基板処理装置及び基板処理方法
【課題】洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄された基板を乾燥させる処理を、簡易な装置構成で速やかに進行させること。
【解決手段】ウエハＷ表面に、昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように加熱された置換液を供給し、次いで、液状の昇華性物質を含む処理液を前記凝固点よりも高い温度にして共用ノズル５を介して供給する。前記置換液の供給により、リンス液の置換液による置換とウエハＷの表面の加熱を同時に行うことができ、加熱されたウエハＷに、前記凝固点よりも高い温度の処理液を供給しているので、ウエハＷ上に処理液の液膜を薄く広げることができる。加熱した置換液や処理液をウエハＷ表面に供給しているので装置構成が簡易なものとなり、また、処理液の薄い液膜を形成することができるため、昇華性物質の固化や昇華に要する時間が短縮され、基板を乾燥させるための処理が速やかに進行する。
【解決手段】ウエハＷ表面に、昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように加熱された置換液を供給し、次いで、液状の昇華性物質を含む処理液を前記凝固点よりも高い温度にして共用ノズル５を介して供給する。前記置換液の供給により、リンス液の置換液による置換とウエハＷの表面の加熱を同時に行うことができ、加熱されたウエハＷに、前記凝固点よりも高い温度の処理液を供給しているので、ウエハＷ上に処理液の液膜を薄く広げることができる。加熱した置換液や処理液をウエハＷ表面に供給しているので装置構成が簡易なものとなり、また、処理液の薄い液膜を形成することができるため、昇華性物質の固化や昇華に要する時間が短縮され、基板を乾燥させるための処理が速やかに進行する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面を洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄した後に当該基板を乾燥させる基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
被処理基板である例えば半導体ウエハ（以下、ウエハという）の洗浄を行う枚葉式のスピン洗浄装置では、ウエハの表面に例えばアルカリ性や酸性の薬液を供給しながらウエハを回転させることによって、ウエハ表面のごみ等を除去している。ウエハ表面に残存する薬液は例えば純水などを利用したリンス洗浄により除去され、次いでウエハを回転させることにより、残った液体を振り飛ばす振切乾燥などが行われている。
【０００３】
ところが半導体装置の高集積化に伴い、こうした液体などを除去する処理において、いわゆるパターン倒れの問題が大きくなってきている。パターン倒れは、ウエハ表面においてパターンを形成する凹凸の例えば凸部の左右に残っている液体が不均一に乾燥することにより、この凸部を左右に引っ張る表面張力のバランスが崩れ、液体が多く残っている方向に凸部が倒れる現象である。
【０００４】
このパターン倒れの発生を抑えつつウエハ表面に残った液体を除去する手法として、表面張力の少ないＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を、純水によるリンス洗浄後にウエハ表面に供給し、純水をＩＰＡにより置換してからＩＰＡを気体に状態変化させて乾燥させる方法が知られている。しかしながら、ＩＰＡは表面張力がゼロではないため、この手法には原理的に限界がある。
【０００５】
また、高圧流体の一種である超臨界状態の流体（超臨界流体）を用いた乾燥方法も知られている。この手法では、超臨界流体と平衡状態にある液体や気体との間で界面が存在しないため、ウエハ上の液体を超臨界流体と置換し、しかる後超臨界流体を気体に状態変化させると、表面張力の影響を受けることなく液体を乾燥させることができる。しかしながら、この手法は高圧機器が必要になり、装置が大掛かりになってしまう。
【０００６】
