洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システム
【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置は、被処理ウェハＷを保持するウェハ保持部１３０と、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを覆う供給面１４１を備えた洗浄治具１４０とを有している。洗浄治具１４０には、隙間１４２に溶剤を供給する溶剤供給部１５０と、隙間１４２にリンス液を供給するリンス液供給部１５１と、隙間１４２に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部１５２とが設けられている。溶剤供給部１５０からの溶剤は表面張力と遠心力により接合面ＷＪ上を拡散し、リンス液供給部１５１からのリンス液は溶剤と混合されつつ、表面張力と遠心力により接合面ＷＪ上を拡散し、不活性ガス供給部１５２からの不活性ガスによって接合面ＷＪが乾燥されて、当該接合面ＷＪが洗浄される。
【解決手段】洗浄装置は、被処理ウェハＷを保持するウェハ保持部１３０と、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを覆う供給面１４１を備えた洗浄治具１４０とを有している。洗浄治具１４０には、隙間１４２に溶剤を供給する溶剤供給部１５０と、隙間１４２にリンス液を供給するリンス液供給部１５１と、隙間１４２に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部１５２とが設けられている。溶剤供給部１５０からの溶剤は表面張力と遠心力により接合面ＷＪ上を拡散し、リンス液供給部１５１からのリンス液は溶剤と混合されつつ、表面張力と遠心力により接合面ＷＪ上を拡散し、不活性ガス供給部１５２からの不活性ガスによって接合面ＷＪが乾燥されて、当該接合面ＷＪが洗浄される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、重合基板から剥離された被処理基板が環状のフレームの内側に配置されて、フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該被処理基板の接合面を洗浄する洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理すると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、例えばウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
【０００３】
かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。剥離装置は、例えばウェハを保持する第１ホルダーと、支持基板を保持する第２ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より２倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている（特許文献１）。その後、これらウェハの接合面と支持基板の接合面をそれぞれ洗浄して、ウェハと支持基板の剥離処理は終了する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１６７７２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ウェハは薄型化されているため、ウェハは環状のダイシングフレームの内側に配置され、ダイシングフレームの表面とウェハの非接合面にダイシングテープにより貼り付けられて保持される場合がある。すなわち、ウェハと支持基板を剥離した後、接合面が洗浄されるウェハは、ダイシングフレーム及びダイシングテープに保持されている場合がある。
【０００６】
上述したウェハの接合面の洗浄には、例えばウェハと支持基板を接合する接着剤の溶剤が用いられる。そしてウェハの洗浄中、ウェハの接合面上に供給された溶剤はウェハとダイシングフレームとの間のダイシングテープ上に流入する。そうすると、ダイシングテープが溶剤によって損傷を被る場合がある。かかる場合、ダイシングテープはウェハを適切に保持することができなくなり、当該ウェハの搬送や後続の処理に支障をきたす。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板が環状のフレームの内側に配置されて、前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該被処理基板の接合面を洗浄する洗浄方法であって、被処理基板の接合面上に前記接着剤の溶剤を供給するための洗浄治具の供給面が前記接合面を覆い、且つ前記供給面と前記接合面との間の距離が所定の距離となるように、前記洗浄治具を被処理基板に対向して配置する配置工程と、その後、前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤を供給し、当該供給された溶剤を表面張力によって前記接合面上に拡散させる洗浄工程と、を有することを特徴としている。なお、被処理基板の接合面とは重合基板の被処理基板において支持基板と接合される面をいい、被処理基板の非接合面とは重合基板の被処理基板において支持基板と接合されていない面をいう。また、本発明における所定の距離とは、洗浄治具の供給面と被処理基板の接合面との間を溶剤が表面張力によって拡散できる距離をいう。
【０００９】
本発明によれば、洗浄治具の供給面と被処理基板の接合面との間に供給された接着剤の溶剤は、表面張力によって供給面と接合面との間を拡散する。すなわち、溶剤は、被処理基板の接合面のみに拡散し、被処理基板とフレームとの間のテープ上に流入することはない。したがって、溶剤によるテープの損傷を抑制しつつ、被処理基板の接合面を適切に洗浄することができる。なお、本発明では、溶剤は被処理基板の接合面以外に拡散しないため、当該溶剤の供給量も少量に抑えることができ、溶剤のコストを低廉化することもできる。
【００１０】
前記洗浄工程において、前記溶剤が前記接合面に拡散した後、前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤のリンス液を供給してもよい。
【００１１】
前記洗浄工程において、前記洗浄治具と被処理基板を相対的に回転させてもよい。
【００１２】
前記洗浄工程において、前記供給面と前記接合面と間で拡散した溶剤を吸引してもよい。
【００１３】
前記洗浄工程は前記接合面が鉛直上方を向いた状態で行われ、当該洗浄工程において、被処理基板と前記フレームとの間の前記テープに向けて気体を供給してもよい。
【００１４】
前記洗浄工程は前記接合面が鉛直上方を向いた状態で行われ、当該洗浄工程において、被処理基板と前記フレームとの間のテープ上に充填液を充填してもよい。
【００１５】
前記洗浄工程は前記接合面が鉛直下方を向いた状態で行われてもよい。
【００１６】
前記洗浄方法は、前記洗浄工程の後、前記供給面と前記接合面との間に不活性ガスを供給して、当該接合面を乾燥させる乾燥工程を有していてもよい。
【００１７】
前記乾燥工程において、前記洗浄治具を加熱してもよい。
【００１８】
被処理基板と前記フレームとの間のテープ上には、環状の保護テープが設けられていてもよい。
【００１９】
前記保護テープは、前記溶剤に対する耐食性を有していてもよい。この前記溶剤に対する耐食性を有する保護テープとしては、例えばフッ素系樹脂が用いられる。
【００２０】
別な観点による本発明によれば、前記洗浄方法を洗浄装置によって実行させるために、当該洗浄装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２１】
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【００２２】
さらに別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板が環状のフレームの内側に配置されて、前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該被処理基板の接合面を洗浄する洗浄装置であって、被処理基板を保持する基板保持部と、被処理基板の接合面を覆う供給面を備えた洗浄治具と、前記供給面と前記接合面との間に前記接着剤の溶剤を供給する溶剤供給部と、前記供給面が前記接合面を覆い、且つ前記供給面と前記接合面との間の距離が所定の距離となるように、前記洗浄治具を前記基板保持部に保持された被処理基板に対向して配置する配置工程と、その後、前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤を供給し、当該供給された溶剤を表面張力によって前記接合面上に拡散させる洗浄工程とを実行するように、前記基板保持部、前記洗浄治具及び前記溶剤供給部を制御する制御部と、を有することを特徴としている。
【００２３】
前記洗浄装置は、前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤のリンス液を供給するリンス液供給部を有し、前記制御部は、前記洗浄工程において、前記溶剤が前記接合面に拡散した後、前記供給面と前記接合面との間に前記リンス液を供給するように、前記リンス液供給部を制御してもよい。
【００２４】
前記洗浄装置は、前記洗浄治具と、前記基板保持部に保持された被処理基板とを相対的に回転させる回転機構を有していてもよい。
【００２５】
前記洗浄装置は、前記供給面と前記接合面との間で拡散した溶剤を吸引する吸引部を有していてもよい。
【００２６】
前記洗浄治具は前記基板保持部に保持された被処理基板の鉛直上方に配置され、前記洗浄装置は、被処理基板と前記フレームとの間の前記テープに向けて気体を供給する気体供給部を有していてもよい。
【００２７】
前記洗浄治具は前記基板保持部に保持された被処理基板の鉛直上方に配置され、前記洗浄装置は、被処理基板と前記フレームとの間のテープ上に充填液を充填する充填液供給部を有していてもよい。
【００２８】
前記洗浄治具は前記基板保持部に保持された被処理基板の鉛直上方に配置されていてもよい。
【００２９】
前記洗浄治具はメッシュ板であってもよい。
【００３０】
前記洗浄装置は、前記供給面と前記接合面との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を有し、前記制御部は、前記洗浄工程の後、前記供給面と前記接合面との間に不活性ガスを供給して当該接合面を乾燥させる乾燥工程を実行するように、前記不活性ガス供給部を制御してもよい。
【００３１】
前記洗浄装置は、前記洗浄治具を加熱させる加熱機構を有し、前記制御部は、前記乾燥工程において前記洗浄治具を加熱するように、前記加熱機構を制御してもよい。
【００３２】
前記基板保持部は、前記テープを介して被処理基板を保持する第１の保持部と、前記テープの外側において前記フレームの表面を保持する第２の保持部とを有していてもよい。
【００３３】
前記洗浄装置は、前記基板保持部に被処理基板を受け渡すための受渡アームを有し、前記受渡アームは、被処理基板が取り付けられた前記フレームを保持するフレーム保持部を有していてもよい。
【００３４】
被処理基板と前記フレームとの間のテープ上には、環状の保護テープが設けられていてもよい。
【００３５】
前記保護テープは、前記溶剤に対する耐食性を有していてもよい。
【００３６】
また別な観点による本発明は、前記洗浄装置を備えた剥離システムであって、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する前記洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する他の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】ダイシングフレームとダイシングテープに保持された重合ウェハの縦断面図である。
【図３】ダイシングフレームとダイシングテープに保持された重合ウェハの平面図である。
【図４】剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】第１の保持部、第２の保持部及び第３の保持部の構成の概略を示す縦断面図である。
【図６】第２の保持部の構成の概略を示す平面図である。
【図７】第１の鉛直移動部の構成の概略を示す平面図である。
【図８】洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図９】洗浄治具の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１０】洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図１１】受渡アームの構成の概略を示す側面図である。
【図１２】搬送装置の構成の概略を示す側面図である。
【図１３】第１の搬送アームの構成の概略を示す平面図である。
【図１４】第２の搬送アームの構成の概略を示す平面図である。
【図１５】第１の保持部、第２の保持部及び第３の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。
【図１６】第１の鉛直移動部によって第３の保持部外周部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。
【図１７】第２の鉛直移動部によって第３の保持部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。
【図１８】被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。
【図１９】洗浄装置において被処理ウェハを洗浄する様子を示した説明図であり、（ａ）は洗浄治具を所定の位置に配置した様子を示し、（ｂ）は溶剤供給部から供給面と接合面との間の隙間に溶剤が供給される様子を示し、（ｃ）は上記隙間に溶剤が拡散した様子を示し、（ｄ）はリンス液供給部から上記隙間にリンス液が供給される様子を示し、（ｅ）は上記隙間に混合液が拡散した様子を示し、（ｆ）は不活性ガス供給部から上記隙間に不活性ガスが供給される様子を示す。
【図２０】他の実施の形態にかかる洗浄治具の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２１】他の実施の形態にかかる洗浄治具の構成の概略を示す平面図である。
【図２２】他の実施の形態にかかる洗浄治具を用いて溶剤を拡散させる様子を示す説明図である。
【図２３】他の実施の形態にかかる洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２４】他の実施の形態にかかる洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２５】他の実施の形態にかかる洗浄治具の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２６】他の実施の形態にかかる洗浄治具（メッシュ板）の構成の概略を示す平面図である。
【図２７】他の実施の形態にかかる洗浄治具（メッシュ板）を用いて溶剤を拡散させる様子を示す説明図である。
【図２８】他の実施の形態にかかる洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２９】他の実施の形態にかかる洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３０】他の実施の形態にかかる洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３１】他の実施の形態にかかる洗浄治具を用いて溶剤を拡散させる様子を示す説明図である。
【図３２】他の実施の形態にかかる洗浄治具の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３３】他の実施の形態にかかる洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３４】他の実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。
【図３５】第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。
【図３６】搬送アームの構成の概略を示す平面図である。
【図３７】第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３８】第２の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図３９】第１の保持部及び第２の保持部から搬送アームに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図４０】搬送アームからウェハ保持部に被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図４１】他の実施の形態において、被処理ウェハとダイシングフレームとの間の段部のダイシングフレーム上に保護テープが設けられた様子を示す縦断面図である。
【図４２】他の実施の形態において、被処理ウェハとダイシングフレームとの間の段部のダイシングフレーム上に保護テープが設けられた様子を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。
【００４０】
剥離システム１では、図２及び図３に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面ＳＪ」といい、当該接合面ＳＪと反対側の面を「非接合面ＳＮ」という。被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面ＷＮが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
【００４１】
重合ウェハＴには、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰが取り付けられている。ダイシングフレームＦは、平面視において略矩形状を有し、且つ内側に重合ウェハＴの外周部に沿った開口部が形成された環状形状を有している。そして重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦの内側の開口部に配置される。なおダイシングフレームＦには、例えばステンレス鋼が用いられる。またダイシングテープＰは、ダイシングフレームＦの表面ＦＳと被処理ウェハＷの非接合面ＷＮに貼り付けられている。こうして、重合ウェハＴはダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。なお、ダイシングテープＰは、製作の都合上、ダイシングフレームＦの表面ＦＳの端部までは貼り付けられておらず、ダイシングテープＰの厚みの分だけ、ダイシングフレームＦの外周部においてダイシングテープＰとの間に段差Ｂが存在している。
【００４２】
そして剥離システム１において、重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持された状態で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離される。また、剥離された被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持された状態で搬送され、後続の処理、例えば接合面ＷＪの洗浄が行われる。
【００４３】
剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷと複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＴが搬入出される第１の搬入出ステーション１０と、外部との間で複数の被処理ウェハＳを収容可能なカセットＣＳが搬入出される第２の搬入出ステーション１１と、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置１２と、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する洗浄装置１３と、剥離システム１内で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送する搬送装置１４とを有している。第１の搬入出ステーション１０、第２の搬入出ステーション１１、剥離装置１２及び洗浄装置１３は、搬送装置１４の周囲に例えば平面視反時計回転方向においてこの順に並ぶように配置されている。
【００４４】
第１の搬入出ステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、例えば２つのカセット載置板２１が設けられている。カセット載置板２１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に並べて配置されている。これらのカセット載置板２１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＴを載置することができる。このように第１の搬入出ステーション１０は、複数の被処理ウェハＷと複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、これら被処理ウェハＷと重合ウェハＴは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。また、第１の搬入出ステーション１０において、カセット載置板２１の個数は、本実施の形態に限定されず任意に決定することができる。
【００４５】
第２の搬入出ステーション１１には、カセット載置台３０が設けられている。カセット載置台３０には、例えば１つのカセット載置板３１が設けられている。カセット載置板３１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＳを搬入出する際に、カセットＣＳを載置することができる。このように第２の搬入出ステーション１１は、複数の支持ウェハＳを保有可能に構成されている。また、カセット載置板３１に隣接してＸ方向正方向（図１中の上方向）側には、被処理ウェハＷの表裏面を反転させる反転装置３２が配置されている。
【００４６】
次に、上述した剥離装置１２の構成について説明する。剥離装置１２は、図４に示すように処理容器４０を有している。処理容器４０の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。なお、処理容器４０内には、搬送装置１４が設置された領域からの雰囲気が流入するようになっている。また、被処理ウェハＷと重合ウェハＴは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。
【００４７】
処理容器４０の底面には、当該処理容器４０の内部の雰囲気を吸引する吸気口４１が形成されている。吸気口４１には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置４２に連通する吸気管４３が接続されている。
【００４８】
処理容器４０の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部５０と、ダイシングフレームＦの表面ＦＳを吸着保持する第２の保持部５１と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第３の保持部５２とが設けられている。第１の保持部５０と第２の保持部５１はそれぞれ第３の保持部５２の上方に設けられ、第１の保持部５０は第３の保持部５２と対向するように配置されている。すなわち、処理容器４０の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。
【００４９】
第１の保持部５０は、図５に示すように略平板形状を有している。第１の保持部５０の内部には、ダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸着保持するための吸引管６０が設けられている。吸引管６０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。
【００５０】
また、第１の保持部５０の内部には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構６１が設けられている。加熱機構６１には、例えばヒータが用いられる。
【００５１】
第２の保持部５１は、第１の保持部５０の外周部において当該第１の保持部５０と一体に設けられている。すなわち、第２の保持部５１は、ダイシングテープＰの外側に配置されている。また、第２の保持部５１には例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）が接続され、第２の保持部５１はダイシングテープＰの外側においてダイシングフレームＦの表面ＦＳを吸着保持することができる。なお、図６に示すように、第２の保持部５１は複数個所、例えば４箇所に設けられている。４つの第２の保持部５１は、ダイシングフレームＦの各辺に等間隔に配置されている。
【００５２】
ここで、上述したようにダイシングフレームＦの外周部には、ダイシングテープＰとの間に段差Ｂが存在している。このため、第１の保持部５０でダイシングフレームＦを吸着保持しようとすると、当該第１の保持部５０とダイシングフレームＦとの間に段差Ｂによる隙間が生じる。すなわち、第１の保持部５０はダイシングフレームＦを直接吸着保持することができない。かかる場合、ダイシングフレームＦが固定されないので、第１の保持部５０によって被処理ウェハＷを適切に保持されない。この点、本実施の形態では、第２の保持部５１によってダイシングフレームＦが吸着保持されるので、第１の保持部５０によって被処理ウェハＷも適切に保持される。
【００５３】
