【課題】基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置及び基板洗浄方法であって、基板の裏面を洗浄する洗浄手段及び基板を保持する基板保持手段を洗浄することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供すること。
【解決手段】基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置であって、前記裏面の第１の領域に接触して、前記基板を保持する第１の基板保持手段と、前記第１の領域以外の前記裏面の第２の領域に接触して、前記基板を保持する第２の基板保持手段と、前記第１の基板保持手段又は前記第２の基板保持手段により保持された基板の裏面を洗浄する第１の洗浄手段と、前記基板と接触する前記第２の基板保持手段の接触面を洗浄する第２の洗浄手段とを有することを特徴とする基板洗浄装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】複数の大きさの基板を処理可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、任意の大きさの基板Ｗを水平に支持するセンターチャック１３と、上向きの環状面５７をそれぞれ有する複数のリング５とを含む。複数のリング５は、環状面５７の内周縁の長さがそれぞれ異なる複数のサイズ調整リングを含み、内周縁がセンターチャック１３に支持されている基板Ｗの周縁部に近接した状態で、環状面５７が基板Ｗを水平に取り囲むように、複数のリング５のいずれか一つが、センターチャック１３に支持されている基板Ｗの周囲に配置される。 （もっと読む）

【課題】基板の洗浄時間を短縮することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板洗浄装置１は、基板保持台２０と、基板回転駆動部２５と、基板保持台２０に保持された基板Ｗの上面に対して洗浄液を供給するノズル３０と、基板保持台２０に保持された基板Ｗの上面を洗浄する第１洗浄具４１および第２洗浄具４２と、第１洗浄具４１および第２洗浄具４２が取り付けられた支持部材４３と、を備えている。支持部材４３は、第１洗浄具４１を基板保持台２０に保持された基板Ｗの中心部から基板Ｗの洗浄領域Ｗ_０の周縁部に基板Ｗに沿って移動させるように、移動可能に構成されている。第１洗浄具４１および第２洗浄具４２は、第１洗浄具４１が基板Ｗの洗浄領域Ｗ_０の周縁部に配置されている場合に、第２洗浄具４２が基板Ｗの洗浄領域Ｗ_０の周縁部に配置されるように、支持部材４３に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置のスループットを低減させることなく、キャリアの内部やキャリアに収容された基板の汚損を防止すること。
【解決手段】本発明では、キャリア載置台（６）に載置されたキャリア（３）の蓋（５）を開放し、キャリア（３）に収容された基板（２）を基板処理室（７）へ搬送し、基板処理室（７）で基板（２）の処理を行う基板処理装置（１）及び基板処理方法並びに基板処理プログラムにおいて、キャリア載置台（６）に載置された第１のキャリア（３）に対して処理が行われている場合、第２のキャリア（３）の蓋（５）を閉塞させた状態で第２のキャリア（３）をキャリア載置台（６）に待機させ、その後、所定の条件が満たされたときに第２のキャリア（３）の蓋（５）を開放し、基板（２）の処理を開始することにした。 （もっと読む）

【課題】複数の基板保持部材を備えた受け渡し機構を利用して、効率的に基板を搬送することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は処理された基板Ｗを基板収納部１００に戻すにあたり、搬送機構５を用いて処理済みの基板Ｗを中間受け渡し部４１ｂに搬送する。受け渡し機構２が、中間受け渡し部４１ａ、４１ｂから処理済みの基板Ｗを取り出して基板収納部１００に受け渡す際に、制御部７は、前記基板収納部１００からセットで取り出された第１の基板Ｗと第２の基板Ｗとのうち、先に処理を終えた前記第１の基板Ｗが中間受け渡し部４１ｂに受け渡された後、後続の基板Ｗが中間受け渡し部４１ｂに受け渡されることを待って両方の基板Ｗを一緒に搬送するか、後続の基板Ｗを待たずに前記第１の基板Ｗを搬送するかを判断する。 （もっと読む）

【課題】洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄された基板を乾燥させる処理を、簡易な装置構成で速やかに進行させること。
【解決手段】ウエハＷ表面に、昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように加熱された置換液を供給し、次いで、液状の昇華性物質を含む処理液を前記凝固点よりも高い温度にして共用ノズル５を介して供給する。前記置換液の供給により、リンス液の置換液による置換とウエハＷの表面の加熱を同時に行うことができ、加熱されたウエハＷに、前記凝固点よりも高い温度の処理液を供給しているので、ウエハＷ上に処理液の液膜を薄く広げることができる。加熱した置換液や処理液をウエハＷ表面に供給しているので装置構成が簡易なものとなり、また、処理液の薄い液膜を形成することができるため、昇華性物質の固化や昇華に要する時間が短縮され、基板を乾燥させるための処理が速やかに進行する。 （もっと読む）

【課題】フィルタの寿命を延ばすことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗに供給される処理液をろ過するフィルタ１６を内部で保持するハウジング１７と、ハウジング１７に保持されている状態のフィルタ１６に液滴を衝突させるスプレーノズル２３とを含む。フィルタ１６に付着している異物は、液滴の衝突によって除去される。 （もっと読む）