また、特許文献１には、フォトマスクのドライ洗浄方法において、露光後のフォトマスクにナフタレンのイソプロピルアルコール溶液を滴下してナフタレンの保護膜をスピンコートし、その後基板を加熱して、保護膜とゴミを除去する技術が記載されている。さらに、特許文献２には、基板をＩＰＡ溶液に浸漬して基板上の純水をＩＰＡに置換した後、基板をナフタレン溶液に浸漬する。そして、基板を空気中に引き上げることでナフタレンを固化した後、昇華させる技術が記載されている。さらにまた、特許文献３には、基板上の液体を、当該液体と混合しにくく、この液体よりも凝固点が低い置換液により置換した後、液体のみ凝固させて置換液を除去してから、液体の凝固体を除去して乾燥させる技術が記載されている。しかしながら、これらの手法を用いても、洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄された基板を乾燥させる処理を、簡易な装置構成で速やかに進行させることは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６３−４１８５５号公報
【特許文献２】特開平９−１９０９９６号公報（段落００２７，００３４）
【特許文献３】特開２００８−６６２７２号公報（段落００１７，００３４，００３８〜００４０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄された基板を乾燥させる処理を、簡易な装置構成で速やかに進行させる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このため、本発明の基板処理装置は、基板の表面を洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄した後に当該基板を乾燥させるための処理を行う装置において、
基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板上のリンス液を置換するための両極性液体からなる置換液を基板の表面に供給する第１のノズルと、
この第１のノズルから置換液が供給された基板の表面に、液状の昇華性物質を含む処理液を処理液供給源から供給するための第２のノズルと、
前記第１のノズルから吐出される置換液の温度が前記昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように置換液を予め加熱するための第１の加熱部と、
前記処理液供給源から第２のノズルの吐出口に至るまでの処理液の温度が前記昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように処理液を加熱するための第２の加熱部と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の基板処理方法は、基板の表面を洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄した後に当該基板を乾燥させるために行う処理方法において、
基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
前記基板保持部に保持された基板の表面に両極性液体からなる置換液を供給して当該基板上のリンス液を置換液により置換する工程と、
前記置換液が供給された基板の表面に、液状の昇華性物質を含む処理液を処理液供給源からノズルを介して供給する工程と、
前記置換液を基板の表面に供給する前に、当該置換液の温度が昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように置換液を予め加熱する工程と、
前記処理液供給源から前記ノズルの吐出口に至るまでの処理液の温度が前記昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように処理液を加熱する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板に液状の昇華性物質を含む処理液を供給する前に、当該基板に昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように加熱された置換液を供給しているので、リンス液の置換液による置換と基板の表面の加熱を同時に行うことができる。また、こうして加熱された基板に、前記凝固点よりも高い温度の処理液をノズルを介して供給しているので、基板上に処理液の液膜を薄く広げることができる。このように加熱した置換液や処理液を基板表面に供給しているので、装置構成が簡易なものとなり、また、基板上に処理液の薄い液膜を形成することができるため、昇華性物質の固化や昇華に要する時間が短縮され、基板を乾燥させるための処理を速やかに進行させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す縦断面図である。
【図２】前記基板処理装置を示す平面図である。
【図３】前記基板処理装置に設けられる共用ノズルと、この共用ノズルの供給系を示す構成図である。