第３の保持部５２は、図５に示すように略平板形状を有している。第３の保持部５２の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管７０が設けられている。吸引管７０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。なお、第３の保持部５２は、弾性体である例えばアルミニウムが用いられる。
【００５４】
また、第３の保持部５２の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構７１が設けられている。加熱機構７１には、例えばアルミニウムからなるヒータが用いられる。
【００５５】
図４に示すように第１の保持部５０の上面には、当該第１の保持部５０を支持する支持板８０が設けられている。支持板８０は、処理容器４０の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板８０を省略し、第１の保持部５０は処理容器４０の天井面に当接して支持されてもよい。
【００５６】
第３の保持部５２の下方には、第３の保持部５２及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構９０が設けられている。移動機構９０は、第３の保持部５２を保持し、且つ第３の保持部５２の外周部のみを鉛直方向に移動させる第１の鉛直移動部９１と、第１の鉛直移動部９１を保持し、且つ第１の鉛直移動部９１と第３の保持部５２を鉛直方向に移動させる第２の鉛直移動部９２と、第１の鉛直移動部９１、第２の鉛直移動部９２及び第３の保持部５２を水平方向に移動させる水平移動部９３とを有している。第１の鉛直移動部９１、第２の鉛直移動部９２、水平移動部９３は、鉛直方向に上からこの順で配置されている。
【００５７】
第１の鉛直移動部９１は、第３の保持部５２の外周部を円環状に鉛直方向に移動させる複数、例えば６つのシリンダ１００と、第３の保持部５２の中央部を支持する支持柱１０１と、シリンダ１００と支持柱１０１を支持する支持板１０２とを有している。図７に示すように６つのシリンダ１００は、支持板１０２と同一円周上に等間隔に配置されている。また、これらシリンダ１００は、第３の保持部５２の外周部に対応する位置に配置されている。支持柱１０１は、支持板１０２の中央部であって、第３の保持部５２の中央部に対応する位置に配置されている。すなわち、シリンダ１００によって第３の保持部５２の外周部が鉛直下方に移動する際、当該第３の保持部５２の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、支持柱１０１が配置されている。
【００５８】
第２の鉛直移動部９２は、図４に示すように支持板１０２を昇降させる駆動部１１０と、支持板１０２を支持する支持部材１１１とを有している。駆動部１１０は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１１１は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１０２と水平移動部９３との間に例えば３箇所に設けられている。
【００５９】
水平移動部９３は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有し、第１の鉛直移動部９１、第２の鉛直移動部９２及び第３の保持部５２を水平方向に移動させることができる。
【００６０】
なお、第３の保持部５２の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第３の保持部５２に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第３の保持部５２の上面から突出可能になっている。
【００６１】
次に、上述した洗浄装置１３の構成について説明する。洗浄装置１３は、図８に示すように処理容器１２０を有している。処理容器１２０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。なお、処理容器１２０内には内部の雰囲気を清浄化するためのフィルタ（図示せず）が設けられている。また、被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。
【００６２】
処理容器１２０内の中央部には、基板保持部としてのウェハ保持部１３０が設けられている。ウェハ保持部１３０は、図９に示すようにダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷを保持して回転させる第１の保持部としてのスピンチャック１３１と、ダイシングフレームＦの表面ＦＳを吸着保持する第２の保持部としての吸着パッド１３２とを有している。
【００６３】
スピンチャック１３１は水平な上面を有し、当該上面には例えばダイシングテープＰを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。またスピンチャック１３１は、少なくとも被処理ウェハＷを覆うよう設けられている。そして吸引口からの吸引により、ダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷをスピンチャック１３１上に吸着保持できる。また被処理ウェハＷは、その接合面ＷＪが上方を向くようにスピンチャック１３１に吸着保持される。
【００６４】
吸着パッド１３２は、スピンチャック１３１の外周部上に設けられている。すなわち、吸着パッド１３２は、ダイシングテープＰの外側に配置されている。また、吸着パッド１３２には例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）が接続され、吸着パッド１３２はダイシングテープＰの外側においてダイシングフレームＦの表面ＦＳを吸着保持することができる。なお、図１０に示すように、吸着パッド１３２は複数個所、例えば８箇所に設けられている。
【００６５】
ここで、上述したようにダイシングフレームＦの外周部には、図９に示すようにダイシングテープＰとの間に段差Ｂが存在している。このため、スピンチャック１３１でダイシングフレームＦを吸着保持しようとすると、当該スピンチャック１３１とダイシングフレームＦとの間に段差Ｂによる隙間が生じる。すなわち、スピンチャック１３１はダイシングフレームＦを直接吸着保持することができない。かかる場合、ダイシングフレームＦが固定されないので、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを適切に保持されない。この点、本実施の形態では、吸着パッド１３２によってダイシングフレームＦが吸着保持されるので、ウェハ保持部１３０によって被処理ウェハＷも適切に保持される。
【００６６】
ウェハ保持部１３０の下方には、図８に示すように例えばモータなどを備えた回転機構としてのチャック駆動部１３３が設けられている。スピンチャック１３１は、チャック駆動部１３３により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１３３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１３１は昇降自在になっている。
【００６７】
ウェハ保持部１３０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１３４が設けられている。カップ１３４の下面には、回収した液体を排出する排出管１３５と、カップ１３４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１３６が接続されている。
【００６８】
ウェハ保持部１３０の上方には、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄するための洗浄治具１４０が設けられている。洗浄治具１４０は、ウェハ保持部１３０に保持された被処理ウェハＷに対向して配置されている。
【００６９】
洗浄治具１４０は、図９に示すように略円板形状を有している。洗浄治具１４０の下面には、少なくとも被処理ウェハＷの接合面ＷＪを覆うように供給面１４１が形成されている。なお、本実施の形態においては、供給面１４１と接合面ＷＪはほぼ同じ大きさである。
【００７０】
洗浄治具１４０の中央部には、供給面１４１と接合面ＷＪとの間の隙間１４２に接着剤Ｇの溶剤、例えばシンナーを供給する溶剤供給部１５０と、隙間１４２に溶剤のリンス液を供給するリンス液供給部１５１と、隙間１４２に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する不活性ガス供給部１５２とが設けられている。溶剤供給部１５０、リンス液供給部１５１、不活性ガス供給部１５２は、洗浄治具１４０の内部において合流し、洗浄治具１４０の供給面１４１に形成された供給口１５３に連通している。すなわち、溶剤供給部１５０から供給口１５３までの溶剤の流路、リンス液供給部１５１から供給口１５３までのリンス液の流路、不活性ガス供給部１５２から供給口１５３までの不活性ガスの流路は、それぞれ洗浄治具１４０の厚み方向に貫通している。なお、リンス液には接着剤Ｇの主溶媒の成分に応じて種々の液が用いられ、例えば純水やＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が用いられる。また、リンス液の乾燥を促進させるため、リンス液には揮発性の高い液を用いるのが好ましい。
【００７１】
溶剤供給部１５０には、内部に溶剤を貯留する溶剤供給源１５４に連通する供給管１５５が接続されている。供給管１５５には、溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１５６が設けられている。リンス液供給部１５１には、内部にリンス液を貯留するリンス液供給源１５７に連通する供給管１５８が接続されている。供給管１５８には、リンス液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１５９が設けられている。不活性ガス供給部１５２には、内部に不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源１６０に連通する供給管１６１が接続されている。供給管１６１には、溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１６２が設けられている。
【００７２】
図８に示すように処理容器１２０の天井面であって、洗浄治具１４０の上方には、洗浄治具１４０を鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構１７０が設けられている。移動機構１７０は、洗浄治具１４０を支持する支持部材１７１と、支持部材１７１を支持し、洗浄治具１４０を鉛直方向及び水平方向に移動させるための治具駆動部１７２とを有している。
【００７３】
また処理容器１２０の内部には、図１０及び図１１に示すように搬送装置１４からウェハ保持部１３０に被処理ウェハＷを受け渡すための受渡アーム１８０を有している。受渡アーム１８０は、ダイシングフレームＦの外周部を保持できるように円環形状を有している。受渡アーム１８０の下面には、フレーム保持部１８１が複数個所、例えば４箇所に設けられている。フレーム保持部１８１には例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）が接続され、フレーム保持部１８１は被処理ウェハＷが取り付けられたダイシングフレームＦを吸着保持することができる。
【００７４】
受渡アーム１８０は、一対の伸縮部材１８２、１８２に支持されている。伸縮部材１８２は、水平方向（図１０中のＸ方向）に伸縮自在に構成されている。また伸縮部材１８２は、図１０中のＹ方向に延伸する支持部材１８３に支持されている。支持部材１８３の両端部には、当該支持部材１８３を鉛直方向に昇降させる昇降機構１８４が設けられている。昇降機構１８４には、例えばシリンダ等が用いられる。かかる構成により、受渡アーム１８０は、水平方向に移動自在であると共に、鉛直方向に昇降自在に構成されている。
【００７５】
次に、上述した搬送装置１４の構成について説明する。搬送装置１４は、図１２に示すように重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを保持して搬送する第１の搬送アーム１９０と、支持ウェハＳを保持して搬送する第２の搬送アーム１９１を有している。なお、第１の搬送アーム１９０で搬送される重合ウェハＴと被処理ウェハＷは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。
【００７６】
第１の搬送アーム１９０は、図１３に示すように先端が２本の先端部１９２ａ、１９２ａに分岐したアーム部１９２と、このアーム部１９２と一体に形成され、且つアーム部１９２を支持する支持部１９３とを有している。アーム部１９２の各先端部１９２ａには、ダイシングフレームＦ又はダイシングテープＰを介して重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを吸着して保持する吸着パッド１９４が設けられている。第１の搬送アーム１９０は、このアーム部１９２上に重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを水平に保持することができる。
【００７７】
第２の搬送アーム１９１は、図１４に示すように支持ウェハＳよりも大きい径の略３／４円環状に構成されたアーム部１９５と、このアーム部１９５と一体に形成され、且つアーム部１９５を支持する支持部１９６とを有している。アーム部１９５には、内側に向かって突出し、支持ウェハＳの角部を保持する保持部１９７が例えば４箇所に設けられている。第２の搬送アーム１９１は、この保持部１９７上に支持ウェハＳを水平に保持することができる。
【００７８】
搬送アーム１９０、１９１の基端部には、図１２に示すようにアーム駆動部１９８が設けられている。このアーム駆動部１９８により、各搬送アーム１９０、１９１は独立して水平方向に移動できる。これら搬送アーム１９０、１９１とアーム駆動部１９８は、基台１９９に支持されている。基台１９９の下面には、シャフト２００を介して回転駆動部２０１が設けられている。この回転駆動部２０１により、基台１９９及び搬送アーム１９０、１９１はシャフト２００を中心軸として回転でき、且つ昇降できる。
【００７９】
以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部２５０が設けられている。制御部２５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部２５０にインストールされたものであってもよい。
【００８０】
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。
【００８１】
先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴと空のカセットＣＷが、第１の搬入出ステーション１０の所定のカセット載置板２１に載置される。また空のカセットＣＳが、第２の搬入出ステーション１１の所定のカセット載置板３１に載置される。その後、搬送装置１４の第１の搬送アーム１９０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離装置１２に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持され、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。
【００８２】
剥離装置１２に搬入された重合ウェハＴは、第３の保持部５２に吸着保持される。その後、図１５に示すように移動機構９０の第２の鉛直移動部９２により第３の保持部５２を上昇させて、第１の保持部５０と第３の保持部５２で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部５０によりダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持されると共に、第２の保持部５１にダイシングフレームＦの表面ＦＳが吸着保持され、また第３の保持部５２に支持ウェハＳの非接合面ＳＮが吸着保持される。
【００８３】
その後、加熱機構６１、７１によって重合ウェハＴが所定の温度、例えば２００℃に加熱される。そうすると、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇが軟化する。
【００８４】
続いて、加熱機構６１、７１によって重合ウェハＴを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、図１６に示すように移動機構９０の第１の鉛直移動部９１によって第３の保持部５２の外周部のみを円環状に鉛直下方に移動させる。すなわち、シリンダ１００によって第３の保持部５２の外周部が鉛直下方に移動する際、第３の保持部５２の中央部が支持柱１０１に支持され、当該第３の保持部５２の中央部の鉛直方向の位置が変化しない。
【００８５】
かかる場合、第３の保持部５２に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部５０及び第２の保持部５１に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離される。ここで、上述したように被処理ウェハＷの接合面ＷＪには電子回路が形成されているため、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを一度に剥離しようとすると、接合面ＷＪ、ＳＪに多大な荷重がかかり、接合面ＷＪ上の電子回路が損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態では、外周部から中心部に向けて支持ウェハＳが被処理ウェハＷから連続的に剥離されるので、接合面ＷＪ、ＳＪに大きな荷重がかからない。したがって、電子回路の損傷を抑制することができる。
【００８６】
その後、被処理ウェハＷの中心部と支持ウェハＳの中心部のみが接着した状態で、図１７に示すように第２の鉛直移動部９２によって第３の保持部５２全体を鉛直下方に移動させる。そして、支持ウェハＳの外周部が鉛直下方に撓んだ状態で、支持ウェハＳが被処理ウェハＷから剥離される。その後、図１８に示すように第１の鉛直移動部９１によって第３の保持部５２と支持ウェハＳの外周部が鉛直上方に移動され、当該第３の保持部５２と支持ウェハＳが平坦化される。こうして、第１の保持部５０及び第２の保持部５１に保持された被処理ウェハＷと、第３の保持部５２に保持された支持ウェハＳとが剥離される。
【００８７】
その後、剥離装置１２で剥離された被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム１９０によって反転装置３２に搬送され、当該反転装置３２において被処理ウェハＷの表裏面が反転される。すなわち、被処理ウェハＷの接合面ＷＪが上方に向けられる。その後、被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム１９０によって洗浄装置１３に搬送される。なお、剥離装置１２から搬出され洗浄装置１３に搬入される被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。
【００８８】
一方、剥離装置１２で剥離された支持ウェハＳは、搬送装置１４の第２の搬送アーム１９１によって第２の搬入出ステーション１１のカセットＣＳに搬送される。その後、支持ウェハＳは、第２の搬入出ステーション１１から外部に搬出され回収される。なお、支持ウェハＳが第２の搬入出ステーション１１に搬送されるタイミングは、任意に設定できる。支持ウェハＳの搬送は、例えば被処理ウェハＷを反転装置３２に搬送する前であってもよいし、反転装置３２において被処理ウェハＷの表裏面の反転中であってもよいし、被処理ウェハＷを洗浄装置１３に搬送した後であってもよい。
【００８９】
洗浄装置１３に搬入された被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム１９０から受渡アーム１８０に受け渡される。続いて、受渡アーム１８０によって、被処理ウェハＷはウェハ保持部１３０に受け渡され保持される。具体的には、被処理ウェハＷはダイシングテープＰを介してスピンチャック１３１に吸着保持される。同時に、ダイシングフレームＦの表面ＦＳは吸着パッド１３２に吸着保持される。続いて、移動機構１７０によって洗浄治具１４０の水平方向の位置を調整すると共に、図１９（ａ）に示すように洗浄治具１４０を所定の位置まで下降させる。このとき、洗浄治具１４０の供給面１４１と被処理ウェハＷの接合面ＷＪとの間の所定の距離Ｑは、後述するように供給面１４１と接合面ＷＪとの間の隙間１４２において、接着剤Ｇの溶剤が表面張力によって拡散できる距離になっている。
【００９０】
その後、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、図１９（ｂ）に示すように溶剤供給源１５４から溶剤供給部１５０に溶剤Ｌを供給する。溶剤Ｌは、供給口１５３から供給面１４１と接合面ＷＪとの間の隙間１４２に供給され、当該隙間１４２において溶剤Ｌの表面張力と被処理ウェハＷの回転による遠心力により、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上を拡散する。こうして、図１９（ｃ）に示すように、隙間１４２において溶剤Ｌが被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に供給される。
【００９１】
その後、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを溶剤Ｌに浸した状態を所定の時間、例えば数分間維持する。そうすると、接合面ＷＪに残存していた接着剤Ｇ等の不純物が溶剤Ｌによって除去される。
【００９２】
その後、スピンチャック１３１による被処理ウェハＷの回転を引き続き行った状態で、図１９（ｄ）に示すように洗浄治具１４０を所定の位置、すなわち隙間１４２にリンス液Ｒを供給できる位置まで上昇させる。続いて、リンス液供給源１５７からリンス液供給部１５１にリンス液Ｒを供給する。リンス液Ｒは、供給口１５３から隙間１４２に供給されて溶剤Ｌと混合されつつ、当該隙間１４２において表面張力と遠心力により、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上を拡散する。こうして、図１９（ｅ）に示すように、隙間１４２において溶剤Ｌとリンス液Ｒとの混合液Ｃが、被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に供給される。
【００９３】
その後、スピンチャック１３１による被処理ウェハＷの回転を引き続き行った状態で、図１９（ｆ）に示すように洗浄治具１４０を所定の位置まで下降させる。そして、不活性ガス供給部１６０から不活性ガス供給部１５２と供給口１５３を介して隙間１４２に、不活性ガスが供給される。不活性ガスは、隙間１４２に充填されていた混合液Ｃを当該隙間１４２の外部に押し流す。こうして、隙間１４２の混合液Ｃが除去される。
【００９４】
なお、上述したように隙間１４２に不活性ガスを供給する際に洗浄治具１４０を下降させるのは、隙間１４２の鉛直方向の距離を小さくして不活性ガスの流速を速くするためである。これによって、隙間１４２の混合液Ｃを迅速に除去することができる。また、不活性ガスによって押し流された混合液Ｃは、被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に流入する可能性もあるが、この場合であっても混合液Ｃ中の溶剤Ｌは希釈されているため、ダイシングテープＰが損傷を被ることはない。
【００９５】
隙間１４２の混合液Ｃが除去された後も、スピンチャック１３１による被処理ウェハＷの回転と、隙間１４２への不活性ガスの供給を引き続き行う。そして、被処理ウェハＷの接合面ＷＪが乾燥される。こうして、洗浄装置１３において被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄される。
【００９６】
その後、洗浄装置１３で洗浄された被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム１９０によって第１の搬入出ステーション１０のカセットＣＷに搬送される。その後、被処理ウェハＷは、第１の搬入出ステーション１０から外部に搬出され回収される。こうして、剥離システム１における一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。
【００９７】
以上の実施の形態の洗浄装置１３によれば、洗浄治具１４０の供給面１４１と被処理ウェハＷの接合面ＷＪとの間の隙間１４２に供給された接着剤Ｇの溶剤Ｌは、溶剤Ｌの表面張力と被処理ウェハＷの回転で生じる遠心力によって隙間１４２を拡散する。このとき、溶剤Ｌは表面張力と遠心力の２つの外力がかかるので、隙間１４２を効率よく拡散できる。また、溶剤Ｌは、被処理ウェハＷの接合面ＷＪのみに拡散し、被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に流入することはない。したがって、溶剤ＬによるダイシングテープＰの損傷を抑制しつつ、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを適切に洗浄することができる。また、本実施の形態では、溶剤Ｌは被処理ウェハＷの接合面ＷＪ以外に拡散しないため、当該溶剤Ｌの供給量も少量に抑えることができ、溶剤Ｌのコストを低廉化することもできる。
【００９８】
また、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際、隙間１４２に溶剤Ｌを供給した後、当該隙間１４２にリンス液Ｒを供給するので、当該リンス液Ｒによって接合面ＷＪ上の接着剤Ｇを除去でき、被処理ウェハＷの接合面ＷＪをより適切に洗浄することができる。また、隙間１４２ではリンス液Ｒによって溶剤Ｌが希釈されるので、溶剤Ｌとリンス液Ｒの混合液Ｃが被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に流入しても、当該ダイシングテープＰが損傷を被るのを抑制することができる。