【課題】ロードポートの個数を見かけ上増加させることにより、装置コストを抑制しつつも収納器の搬送効率を向上させることができる。
【解決手段】仮想ロードポート管理部は、物理ロードポートＲ−ＬＰ１，２に対して２個の仮想ロードポートＶ−ＬＰ１，２を割り当てる。さらに、仮想ロードポート管理部は、基板処理装置５と、キャリア搬送システム７と、ホストコンピュータ９とに対して、２個の仮想ロードポートＶ−ＬＰ１，２を２個の物理ロードポートとして扱わせる。したがって、現実の物理ロードポートの個数以上にロードポートが存在するようにＦＯＵＰ３の搬送を行うことができ、見かけ上、ロードポートの個数を増加させることができる。その結果、装置コストを抑制しつつも、ＦＯＵＰ３の搬送効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送時間を短縮することができる基板搬送装置における基板搬送方法を提供すること。
【解決手段】メインロボットＭＲは、複数の基板保持ハンド１４ａ，１４ｂと、複数の基板保持ハンド１６ａ，１６ｂと、複数の基板保持ハンド１４ａ，１４ｂを移動させる上進退駆動機構２９と、複数の基板保持ハンド１６ａ，１６ｂを移動させる下進退駆動機構３０とを含む。メインロボットＭＲは、各基板保持ハンド１４ａ，１４ｂ，１６ａ，１６ｂを用いて基板保持位置に対して基板を搬入および搬出することができ、複数の基板保持位置の間で基板を搬送することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、金属系ウェハのパターン倒れを改善する薬液を提供する。
【解決手段】金属系ウェハ１の、少なくとも凹部４表面に撥水性保護膜１０を形成する薬液であり、撥水性保護膜形成剤が、下記一般式［１］及びその塩から選ばれる少なくとも一つであり、前記薬液中に含まれる溶媒の総量に対する水の濃度が５０質量％以上である。


Ｒ^１は一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の１価の炭化水素基。Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基。ａは０乃至２の整数。 （もっと読む）

【課題】薬液の消費量を低減すると共に、スループットの減少を抑制または防止する。
【解決手段】エッチング成分と増粘剤とを含む薬液が、第１スピンチャック８によって第１チャンバ１２で保持された基板Ｗに供給される。その後、薬液が基板Ｗに保持された状態で当該基板Ｗが第１チャンバ１２から第２チャンバ２５に搬送される。このような動作が繰り返し行われ、薬液が保持された複数枚の基板Ｗが、第２チャンバ２５に搬入される。第２チャンバ２５に搬入された複数枚の基板Ｗは、薬液を保持した状態で複数の基板保持部材２４に保持される。そして、第２チャンバ２５での滞在時間が所定時間に達したものから順に、複数の基板保持部材２４に保持された複数枚の基板Ｗが第２チャンバ２５から搬出される。 （もっと読む）

【課題】 表面処理装置において、搬入、搬出手段の選択の自由度を高められるようにする。
【解決手段】
表面処理装置３は、上側構造部１０と下側構造部２０とを備えている。下側構造部２０は昇降機構３０により、上側構造部１０に当接し上側構造部１０と協働して密封された処理室を形成する閉じ位置と、上側構造部１０から離間した開き位置との間で昇降され、この昇降に際して、垂直の複数のガイドシャフト４１，４２により案内される。下側構造部１０が開き位置にある時、構造部１０，２０間の搬入・搬出空間Ｓは、３方向にわたって連続した開口１００を有している。この連続開口１００に対応する位置に配置された第１のガイドシャフト４１は第２ガイドシャフト４２より短く、その上端が上側構造部１０から離れている。上側構造部１０は、第２ガイドシャフト４２の上端部に支持されるとともに、連続開口１００を横切らない支持機構５０により支持される。 （もっと読む）

【課題】予備のＮＦ_３を用いることによって、フッ素セルのオンサイトでの使用の困難性を克服して、安全で、連続的に、規制を遵守する方法でフッ素を与える。
【解決手段】次の工程を有する反応チャンバーの洗浄方法：
（ａ）目的の基材に材料を堆積させるための反応チャンバーを与える工程；
（ｂ）上記反応チャンバーの内部で、上記目的の基材に上記材料を堆積させる工程；
（ｃ）上記堆積を周期的に中断する工程；
（ｄ）上記反応チャンバーの内部と、フッ素及び窒素の混合物とを接触させて、上記反応チャンバーの上記内部を洗浄する工程；及び
（ｅ）上記フッ素及び窒素の混合物が使用できない場合に、切り替えを行って、上記反応チャンバーの内部と三フッ化窒素とを接触させる工程。 （もっと読む）