【図４】前記基板処理装置に設けられる固化検出部を示す構成図である。
【図５】ウエハＷの表面状態を示す斜視図である。
【図６】前記基板処理装置にて実施される基板処理方法を説明する斜視図である。
【図７】前記基板処理方法を説明する斜視図である。
【図８】本発明の作用を説明する縦断面図である。
【図９】本発明の作用を説明する縦断面図である。
【図１０】本発明の作用を説明する縦断面図である。
【図１１】本発明の作用を説明する縦断面図である。
【図１２】本発明の作用を説明する縦断面図である。
【図１３】本発明の作用を説明する縦断面図である。
【図１４】本発明の作用を説明する縦断面図である。
【図１５】本発明の共用ノズルの他の例を示す構成図である。
【図１６】本発明の基板処理装置の他の例を示す平面図である。
【図１７】図１６に示す例の作用を説明する側面図である。
【図１８】図１６に示す例の作用を説明する側面図である。
【図１９】図１６に示す例の作用を説明する側面図である。
【図２０】固化検出部の他の例を示す側面図である。
【図２１】固化検出部の他の例を示す側面図である。
【図２２】固化検出部の他の例を示す側面図である。
【図２３】固化検出部の他の例を示す側面図である。
【図２４】固化検出部の他の例を示す側面図である。
【図２５】処理液を供給するノズルの他の例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明に係る基板処理装置１の一実施の形態について説明する。図１に示すように、基板処理装置１は、処理容器１０の内部に、基板例えばウエハＷを水平に保持するスピンチャック２を備えている。このスピンチャック２は基板保持部をなすものであり、回転軸２１を介して回転駆動部２２により鉛直軸回りに回転自在及び昇降自在に構成されている。
【００１４】
前記スピンチャック２の周囲には、処理カップ３が設けられている。この処理カップ３は、前記スピンチャック２上に保持されるウエハＷの裏面周縁部に対向するように配置された内側カップ３１と、スピンチャック２上のウエハＷの側方上方側の雰囲気を周方向に亘って覆うように設けられた外側カップ３２と、から構成されている。図中３３は液受け部であり、この液受け部３３の下面には、処理液を排出するために排液路３４が接続されていて、ウエハＷの周縁部から流れ落ちる処理液等が、前記内側カップ３１を介して当該排液路３４へとガイドされるようになっている。また、液受け部３３には、処理容器１０内の雰囲気を排気するために排気路３５が接続されている。
【００１５】
前記処理容器１０内には、ウエハＷの表面に対して薬液である洗浄液を吐出する洗浄液ノズル４１と、リンス液を吐出するリンス液ノズル４２とが設けられている。前記洗浄液としては、例えばＳＣ１液（アンモニアと過酸化水素水の混合液）やＤＨＦ（希フッ酸）、ＳＣ２液（塩酸と過酸化水素水の混合液）、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合物）等が用いられ、リンス液として純水が用いられる。これらノズル４１，４２は、図１及び図２に示すように、例えばウエハＷの中心部に洗浄液等を供給する供給位置と、処理カップ３の外側の待機位置との間で移動自在に構成されている。この例では、洗浄液ノズル４１は、アーム４３により支持されて、昇降機構４３Ａにより昇降自在及び進退機構４３Ｂにより進退自在に構成されている。また、リンス液ノズル４２は、アーム４４により支持されて、図示しない昇降機構により昇降自在及び進退機構４４Ｂにより進退自在に構成されている。
【００１６】
前記洗浄液ノズル４１は、流量調整バルブＶ１を備えた供給路４５を介して洗浄液であるＳＣ１液の供給源４５Ａに接続されている。また、前記リンス液ノズル４２は、流量調整バルブＶ２を備えた供給路４６を介してリンス液である純水の供給源４６Ａに接続されている。
【００１７】
さらに、処理容器１０内には共用ノズル５が設けられている。この共用ノズル５は、スピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に対して、両極性液体からなる置換液と、液状の昇華性物質を含む処理液とを供給するものである。両極性液体とは、水に溶解し、かつ有機物を溶解する性質を有する液体であり、例えばＩＰＡ、メタノール及びエタノール等のアルコール類からなる。また、昇華性物質とは、大気中で固体から気体に昇華する物質であり、例えばパラジクロロベンゼン（ＰＤＣＢ）やナフタレンからなる。液状の昇華性物質としては、昇華性物質を融解させたものを用いてもよいし、昇華性物質を置換液に溶解させたものを用いてもよい。ここでは、両極性液体である置換液としてＩＰＡ、処理液として液状のＰＤＣＢを用いる場合を例にして説明を続ける。