【００９９】
さらに、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際、隙間１４２にリンス液Ｒを供給した後、当該隙間１４２に不活性ガスを供給するので、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを適切に乾燥させることができる。
【０１００】
以上の実施の形態の洗浄治具１４０の外周部には、図２０及び図２１に示すように供給面１４１と接合面ＷＪとの間の隙間１４２の溶剤Ｌや混合液Ｃを吸引するための吸引部３００が設けられていてもよい。吸引部３００は、洗浄治具１４０の厚み方向に貫通して設けられている。また吸引部３００は、洗浄治具１４０と同一円周上に等間隔に複数、例えば８箇所に配置されている。各吸引部３００には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置３０１に連通する吸気管３０２が接続されている。なお、洗浄治具１４０のその他の構成は、上記実施の形態の洗浄治具１４０の構成と同様であるので説明を省略する。また、洗浄治具１４０の供給口１５３と吸引部３００の形状や配置は、本実施の形態に限定されず、種々の形態を取り得る。例えば供給口１５３と吸引部３００は、平面視においてスリット状の細長形状を有していてもよい。
【０１０１】
かかる場合、図２２に示すように、溶剤供給部１５０を介して供給口１５３から供給面１４１と接合面ＷＪとの間の隙間１４２に溶剤Ｌが供給されると、吸引部３００によって隙間１４２の溶剤Ｌの吸引が行われる。そうすると、溶剤Ｌは、被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に流入しない。その後、隙間１４２にリンス液Ｒを供給し、さらに隙間１４２に不活性ガスを供給する際にも、吸引部３００による吸引を継続して行う。そうすると、溶剤Ｌとリンス液Ｒとの混合液Ｃも、段部ＡのダイシングテープＰ上に流入しない。したがって、本実施の形態では、被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に溶剤Ｌや混合液Ｃが流入するのを確実に抑制できるので、ダイシングテープＰが損傷を被るのを抑制することができる。
【０１０２】
ここで、段部Ａに一旦溶剤Ｌや混合液Ｃが流入すると、これら溶剤Ｌや混合液Ｃは段部Ａから流出し難くなる。このため、段部Ａは乾燥し難く、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄するのに時間がかかる。この点、本実施の形態では、段部Ａに溶剤Ｌや混合液Ｃが流入しないので、接合面ＷＪの洗浄を迅速に行うことができる。
【０１０３】
なお、段部Ａに溶剤Ｌや混合液Ｃが流入するのを抑制する方法は、本実施の形態に限定されず、種々の方法を取り得る。例えば図２３に示すように洗浄装置１３は、段部Ａに気体、例えば乾燥空気や不活性ガスを供給する気体供給部３１０を有していてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、気体供給部３１０から気体を供給することで、当該段部Ａに溶剤Ｌや混合液Ｃが流入するのを抑制することができる。したがって、ダイシングテープＰが損傷を被るのを抑制することができ、また接合面ＷＪの洗浄を迅速に行うことができる。なお、気体供給部３１０は、図示の例のように複数設けられていてもよい。
【０１０４】
また、例えば図２４に示すように洗浄装置１３は、段部Ａに充填液Ｋを供給する充填液供給部３２０を有していてもよい。充填液Ｋには、ダイシングテープＰに損傷を与えない材料が用いられ、ダイシングテープＰの種類に応じて決定される。また、被処理ウェハＷを洗浄後の段部Ａの乾燥を促進するため、充填液Ｋには揮発性の高い液を用いるのが好ましい。かかる場合、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、充填液供給部３２０から供給された充填液Ｋで段部Ａが充填される。そうすると、溶剤Ｌや混合液Ｃが被処理ウェハＷの接合面ＷＪの外部に流出しても、段部Ａにおいて、この溶剤Ｌや混合液Ｃは充填液Ｋに希釈される。したがって、ダイシングテープＰが損傷を被るのを抑制することができる。
【０１０５】
以上の実施の形態の洗浄治具１４０の内部には、図２５に示すように加熱機構３３０が設けられていてもよい。加熱機構３３０には、例えばヒータが用いられる。かかる場合、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄して隙間１４２の混合液Ｃを不活性ガスによって除去した後、接合面ＷＪを乾燥させる際、加熱機構３３０によって洗浄治具１４０を加熱させる。そうすると、この熱が接合面ＷＪに伝わり、当該接合面ＷＪを迅速に乾燥させることができる。なお、加熱機構３３０は。洗浄治具１４０の外部に設けてもよい。
【０１０６】
以上の実施の形態の洗浄治具１４０は略平板形状を有していたが、図２６に示すように洗浄治具としてメッシュ板３４０を用いてもよい。メッシュ板１４０は、少なくとも被処理ウェハＷの接合面ＷＪを覆う大きさを有し、本実施の形態においては、メッシュ板１４０と被処理ウェハＷはほぼ同じ大きさである。また、メッシュ板３４０には、複数の開口部３４１が形成されている。
【０１０７】
かかる場合、洗浄治具１４０の内部に形成された溶剤供給部１５０、リンス液供給部１５１、不活性ガス供給部１５２に代えて、図２７に示すように溶剤供給部として溶剤ノズル３４２、リンス液供給部としてリンス液ノズル３４３、不活性ガス供給部として不活性ガスノズル３４４がそれぞれ用いられる。これら溶剤ノズル３４２、リンス液ノズル３４３、不活性ガスノズル３４４は、メッシュ板３４０の上方に配置されている。溶剤ノズル３４２には、上述した溶剤供給源１５４に連通する供給管１５５が接続される。リンス液ノズル３４３には、上述したリンス液供給源１５７に連通する供給管１５８が接続される。不活性ガスノズル３４４には、上述した不活性ガス供給源１６０に連通する供給管１６１が接続される。なお、本実施の形態では、これら溶剤ノズル３４２、リンス液ノズル３４３、不活性ガスノズル３４４は別々に設けられていたが、１つのノズルから溶剤Ｌ、リンス液Ｒ、不活性ガスを供給するようにしてもよい。
【０１０８】
そして、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際には、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、溶剤ノズル３４２からメッシュ板３４０と接合面ＷＪとの間の隙間３４５に溶剤Ｌが供給され、溶剤Ｌは隙間３４５において表面張力と遠心力により接合面ＷＪ上を拡散する。このとき、メッシュ板３４０を用いているので表面張力が大きく、接合面ＷＪが溶剤Ｌに浸された状態を形成し易い。その後、リンス液ノズル３４３から隙間３４５にリンス液Ｒが供給され、リンス液Ｒは溶剤Ｌと混合されつつ、隙間３４５において表面張力と遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上を拡散する。その後、不活性ガスノズル３４４から隙間３４５に不活性ガスが供給され、不活性ガスによって隙間３４５の混合液Ｃが除去され、さらに接合面ＷＪが乾燥される。こうして、本実施の形態においても、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを適切に洗浄することができる。
【０１０９】
なお、本実施の形態のようにメッシュ板３４０を用いる場合、隙間３４５の溶剤Ｌや混合液Ｃを吸引するための吸引部（図示せず）を設けてもよい。吸引部には、例えば被処理ウェハＷの径方向に移動自在のスキャンノズルが用いられる。
【０１１０】
以上の実施の形態の洗浄治具１４０には、溶剤供給部１５０、リンス液供給部１５１、不活性ガス供給部１５２が設けられていたが、溶剤供給部、リンス液供給部、不活性ガス供給部は種々の形態を取り得る。例えば図２８に示すように、溶剤供給部１５０、リンス液供給部１５１を洗浄治具１４０の内部に設け、隙間１４２に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部３５０を洗浄治具１４０の外部に設けてもよい。不活性ガス供給部３５０には、上述した不活性ガス供給源１６０に連通する供給管１６１が接続される。あるいは、これら溶剤供給部、リンス液供給部、不活性ガス供給部をすべて洗浄治具１４０の外部に設けてもよい。いずれの場合でも、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを適切に洗浄することができる。
【０１１１】
以上の実施の形態の洗浄装置１３において、図２９に示すように洗浄治具１４０を省略してもよい。かかる場合、溶剤Ｌ、リンス液Ｒ、不活性ガスを供給する供給ノズル３６０と、溶剤Ｌ、リンス液Ｒ（混合液Ｃ）を吸引する吸引ノズル３６１が、ウェハ保持部１３０の上方に設けられている。そして、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、供給ノズル３６０から被処理ウェハＷ上に溶剤Ｌ、リンス液Ｒ、不活性ガスを供給し、且つ吸引ノズル３６１から被処理ウェハＷ上の溶剤Ｌ、リンス液Ｒ（混合液Ｃ）を吸引する。本実施の形態でも、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを適切に洗浄することができる。
【０１１２】
以上の実施の形態の洗浄装置１３では、洗浄治具１４０はウェハ保持部１３０の上方に配置されていたが、図３０に示すように洗浄治具１４０とウェハ保持部１３０の上下位置を反対にしてもよい。すなわち、洗浄治具１４０をウェハ保持部１３０の下方に配置してもよい。
【０１１３】
かかる場合、洗浄治具１４０は、その供給面１４１が上方を向くように配置される。また、洗浄治具１４０の下方には、例えばモータやシリンダなどの昇降駆動源などを備えた治具駆動部３７０が設けられている。洗浄治具１４０は、治具駆動部３７０により昇降自在になっている。なお、洗浄治具１４０の構成は、上記実施の形態の洗浄治具１４０と同様であるので説明を省略する。
【０１１４】
ウェハ保持部１３０は、スピンチャック１３１に保持された被処理ウェハＷの接合面ＷＪが下方を向くように配置される。また、スピンチャック１３１を回転且つ昇降させるチャック駆動部１３３は、ウェハ保持部１３０の上方に設けられ、処理容器１２０の天井面に取り付けられている。
【０１１５】
被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際には、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、図３１に示すように溶剤供給部１５０から洗浄治具１４０と接合面ＷＪとの間の隙間１４２に溶剤Ｌが供給され、溶剤Ｌは隙間１４２において表面張力と遠心力により接合面ＷＪ上を拡散する。その後、リンス液供給部１５１から隙間１４２にリンス液Ｒが供給され、リンス液Ｒは溶剤Ｌと混合されつつ、隙間１４２において表面張力と遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上を拡散する。その後、不活性ガス供給部１５２から隙間１４２に不活性ガスが供給され、不活性ガスによって隙間１４２の混合液Ｃが除去され、さらに接合面ＷＪが乾燥される。このとき、溶剤Ｌや混合液Ｃが隙間１４２の外部に流出しても、これら溶剤Ｌや混合液Ｃは下方に落下する。すなわち、溶剤Ｌや混合液Ｃが被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰに流入することはない。このため、ダイシングテープＰが損傷を被るのを抑制することができ、また接合面ＷＪの洗浄を迅速に行うことができる。したがって、洗浄治具１４０とウェハ保持部１３０の上下位置を反対にした場合でも、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを適切に洗浄することができる。しかも、被処理ウェハＷはその接合面ＷＪが下方を向くようにスピンチャック１３１に保持されるので、剥離装置１２で剥離された被処理ウェハＷの表裏面を反転する必要がない。このため、反転装置３２を省略することができる。
【０１１６】
なお、隙間１４２への溶剤Ｌとリンス液Ｒの供給を図１９に示したように接合面ＷＪが上方を向いた状態で行い、その後被処理ウェハＷの表裏面を反転させて、隙間１４２への不活性ガスの供給を図３１に示したように接合面ＷＪが下方を向いた状態で行ってもよい。かかる場合、溶剤Ｌとリンス液Ｒによって上方を向いた状態の接合面ＷＪ上の不純物が適切に除去される。その後、不活性ガスによって下方を向いた状態の接合面ＷＪが乾燥されるが、このとき隙間１４２の混合液Ｃが段部Ａに流入するのを抑制することができる。
【０１１７】
上記実施の形態のように洗浄治具１４０がウェハ保持部１３０の下方に配置された場合でも、図３２に示すように洗浄治具１４０の外周部に吸引部３００を設けてもよい。なお、吸引部３００の構成は、上記実施の形態の吸引部３００の構成と同様であるので説明を省略する。かかる場合、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際、吸引部３００から隙間１４２の溶剤Ｌや混合液Ｃを吸引することができるので、被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰに、溶剤Ｌや混合液Ｃが流入するのを抑制することができる。しかも、吸引部３００の下方から溶剤Ｌや混合液Ｃを吸引するので、当該溶剤Ｌや混合液Ｃにかかる重力の分、吸引部３００からの吸引力を小さくすることができ、負圧発生装置３０１にかかる負荷を低減することができる。
【０１１８】
さらに、このように洗浄治具１４０がウェハ保持部１３０の下方に配置された場合において、図３３に示すように洗浄治具１４０を省略してもよい。かかる場合、スピンチャック１３１の下方には、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに溶剤Ｌを供給する溶剤ノズル３８０、接合面ＷＪにリンス液Ｒを供給するリンス液ノズル３８１、接合面ＷＪに不活性ガスを供給する不活性ガスノズル３８２が設けられる。なお、本実施の形態では、これら溶剤ノズル３８０、リンス液ノズル３８１、不活性ガスノズル３８２は別々に設けられていたが、１つのノズルから溶剤Ｌ、リンス液Ｒ、不活性ガスを供給するようにしてもよい。
【０１１９】
そして、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際には、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、溶剤ノズル３８０から接合面ＷＪに溶剤Ｌが供給され、溶剤Ｌは遠心力により接合面ＷＪ上を拡散する。その後、リンス液ノズル３８１から接合面ＷＪにリンス液Ｒが供給され、リンス液Ｒは溶剤Ｌと混合されつつ、遠心力により接合面ＷＪ上を拡散する。その後、不活性ガスノズル３８２から接合面ＷＪに不活性ガスが供給され、不活性ガスによって接合面ＷＪ上の混合液Ｃが除去され、さらに接合面ＷＪが乾燥される。こうして、本実施の形態においても、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを適切に洗浄することができる。
【０１２０】
以上の実施の形態の洗浄装置１３では、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させていたが、洗浄治具１４０を回転させてもよい。かかる場合、洗浄装置１３には、洗浄治具１４０を回転させるための回転機構（図示せず）が設けられる。あるいは、洗浄治具１４０とスピンチャック１３１に保持された被処理ウェハＷを共に回転させてもよい。いずれの場合でも、洗浄治具１４０と被処理ウェハＷを相対的に回転させることによって、溶剤Ｌや混合液Ｃは遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上を拡散することができる。
【０１２１】
なお、このような洗浄治具１４０と被処理ウェハＷの相対的な回転を停止して、表面張力のみで溶剤Ｌや混合液Ｃを拡散させてもよい。
【０１２２】
以上の実施の形態の洗浄装置１３では、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄するために溶剤Ｌ、リンス液Ｒ、不活性ガスを用いていたが、例えば溶剤Ｌが高い揮発性を有する場合には、リンス液Ｒと不活性ガスを省略することもできる。
【０１２３】
以上の実施の形態の重合ウェハＴの剥離処理は、上記剥離システム１と異なる剥離システムで行ってもよい。
【０１２４】
例えば図３４に示すように剥離システム４００は、外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション４１０と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション４１１と、剥離処理ステーション４１１に隣接する後処理ステーション４１２との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション４１３とを一体に接続した構成を有している。なお、本実施の形態においても、被処理ウェハＷと重合ウェハＴは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。
【０１２５】
搬入出ステーション４１０と剥離処理ステーション４１１は、Ｘ方向（図３４中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション４１０と剥離処理ステーション４１１との間には、ウェハ搬送領域４１４が形成されている。インターフェイスステーション４１３は、剥離処理ステーション４１１のＹ方向負方向側（図３４中の左方向側）に配置されている。インターフェイスステーション４１３のＸ方向正方向側（図３４中の上方向側）には、後処理ステーション４１２に受け渡す前の被処理ウェハＷを検査する検査装置４１５が配置されている。また、インターフェイスステーション４１３を挟んで検査装置４１５の反対側、すなわちインターフェイスステーション４１３のＸ方向負方向側（図３４中の下方向側）には、検査後の被処理ウェハＷを洗浄する検査後洗浄装置４１６が配置されている。
【０１２６】
搬入出ステーション４１０には、カセット載置台４２０が設けられている。カセット載置台４２０には、複数、例えば３つのカセット載置板４２１が設けられている。カセット載置板４２１は、Ｙ方向（図３４中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板４２１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション４１０は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板４２１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション４１０に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと、欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【０１２７】
ウェハ搬送領域４１４には、第１の搬送装置４３０が配置されている。第１の搬送装置４３０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な２本の搬送アームを有している。これら２本の搬送アームは、上記実施の形態における重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを保持して搬送する第１の搬送アーム１９０と、支持ウェハＳを保持して搬送する第２の搬送アーム１９１とそれぞれ同様の構成を有している。第１の搬送装置４３０は、ウェハ搬送領域４１４内を移動し、搬入出ステーション４１０と剥離処理ステーション４１１との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。
【０１２８】
剥離処理ステーション４１１は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置１２を有している。剥離装置１２のＹ方向負方向側（図３４中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置１３が配置されている。剥離装置１２と第１の洗浄装置１３との間には、第２の搬送装置４４０が設けられている。また、剥離装置１２のＹ方向正方向側（図２４中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する他の洗浄装置としての第２の洗浄装置４４１が配置されている。このように剥離処理ステーション４１１には、第１の洗浄装置１３、第２の搬送装置４４０、剥離装置１２、第２の洗浄装置４４１が、インターフェイスステーション４１３側からこの順で並べて配置されている。なお、剥離装置１２は、上記実施の形態の剥離システム１における剥離装置１２と同様の構成を有する。また、第１の洗浄装置１３も剥離システム１における洗浄装置１３と同様の構成を有するが、第２の洗浄装置４４１と区別するため、便宜上、第１の洗浄装置１３と呼称する。
【０１２９】
検査装置４１５では、剥離装置１２により剥離された被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。また、検査後洗浄装置４１６では、検査装置４１５で接着剤Ｇの残渣が確認された被処理ウェハＷの洗浄が行われる。この検査後洗浄装置４１６は、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する接合面洗浄部４１６ａ、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを洗浄する非接合面洗浄部４１６ｂ、被処理ウェハＷを上下反転させる反転部４１６ｃを有している。なお、接合面洗浄部４１６ａと非接合面洗浄部４１６ｂは、第１の洗浄装置１３と同様の構成を有する。
【０１３０】
インターフェイスステーション４１３には、Ｙ方向に延伸する搬送路４５０上を移動自在な第３の搬送装置４５１が設けられている。第３の搬送装置４５１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、剥離処理ステーション４１１、後処理ステーション４１２、検査装置４１５及び検査後洗浄装置４１６との間で被処理ウェハＷを搬送できる。
【０１３１】
なお、後処理ステーション４１２では、剥離処理ステーション４１１で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理としては、例えば被処理ウェハＷ上のデバイスの電気的特性の検査を行う処理などが行われる。
【０１３２】
次に、上述した第２の搬送装置４４０の構成について説明する。第２の搬送装置４４０は、図３５に示すように被処理ウェハＷを保持して搬送する搬送アーム４６０を有している。なお、搬送アーム４６０で搬送される被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。
【０１３３】
搬送アーム４６０は、図３６に示すように先端が２本の先端部４６０ａ、４６０ａに分岐した形状を有している。搬送アーム４６０には、ダイシングフレームＦ（又はダイシングテープＰ）を介して被処理ウェハＷを吸着して保持する吸着パッド４６１が設けられている。これにより搬送アーム４６０は、当該搬送アーム４６０上に被処理ウェハＷを水平に保持することができる。
【０１３４】
搬送アーム４６０は、図３５に示すように支持アーム４６２に支持されている。支持アーム４６２は、第１の駆動部４６３に支持されている。この第１の駆動部４６３により、支持アーム４６２は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部４６３の下方には、第２の駆動部４６４が設けられている。この第２の駆動部４６４により、第１の駆動部４６３は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
【０１３５】
なお、第３の搬送装置４５１は、上述した第２の搬送装置４４０と同様の構成を有している。但し、第３の搬送装置４５１の第２の駆動部４６４は、図３４に示した搬送路４５０に取り付けられ、第３の搬送装置４５１は搬送路４５０上を移動可能になっている。
【０１３６】
次に、上述した第２の洗浄装置４４１の構成について説明する。第１の洗浄装置１３は、図３７に示すように処理容器４７０を有している。処理容器４７０の側面には、支持ウェハＳの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【０１３７】
処理容器４７０内の中央部には、支持ウェハＳを保持して回転させるスピンチャック４８０が設けられている。スピンチャック４８０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック４８０上に吸着保持できる。
【０１３８】
スピンチャック４８０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部４８１が設けられている。スピンチャック４８０は、チャック駆動部４８１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部４８１には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック４８０は昇降自在になっている。
【０１３９】
スピンチャック４８０の周囲には、支持ウェハＳから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ４８２が設けられている。カップ４８２の下面には、回収した液体を排出する排出管４８３と、カップ４８２内の雰囲気を真空引きして排気する排気管４８４が接続されている。
【０１４０】
