150からの溶剤は表面張力と遠心力により接合面W上を拡散し、リンス液供給部151からのリンス液は溶剤と混合されつつ、表面張力と遠心力により接合面W上を拡散し、不活性ガス供給部152からの不活性ガスによって接合面Wが乾燥されて、当該接合面Wが洗浄される。 (もっと読む)


【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、より短時間で効率よく液膜の温度を低下させることのできる技術を提供する。
【解決手段】冷却ガスノズル3のノズル筐体311の外周下部を外側に延伸させて、平板状のフランジ312を形成する。フランジ312の下面312aが基板表面Wfに近接対向配置される。ノズル筐体311の中央下部に設けたガス吐出口30から低温の冷却ガスが吐出されると、冷却ガスは基板表面Wfとフランジ312の下面312aとの間隙空間を基板表面Wfに沿って流れる。基板上の液膜が冷却ガスに触れる時間が長く、またガスの流速が増大するとともに周囲雰囲気の巻き込みに起因するガス温度の上昇が抑えられるので、液膜を効率よく短時間で冷却することができる。 (もっと読む)


【課題】洗浄後の吐出ヘッドから基板上に洗浄液が落下するのを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に処理液を吐出する処理が終了して待機位置に帰還した処理液ノズルの吐出ヘッド61を下降させて待機ポット70の収容部75に収容する。洗浄液噴出部76から吐出ヘッド61に向けて洗浄液を噴出し、処理中に吐出ヘッド61に付着した処理液を洗い流す。続いて、洗浄液噴出を停止し、待機ポット70に設けられた乾燥ガス噴出部77から斜め下方に向けて乾燥用ガスを噴出する。そして、収容部75から吐出ヘッド61を徐々に引き上げる。その吐出ヘッド61に乾燥用ガスを吹き付けることによって、吐出ヘッド61に付着していた洗浄液を吹き飛ばして乾燥させる。洗浄後に処理位置に移動した吐出ヘッド61から基板上に洗浄液が落下するのを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】吐出ヘッドを保持するノズルアームに起因した汚染を防止することができる洗浄処理装置および洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】吐出ヘッドを保持するノズルアーム62は、旋回駆動部63によって基板Wの上方の処理位置と基板Wを取り囲む処理カップよりも外側の待機位置との間で移動される。基板Wの洗浄処理を行ったノズルアーム62が待機位置に位置しているときに、シャワーノズル71から斜め下方のノズルアーム62に向けて洗浄液が噴出される。斜め下方に向けて噴出される洗浄液の液流を3本のノズルアーム62が横切るように昇降することにより、3本のノズルアーム62が順次に洗浄される。その後、乾燥ガスノズル76からノズルアーム62に窒素ガスを吹き付けてアームに付着している洗浄液を乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】基板をスピン乾燥する際に、基板の帯電量が面内で均一になるように制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、処理部22と、処理部22内に設けられ、基板が載置される載置台32と、載置台32の中心を回転軸として、載置台32に載置されている基板を載置台32とともに回転させる回転部35と、基板の表面に、処理部22の温度と基板の帯電量に基づいて、所定の相対湿度に調湿された気体を供給する気体供給部34と、気体供給部34を移動させる第1の移動部84とを有する。気体供給部34により基板の表面に気体を供給する位置を移動させることによって、基板の帯電量を制御する。 (もっと読む)


【課題】処理中に処理液が付着したノズルアームによる汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】1枚の基板Wの処理が終了してノズルアーム62が処理位置から待機位置に帰還したときに、その待機位置にてアーム乾燥部75の2本の乾燥ガスノズルからノズルアーム62に乾燥用ガスが吹き付けられる。また、固定設置された乾燥ガスノズルから水平方向に噴出される乾燥用ガスの流れをノズルアーム62の先端側が横切るように旋回駆動部63が3本のノズルアーム62を揺動させている。これによって、基板Wの処理後に処理液が付着していた3本のノズルアーム62が乾燥され、付着していた処理液が取り除かれる。その結果、基板Wの処理中に処理液が付着したノズルアーム62による汚染を防止することができる。 (もっと読む)


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