【００１８】
この共用ノズル５は、図１及び図２に示すように、例えばウエハＷの中心部に置換液や処理液を供給する供給位置と、処理カップ３の外側の待機位置との間で移動自在に構成されている。この例では、ノズル５は、アーム５１により支持されて、昇降機構５２Ａにより昇降自在及び進退機構５２Ｂにより進退自在に構成されている。
【００１９】
共用ノズル５の内部には、図３に示すように、置換液や処理液の流路５０が設けられており、当該ノズルの下端には吐出口５ａが形成されている。また、共用ノズル５の流路５０には共通流路５３を介して置換液及び処理液が供給されるようになっている。この共通流路５３の上流側は第１の流路５４及び第２の流路５５に分岐すると共に、第１の流路５４が流量調整バルブＶ３を介してＩＰＡ供給源５４Ａに接続され、第２の流路５５が流量調整バルブＶ４を介して処理液供給源であるＰＤＣＢ供給源５５Ａに接続されている。前記第１の流路５４は置換液を専用に流すための流路、第２の流路５５は処理液を専用に流すための流路であり、流量調整バルブＶ３，Ｖ４が流路切替え機構に相当する。ＩＰＡ供給源５４Ａ及びＰＤＣＢ供給源５５Ａは、夫々バルブＶａ，Ｖｂを備えた供給路５１１，５１２を介して例えば窒素ガス等の圧送用ガスのガス供給源５１３に接続されている。そして、制御部８からバルブＶ３，Ｖ４，Ｖａ，Ｖｂに制御信号を出力して、ＩＰＡ供給源５４Ａ及びＰＤＣＢ供給源５５Ａに、夫々圧送用ガスを供給することにより、ＩＰＡ供給源５４Ａ及びＰＤＣＢ供給源５５Ａから共通流路５３を介して共用ノズル５にＩＰＡ及び液状のＰＤＣＢが供給されるように構成され、ＩＰＡ及び液状のＰＤＣＢを別々にあるいは同時に供給することができるようになっている。
【００２０】
さらに、この例では、共通流路５３の上流側の部分、つまり第１の流路５４、第２の流路５５、流量調整バルブＶ３，Ｖ４、ＩＰＡ供給源５４Ａ及びＰＤＣＢ供給源５５Ｂは恒温槽５６内に設けられている。この恒温槽５６は、共用ノズル５から吐出される置換液の温度が、昇華性物質であるＰＤＣＢの凝固点よりも高い温度になるように置換液を予め加熱するための第１の加熱部に相当すると共に、ＰＤＣＢ供給源５５Ａから共用ノズル５の吐出口５ａに至るまでの処理液の温度が昇華性物質であるＰＤＣＢの凝固点よりも高い温度になるように処理液を加熱するための第２の加熱部に相当する。
【００２１】
この恒温槽５６は、その内部に流体５７例えば水が満たされていると共に、加熱機構５８を備えている。こうして、加熱機構５８により流体５７を加熱することにより、ＩＰＡ供給源５４Ａ内のＩＰＡ及びＰＤＣＢ供給源５５Ａ内のＰＤＣＢを所定温度に維持するように構成されている。この例では、共通流路５３の上流端付近まで流体５７により覆われている。
【００２２】
この際、共用ノズル５の吐出口５ａからＰＤＣＢが吐出されるときには、共通流路５３の通流により多少温度が低下することを想定し、この温度低下があったとしても、前記吐出口５ａから吐出されるときのＰＤＣＢの温度が凝固点より高くなるように恒温槽５６内の温度が設定される。このため、ＰＤＣＢの融点が５５℃であることから、恒温槽５６内は、ＩＰＡ供給源５４Ａ内のＩＰＡの温度とＰＤＣＢ供給源５５Ａ内のＰＤＣＢの温度が例えば６０℃〜１２０℃好ましくは７０℃に維持されるように温度設定されている。
【００２３】
前記洗浄液ノズル４１、リンス液ノズル４２及び共用ノズル５は、通常は待機位置に設けられており、ウエハＷに各種の薬液を供給するときには、夫々供給位置まで移動する。この際、これら洗浄液ノズル４１、リンス液ノズル４２及び共用ノズル５は、互いに干渉せずに、待機位置と供給位置との間で移動できるように設けられている。また、待機位置にある共用ノズル５の下方側には排液部５９が設けられており、共用ノズル５が待機位置にあるときには、当該ノズル５の吐出口５ａから当該排液部５９に置換液や処理液を排出できるようになっている。
【００２４】
さらに、処理容器１０には固化検出部６が設けられている。この固化検出部６は、ウエハＷの表面に光を照射し、その反射光に基づいてウエハＷの表面に存在する昇華性物質が固化したことを検出するものである。この例の固化検出部６は、例えば図４に示すように、スピンチャック２上のウエハＷに向けて光を照射する発光部６１と、ウエハＷ表面により反射された光を受光する受光部６２とを備えている。この受光部６２は、例えば反射光の光量を検出し、閾値に基づいて二値化信号（０、１）を後述する制御部８に出力するように構成されている。
【００２５】