図３８に示すようにカップ４８２のＸ方向負方向（図３８中の下方向）側には、Ｙ方向（図３８中の左右方向）に沿って延伸するレール４９０が形成されている。レール４９０は、例えばカップ４８２のＹ方向負方向（図３８中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図３８中の右方向）側の外方まで形成されている。レール４９０には、アーム４９１が取り付けられている。
【０１４１】
アーム４９１には、図３７及び図３８に示すように支持ウェハＳに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル４９２が支持されている。アーム４９１は、図３８に示すノズル駆動部４９３により、レール４９０上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル４９２は、カップ４８２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部４９４からカップ４８２内の支持ウェハＳの中心部上方まで移動でき、さらに当該支持ウェハＳ上を支持ウェハＳの径方向に移動できる。また、アーム４９１は、ノズル駆動部４９３によって昇降自在であり、洗浄液ノズル４９２の高さを調節できる。
【０１４２】
洗浄液ノズル４９２には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル４９２には、図３７に示すように当該洗浄液ノズル４９２に洗浄液を供給する供給管５００が接続されている。供給管５００は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源５０１に連通している。供給管５００には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群５０２が設けられている。また、洗浄液ノズル４９２には、当該洗浄液ノズル４９２に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管５０３が接続されている。供給管５０３は、内部に不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源５０４に連通している。供給管５０３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群５０５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル４９２内で混合され、当該洗浄液ノズル４９２から支持ウェハＳに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。
【０１４３】
なお、スピンチャック４８０の下方には、支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはスピンチャック４８０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、スピンチャック４８０の上面から突出可能になっている。そして、スピンチャック４８０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、スピンチャック４８０との間で支持ウェハＳの受け渡しが行われる。
【０１４４】
また、第２の洗浄装置４４１において、スピンチャック４８０の下方には、支持ウェハＳの裏面、すなわち非接合面ＳＮに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持ウェハＳの非接合面ＳＮと支持ウェハＳの外周部が洗浄される。
【０１４５】
次に、以上のように構成された剥離システム４００を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。
【０１４６】
先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション４１０の所定のカセット載置板４２１に載置される。第１の搬送装置４３０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離処理ステーション４１１の剥離装置１２に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持され、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。
【０１４７】
剥離装置１２に搬入された重合ウェハＴは、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離される。この剥離装置１２における被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離方法は、上記実施の形態で説明した方法と同様であるので説明を省略する。
【０１４８】
その後、剥離装置１２で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置４４０によって第１の洗浄装置１３に搬送される。ここで、第２の搬送装置４４０による被処理ウェハＷの搬送方法について説明する。なお、被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。
【０１４９】
図３９に示すように支持アーム４６２を伸長させて、搬送アーム４６０を第１の保持部５０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置する。その後、搬送アーム４６０を上昇させ、第１の保持部５０における吸引管６０からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部５０から搬送アーム４６０に被処理ウェハＷが受け渡される。
【０１５０】
次に図４０に示すように、支持アーム４６２を回動させて搬送アーム４６０を第１の洗浄装置１３のウェハ保持部１３０の上方に移動させると共に、搬送アーム４６０を反転させて被処理ウェハＷを下方に向ける。このとき、ウェハ保持部１３０をカップ１３４よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、搬送アーム４６０からウェハ保持部１３０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。
【０１５１】
このようにウェハ保持部１３０に被処理ウェハＷが吸着保持されると、ウェハ保持部１３０を所定の位置まで下降させる。続いて、洗浄治具１４０によって被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄される。なお、この第１の洗浄装置１３における被処理ウェハＷの接合面ＷＪの洗浄方法は、上記実施の形態で説明した方法と同様であるので説明を省略する。
【０１５２】
ここで、上述したように搬入出ステーション４１０に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【０１５３】
正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、第１の洗浄装置１３で接合面ＷＪが洗浄された後、第３の搬送装置４５１によって検査装置４１５に搬送される。なお、この第３の搬送装置４５１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した第２の搬送装置４４０による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。
【０１５４】
検査装置４１５においては、被処理ウェハＷの接合面ＷＪにおける接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。検査装置４１５において接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置４５１により検査後洗浄装置４１６の接合面洗浄部４１６ａに搬送され、接合面洗浄部４１６ａで接合面ＷＪが洗浄される。接合面ＷＪが洗浄されると、被処理ウェハＷは第３の搬送装置４５１によって反転部４１６ｃに搬送され、反転部４１６ｃにおいて上下方向に反転される。なお、接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは接合面洗浄部４１６ａに搬送されることなく反転部４１６ｃにて反転される。
【０１５５】
その後、反転された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置４５１により再び検査装置４１５に搬送され、非接合面ＷＮの検査が行われる。そして、非接合面ＷＮにおいて接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置４５１によって非接合面洗浄部４１６ｃに搬送され、非接合面ＷＮの洗浄が行われる。次いで、洗浄された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置４５１によって後処理ステーション４１２に搬送される。なお、検査装置４１５で接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは非接合面洗浄部４１６ｂに搬送されることなくそのまま後処理ステーション４１２に搬送される。
【０１５６】
その後、後処理ステーション４１２において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。
【０１５７】
一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、第１の洗浄装置１３で接合面ＷＪが洗浄された後、第１の搬送装置４３０によって搬入出ステーション４１０のカセットＣＷに搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション４１０から外部に搬出され回収される。
【０１５８】
剥離装置１２で剥離された被処理ウェハＷに上述した処理が行われている間、当該剥離装置１２で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置４３０によって第２の洗浄装置４４１に搬送される。
【０１５９】
第２の洗浄装置４４１に搬入された支持ウェハＳは、スピンチャック４８０に吸着保持される。その後、スピンチャック４８０を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム４９１によって待機部４９４の洗浄液ノズル４９２を支持ウェハＳの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック４８０によって支持ウェハＳを回転させながら、洗浄液ノズル４９２から支持ウェハＳの接合面ＳＪに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により支持ウェハＳの接合面ＳＪの全面に拡散されて、当該支持ウェハＳの接合面ＳＪが洗浄される。
【０１６０】
その後、第２の洗浄装置４４１で洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置４３０によって搬入出ステーション４１０のカセットＣＳに搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション４１０から外部に搬出され回収される。こうして、剥離システム４００における一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。
【０１６１】
以上の実施の形態の剥離システム４００によれば、剥離装置１２において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置１３において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置４４１において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム４００内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置１３と第２の洗浄装置４４１において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置１２において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置１３と第２の洗浄装置４４１において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。
【０１６２】
また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
【０１６３】
以上の実施の形態の剥離システム４００において、剥離装置１２で加熱された被処理ウェハＷを所定の温度に冷却する温度調節装置（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの温度が適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。
【０１６４】
また、以上の実施の形態では、後処理ステーション４１２において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。
【０１６５】
以上の実施の形態において、図４１に示すように被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上には、環状の保護テープＤが設けられていてもよい。すなわち、保護テープＤは、平面視においてダイシングテープＰの露出部分が存在しないように設けられる。なお、保護テープＤには、接着剤Ｇの溶剤Ｌに対して耐食性を有する材料が用いられ、例えばテフロン（登録商標）などのフッ素系樹脂が用いられる。
【０１６６】
保護テープＤは、重合ウェハＴをダイシングフレームＦにマウントする前に設けられてもよいし、重合ウェハＴをダイシングフレームＦにマウントする際に設けられてもよい。重合ウェハＴのマウント前に保護テープＤを設ける場合、例えば予めダイシングテープＰ上の所定の位置に保護テープＤが貼り付けられたものを、ダイシングフレームＦと重合ウェハＴに貼り付ける。また重合ウェハＴのマウントの際に保護テープＤを設ける場合、例えば保持部材（図示せず）によって保護テープＤを保持して、被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に貼り付けてもよいし、あるいは例えば被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に保護材料を塗布して保護テープＤを設けてもよい。
【０１６７】
かかる場合、洗浄装置１３において被処理ウェハＷを洗浄する際、溶剤供給部１５０を介して供給口１５３から供給面１４１と接合面ＷＪとの間の隙間１４２に溶剤Ｌが供給されて、当該溶剤Ｌが被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部Ａに流入しても、保護テープＤによって溶剤ＬによるダイシングテープＰの損傷を抑制することができる。
【０１６８】
また、保護テープＤが溶剤Ｌに対して耐食性を有するので、溶剤ＬによるダイシングテープＰの損傷をより確実に抑制することができる。なお、例えば保護テープＤが溶剤Ｌに対する耐食性を有しない場合でも、段部Ａに流入した溶剤ＬがダイシングテープＰに接触しなければよい。すなわち、保護テープＤが溶剤Ｌによって腐食しても、当該溶剤ＬがダイシングテープＰの表面に達しなければよい。
【０１６９】
以上の実施の形態において、図４２に示すように保護テープＤは、被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰを覆いつつ、さらにダイシングフレームＦを覆うように設けられていてもよい。かかる場合、溶剤ＬがダイシングフレームＦを汚染するのを抑制することができる。また、被処理ウェハＷに対する処理が終了した後、ダイシングテープＰから保護テープＤを剥がし易くできる。
【０１７０】
なお、発明者らが鋭意検討した結果、洗浄装置１３において被処理ウェハＷを洗浄する際、接着剤Ｇの溶剤Ｌにイソドデカン又はメンタンを使用した場合、当該溶剤ＬによってダイシングテープＰが劣化しないことが分かった。また、イソドデカン又はメンタンの溶剤Ｌによって、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを十分に洗浄できることも確認されている。したがって、この溶剤Ｌを用いた場合、ダイシングテープＰが露出していても、すなわち例えば上述した保護テープＤを省略しても、溶剤ＬによるダイシングテープＰの損傷を抑制しつつ、被処理ウェハＷを適切に洗浄することができる。
【０１７１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１７２】
１ 剥離システム
１０ 第１の搬入出ステーション
１１ 第２の搬入出ステーション
１２ 剥離装置
１３ 洗浄装置（第１の洗浄装置）
１４ 搬送装置
１３０ ウェハ保持部
１３１ スピンチャック
１３２ 吸着パッド
１３３ チャック駆動部
１４０ 洗浄治具
１４１ 供給面
１４２ 隙間
１５０ 溶剤供給部
１５１ リンス液供給部
１５２ 不活性ガス供給部
１５３ 供給口
１８０ 受渡アーム
１８１ フレーム保持部
２５０ 制御部
３００ 吸引部
３１０ 気体供給部
３２０ 充填液供給部
３３０ 加熱機構
３４０ メッシュ板
４００ 剥離システム
４１０ 搬入出ステーション
４１１ 剥離処理ステーション
４１４ ウェハ搬送領域
４３０ 第１の搬送装置
４４０ 第２の搬送装置
４４１ 第２の洗浄装置
Ａ 段部
Ｄ 保護テープ
Ｆ ダイシングフレーム
Ｇ 接着剤
Ｋ 充填液
Ｌ 溶剤
Ｐ ダイシングテープ
Ｒ リンス液
Ｓ 支持ウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 被処理ウェハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、重合基板から剥離された被処理基板が環状のフレームの内側に配置されて、フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該被処理基板の接合面を洗浄する洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理すると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、例えばウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
【０００３】
かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。剥離装置は、例えばウェハを保持する第１ホルダーと、支持基板を保持する第２ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より２倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている（特許文献１）。その後、これらウェハの接合面と支持基板の接合面をそれぞれ洗浄して、ウェハと支持基板の剥離処理は終了する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１６７７２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ウェハは薄型化されているため、ウェハは環状のダイシングフレームの内側に配置され、ダイシングフレームの表面とウェハの非接合面にダイシングテープにより貼り付けられて保持される場合がある。すなわち、ウェハと支持基板を剥離した後、接合面が洗浄されるウェハは、ダイシングフレーム及びダイシングテープに保持されている場合がある。
【０００６】
上述したウェハの接合面の洗浄には、例えばウェハと支持基板を接合する接着剤の溶剤が用いられる。そしてウェハの洗浄中、ウェハの接合面上に供給された溶剤はウェハとダイシングフレームとの間のダイシングテープ上に流入する。そうすると、ダイシングテープが溶剤によって損傷を被る場合がある。かかる場合、ダイシングテープはウェハを適切に保持することができなくなり、当該ウェハの搬送や後続の処理に支障をきたす。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板が環状のフレームの内側に配置されて、前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該被処理基板の接合面を洗浄する洗浄方法であって、被処理基板の接合面上に前記接着剤の溶剤を供給するための洗浄治具の供給面が前記接合面を覆い、且つ前記供給面と前記接合面との間の距離が所定の距離となるように、前記洗浄治具を被処理基板に対向して配置する配置工程と、その後、前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤を供給し、当該供給された溶剤を表面張力によって前記接合面上に拡散させる洗浄工程と、を有することを特徴としている。なお、被処理基板の接合面とは重合基板の被処理基板において支持基板と接合される面をいい、被処理基板の非接合面とは重合基板の被処理基板において支持基板と接合されていない面をいう。また、本発明における所定の距離とは、洗浄治具の供給面と被処理基板の接合面との間を溶剤が表面張力によって拡散できる距離をいう。
【０００９】
本発明によれば、洗浄治具の供給面と被処理基板の接合面との間に供給された接着剤の溶剤は、表面張力によって供給面と接合面との間を拡散する。すなわち、溶剤は、被処理基板の接合面のみに拡散し、被処理基板とフレームとの間のテープ上に流入することはない。したがって、溶剤によるテープの損傷を抑制しつつ、被処理基板の接合面を適切に洗浄することができる。なお、本発明では、溶剤は被処理基板の接合面以外に拡散しないため、当該溶剤の供給量も少量に抑えることができ、溶剤のコストを低廉化することもできる。
【００１０】
前記洗浄工程において、前記溶剤が前記接合面に拡散した後、前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤のリンス液を供給してもよい。
【００１１】
前記洗浄工程において、前記洗浄治具と被処理基板を相対的に回転させてもよい。
【００１２】
前記洗浄工程において、前記供給面と前記接合面と間で拡散した溶剤を吸引してもよい。
【００１３】
前記洗浄工程は前記接合面が鉛直上方を向いた状態で行われ、当該洗浄工程において、被処理基板と前記フレームとの間の前記テープに向けて気体を供給してもよい。
【００１４】
前記洗浄工程は前記接合面が鉛直上方を向いた状態で行われ、当該洗浄工程において、被処理基板と前記フレームとの間のテープ上に充填液を充填してもよい。
【００１５】
前記洗浄工程は前記接合面が鉛直下方を向いた状態で行われてもよい。
【００１６】
前記洗浄方法は、前記洗浄工程の後、前記供給面と前記接合面との間に不活性ガスを供給して、当該接合面を乾燥させる乾燥工程を有していてもよい。
【００１７】
前記乾燥工程において、前記洗浄治具を加熱してもよい。
【００１８】
被処理基板と前記フレームとの間のテープ上には、環状の保護テープが設けられていてもよい。
【００１９】
前記保護テープは、前記溶剤に対する耐食性を有していてもよい。この前記溶剤に対する耐食性を有する保護テープとしては、例えばフッ素系樹脂が用いられる。
【００２０】
別な観点による本発明によれば、前記洗浄方法を洗浄装置によって実行させるために、当該洗浄装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２１】
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【００２２】
さらに別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板が環状のフレームの内側に配置されて、前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該被処理基板の接合面を洗浄する洗浄装置であって、被処理基板を保持する基板保持部と、被処理基板の接合面を覆う供給面を備えた洗浄治具と、前記供給面と前記接合面との間に前記接着剤の溶剤を供給する溶剤供給部と、前記供給面が前記接合面を覆い、且つ前記供給面と前記接合面との間の距離が所定の距離となるように、前記洗浄治具を前記基板保持部に保持された被処理基板に対向して配置する配置工程と、その後、前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤を供給し、当該供給された溶剤を表面張力によって前記接合面上に拡散させる洗浄工程とを実行するように、前記基板保持部、前記洗浄治具及び前記溶剤供給部を制御する制御部と、を有することを特徴としている。
【００２３】
前記洗浄装置は、前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤のリンス液を供給するリンス液供給部を有し、前記制御部は、前記洗浄工程において、前記溶剤が前記接合面に拡散した後、前記供給面と前記接合面との間に前記リンス液を供給するように、前記リンス液供給部を制御してもよい。
【００２４】
前記洗浄装置は、前記洗浄治具と、前記基板保持部に保持された被処理基板とを相対的に回転させる回転機構を有していてもよい。
【００２５】
前記洗浄装置は、前記供給面と前記接合面との間で拡散した溶剤を吸引する吸引部を有していてもよい。
【００２６】
前記洗浄治具は前記基板保持部に保持された被処理基板の鉛直上方に配置され、前記洗浄装置は、被処理基板と前記フレームとの間の前記テープに向けて気体を供給する気体供給部を有していてもよい。
【００２７】
前記洗浄治具は前記基板保持部に保持された被処理基板の鉛直上方に配置され、前記洗浄装置は、被処理基板と前記フレームとの間のテープ上に充填液を充填する充填液供給部を有していてもよい。
【００２８】
前記洗浄治具は前記基板保持部に保持された被処理基板の鉛直上方に配置されていてもよい。