【課題】水の静的接触角が８５度以上である基板の表面を洗浄するにあたり、高い洗浄効果を得ることができ、しかも洗浄を短時間で行うことができる手法を提供すること。
【解決手段】先ず、基板を回転させながら洗浄ノズルから基板の中心部に洗浄液を吐出して遠心力により基板の表面全体に広げる。その後、基板を回転させたまま基板上の洗浄液の吐出位置を、基板の中心部からずれた偏心位置に変更すると共に、洗浄液の吐出位置におけるガス吐出位置側界面と、ガスノズルによるガスの吐出位置における洗浄液吐出位置側界面との距離を９ｍｍ〜１５ｍｍに設定した状態で前記ガスノズルから前記基板の中心部にガスを吐出して、洗浄液の乾燥領域を形成する。然る後、洗浄液の供給位置を、前記乾燥領域が外に広がる速度よりも遅い速度で基板の周縁に向けて移動させる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理対象面を下向きにして基板を処理する際に、基板下面に付着した純水をＩＰＡに効率よく置換すること。
【解決手段】基板処理方法は、処理対象面が下面となるように基板Ｗを保持して回転させる工程と、基板の下面にＤＩＷ（純水）を供給して基板にリンス処理を施す工程と、その後、基板の下面にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とＮ_２ガスとを含むミストを供給してＤＩＷをＩＰＡで置換する工程と、を備える。ミストの供給は、基板の中心部に対向する位置と基板の周縁部に対向する位置の間に配列された複数の吐出口６２を有する、基板の下方に設けられたノズル６０により行われる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面からリンス液を良好に除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面に純水が供給され、ウエハＷの表面に対するリンス処理（ウエハＷの表面を純水で洗い流す処理）が行われた後、純水よりも表面張力の低いＩＰＡ液がウエハＷの表面に供給される。また、ＩＰＡ液の供給と並行して、ウエハＷの表面と反対側の裏面に温水が供給される。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ洗浄液の添加剤が、研磨粒子及び被研磨膜の研磨屑と複合体を形成し、それが研磨パッドに蓄積することにより生じるパッド着色物を簡単に除去するＣＭＰ用洗浄液、これを使用する洗浄方法及びこれを使用する工程を含んで作製した製品を提供すること。
【解決手段】 ＣＭＰ用研磨液を使用して酸化ケイ素を有する被研磨面を研磨した際に、研磨部材を洗浄するためのＣＭＰ用洗浄液であって、強酸を含むＣＭＰ用洗浄液。ＣＭＰ用洗浄液に含まれる強酸は、硫酸、シュウ酸、フッ酸、硝酸及び次亜塩素酸から選ばれる少なくとも１種類の化合物であることが好ましい。また、ＣＭＰ用洗浄液は、さらに洗浄補助剤Ａとしてヒドロキシカルボン酸を含み、さらに洗浄補助剤Ｂとして、メタンスルホン酸を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理方法および基板処理装置において、スループットの低下を招くことなく、しかも優れた面内均一性でパーティクル等を除去する。
【解決手段】基板Ｗの回転中心Ｐ（０）から基板Ｗの外縁側に離れた初期位置Ｐ（Ｒin）の上方に冷却ガス吐出ノズル７を配置し、回転している基板Ｗの初期位置Ｐ（Ｒin）に冷却ガスを供給して、初期位置Ｐ（Ｒin）および回転中心Ｐ（０）を含む初期領域に付着するＤＩＷを凝固させる。そして、初期凝固領域ＦＲ0の形成に続いて、ノズル７から冷却ガスを供給しながら初期位置Ｐ（Ｒin）の上方から基板Ｗの外縁部の上方まで移動させることによって、凝固される範囲を基板Ｗの外縁側に広げて基板表面Ｗｆに付着していた全ＤＩＷ（凝固対象液）を凝固して液膜ＬＦ全体を凍結する。 （もっと読む）

【課題】剥離処理により被処理基板と支持基板の剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、当該剥離装置の外部に拡散することを抑制する。
【解決手段】剥離システム１は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬入出する搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ及び重合ウェハＴに所定の処理を行う剥離処理ステーション３と、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間に設けられた搬送ステーション７とを有している。剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを剥離する剥離装置３０と、第１の洗浄装置３１と、第２の洗浄装置３３とを有している。搬送ステーション７内の圧力は、剥離装置３０内の圧力、第１の洗浄装置３１内の圧力及び第２の洗浄装置３３内の圧力に対して陽圧である。 （もっと読む）

【課題】電子材料上のレジストを短時間で確実に剥離除去する。
【解決手段】電子材料を過硫酸含有硫酸溶液で洗浄してレジストを剥離洗浄し、その後ガス溶解水でウェット洗浄する。過硫酸含有硫酸溶液によるレジスト剥離後のウェット洗浄を、ガス溶解水を用いて行うことにより、洗浄に要する時間を従来法に比べて大幅に短縮することができる。過硫酸含有硫酸溶液は、硫酸溶液を電気分解することによって製造されたものであることが好ましく、レジストの剥離洗浄装置からの過硫酸濃度が低下した硫酸溶液を電解反応装置に送給して再生し、過硫酸濃度を十分に高めた硫酸溶液を洗浄装置に循環することにより、高濃度の過硫酸によりレジストを効率的に剥離除去すると共に、硫酸溶液を繰り返し使用することが可能となる。 （もっと読む）