つまり、後述するようにウエハＷに昇華性物質の液膜が形成された状態では、当該液膜は無色透明であるため、ウエハＷの地色が見えた状態である。次いで、昇華性物質が固化すると白濁し、さらに、昇華性物質が昇華すると再びウエハＷの地色が見える状態になる。図５において、点のハッチングはウエハＷの地色、斜線のハッチングは昇華性物質の固化物の白濁色とすると、図５（ａ）は、昇華性物質の液膜が形成された状態、図５（ｂ）は昇華性物質が固化した状態、図５（ｃ）は昇華性物質が昇華した状態を夫々示している。このように、昇華性物質が固化すると、色が白濁色に変化するので反射光の光量が小さくなる。このため、例えば予め光量の閾値を求めておき、この閾値よりも小さくなったときに、検出信号「１」を制御部８に出力するように構成する。
【００２６】
この固化検出部６は、例えば支持部材６３により、例えばウエハの周縁近傍に発光部６１から光を照射できる位置に設けられている。また、固化検出部６は、スピンチャック２と図示しない外部の搬送機構との間のウエハＷの受け渡しや、洗浄液ノズル４１、リンス液ノズル４２及び共用ノズル５の移動を妨げない位置であって、これらノズル４１，４２，５により光線が遮られない位置に設けられる。
【００２７】
さらに処理容器１０には、天井面に当該処理容器１０の内部に対して清浄な気体を供給するためのファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１１が接続されると共に、底面には排気管１２が接続され、こうして処理容器１０内には下降気流が形成される。なお、図２中１３はこの処理容器１０内に対してウエハＷの搬入出を行うための搬送口、１４は前記搬送口１３を開閉するためのシャッタである。
【００２８】
このような液処理装置１は、制御部８により、液処理装置１における各機器の動作が統括制御されるようになっている。この制御部８は、例えばコンピュータからなり、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、後述の作用で説明する基板を乾燥させるための処理が行われるように命令が組まれたプログラムが格納される。そして、このプログラムが制御部８に読み出されることで、制御部８は、スピンチャック２の回転駆動部２２や、各流量調整バルブＶ１〜Ｖ４、開閉バルブＶａ、送液ポンプＰ、各ノズル４１，４２，５の昇降機構４３Ａ，５２Ａや進退機構４３Ｂ，４４Ｂ，５２Ｂ等に制御信号を出力する。前記プログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００２９】
また、制御部８は、固化検出部６からの検出信号に基づいて、ウエハＷ上の昇華性物質の固化のタイミングを判断し、前記信号をスピンチャック２からウエハＷを搬出するためのトリガ信号として使用するように構成されている。つまり、ウエハ上に供給された昇華性物質が固化した後は、昇華性物質は後述するように自然に放置することにより昇華していく。このため、昇華性物質が固化したタイミングでスピンチャック２からウエハＷを搬出して、後段の処理を行うことによりウエハＷの乾燥が速やかに進行する。この後段の処理とは、自然放置や減圧乾燥処理である。従って、昇華性物質が固化したことを検出し、この検出信号をスピンチャック２からウエハＷを搬出するためのトリガ信号として使用することにより、固化が終了したウエハＷは後段の処理へ搬送し、スピンチャック２には次のウエハＷを搬送することができ、処理のスループットを向上させることができる。
【００３０】
このため、制御部８は、例えばウエハＷに洗浄液を供給する時点から固化検出部６の出力信号を監視し、固化検出部６からの検出信号が「１」となったタイミングで、昇華性物質の固化終了と判断し、スピンチャック２からウエハＷを搬出するために、スピンチャック２及び外部の搬送機構に制御信号を出力するように構成されている。また、固化検出部６からの検出信号が「１」となったタイミングで図示しない表示部に固化終了の旨を表示し、この表示に基づいてオペレータがスピンチャック２からウエハＷを搬出するために、スピンチャック２及び外部の搬送機構に指令を出力するようにしてもよい。
【００３１】
次に、上述の実施の形態の作用について、図６〜図１４を参照しながら説明する。先ず、図示しない外部の搬送機構によって、搬送口１３より処理容器１０内にウエハＷを搬入し、処理カップ３の上方側まで上昇させたスピンチャック２に受け渡す。そして、スピンチャック２によりウエハＷを保持させ、処理カップ３内の所定位置まで下降させる。一方、搬送機構を退避させて、シャッタ１４は閉じておく。
【００３２】