【００２９】
前記洗浄治具はメッシュ板であってもよい。
【００３０】
前記洗浄装置は、前記供給面と前記接合面との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を有し、前記制御部は、前記洗浄工程の後、前記供給面と前記接合面との間に不活性ガスを供給して当該接合面を乾燥させる乾燥工程を実行するように、前記不活性ガス供給部を制御してもよい。
【００３１】
前記洗浄装置は、前記洗浄治具を加熱させる加熱機構を有し、前記制御部は、前記乾燥工程において前記洗浄治具を加熱するように、前記加熱機構を制御してもよい。
【００３２】
前記基板保持部は、前記テープを介して被処理基板を保持する第１の保持部と、前記テープの外側において前記フレームの表面を保持する第２の保持部とを有していてもよい。
【００３３】
前記洗浄装置は、前記基板保持部に被処理基板を受け渡すための受渡アームを有し、前記受渡アームは、被処理基板が取り付けられた前記フレームを保持するフレーム保持部を有していてもよい。
【００３４】
被処理基板と前記フレームとの間のテープ上には、環状の保護テープが設けられていてもよい。
【００３５】
前記保護テープは、前記溶剤に対する耐食性を有していてもよい。
【００３６】
また別な観点による本発明は、前記洗浄装置を備えた剥離システムであって、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する前記洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する他の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】ダイシングフレームとダイシングテープに保持された重合ウェハの縦断面図である。
【図３】ダイシングフレームとダイシングテープに保持された重合ウェハの平面図である。
【図４】剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】第１の保持部、第２の保持部及び第３の保持部の構成の概略を示す縦断面図である。
【図６】第２の保持部の構成の概略を示す平面図である。
【図７】第１の鉛直移動部の構成の概略を示す平面図である。
【図８】洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図９】洗浄治具の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１０】洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図１１】受渡アームの構成の概略を示す側面図である。
【図１２】搬送装置の構成の概略を示す側面図である。
【図１３】第１の搬送アームの構成の概略を示す平面図である。
【図１４】第２の搬送アームの構成の概略を示す平面図である。
【図１５】第１の保持部、第２の保持部及び第３の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。
【図１６】第１の鉛直移動部によって第３の保持部外周部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。
【図１７】第２の鉛直移動部によって第３の保持部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。
【図１８】被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。
【図１９】洗浄装置において被処理ウェハを洗浄する様子を示した説明図であり、（ａ）は洗浄治具を所定の位置に配置した様子を示し、（ｂ）は溶剤供給部から供給面と接合面との間の隙間に溶剤が供給される様子を示し、（ｃ）は上記隙間に溶剤が拡散した様子を示し、（ｄ）はリンス液供給部から上記隙間にリンス液が供給される様子を示し、（ｅ）は上記隙間に混合液が拡散した様子を示し、（ｆ）は不活性ガス供給部から上記隙間に不活性ガスが供給される様子を示す。
【図２０】他の実施の形態にかかる洗浄治具の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２１】他の実施の形態にかかる洗浄治具の構成の概略を示す平面図である。
【図２２】他の実施の形態にかかる洗浄治具を用いて溶剤を拡散させる様子を示す説明図である。
【図２３】他の実施の形態にかかる洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２４】他の実施の形態にかかる洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２５】他の実施の形態にかかる洗浄治具の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２６】他の実施の形態にかかる洗浄治具（メッシュ板）の構成の概略を示す平面図である。
【図２７】他の実施の形態にかかる洗浄治具（メッシュ板）を用いて溶剤を拡散させる様子を示す説明図である。
【図２８】他の実施の形態にかかる洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２９】他の実施の形態にかかる洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３０】他の実施の形態にかかる洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３１】他の実施の形態にかかる洗浄治具を用いて溶剤を拡散させる様子を示す説明図である。
【図３２】他の実施の形態にかかる洗浄治具の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３３】他の実施の形態にかかる洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３４】他の実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。
【図３５】第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。
【図３６】搬送アームの構成の概略を示す平面図である。
【図３７】第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３８】第２の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図３９】第１の保持部及び第２の保持部から搬送アームに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図４０】搬送アームからウェハ保持部に被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図４１】他の実施の形態において、被処理ウェハとダイシングフレームとの間の段部のダイシングフレーム上に保護テープが設けられた様子を示す縦断面図である。
【図４２】他の実施の形態において、被処理ウェハとダイシングフレームとの間の段部のダイシングフレーム上に保護テープが設けられた様子を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。
【００４０】
剥離システム１では、図２及び図３に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面ＳＪ」といい、当該接合面ＳＪと反対側の面を「非接合面ＳＮ」という。被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面ＷＮが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
【００４１】
重合ウェハＴには、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰが取り付けられている。ダイシングフレームＦは、平面視において略矩形状を有し、且つ内側に重合ウェハＴの外周部に沿った開口部が形成された環状形状を有している。そして重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦの内側の開口部に配置される。なおダイシングフレームＦには、例えばステンレス鋼が用いられる。またダイシングテープＰは、ダイシングフレームＦの表面ＦＳと被処理ウェハＷの非接合面ＷＮに貼り付けられている。こうして、重合ウェハＴはダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。なお、ダイシングテープＰは、製作の都合上、ダイシングフレームＦの表面ＦＳの端部までは貼り付けられておらず、ダイシングテープＰの厚みの分だけ、ダイシングフレームＦの外周部においてダイシングテープＰとの間に段差Ｂが存在している。
【００４２】
そして剥離システム１において、重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持された状態で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離される。また、剥離された被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持された状態で搬送され、後続の処理、例えば接合面ＷＪの洗浄が行われる。
【００４３】
剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷと複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＴが搬入出される第１の搬入出ステーション１０と、外部との間で複数の被処理ウェハＳを収容可能なカセットＣＳが搬入出される第２の搬入出ステーション１１と、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置１２と、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する洗浄装置１３と、剥離システム１内で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送する搬送装置１４とを有している。第１の搬入出ステーション１０、第２の搬入出ステーション１１、剥離装置１２及び洗浄装置１３は、搬送装置１４の周囲に例えば平面視反時計回転方向においてこの順に並ぶように配置されている。
【００４４】
第１の搬入出ステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、例えば２つのカセット載置板２１が設けられている。カセット載置板２１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に並べて配置されている。これらのカセット載置板２１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＴを載置することができる。このように第１の搬入出ステーション１０は、複数の被処理ウェハＷと複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、これら被処理ウェハＷと重合ウェハＴは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。また、第１の搬入出ステーション１０において、カセット載置板２１の個数は、本実施の形態に限定されず任意に決定することができる。
【００４５】
第２の搬入出ステーション１１には、カセット載置台３０が設けられている。カセット載置台３０には、例えば１つのカセット載置板３１が設けられている。カセット載置板３１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＳを搬入出する際に、カセットＣＳを載置することができる。このように第２の搬入出ステーション１１は、複数の支持ウェハＳを保有可能に構成されている。また、カセット載置板３１に隣接してＸ方向正方向（図１中の上方向）側には、被処理ウェハＷの表裏面を反転させる反転装置３２が配置されている。
【００４６】
次に、上述した剥離装置１２の構成について説明する。剥離装置１２は、図４に示すように処理容器４０を有している。処理容器４０の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。なお、処理容器４０内には、搬送装置１４が設置された領域からの雰囲気が流入するようになっている。また、被処理ウェハＷと重合ウェハＴは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。
【００４７】
処理容器４０の底面には、当該処理容器４０の内部の雰囲気を吸引する吸気口４１が形成されている。吸気口４１には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置４２に連通する吸気管４３が接続されている。
【００４８】
処理容器４０の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部５０と、ダイシングフレームＦの表面ＦＳを吸着保持する第２の保持部５１と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第３の保持部５２とが設けられている。第１の保持部５０と第２の保持部５１はそれぞれ第３の保持部５２の上方に設けられ、第１の保持部５０は第３の保持部５２と対向するように配置されている。すなわち、処理容器４０の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。
【００４９】
第１の保持部５０は、図５に示すように略平板形状を有している。第１の保持部５０の内部には、ダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸着保持するための吸引管６０が設けられている。吸引管６０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。
【００５０】
また、第１の保持部５０の内部には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構６１が設けられている。加熱機構６１には、例えばヒータが用いられる。
【００５１】
第２の保持部５１は、第１の保持部５０の外周部において当該第１の保持部５０と一体に設けられている。すなわち、第２の保持部５１は、ダイシングテープＰの外側に配置されている。また、第２の保持部５１には例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）が接続され、第２の保持部５１はダイシングテープＰの外側においてダイシングフレームＦの表面ＦＳを吸着保持することができる。なお、図６に示すように、第２の保持部５１は複数個所、例えば４箇所に設けられている。４つの第２の保持部５１は、ダイシングフレームＦの各辺に等間隔に配置されている。
【００５２】
ここで、上述したようにダイシングフレームＦの外周部には、ダイシングテープＰとの間に段差Ｂが存在している。このため、第１の保持部５０でダイシングフレームＦを吸着保持しようとすると、当該第１の保持部５０とダイシングフレームＦとの間に段差Ｂによる隙間が生じる。すなわち、第１の保持部５０はダイシングフレームＦを直接吸着保持することができない。かかる場合、ダイシングフレームＦが固定されないので、第１の保持部５０によって被処理ウェハＷを適切に保持されない。この点、本実施の形態では、第２の保持部５１によってダイシングフレームＦが吸着保持されるので、第１の保持部５０によって被処理ウェハＷも適切に保持される。
【００５３】
第３の保持部５２は、図５に示すように略平板形状を有している。第３の保持部５２の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管７０が設けられている。吸引管７０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。なお、第３の保持部５２は、弾性体である例えばアルミニウムが用いられる。
【００５４】
また、第３の保持部５２の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構７１が設けられている。加熱機構７１には、例えばアルミニウムからなるヒータが用いられる。
【００５５】
図４に示すように第１の保持部５０の上面には、当該第１の保持部５０を支持する支持板８０が設けられている。支持板８０は、処理容器４０の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板８０を省略し、第１の保持部５０は処理容器４０の天井面に当接して支持されてもよい。
【００５６】
第３の保持部５２の下方には、第３の保持部５２及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構９０が設けられている。移動機構９０は、第３の保持部５２を保持し、且つ第３の保持部５２の外周部のみを鉛直方向に移動させる第１の鉛直移動部９１と、第１の鉛直移動部９１を保持し、且つ第１の鉛直移動部９１と第３の保持部５２を鉛直方向に移動させる第２の鉛直移動部９２と、第１の鉛直移動部９１、第２の鉛直移動部９２及び第３の保持部５２を水平方向に移動させる水平移動部９３とを有している。第１の鉛直移動部９１、第２の鉛直移動部９２、水平移動部９３は、鉛直方向に上からこの順で配置されている。
【００５７】
第１の鉛直移動部９１は、第３の保持部５２の外周部を円環状に鉛直方向に移動させる複数、例えば６つのシリンダ１００と、第３の保持部５２の中央部を支持する支持柱１０１と、シリンダ１００と支持柱１０１を支持する支持板１０２とを有している。図７に示すように６つのシリンダ１００は、支持板１０２と同一円周上に等間隔に配置されている。また、これらシリンダ１００は、第３の保持部５２の外周部に対応する位置に配置されている。支持柱１０１は、支持板１０２の中央部であって、第３の保持部５２の中央部に対応する位置に配置されている。すなわち、シリンダ１００によって第３の保持部５２の外周部が鉛直下方に移動する際、当該第３の保持部５２の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、支持柱１０１が配置されている。
【００５８】
第２の鉛直移動部９２は、図４に示すように支持板１０２を昇降させる駆動部１１０と、支持板１０２を支持する支持部材１１１とを有している。駆動部１１０は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１１１は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１０２と水平移動部９３との間に例えば３箇所に設けられている。
【００５９】
水平移動部９３は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有し、第１の鉛直移動部９１、第２の鉛直移動部９２及び第３の保持部５２を水平方向に移動させることができる。
【００６０】
なお、第３の保持部５２の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第３の保持部５２に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第３の保持部５２の上面から突出可能になっている。
【００６１】
次に、上述した洗浄装置１３の構成について説明する。洗浄装置１３は、図８に示すように処理容器１２０を有している。処理容器１２０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。なお、処理容器１２０内には内部の雰囲気を清浄化するためのフィルタ（図示せず）が設けられている。また、被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。
【００６２】
処理容器１２０内の中央部には、基板保持部としてのウェハ保持部１３０が設けられている。ウェハ保持部１３０は、図９に示すようにダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷを保持して回転させる第１の保持部としてのスピンチャック１３１と、ダイシングフレームＦの表面ＦＳを吸着保持する第２の保持部としての吸着パッド１３２とを有している。
【００６３】
スピンチャック１３１は水平な上面を有し、当該上面には例えばダイシングテープＰを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。またスピンチャック１３１は、少なくとも被処理ウェハＷを覆うよう設けられている。そして吸引口からの吸引により、ダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷをスピンチャック１３１上に吸着保持できる。また被処理ウェハＷは、その接合面ＷＪが上方を向くようにスピンチャック１３１に吸着保持される。
【００６４】
吸着パッド１３２は、スピンチャック１３１の外周部上に設けられている。すなわち、吸着パッド１３２は、ダイシングテープＰの外側に配置されている。また、吸着パッド１３２には例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）が接続され、吸着パッド１３２はダイシングテープＰの外側においてダイシングフレームＦの表面ＦＳを吸着保持することができる。なお、図１０に示すように、吸着パッド１３２は複数個所、例えば８箇所に設けられている。
【００６５】
ここで、上述したようにダイシングフレームＦの外周部には、図９に示すようにダイシングテープＰとの間に段差Ｂが存在している。このため、スピンチャック１３１でダイシングフレームＦを吸着保持しようとすると、当該スピンチャック１３１とダイシングフレームＦとの間に段差Ｂによる隙間が生じる。すなわち、スピンチャック１３１はダイシングフレームＦを直接吸着保持することができない。かかる場合、ダイシングフレームＦが固定されないので、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを適切に保持されない。この点、本実施の形態では、吸着パッド１３２によってダイシングフレームＦが吸着保持されるので、ウェハ保持部１３０によって被処理ウェハＷも適切に保持される。
【００６６】
ウェハ保持部１３０の下方には、図８に示すように例えばモータなどを備えた回転機構としてのチャック駆動部１３３が設けられている。スピンチャック１３１は、チャック駆動部１３３により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１３３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１３１は昇降自在になっている。
【００６７】
ウェハ保持部１３０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１３４が設けられている。カップ１３４の下面には、回収した液体を排出する排出管１３５と、カップ１３４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１３６が接続されている。
【００６８】
ウェハ保持部１３０の上方には、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄するための洗浄治具１４０が設けられている。洗浄治具１４０は、ウェハ保持部１３０に保持された被処理ウェハＷに対向して配置されている。
【００６９】
洗浄治具１４０は、図９に示すように略円板形状を有している。洗浄治具１４０の下面には、少なくとも被処理ウェハＷの接合面ＷＪを覆うように供給面１４１が形成されている。なお、本実施の形態においては、供給面１４１と接合面ＷＪはほぼ同じ大きさである。
【００７０】
洗浄治具１４０の中央部には、供給面１４１と接合面ＷＪとの間の隙間１４２に接着剤Ｇの溶剤、例えばシンナーを供給する溶剤供給部１５０と、隙間１４２に溶剤のリンス液を供給するリンス液供給部１５１と、隙間１４２に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する不活性ガス供給部１５２とが設けられている。溶剤供給部１５０、リンス液供給部１５１、不活性ガス供給部１５２は、洗浄治具１４０の内部において合流し、洗浄治具１４０の供給面１４１に形成された供給口１５３に連通している。すなわち、溶剤供給部１５０から供給口１５３までの溶剤の流路、リンス液供給部１５１から供給口１５３までのリンス液の流路、不活性ガス供給部１５２から供給口１５３までの不活性ガスの流路は、それぞれ洗浄治具１４０の厚み方向に貫通している。なお、リンス液には接着剤Ｇの主溶媒の成分に応じて種々の液が用いられ、例えば純水やＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が用いられる。また、リンス液の乾燥を促進させるため、リンス液には揮発性の高い液を用いるのが好ましい。
【００７１】
溶剤供給部１５０には、内部に溶剤を貯留する溶剤供給源１５４に連通する供給管１５５が接続されている。供給管１５５には、溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１５６が設けられている。リンス液供給部１５１には、内部にリンス液を貯留するリンス液供給源１５７に連通する供給管１５８が接続されている。供給管１５８には、リンス液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１５９が設けられている。不活性ガス供給部１５２には、内部に不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源１６０に連通する供給管１６１が接続されている。供給管１６１には、溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１６２が設けられている。
【００７２】
図８に示すように処理容器１２０の天井面であって、洗浄治具１４０の上方には、洗浄治具１４０を鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構１７０が設けられている。移動機構１７０は、洗浄治具１４０を支持する支持部材１７１と、支持部材１７１を支持し、洗浄治具１４０を鉛直方向及び水平方向に移動させるための治具駆動部１７２とを有している。
【００７３】
また処理容器１２０の内部には、図１０及び図１１に示すように搬送装置１４からウェハ保持部１３０に被処理ウェハＷを受け渡すための受渡アーム１８０を有している。受渡アーム１８０は、ダイシングフレームＦの外周部を保持できるように円環形状を有している。受渡アーム１８０の下面には、フレーム保持部１８１が複数個所、例えば４箇所に設けられている。フレーム保持部１８１には例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）が接続され、フレーム保持部１８１は被処理ウェハＷが取り付けられたダイシングフレームＦを吸着保持することができる。
【００７４】
受渡アーム１８０は、一対の伸縮部材１８２、１８２に支持されている。伸縮部材１８２は、水平方向（図１０中のＸ方向）に伸縮自在に構成されている。また伸縮部材１８２は、図１０中のＹ方向に延伸する支持部材１８３に支持されている。支持部材１８３の両端部には、当該支持部材１８３を鉛直方向に昇降させる昇降機構１８４が設けられている。昇降機構１８４には、例えばシリンダ等が用いられる。かかる構成により、受渡アーム１８０は、水平方向に移動自在であると共に、鉛直方向に昇降自在に構成されている。
【００７５】
次に、上述した搬送装置１４の構成について説明する。搬送装置１４は、図１２に示すように重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを保持して搬送する第１の搬送アーム１９０と、支持ウェハＳを保持して搬送する第２の搬送アーム１９１を有している。なお、第１の搬送アーム１９０で搬送される重合ウェハＴと被処理ウェハＷは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。
【００７６】
第１の搬送アーム１９０は、図１３に示すように先端が２本の先端部１９２ａ、１９２ａに分岐したアーム部１９２と、このアーム部１９２と一体に形成され、且つアーム部１９２を支持する支持部１９３とを有している。アーム部１９２の各先端部１９２ａには、ダイシングフレームＦ又はダイシングテープＰを介して重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを吸着して保持する吸着パッド１９４が設けられている。第１の搬送アーム１９０は、このアーム部１９２上に重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを水平に保持することができる。
【００７７】
第２の搬送アーム１９１は、図１４に示すように支持ウェハＳよりも大きい径の略３／４円環状に構成されたアーム部１９５と、このアーム部１９５と一体に形成され、且つアーム部１９５を支持する支持部１９６とを有している。アーム部１９５には、内側に向かって突出し、支持ウェハＳの角部を保持する保持部１９７が例えば４箇所に設けられている。第２の搬送アーム１９１は、この保持部１９７上に支持ウェハＳを水平に保持することができる。
【００７８】
搬送アーム１９０、１９１の基端部には、図１２に示すようにアーム駆動部１９８が設けられている。このアーム駆動部１９８により、各搬送アーム１９０、１９１は独立して水平方向に移動できる。これら搬送アーム１９０、１９１とアーム駆動部１９８は、基台１９９に支持されている。基台１９９の下面には、シャフト２００を介して回転駆動部２０１が設けられている。この回転駆動部２０１により、基台１９９及び搬送アーム１９０、１９１はシャフト２００を中心軸として回転でき、且つ昇降できる。
【００７９】
以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部２５０が設けられている。制御部２５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部２５０にインストールされたものであってもよい。
【００８０】
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。
【００８１】
先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴと空のカセットＣＷが、第１の搬入出ステーション１０の所定のカセット載置板２１に載置される。また空のカセットＣＳが、第２の搬入出ステーション１１の所定のカセット載置板３１に載置される。その後、搬送装置１４の第１の搬送アーム１９０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離装置１２に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持され、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。
【００８２】
剥離装置１２に搬入された重合ウェハＴは、第３の保持部５２に吸着保持される。その後、図１５に示すように移動機構９０の第２の鉛直移動部９２により第３の保持部５２を上昇させて、第１の保持部５０と第３の保持部５２で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部５０によりダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持されると共に、第２の保持部５１にダイシングフレームＦの表面ＦＳが吸着保持され、また第３の保持部５２に支持ウェハＳの非接合面ＳＮが吸着保持される。
【００８３】
その後、加熱機構６１、７１によって重合ウェハＴが所定の温度、例えば２００℃に加熱される。そうすると、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇが軟化する。
【００８４】
続いて、加熱機構６１、７１によって重合ウェハＴを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、図１６に示すように移動機構９０の第１の鉛直移動部９１によって第３の保持部５２の外周部のみを円環状に鉛直下方に移動させる。すなわち、シリンダ１００によって第３の保持部５２の外周部が鉛直下方に移動する際、第３の保持部５２の中央部が支持柱１０１に支持され、当該第３の保持部５２の中央部の鉛直方向の位置が変化しない。
【００８５】
かかる場合、第３の保持部５２に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部５０及び第２の保持部５１に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離される。ここで、上述したように被処理ウェハＷの接合面ＷＪには電子回路が形成されているため、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを一度に剥離しようとすると、接合面ＷＪ、ＳＪに多大な荷重がかかり、接合面ＷＪ上の電子回路が損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態では、外周部から中心部に向けて支持ウェハＳが被処理ウェハＷから連続的に剥離されるので、接合面ＷＪ、ＳＪに大きな荷重がかからない。したがって、電子回路の損傷を抑制することができる。
【００８６】
その後、被処理ウェハＷの中心部と支持ウェハＳの中心部のみが接着した状態で、図１７に示すように第２の鉛直移動部９２によって第３の保持部５２全体を鉛直下方に移動させる。そして、支持ウェハＳの外周部が鉛直下方に撓んだ状態で、支持ウェハＳが被処理ウェハＷから剥離される。その後、図１８に示すように第１の鉛直移動部９１によって第３の保持部５２と支持ウェハＳの外周部が鉛直上方に移動され、当該第３の保持部５２と支持ウェハＳが平坦化される。こうして、第１の保持部５０及び第２の保持部５１に保持された被処理ウェハＷと、第３の保持部５２に保持された支持ウェハＳとが剥離される。
【００８７】
その後、剥離装置１２で剥離された被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム１９０によって反転装置３２に搬送され、当該反転装置３２において被処理ウェハＷの表裏面が反転される。すなわち、被処理ウェハＷの接合面ＷＪが上方に向けられる。その後、被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム１９０によって洗浄装置１３に搬送される。なお、剥離装置１２から搬出され洗浄装置１３に搬入される被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。
【００８８】
一方、剥離装置１２で剥離された支持ウェハＳは、搬送装置１４の第２の搬送アーム１９１によって第２の搬入出ステーション１１のカセットＣＳに搬送される。その後、支持ウェハＳは、第２の搬入出ステーション１１から外部に搬出され回収される。なお、支持ウェハＳが第２の搬入出ステーション１１に搬送されるタイミングは、任意に設定できる。支持ウェハＳの搬送は、例えば被処理ウェハＷを反転装置３２に搬送する前であってもよいし、反転装置３２において被処理ウェハＷの表裏面の反転中であってもよいし、被処理ウェハＷを洗浄装置１３に搬送した後であってもよい。
【００８９】
洗浄装置１３に搬入された被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム１９０から受渡アーム１８０に受け渡される。続いて、受渡アーム１８０によって、被処理ウェハＷはウェハ保持部１３０に受け渡され保持される。具体的には、被処理ウェハＷはダイシングテープＰを介してスピンチャック１３１に吸着保持される。同時に、ダイシングフレームＦの表面ＦＳは吸着パッド１３２に吸着保持される。続いて、移動機構１７０によって洗浄治具１４０の水平方向の位置を調整すると共に、図１９（ａ）に示すように洗浄治具１４０を所定の位置まで下降させる。このとき、洗浄治具１４０の供給面１４１と被処理ウェハＷの接合面ＷＪとの間の所定の距離Ｑは、後述するように供給面１４１と接合面ＷＪとの間の隙間１４２において、接着剤Ｇの溶剤が表面張力によって拡散できる距離になっている。
【００９０】
その後、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、図１９（ｂ）に示すように溶剤供給源１５４から溶剤供給部１５０に溶剤Ｌを供給する。溶剤Ｌは、供給口１５３から供給面１４１と接合面ＷＪとの間の隙間１４２に供給され、当該隙間１４２において溶剤Ｌの表面張力と被処理ウェハＷの回転による遠心力により、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上を拡散する。こうして、図１９（ｃ）に示すように、隙間１４２において溶剤Ｌが被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に供給される。
【００９１】
その後、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを溶剤Ｌに浸した状態を所定の時間、例えば数分間維持する。そうすると、接合面ＷＪに残存していた接着剤Ｇ等の不純物が溶剤Ｌによって除去される。
【００９２】
その後、スピンチャック１３１による被処理ウェハＷの回転を引き続き行った状態で、図１９（ｄ）に示すように洗浄治具１４０を所定の位置、すなわち隙間１４２にリンス液Ｒを供給できる位置まで上昇させる。続いて、リンス液供給源１５７からリンス液供給部１５１にリンス液Ｒを供給する。リンス液Ｒは、供給口１５３から隙間１４２に供給されて溶剤Ｌと混合されつつ、当該隙間１４２において表面張力と遠心力により、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上を拡散する。こうして、図１９（ｅ）に示すように、隙間１４２において溶剤Ｌとリンス液Ｒとの混合液Ｃが、被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に供給される。
【００９３】
その後、スピンチャック１３１による被処理ウェハＷの回転を引き続き行った状態で、図１９（ｆ）に示すように洗浄治具１４０を所定の位置まで下降させる。そして、不活性ガス供給部１６０から不活性ガス供給部１５２と供給口１５３を介して隙間１４２に、不活性ガスが供給される。不活性ガスは、隙間１４２に充填されていた混合液Ｃを当該隙間１４２の外部に押し流す。こうして、隙間１４２の混合液Ｃが除去される。
【００９４】
なお、上述したように隙間１４２に不活性ガスを供給する際に洗浄治具１４０を下降させるのは、隙間１４２の鉛直方向の距離を小さくして不活性ガスの流速を速くするためである。これによって、隙間１４２の混合液Ｃを迅速に除去することができる。また、不活性ガスによって押し流された混合液Ｃは、被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に流入する可能性もあるが、この場合であっても混合液Ｃ中の溶剤Ｌは希釈されているため、ダイシングテープＰが損傷を被ることはない。
【００９５】
隙間１４２の混合液Ｃが除去された後も、スピンチャック１３１による被処理ウェハＷの回転と、隙間１４２への不活性ガスの供給を引き続き行う。そして、被処理ウェハＷの接合面ＷＪが乾燥される。こうして、洗浄装置１３において被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄される。
【００９６】
その後、洗浄装置１３で洗浄された被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム１９０によって第１の搬入出ステーション１０のカセットＣＷに搬送される。その後、被処理ウェハＷは、第１の搬入出ステーション１０から外部に搬出され回収される。こうして、剥離システム１における一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。
【００９７】
以上の実施の形態の洗浄装置１３によれば、洗浄治具１４０の供給面１４１と被処理ウェハＷの接合面ＷＪとの間の隙間１４２に供給された接着剤Ｇの溶剤Ｌは、溶剤Ｌの表面張力と被処理ウェハＷの回転で生じる遠心力によって隙間１４２を拡散する。このとき、溶剤Ｌは表面張力と遠心力の２つの外力がかかるので、隙間１４２を効率よく拡散できる。また、溶剤Ｌは、被処理ウェハＷの接合面ＷＪのみに拡散し、被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に流入することはない。したがって、溶剤ＬによるダイシングテープＰの損傷を抑制しつつ、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを適切に洗浄することができる。また、本実施の形態では、溶剤Ｌは被処理ウェハＷの接合面ＷＪ以外に拡散しないため、当該溶剤Ｌの供給量も少量に抑えることができ、溶剤Ｌのコストを低廉化することもできる。
【００９８】
また、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際、隙間１４２に溶剤Ｌを供給した後、当該隙間１４２にリンス液Ｒを供給するので、当該リンス液Ｒによって接合面ＷＪ上の接着剤Ｇを除去でき、被処理ウェハＷの接合面ＷＪをより適切に洗浄することができる。また、隙間１４２ではリンス液Ｒによって溶剤Ｌが希釈されるので、溶剤Ｌとリンス液Ｒの混合液Ｃが被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に流入しても、当該ダイシングテープＰが損傷を被るのを抑制することができる。
【００９９】
さらに、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際、隙間１４２にリンス液Ｒを供給した後、当該隙間１４２に不活性ガスを供給するので、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを適切に乾燥させることができる。
【０１００】
以上の実施の形態の洗浄治具１４０の外周部には、図２０及び図２１に示すように供給面１４１と接合面ＷＪとの間の隙間１４２の溶剤Ｌや混合液Ｃを吸引するための吸引部３００が設けられていてもよい。吸引部３００は、洗浄治具１４０の厚み方向に貫通して設けられている。また吸引部３００は、洗浄治具１４０と同一円周上に等間隔に複数、例えば８箇所に配置されている。各吸引部３００には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置３０１に連通する吸気管３０２が接続されている。なお、洗浄治具１４０のその他の構成は、上記実施の形態の洗浄治具１４０の構成と同様であるので説明を省略する。また、洗浄治具１４０の供給口１５３と吸引部３００の形状や配置は、本実施の形態に限定されず、種々の形態を取り得る。例えば供給口１５３と吸引部３００は、平面視においてスリット状の細長形状を有していてもよい。
【０１０１】
かかる場合、図２２に示すように、溶剤供給部１５０を介して供給口１５３から供給面１４１と接合面ＷＪとの間の隙間１４２に溶剤Ｌが供給されると、吸引部３００によって隙間１４２の溶剤Ｌの吸引が行われる。そうすると、溶剤Ｌは、被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に流入しない。その後、隙間１４２にリンス液Ｒを供給し、さらに隙間１４２に不活性ガスを供給する際にも、吸引部３００による吸引を継続して行う。そうすると、溶剤Ｌとリンス液Ｒとの混合液Ｃも、段部ＡのダイシングテープＰ上に流入しない。したがって、本実施の形態では、被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に溶剤Ｌや混合液Ｃが流入するのを確実に抑制できるので、ダイシングテープＰが損傷を被るのを抑制することができる。
【０１０２】
ここで、段部Ａに一旦溶剤Ｌや混合液Ｃが流入すると、これら溶剤Ｌや混合液Ｃは段部Ａから流出し難くなる。このため、段部Ａは乾燥し難く、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄するのに時間がかかる。この点、本実施の形態では、段部Ａに溶剤Ｌや混合液Ｃが流入しないので、接合面ＷＪの洗浄を迅速に行うことができる。
【０１０３】
なお、段部Ａに溶剤Ｌや混合液Ｃが流入するのを抑制する方法は、本実施の形態に限定されず、種々の方法を取り得る。例えば図２３に示すように洗浄装置１３は、段部Ａに気体、例えば乾燥空気や不活性ガスを供給する気体供給部３１０を有していてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、気体供給部３１０から気体を供給することで、当該段部Ａに溶剤Ｌや混合液Ｃが流入するのを抑制することができる。したがって、ダイシングテープＰが損傷を被るのを抑制することができ、また接合面ＷＪの洗浄を迅速に行うことができる。なお、気体供給部３１０は、図示の例のように複数設けられていてもよい。
【０１０４】
また、例えば図２４に示すように洗浄装置１３は、段部Ａに充填液Ｋを供給する充填液供給部３２０を有していてもよい。充填液Ｋには、ダイシングテープＰに損傷を与えない材料が用いられ、ダイシングテープＰの種類に応じて決定される。また、被処理ウェハＷを洗浄後の段部Ａの乾燥を促進するため、充填液Ｋには揮発性の高い液を用いるのが好ましい。かかる場合、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、充填液供給部３２０から供給された充填液Ｋで段部Ａが充填される。そうすると、溶剤Ｌや混合液Ｃが被処理ウェハＷの接合面ＷＪの外部に流出しても、段部Ａにおいて、この溶剤Ｌや混合液Ｃは充填液Ｋに希釈される。したがって、ダイシングテープＰが損傷を被るのを抑制することができる。
【０１０５】
以上の実施の形態の洗浄治具１４０の内部には、図２５に示すように加熱機構３３０が設けられていてもよい。加熱機構３３０には、例えばヒータが用いられる。かかる場合、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄して隙間１４２の混合液Ｃを不活性ガスによって除去した後、接合面ＷＪを乾燥させる際、加熱機構３３０によって洗浄治具１４０を加熱させる。そうすると、この熱が接合面ＷＪに伝わり、当該接合面ＷＪを迅速に乾燥させることができる。なお、加熱機構３３０は。洗浄治具１４０の外部に設けてもよい。
【０１０６】
以上の実施の形態の洗浄治具１４０は略平板形状を有していたが、図２６に示すように洗浄治具としてメッシュ板３４０を用いてもよい。メッシュ板１４０は、少なくとも被処理ウェハＷの接合面ＷＪを覆う大きさを有し、本実施の形態においては、メッシュ板１４０と被処理ウェハＷはほぼ同じ大きさである。また、メッシュ板３４０には、複数の開口部３４１が形成されている。
【０１０７】
かかる場合、洗浄治具１４０の内部に形成された溶剤供給部１５０、リンス液供給部１５１、不活性ガス供給部１５２に代えて、図２７に示すように溶剤供給部として溶剤ノズル３４２、リンス液供給部としてリンス液ノズル３４３、不活性ガス供給部として不活性ガスノズル３４４がそれぞれ用いられる。これら溶剤ノズル３４２、リンス液ノズル３４３、不活性ガスノズル３４４は、メッシュ板３４０の上方に配置されている。溶剤ノズル３４２には、上述した溶剤供給源１５４に連通する供給管１５５が接続される。リンス液ノズル３４３には、上述したリンス液供給源１５７に連通する供給管１５８が接続される。不活性ガスノズル３４４には、上述した不活性ガス供給源１６０に連通する供給管１６１が接続される。なお、本実施の形態では、これら溶剤ノズル３４２、リンス液ノズル３４３、不活性ガスノズル３４４は別々に設けられていたが、１つのノズルから溶剤Ｌ、リンス液Ｒ、不活性ガスを供給するようにしてもよい。
【０１０８】
そして、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際には、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、溶剤ノズル３４２からメッシュ板３４０と接合面ＷＪとの間の隙間３４５に溶剤Ｌが供給され、溶剤Ｌは隙間３４５において表面張力と遠心力により接合面ＷＪ上を拡散する。このとき、メッシュ板３４０を用いているので表面張力が大きく、接合面ＷＪが溶剤Ｌに浸された状態を形成し易い。その後、リンス液ノズル３４３から隙間３４５にリンス液Ｒが供給され、リンス液Ｒは溶剤Ｌと混合されつつ、隙間３４５において表面張力と遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上を拡散する。その後、不活性ガスノズル３４４から隙間３４５に不活性ガスが供給され、不活性ガスによって隙間３４５の混合液Ｃが除去され、さらに接合面ＷＪが乾燥される。こうして、本実施の形態においても、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを適切に洗浄することができる。
【０１０９】
なお、本実施の形態のようにメッシュ板３４０を用いる場合、隙間３４５の溶剤Ｌや混合液Ｃを吸引するための吸引部（図示せず）を設けてもよい。吸引部には、例えば被処理ウェハＷの径方向に移動自在のスキャンノズルが用いられる。
【０１１０】
以上の実施の形態の洗浄治具１４０には、溶剤供給部１５０、リンス液供給部１５１、不活性ガス供給部１５２が設けられていたが、溶剤供給部、リンス液供給部、不活性ガス供給部は種々の形態を取り得る。例えば図２８に示すように、溶剤供給部１５０、リンス液供給部１５１を洗浄治具１４０の内部に設け、隙間１４２に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部３５０を洗浄治具１４０の外部に設けてもよい。不活性ガス供給部３５０には、上述した不活性ガス供給源１６０に連通する供給管１６１が接続される。あるいは、これら溶剤供給部、リンス液供給部、不活性ガス供給部をすべて洗浄治具１４０の外部に設けてもよい。いずれの場合でも、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを適切に洗浄することができる。
【０１１１】
以上の実施の形態の洗浄装置１３において、図２９に示すように洗浄治具１４０を省略してもよい。かかる場合、溶剤Ｌ、リンス液Ｒ、不活性ガスを供給する供給ノズル３６０と、溶剤Ｌ、リンス液Ｒ（混合液Ｃ）を吸引する吸引ノズル３６１が、ウェハ保持部１３０の上方に設けられている。そして、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、供給ノズル３６０から被処理ウェハＷ上に溶剤Ｌ、リンス液Ｒ、不活性ガスを供給し、且つ吸引ノズル３６１から被処理ウェハＷ上の溶剤Ｌ、リンス液Ｒ（混合液Ｃ）を吸引する。本実施の形態でも、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを適切に洗浄することができる。
【０１１２】
以上の実施の形態の洗浄装置１３では、洗浄治具１４０はウェハ保持部１３０の上方に配置されていたが、図３０に示すように洗浄治具１４０とウェハ保持部１３０の上下位置を反対にしてもよい。すなわち、洗浄治具１４０をウェハ保持部１３０の下方に配置してもよい。
【０１１３】
かかる場合、洗浄治具１４０は、その供給面１４１が上方を向くように配置される。また、洗浄治具１４０の下方には、例えばモータやシリンダなどの昇降駆動源などを備えた治具駆動部３７０が設けられている。洗浄治具１４０は、治具駆動部３７０により昇降自在になっている。なお、洗浄治具１４０の構成は、上記実施の形態の洗浄治具１４０と同様であるので説明を省略する。
【０１１４】