そして、洗浄液ノズル４１を供給位置へ移動させて、ウエハＷを回転させながらウエハＷ表面に洗浄液であるＳＣ１液を吐出する（図６（ａ））。これにより、ウエハＷ表面に付着したパーティクルや有機性の汚染物質が除去される。次いで、リンス液ノズル４２を供給位置へ移動させて、ウエハＷを回転させながら、ウエハＷ表面にリンス液である純水を吐出する（図６（ｂ））。こうして、ウエハＷ表面の洗浄液がリンス液により洗い流される。
【００３３】
続いて、共用ノズル５を供給位置へ移動させる（図６（ｃ））。そして、ウエハＷを回転させながら、流量調整バルブＶ３を開いてＩＰＡ供給源５４Ａから、第１の流路５４及び共通流路５３を介して共用ノズル５にＩＰＡを供給する。こうして、共用ノズル５から、高温の両極性液体である７０℃のＩＰＡを吐出して、ウエハＷ上のリンス液をＩＰＡにより置換する（図８）。
【００３４】
ここで、図８〜図１４は、ウエハＷ表面にパターン７１が形成された様子を概略的に示すものである。ウエハＷ表面にＩＰＡが供給されると、遠心力により外方に向けて拡散してウエハＷ表面全体に行き渡り、こうしてウエハＷ表面のリンス液がＩＰＡに置換される。この際、パターン７１の内部にＩＰＡが入り込み、パターン７１の表面にＩＰＡの液膜７２が形成される。さらに約７０℃のＩＰＡを供給してウエハＷ表面に拡散させているので、ウエハＷ表面が、昇華性物質であるＰＤＣＢの凝固点よりも高い温度に加熱される。
【００３５】
続いて、共用ノズル５からウエハＷに供給される薬液を、置換液から処理液である液状のＰＤＣＢに切り替えると共に、固化検出部６からの検出を開始する。例えば薬液の切替え時には、流量調整バルブＶ３と共に流量調整バルブＶ４を開き、共通流路５３を介して共用ノズル５内にＩＰＡ供給源５４Ａ及びＰＤＣＢ供給源５５Ａから夫々所定流量のＩＰＡ及び液状のＰＤＣＢを供給する（図９参照）。この段階では、ウエハＷ表面には、ＩＰＡにＰＤＣＢが溶解した液膜７３が形成されている。
【００３６】
そして、徐々に流量調整バルブ３を絞っていき、最終的に液状のＰＤＣＢのみを供給する（図７（ａ）、図１０）。この際、ＰＤＣＢを供給するときには、ウエハＷを、ＰＤＣＢの薄い液膜が形成できる程度の高い回転数、例えば１０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍ回転数で回転させる。このように、ウエハＷをＰＤＣＢの薄い液膜が形成できる程度の回転数で回転させるのは、ＰＤＣＢとＩＰＡとを同時に供給するときでもよいし、ＰＤＣＢのみを供給するときでもよい。
【００３７】
これにより、ウエハＷ表面のＰＤＣＢが遠心力により外方に向けて拡散してウエハＷ表面全体に行き渡る。このように液状のＰＤＣＢを供給することにより、ウエハＷ表面のＩＰＡはＰＤＣＢに置換されるが、ＩＰＡはＰＤＣＢを溶解する性質であることから、ＩＰＡの一部はＰＤＣＢ中に残存する。こうして、ウエハＷ表面には、ＰＤＣＢの濃度が前記液膜７３よりも大きい液膜７４が形成される。
【００３８】
この際、前工程で約７０℃のＩＰＡが供給されて、ウエハＷ表面が昇華性物質の凝固点よりも高い温度に加温されているので、液状のＰＤＣＢがウエハＷ上で直ぐに固化することが抑えられる。また、ウエハＷを既述の回転数で回転させることから、液状のＰＤＣＢがウエハＷ表面に均一に薄く広がり、膜厚が薄いＰＤＣＢの液膜を形成することができる。さらに、昇華性物質の供給前に共通流路５３及び共用ノズル５の流路５０に高温の置換液を供給しているので、これら共通流路５３及び流路５０の内壁が高温の置換液により加温される。このため、置換液に次いで処理液を共通流路５３及び流路５０に供給したときに、当該共通流路５３等の通流中に昇華性物質が固化してしまうことを抑えることができる。
【００３９】
こうして、ＰＤＣＢの液膜７４を形成した後、流量調整バルブＶ４を閉じて共用ノズル５からのＰＤＣＢの吐出を停止すると共に、ウエハＷの回転数を５０ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍ程度まで低下させて、当該共用ノズル５を待機位置まで移動させる。そして、ウエハＷを５０ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍ程度の回転数で回転を続行させると、ＰＤＣＢは融点が５５℃であり、また厚さが薄いので、回転の気流によって生じる渦流などにより自然に冷却され、固化される。
【００４０】