ウェハ保持部１３０は、スピンチャック１３１に保持された被処理ウェハＷの接合面ＷＪが下方を向くように配置される。また、スピンチャック１３１を回転且つ昇降させるチャック駆動部１３３は、ウェハ保持部１３０の上方に設けられ、処理容器１２０の天井面に取り付けられている。
【０１１５】
被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際には、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、図３１に示すように溶剤供給部１５０から洗浄治具１４０と接合面ＷＪとの間の隙間１４２に溶剤Ｌが供給され、溶剤Ｌは隙間１４２において表面張力と遠心力により接合面ＷＪ上を拡散する。その後、リンス液供給部１５１から隙間１４２にリンス液Ｒが供給され、リンス液Ｒは溶剤Ｌと混合されつつ、隙間１４２において表面張力と遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上を拡散する。その後、不活性ガス供給部１５２から隙間１４２に不活性ガスが供給され、不活性ガスによって隙間１４２の混合液Ｃが除去され、さらに接合面ＷＪが乾燥される。このとき、溶剤Ｌや混合液Ｃが隙間１４２の外部に流出しても、これら溶剤Ｌや混合液Ｃは下方に落下する。すなわち、溶剤Ｌや混合液Ｃが被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰに流入することはない。このため、ダイシングテープＰが損傷を被るのを抑制することができ、また接合面ＷＪの洗浄を迅速に行うことができる。したがって、洗浄治具１４０とウェハ保持部１３０の上下位置を反対にした場合でも、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを適切に洗浄することができる。しかも、被処理ウェハＷはその接合面ＷＪが下方を向くようにスピンチャック１３１に保持されるので、剥離装置１２で剥離された被処理ウェハＷの表裏面を反転する必要がない。このため、反転装置３２を省略することができる。
【０１１６】
なお、隙間１４２への溶剤Ｌとリンス液Ｒの供給を図１９に示したように接合面ＷＪが上方を向いた状態で行い、その後被処理ウェハＷの表裏面を反転させて、隙間１４２への不活性ガスの供給を図３１に示したように接合面ＷＪが下方を向いた状態で行ってもよい。かかる場合、溶剤Ｌとリンス液Ｒによって上方を向いた状態の接合面ＷＪ上の不純物が適切に除去される。その後、不活性ガスによって下方を向いた状態の接合面ＷＪが乾燥されるが、このとき隙間１４２の混合液Ｃが段部Ａに流入するのを抑制することができる。
【０１１７】
上記実施の形態のように洗浄治具１４０がウェハ保持部１３０の下方に配置された場合でも、図３２に示すように洗浄治具１４０の外周部に吸引部３００を設けてもよい。なお、吸引部３００の構成は、上記実施の形態の吸引部３００の構成と同様であるので説明を省略する。かかる場合、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際、吸引部３００から隙間１４２の溶剤Ｌや混合液Ｃを吸引することができるので、被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰに、溶剤Ｌや混合液Ｃが流入するのを抑制することができる。しかも、吸引部３００の下方から溶剤Ｌや混合液Ｃを吸引するので、当該溶剤Ｌや混合液Ｃにかかる重力の分、吸引部３００からの吸引力を小さくすることができ、負圧発生装置３０１にかかる負荷を低減することができる。
【０１１８】
さらに、このように洗浄治具１４０がウェハ保持部１３０の下方に配置された場合において、図３３に示すように洗浄治具１４０を省略してもよい。かかる場合、スピンチャック１３１の下方には、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに溶剤Ｌを供給する溶剤ノズル３８０、接合面ＷＪにリンス液Ｒを供給するリンス液ノズル３８１、接合面ＷＪに不活性ガスを供給する不活性ガスノズル３８２が設けられる。なお、本実施の形態では、これら溶剤ノズル３８０、リンス液ノズル３８１、不活性ガスノズル３８２は別々に設けられていたが、１つのノズルから溶剤Ｌ、リンス液Ｒ、不活性ガスを供給するようにしてもよい。
【０１１９】
そして、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する際には、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、溶剤ノズル３８０から接合面ＷＪに溶剤Ｌが供給され、溶剤Ｌは遠心力により接合面ＷＪ上を拡散する。その後、リンス液ノズル３８１から接合面ＷＪにリンス液Ｒが供給され、リンス液Ｒは溶剤Ｌと混合されつつ、遠心力により接合面ＷＪ上を拡散する。その後、不活性ガスノズル３８２から接合面ＷＪに不活性ガスが供給され、不活性ガスによって接合面ＷＪ上の混合液Ｃが除去され、さらに接合面ＷＪが乾燥される。こうして、本実施の形態においても、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを適切に洗浄することができる。
【０１２０】
以上の実施の形態の洗浄装置１３では、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させていたが、洗浄治具１４０を回転させてもよい。かかる場合、洗浄装置１３には、洗浄治具１４０を回転させるための回転機構（図示せず）が設けられる。あるいは、洗浄治具１４０とスピンチャック１３１に保持された被処理ウェハＷを共に回転させてもよい。いずれの場合でも、洗浄治具１４０と被処理ウェハＷを相対的に回転させることによって、溶剤Ｌや混合液Ｃは遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上を拡散することができる。
【０１２１】
なお、このような洗浄治具１４０と被処理ウェハＷの相対的な回転を停止して、表面張力のみで溶剤Ｌや混合液Ｃを拡散させてもよい。
【０１２２】
以上の実施の形態の洗浄装置１３では、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄するために溶剤Ｌ、リンス液Ｒ、不活性ガスを用いていたが、例えば溶剤Ｌが高い揮発性を有する場合には、リンス液Ｒと不活性ガスを省略することもできる。
【０１２３】
以上の実施の形態の重合ウェハＴの剥離処理は、上記剥離システム１と異なる剥離システムで行ってもよい。
【０１２４】
例えば図３４に示すように剥離システム４００は、外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション４１０と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション４１１と、剥離処理ステーション４１１に隣接する後処理ステーション４１２との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション４１３とを一体に接続した構成を有している。なお、本実施の形態においても、被処理ウェハＷと重合ウェハＴは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。
【０１２５】
搬入出ステーション４１０と剥離処理ステーション４１１は、Ｘ方向（図３４中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション４１０と剥離処理ステーション４１１との間には、ウェハ搬送領域４１４が形成されている。インターフェイスステーション４１３は、剥離処理ステーション４１１のＹ方向負方向側（図３４中の左方向側）に配置されている。インターフェイスステーション４１３のＸ方向正方向側（図３４中の上方向側）には、後処理ステーション４１２に受け渡す前の被処理ウェハＷを検査する検査装置４１５が配置されている。また、インターフェイスステーション４１３を挟んで検査装置４１５の反対側、すなわちインターフェイスステーション４１３のＸ方向負方向側（図３４中の下方向側）には、検査後の被処理ウェハＷを洗浄する検査後洗浄装置４１６が配置されている。
【０１２６】
搬入出ステーション４１０には、カセット載置台４２０が設けられている。カセット載置台４２０には、複数、例えば３つのカセット載置板４２１が設けられている。カセット載置板４２１は、Ｙ方向（図３４中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板４２１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション４１０は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板４２１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション４１０に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと、欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【０１２７】
ウェハ搬送領域４１４には、第１の搬送装置４３０が配置されている。第１の搬送装置４３０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な２本の搬送アームを有している。これら２本の搬送アームは、上記実施の形態における重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを保持して搬送する第１の搬送アーム１９０と、支持ウェハＳを保持して搬送する第２の搬送アーム１９１とそれぞれ同様の構成を有している。第１の搬送装置４３０は、ウェハ搬送領域４１４内を移動し、搬入出ステーション４１０と剥離処理ステーション４１１との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。
【０１２８】
剥離処理ステーション４１１は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置１２を有している。剥離装置１２のＹ方向負方向側（図３４中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置１３が配置されている。剥離装置１２と第１の洗浄装置１３との間には、第２の搬送装置４４０が設けられている。また、剥離装置１２のＹ方向正方向側（図２４中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する他の洗浄装置としての第２の洗浄装置４４１が配置されている。このように剥離処理ステーション４１１には、第１の洗浄装置１３、第２の搬送装置４４０、剥離装置１２、第２の洗浄装置４４１が、インターフェイスステーション４１３側からこの順で並べて配置されている。なお、剥離装置１２は、上記実施の形態の剥離システム１における剥離装置１２と同様の構成を有する。また、第１の洗浄装置１３も剥離システム１における洗浄装置１３と同様の構成を有するが、第２の洗浄装置４４１と区別するため、便宜上、第１の洗浄装置１３と呼称する。
【０１２９】
検査装置４１５では、剥離装置１２により剥離された被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。また、検査後洗浄装置４１６では、検査装置４１５で接着剤Ｇの残渣が確認された被処理ウェハＷの洗浄が行われる。この検査後洗浄装置４１６は、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する接合面洗浄部４１６ａ、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを洗浄する非接合面洗浄部４１６ｂ、被処理ウェハＷを上下反転させる反転部４１６ｃを有している。なお、接合面洗浄部４１６ａと非接合面洗浄部４１６ｂは、第１の洗浄装置１３と同様の構成を有する。
【０１３０】
インターフェイスステーション４１３には、Ｙ方向に延伸する搬送路４５０上を移動自在な第３の搬送装置４５１が設けられている。第３の搬送装置４５１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、剥離処理ステーション４１１、後処理ステーション４１２、検査装置４１５及び検査後洗浄装置４１６との間で被処理ウェハＷを搬送できる。
【０１３１】
なお、後処理ステーション４１２では、剥離処理ステーション４１１で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理としては、例えば被処理ウェハＷ上のデバイスの電気的特性の検査を行う処理などが行われる。
【０１３２】
次に、上述した第２の搬送装置４４０の構成について説明する。第２の搬送装置４４０は、図３５に示すように被処理ウェハＷを保持して搬送する搬送アーム４６０を有している。なお、搬送アーム４６０で搬送される被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。
【０１３３】
搬送アーム４６０は、図３６に示すように先端が２本の先端部４６０ａ、４６０ａに分岐した形状を有している。搬送アーム４６０には、ダイシングフレームＦ（又はダイシングテープＰ）を介して被処理ウェハＷを吸着して保持する吸着パッド４６１が設けられている。これにより搬送アーム４６０は、当該搬送アーム４６０上に被処理ウェハＷを水平に保持することができる。
【０１３４】
搬送アーム４６０は、図３５に示すように支持アーム４６２に支持されている。支持アーム４６２は、第１の駆動部４６３に支持されている。この第１の駆動部４６３により、支持アーム４６２は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部４６３の下方には、第２の駆動部４６４が設けられている。この第２の駆動部４６４により、第１の駆動部４６３は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
【０１３５】
なお、第３の搬送装置４５１は、上述した第２の搬送装置４４０と同様の構成を有している。但し、第３の搬送装置４５１の第２の駆動部４６４は、図３４に示した搬送路４５０に取り付けられ、第３の搬送装置４５１は搬送路４５０上を移動可能になっている。
【０１３６】
次に、上述した第２の洗浄装置４４１の構成について説明する。第１の洗浄装置１３は、図３７に示すように処理容器４７０を有している。処理容器４７０の側面には、支持ウェハＳの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【０１３７】
処理容器４７０内の中央部には、支持ウェハＳを保持して回転させるスピンチャック４８０が設けられている。スピンチャック４８０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック４８０上に吸着保持できる。
【０１３８】
スピンチャック４８０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部４８１が設けられている。スピンチャック４８０は、チャック駆動部４８１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部４８１には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック４８０は昇降自在になっている。
【０１３９】
スピンチャック４８０の周囲には、支持ウェハＳから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ４８２が設けられている。カップ４８２の下面には、回収した液体を排出する排出管４８３と、カップ４８２内の雰囲気を真空引きして排気する排気管４８４が接続されている。
【０１４０】
図３８に示すようにカップ４８２のＸ方向負方向（図３８中の下方向）側には、Ｙ方向（図３８中の左右方向）に沿って延伸するレール４９０が形成されている。レール４９０は、例えばカップ４８２のＹ方向負方向（図３８中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図３８中の右方向）側の外方まで形成されている。レール４９０には、アーム４９１が取り付けられている。
【０１４１】
アーム４９１には、図３７及び図３８に示すように支持ウェハＳに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル４９２が支持されている。アーム４９１は、図３８に示すノズル駆動部４９３により、レール４９０上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル４９２は、カップ４８２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部４９４からカップ４８２内の支持ウェハＳの中心部上方まで移動でき、さらに当該支持ウェハＳ上を支持ウェハＳの径方向に移動できる。また、アーム４９１は、ノズル駆動部４９３によって昇降自在であり、洗浄液ノズル４９２の高さを調節できる。
【０１４２】
洗浄液ノズル４９２には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル４９２には、図３７に示すように当該洗浄液ノズル４９２に洗浄液を供給する供給管５００が接続されている。供給管５００は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源５０１に連通している。供給管５００には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群５０２が設けられている。また、洗浄液ノズル４９２には、当該洗浄液ノズル４９２に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管５０３が接続されている。供給管５０３は、内部に不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源５０４に連通している。供給管５０３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群５０５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル４９２内で混合され、当該洗浄液ノズル４９２から支持ウェハＳに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。
【０１４３】
なお、スピンチャック４８０の下方には、支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはスピンチャック４８０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、スピンチャック４８０の上面から突出可能になっている。そして、スピンチャック４８０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、スピンチャック４８０との間で支持ウェハＳの受け渡しが行われる。
【０１４４】
また、第２の洗浄装置４４１において、スピンチャック４８０の下方には、支持ウェハＳの裏面、すなわち非接合面ＳＮに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持ウェハＳの非接合面ＳＮと支持ウェハＳの外周部が洗浄される。
【０１４５】
次に、以上のように構成された剥離システム４００を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。
【０１４６】
先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション４１０の所定のカセット載置板４２１に載置される。第１の搬送装置４３０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離処理ステーション４１１の剥離装置１２に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持され、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。
【０１４７】
剥離装置１２に搬入された重合ウェハＴは、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離される。この剥離装置１２における被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離方法は、上記実施の形態で説明した方法と同様であるので説明を省略する。
【０１４８】
その後、剥離装置１２で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置４４０によって第１の洗浄装置１３に搬送される。ここで、第２の搬送装置４４０による被処理ウェハＷの搬送方法について説明する。なお、被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。
【０１４９】
図３９に示すように支持アーム４６２を伸長させて、搬送アーム４６０を第１の保持部５０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置する。その後、搬送アーム４６０を上昇させ、第１の保持部５０における吸引管６０からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部５０から搬送アーム４６０に被処理ウェハＷが受け渡される。
【０１５０】
次に図４０に示すように、支持アーム４６２を回動させて搬送アーム４６０を第１の洗浄装置１３のウェハ保持部１３０の上方に移動させると共に、搬送アーム４６０を反転させて被処理ウェハＷを下方に向ける。このとき、ウェハ保持部１３０をカップ１３４よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、搬送アーム４６０からウェハ保持部１３０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。
【０１５１】
このようにウェハ保持部１３０に被処理ウェハＷが吸着保持されると、ウェハ保持部１３０を所定の位置まで下降させる。続いて、洗浄治具１４０によって被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄される。なお、この第１の洗浄装置１３における被処理ウェハＷの接合面ＷＪの洗浄方法は、上記実施の形態で説明した方法と同様であるので説明を省略する。
【０１５２】
ここで、上述したように搬入出ステーション４１０に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【０１５３】
正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、第１の洗浄装置１３で接合面ＷＪが洗浄された後、第３の搬送装置４５１によって検査装置４１５に搬送される。なお、この第３の搬送装置４５１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した第２の搬送装置４４０による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。
【０１５４】
検査装置４１５においては、被処理ウェハＷの接合面ＷＪにおける接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。検査装置４１５において接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置４５１により検査後洗浄装置４１６の接合面洗浄部４１６ａに搬送され、接合面洗浄部４１６ａで接合面ＷＪが洗浄される。接合面ＷＪが洗浄されると、被処理ウェハＷは第３の搬送装置４５１によって反転部４１６ｃに搬送され、反転部４１６ｃにおいて上下方向に反転される。なお、接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは接合面洗浄部４１６ａに搬送されることなく反転部４１６ｃにて反転される。
【０１５５】
その後、反転された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置４５１により再び検査装置４１５に搬送され、非接合面ＷＮの検査が行われる。そして、非接合面ＷＮにおいて接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置４５１によって非接合面洗浄部４１６ｃに搬送され、非接合面ＷＮの洗浄が行われる。次いで、洗浄された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置４５１によって後処理ステーション４１２に搬送される。なお、検査装置４１５で接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは非接合面洗浄部４１６ｂに搬送されることなくそのまま後処理ステーション４１２に搬送される。
【０１５６】
その後、後処理ステーション４１２において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。
【０１５７】
一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、第１の洗浄装置１３で接合面ＷＪが洗浄された後、第１の搬送装置４３０によって搬入出ステーション４１０のカセットＣＷに搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション４１０から外部に搬出され回収される。
【０１５８】
剥離装置１２で剥離された被処理ウェハＷに上述した処理が行われている間、当該剥離装置１２で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置４３０によって第２の洗浄装置４４１に搬送される。
【０１５９】
第２の洗浄装置４４１に搬入された支持ウェハＳは、スピンチャック４８０に吸着保持される。その後、スピンチャック４８０を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム４９１によって待機部４９４の洗浄液ノズル４９２を支持ウェハＳの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック４８０によって支持ウェハＳを回転させながら、洗浄液ノズル４９２から支持ウェハＳの接合面ＳＪに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により支持ウェハＳの接合面ＳＪの全面に拡散されて、当該支持ウェハＳの接合面ＳＪが洗浄される。
【０１６０】
その後、第２の洗浄装置４４１で洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置４３０によって搬入出ステーション４１０のカセットＣＳに搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション４１０から外部に搬出され回収される。こうして、剥離システム４００における一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。
【０１６１】
以上の実施の形態の剥離システム４００によれば、剥離装置１２において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置１３において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置４４１において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム４００内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置１３と第２の洗浄装置４４１において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置１２において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置１３と第２の洗浄装置４４１において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。
【０１６２】
また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
【０１６３】
以上の実施の形態の剥離システム４００において、剥離装置１２で加熱された被処理ウェハＷを所定の温度に冷却する温度調節装置（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの温度が適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。
【０１６４】
また、以上の実施の形態では、後処理ステーション４１２において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。
【０１６５】
以上の実施の形態において、図４１に示すように被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上には、環状の保護テープＤが設けられていてもよい。すなわち、保護テープＤは、平面視においてダイシングテープＰの露出部分が存在しないように設けられる。なお、保護テープＤには、接着剤Ｇの溶剤Ｌに対して耐食性を有する材料が用いられ、例えばテフロン（登録商標）などのフッ素系樹脂が用いられる。
【０１６６】
保護テープＤは、重合ウェハＴをダイシングフレームＦにマウントする前に設けられてもよいし、重合ウェハＴをダイシングフレームＦにマウントする際に設けられてもよい。重合ウェハＴのマウント前に保護テープＤを設ける場合、例えば予めダイシングテープＰ上の所定の位置に保護テープＤが貼り付けられたものを、ダイシングフレームＦと重合ウェハＴに貼り付ける。また重合ウェハＴのマウントの際に保護テープＤを設ける場合、例えば保持部材（図示せず）によって保護テープＤを保持して、被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に貼り付けてもよいし、あるいは例えば被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に保護材料を塗布して保護テープＤを設けてもよい。
【０１６７】
かかる場合、洗浄装置１３において被処理ウェハＷを洗浄する際、溶剤供給部１５０を介して供給口１５３から供給面１４１と接合面ＷＪとの間の隙間１４２に溶剤Ｌが供給されて、当該溶剤Ｌが被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部Ａに流入しても、保護テープＤによって溶剤ＬによるダイシングテープＰの損傷を抑制することができる。
【０１６８】
また、保護テープＤが溶剤Ｌに対して耐食性を有するので、溶剤ＬによるダイシングテープＰの損傷をより確実に抑制することができる。なお、例えば保護テープＤが溶剤Ｌに対する耐食性を有しない場合でも、段部Ａに流入した溶剤ＬがダイシングテープＰに接触しなければよい。すなわち、保護テープＤが溶剤Ｌによって腐食しても、当該溶剤ＬがダイシングテープＰの表面に達しなければよい。
【０１６９】
以上の実施の形態において、図４２に示すように保護テープＤは、被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰを覆いつつ、さらにダイシングフレームＦを覆うように設けられていてもよい。かかる場合、溶剤ＬがダイシングフレームＦを汚染するのを抑制することができる。また、被処理ウェハＷに対する処理が終了した後、ダイシングテープＰから保護テープＤを剥がし易くできる。
【０１７０】
なお、発明者らが鋭意検討した結果、洗浄装置１３において被処理ウェハＷを洗浄する際、接着剤Ｇの溶剤Ｌにイソドデカン又はメンタンを使用した場合、当該溶剤ＬによってダイシングテープＰが劣化しないことが分かった。また、イソドデカン又はメンタンの溶剤Ｌによって、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを十分に洗浄できることも確認されている。したがって、この溶剤Ｌを用いた場合、ダイシングテープＰが露出していても、すなわち例えば上述した保護テープＤを省略しても、溶剤ＬによるダイシングテープＰの損傷を抑制しつつ、被処理ウェハＷを適切に洗浄することができる。
【０１７１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１７２】
１ 剥離システム
１０ 第１の搬入出ステーション
１１ 第２の搬入出ステーション
１２ 剥離装置
１３ 洗浄装置（第１の洗浄装置）
１４ 搬送装置
１３０ ウェハ保持部
１３１ スピンチャック
１３２ 吸着パッド
１３３ チャック駆動部
１４０ 洗浄治具
１４１ 供給面
１４２ 隙間
１５０ 溶剤供給部
１５１ リンス液供給部
１５２ 不活性ガス供給部
１５３ 供給口
１８０ 受渡アーム
１８１ フレーム保持部
２５０ 制御部
３００ 吸引部
３１０ 気体供給部
３２０ 充填液供給部
３３０ 加熱機構
３４０ メッシュ板
４００ 剥離システム
４１０ 搬入出ステーション
４１１ 剥離処理ステーション
４１４ ウェハ搬送領域
４３０ 第１の搬送装置
４４０ 第２の搬送装置
４４１ 第２の洗浄装置
Ａ 段部
Ｄ 保護テープ
Ｆ ダイシングフレーム
Ｇ 接着剤
Ｋ 充填液
Ｌ 溶剤
Ｐ ダイシングテープ
Ｒ リンス液
Ｓ 支持ウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 被処理ウェハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板が環状のフレームの内側に配置されて、前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該被処理基板の接合面を洗浄する洗浄方法であって、
被処理基板の接合面上に前記接着剤の溶剤を供給するための洗浄治具の供給面が前記接合面を覆い、且つ前記供給面と前記接合面との間の距離が所定の距離となるように、前記洗浄治具を被処理基板に対向して配置する配置工程と、
その後、前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤を供給し、当該供給された溶剤を表面張力によって前記接合面上に拡散させる洗浄工程と、を有することを特徴とする、洗浄方法。
【請求項２】
前記洗浄工程において、前記溶剤が前記接合面に拡散した後、前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤のリンス液を供給することを特徴とする、請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項３】
前記洗浄工程において、前記洗浄治具と被処理基板を相対的に回転させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の洗浄方法。
【請求項４】
前記洗浄工程において、前記供給面と前記接合面と間で拡散した溶剤を吸引することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項５】
前記洗浄工程は前記接合面が鉛直上方を向いた状態で行われ、
当該洗浄工程において、被処理基板と前記フレームとの間の前記テープに向けて気体を供給することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項６】
前記洗浄工程は前記接合面が鉛直上方を向いた状態で行われ、
当該洗浄工程において、被処理基板と前記フレームとの間のテープ上に充填液を充填することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項７】
前記洗浄工程は前記接合面が鉛直下方を向いた状態で行われることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項８】
前記洗浄工程の後、前記供給面と前記接合面との間に不活性ガスを供給して、当該接合面を乾燥させる乾燥工程を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項９】
前記乾燥工程において、前記洗浄治具を加熱することを特徴とする、請求項８に記載の洗浄方法。
【請求項１０】
被処理基板と前記フレームとの間のテープ上には、環状の保護テープが設けられていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項１１】
前記保護テープは、前記溶剤に対する耐食性を有することを特徴とする、請求項１０に記載の洗浄方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずかに記載の洗浄方法を洗浄装置によって実行させるために、当該洗浄装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項１４】
被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板が環状のフレームの内側に配置されて、前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該被処理基板の接合面を洗浄する洗浄装置であって、
被処理基板を保持する基板保持部と、
被処理基板の接合面を覆う供給面を備えた洗浄治具と、
前記供給面と前記接合面との間に前記接着剤の溶剤を供給する溶剤供給部と、
前記供給面が前記接合面を覆い、且つ前記供給面と前記接合面との間の距離が所定の距離となるように、前記洗浄治具を前記基板保持部に保持された被処理基板に対向して配置する配置工程と、その後、前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤を供給し、当該供給された溶剤を表面張力によって前記接合面上に拡散させる洗浄工程とを実行するように、前記基板保持部、前記洗浄治具及び前記溶剤供給部を制御する制御部と、を有することを特徴とする、洗浄装置。
【請求項１５】
前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤のリンス液を供給するリンス液供給部を有し、
前記制御部は、前記洗浄工程において、前記溶剤が前記接合面に拡散した後、前記供給面と前記接合面との間に前記リンス液を供給するように、前記リンス液供給部を制御することを特徴とする、請求項１４に記載の洗浄装置。
【請求項１６】
前記洗浄治具と、前記基板保持部に保持された被処理基板とを相対的に回転させる回転機構を有することを特徴とする、請求項１４又は１５に記載の洗浄装置。
【請求項１７】
前記供給面と前記接合面との間で拡散した溶剤を吸引する吸引部を有することを特徴とする、請求項１４〜１６のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項１８】
前記洗浄治具は前記基板保持部に保持された被処理基板の鉛直上方に配置され、
被処理基板と前記フレームとの間の前記テープに向けて気体を供給する気体供給部を有することを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項１９】
前記洗浄治具は前記基板保持部に保持された被処理基板の鉛直上方に配置され、
被処理基板と前記フレームとの間のテープ上に充填液を充填する充填液供給部を有することを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項２０】
前記洗浄治具は前記基板保持部に保持された被処理基板の鉛直上方に配置されていることを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項２１】
前記洗浄治具はメッシュ板であることを特徴とする、請求項１４〜２０のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項２２】
前記供給面と前記接合面との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を有し、
前記制御部は、前記洗浄工程の後、前記供給面と前記接合面との間に不活性ガスを供給して当該接合面を乾燥させる乾燥工程を実行するように、前記不活性ガス供給部を制御することを特徴とする、請求項１４〜２１のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項２３】
前記洗浄治具を加熱させる加熱機構を有し、
前記制御部は、前記乾燥工程において前記洗浄治具を加熱するように、前記加熱機構を制御することを特徴とする、請求項２２に記載の洗浄装置。
【請求項２４】
前記基板保持部は、前記テープを介して被処理基板を保持する第１の保持部と、前記テープの外側において前記フレームの表面を保持する第２の保持部とを有することを特徴とする、請求項１４〜２３のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項２５】
前記基板保持部に被処理基板を受け渡すための受渡アームを有し、
前記受渡アームは、被処理基板が取り付けられた前記フレームを保持するフレーム保持部を有することを特徴とする、請求項１４〜２４のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項２６】
被処理基板と前記フレームとの間のテープ上には、環状の保護テープが設けられていることを特徴とする、請求項１４〜２５のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項２７】
前記保護テープは、前記溶剤に対する耐食性を有することを特徴とする、請求項２６に記載の洗浄装置。
【請求項２８】
請求項１４〜２７のいずれかに記載の洗浄装置を備えた剥離システムであって、
重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する前記洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する他の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴とする、剥離システム。
【請求項１】
被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板が環状のフレームの内側に配置されて、前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該被処理基板の接合面を洗浄する洗浄方法であって、
被処理基板の接合面上に前記接着剤の溶剤を供給するための洗浄治具の供給面が前記接合面を覆い、且つ前記供給面と前記接合面との間の距離が所定の距離となるように、前記洗浄治具を被処理基板に対向して配置する配置工程と、
その後、前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤を供給し、当該供給された溶剤を表面張力によって前記接合面上に拡散させる洗浄工程と、を有することを特徴とする、洗浄方法。
【請求項２】
前記洗浄工程において、前記溶剤が前記接合面に拡散した後、前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤のリンス液を供給することを特徴とする、請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項３】
前記洗浄工程において、前記洗浄治具と被処理基板を相対的に回転させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の洗浄方法。
【請求項４】
前記洗浄工程において、前記供給面と前記接合面と間で拡散した溶剤を吸引することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項５】
前記洗浄工程は前記接合面が鉛直上方を向いた状態で行われ、
当該洗浄工程において、被処理基板と前記フレームとの間の前記テープに向けて気体を供給することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項６】
前記洗浄工程は前記接合面が鉛直上方を向いた状態で行われ、
当該洗浄工程において、被処理基板と前記フレームとの間のテープ上に充填液を充填することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項７】
前記洗浄工程は前記接合面が鉛直下方を向いた状態で行われることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項８】
前記洗浄工程の後、前記供給面と前記接合面との間に不活性ガスを供給して、当該接合面を乾燥させる乾燥工程を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項９】
前記乾燥工程において、前記洗浄治具を加熱することを特徴とする、請求項８に記載の洗浄方法。
【請求項１０】
被処理基板と前記フレームとの間のテープ上には、環状の保護テープが設けられていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項１１】
前記保護テープは、前記溶剤に対する耐食性を有することを特徴とする、請求項１０に記載の洗浄方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずかに記載の洗浄方法を洗浄装置によって実行させるために、当該洗浄装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項１４】
被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板が環状のフレームの内側に配置されて、前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該被処理基板の接合面を洗浄する洗浄装置であって、
被処理基板を保持する基板保持部と、
被処理基板の接合面を覆う供給面を備えた洗浄治具と、
前記供給面と前記接合面との間に前記接着剤の溶剤を供給する溶剤供給部と、
前記供給面が前記接合面を覆い、且つ前記供給面と前記接合面との間の距離が所定の距離となるように、前記洗浄治具を前記基板保持部に保持された被処理基板に対向して配置する配置工程と、その後、前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤を供給し、当該供給された溶剤を表面張力によって前記接合面上に拡散させる洗浄工程とを実行するように、前記基板保持部、前記洗浄治具及び前記溶剤供給部を制御する制御部と、を有することを特徴とする、洗浄装置。
【請求項１５】
前記供給面と前記接合面との間に前記溶剤のリンス液を供給するリンス液供給部を有し、
前記制御部は、前記洗浄工程において、前記溶剤が前記接合面に拡散した後、前記供給面と前記接合面との間に前記リンス液を供給するように、前記リンス液供給部を制御することを特徴とする、請求項１４に記載の洗浄装置。
【請求項１６】
前記洗浄治具と、前記基板保持部に保持された被処理基板とを相対的に回転させる回転機構を有することを特徴とする、請求項１４又は１５に記載の洗浄装置。
【請求項１７】
前記供給面と前記接合面との間で拡散した溶剤を吸引する吸引部を有することを特徴とする、請求項１４〜１６のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項１８】
前記洗浄治具は前記基板保持部に保持された被処理基板の鉛直上方に配置され、
被処理基板と前記フレームとの間の前記テープに向けて気体を供給する気体供給部を有することを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項１９】
前記洗浄治具は前記基板保持部に保持された被処理基板の鉛直上方に配置され、
被処理基板と前記フレームとの間のテープ上に充填液を充填する充填液供給部を有することを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項２０】
前記洗浄治具は前記基板保持部に保持された被処理基板の鉛直上方に配置されていることを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項２１】
前記洗浄治具はメッシュ板であることを特徴とする、請求項１４〜２０のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項２２】
前記供給面と前記接合面との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を有し、
前記制御部は、前記洗浄工程の後、前記供給面と前記接合面との間に不活性ガスを供給して当該接合面を乾燥させる乾燥工程を実行するように、前記不活性ガス供給部を制御することを特徴とする、請求項１４〜２１のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項２３】
前記洗浄治具を加熱させる加熱機構を有し、
前記制御部は、前記乾燥工程において前記洗浄治具を加熱するように、前記加熱機構を制御することを特徴とする、請求項２２に記載の洗浄装置。
【請求項２４】
前記基板保持部は、前記テープを介して被処理基板を保持する第１の保持部と、前記テープの外側において前記フレームの表面を保持する第２の保持部とを有することを特徴とする、請求項１４〜２３のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項２５】
前記基板保持部に被処理基板を受け渡すための受渡アームを有し、
前記受渡アームは、被処理基板が取り付けられた前記フレームを保持するフレーム保持部を有することを特徴とする、請求項１４〜２４のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項２６】
被処理基板と前記フレームとの間のテープ上には、環状の保護テープが設けられていることを特徴とする、請求項１４〜２５のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項２７】
前記保護テープは、前記溶剤に対する耐食性を有することを特徴とする、請求項２６に記載の洗浄装置。
【請求項２８】
請求項１４〜２７のいずれかに記載の洗浄装置を備えた剥離システムであって、
重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する前記洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する他の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴とする、剥離システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
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【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【公開番号】特開２０１３−３３９２５（Ｐ２０１３−３３９２５Ａ）
【公開日】平成２５年２月１４日（２０１３．２．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１００８５７（Ｐ２０１２−１００８５７）
【出願日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月１４日（２０１３．２．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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