一方、待機位置にある共用ノズル５に対しては、図７（ｂ）に示すように、流量調整バルブＶ３を開き、ＩＰＡ供給源５４Ａから第１の流路５４及び共通流路５３を介してノズル５内の流路５０に所定量のＩＰＡを供給し、排液部５９に排出させる。こうして、共通流路５３及び共用ノズル５の流路５０に高温のＩＰＡを通流させることにより、仮に共通流路５３や共用ノズル５の流路５０にＰＤＣＢが固化して付着したとしても、その固化物がＩＰＡに溶解して除去される。
【００４１】
既述のように、液状のＰＤＣＢを供給することにより、ウエハＷ表面のＩＰＡはＰＤＣＢに置換されるが、ＩＰＡの一部はＰＤＣＢ中に残存している。そして、図１１に示すように、ＰＤＣＢの固化の際、ＰＤＣＢ中のＩＰＡが揮発していくため、図１２に示すように、固化したＰＤＣＢの内部ではＩＰＡが抜けた部分が微細な孔７５として存在し、ＰＤＣＢの固化物７６はポーラスな状態となっている。
【００４２】
ところで、既述のように、ＰＤＣＢが固化すると、固化検出部６から制御部８に検出信号「１」が出力される。従って、制御部８では、処理液の供給開始から常時固化検出部６からの検出信号を取得しておき、検出信号が「１」が入力されたときに、スピンチャック２からウエハＷを搬出するためのトリガ信号を取得したと判断する。そして、例えばスピンチャック２の回転を停止して、スピンチャック２を受け渡し位置まで上昇させると共に、例えば図示しない搬送機構に、スピンチャック２上のウエハＷの搬出指令を出力する。
【００４３】
前記搬送機構は、ＰＤＣＢが固化したウエハＷを受け取り、後段の処理を行う領域にウエハＷを搬送する。この後段の処理を行う領域とは、例えば、ウエハＷを大気雰囲気に置かれた載置台に載置した状態で昇華性物質を自然放置により昇華させる領域であってもよいし、ウエハＷを減圧乾燥させて昇華性物質を昇華させる減圧乾燥装置であってもよい。
【００４４】
こうして、図１３に示すように、固体状態のＰＤＣＢを昇華させることによりウエハ表面のパターン７３内からＰＤＣＢが徐々に除去されていき、図１４に示すように、全てのＰＤＣＢが除去されてウエハを乾燥させる処理が終了する。この際、既述のように、薄いＰＤＣＢの液膜が形成されるため、ＰＤＣＢの固化物７６も薄く、また当該固化物７６はポーラス状に構成されているので、昇華速度が大きく、昇華が短時間で終了する。
【００４５】
上述の実施の形態によれば、ウエハＷ上のリンス液を置換液により置換し、次いで当該置換液を処理液により置換した後、当該昇華性物質を固化し、昇華させている。従って、ウエハＷの表面を洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄した後に、当該ウエハＷを乾燥させるための処理を行うにあたり、固体の昇華を利用しているので、表面張力が発生するおそれがなく、パターン倒れの発生を抑えて、ウエハＷを乾燥させることができる。
【００４６】
この際、リンス液により洗浄されたウエハＷに対して、液状の昇華性物質を含む処理液を供給する前に、両極性液体からなる置換液を供給している。一般的に昇華性物質はリンス液である純水と混ざりにくいが、前記両極性液体は、水に溶解し、かつ有機物を溶解する性質を有するため、リンス液及び昇華性物質の双方と混ざりやすい。このため、リンス液を両極性液体により置換し、次いで両極性液体を昇華性物質により置換することで、結果的にリンス液を昇華性物質により速やかに置換することができる。
【００４７】
また、前記両極性液体からなる置換液は第１の加熱部により、共用ノズル５から吐出される置換液の温度が昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように、予め加熱されている。このため、この置換液の供給により、ウエハＷが昇華性物質の凝固点以上の温度に加温され、置換液の供給という簡易な手法でウエハＷを加熱することができる。この際、置換液はＩＰＡ供給源５４Ａを第１の加熱部である恒温槽５６内に配置することにより前記温度に加熱されるため、置換液の加熱自体も簡易な装置構成で行うことができる。一方、ウエハＷ自体を加熱するためにスピンチャック２に加熱機構を設けることを考えると、スピンチャック２は回転自在に構成されることから、スピンチャック２の構造が複雑化する。また、ウエハ面内を均一に加熱するためにはスピンチャック２自体を大型化する必要があり、処理装置全体で見ると大掛りな装置構成となってしまう。
【００４８】
さらに、この実施の形態では、ＰＤＣＢ供給源５５Ａから共用ノズル５の吐出口５ａに至るまでの処理液の温度が、昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように、処理液が第２の加熱部により加熱されているので、昇華性物質の固化を抑えて共用ノズル５から液状の昇華性物質をウエハＷ表面に供給することができる。この際、処理液は、ＰＤＣＢ供給源５５Ａを第２の加熱部でもある恒温槽５６内に配置することにより加熱されるので、簡易な装置構成で処理液を加熱することができる。また、上述の実施の形態のように、共通の恒温槽５６内にＩＰＡ供給源５４ＡとＰＤＣＢ供給源５５Ａとを配置するようにすれば、一つの加熱部で置換液と処理液の両方を加熱することができ、より装置構成が簡易なものとなる。
【００４９】
そして、共用ノズル５から処理液を供給すると、ウエハＷ表面が置換液の供給により加熱されていることから、昇華性物質が直ぐに固化してしまうことが抑えられる。このため処理液を薄く広げることができるので、薄い処理液の液膜を形成することができる。この際、共用ノズル５からウエハＷの中心に処理液を供給すると共に、ウエハＷを例えば１０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍの回転数で回転させることにより、処理液が薄く伸ばされ、より薄く厚さが均一な処理液の液膜を形成することができる。このように、処理液の液膜を薄く形成することができると、昇華性物質の量が少ないため、昇華性物質の固化や、固化した昇華性物質の昇華に要する時間が短縮され、ウエハＷを乾燥させる処理が速やかに進行し、当該乾燥させる処理に要する時間が短縮される。
【００５０】
また、共用ノズル５を用い、流路切替え機構により共通流路５３に供給される液を、置換液と処理液との間で切り替えて供給しているので、共用ノズル５に処理液を供給した後、流路を切り替えて当該共用ノズル５に置換液を供給することができる。これにより、仮に共通流路５３や共用ノズル５の流路５０に昇華性物質の固化物が付着したとしても、その後に昇華性物質の凝固点以上の温度に加熱された置換液を通流させることによって、前記付着した昇華性物質の固化物を置換液に溶解して除去することができる。
【００５１】
また、共用ノズル５からウエハＷに置換液及び処理液を供給する際、これらの切り替え時には、置換液と処理液とを同時にウエハＷ表面に供給することができる。このため、昇華性物質がウエハＷの表面で直ぐに固化することが抑えられ、処理液をウエハＷ表面に広げやすくなる。
【００５２】
さらに、上述の実施の形態では、置換液と処理液とを切り替えて供給し、最終的には処理液のみを供給しているので、リンス液と置換液の置換、置換液と処理液との置換を確実に行うことができる。このため、処理液を供給が終了した後には、既述のようにウエハＷ表面には昇華性物質と両極性液体とが混合した状態であるものの、昇華性物質の濃度が大きい。このため、昇華性物質の固化や昇華が速やかに行われ、ウエハＷを乾燥させるための処理が迅速に進行する。
【００５３】
さらにまた、本発明は、固化検出部６を用いて、ウエハＷ表面に存在する昇華性物質が固化したことを反射光に基づいて検出している。従って、昇華性物質の固化の終了時点の判断を容易かつ正確に行うことができる。また、この検出信号を、スピンチャックからウエハＷを搬出するためのトリガ信号として使用しているので、固化が終了したウエハＷは、速やかに処理容器１０から搬出される。従って、固化が終了したウエハＷをスピンチャック２から搬出し、次のウエハＷをスピンチャック２に搬送することができるので、スループットを向上させることができる。
【００５４】
以上において、本発明では、図１５に示すように、共用ノズル５に置換液及び処理液を供給する共通流路８１は２重管構造であってもよい。この共通流路８１は、内管８２と、この内管８２の周囲が流路となる外管８３と、を備えており、前記内管８２には処理液が供給され、外管８３には置換液が供給される。この外管８３は置換液を専用に流すための第１の流路に相当し、内管８２は処理液を専用に流すための第２の流路に相当する。例えば内管８２の先端側（共用ノズル５側）は、外管８３よりも短くなっており、内管８２の先端よりも共用ノズル５側の領域８４は、置換液と処理液の共通流路となっている。
【００５５】
前記内管８２の基端側は、流量調整バルブＶ５を備えた流路８５により、処理液供給源であるＰＤＣＢ供給源８５Ａに接続されている。また、前記外管８３の基端側は、流量調整バルブＶ６を備えた流路８６により、置換液の供給源であるＩＰＡ供給源８６Ａに接続されている。また、流路８５と流路８６は流量調整バルブＶ７を備えた流路８７により接続されている。さらに、流路８５〜８７、流量調整バルブＶ５〜Ｖ７、ＰＤＣＢ供給源８５Ａ及びＩＰＡ供給源８６Ａは、共通の恒温槽８７に配置されており、ＩＰＡ供給源８６Ａ内のＩＰＡ、ＰＤＣＢ供給源８５Ａ内のＰＤＣＢが例えば６０℃〜１２０℃好ましくは７０℃になるように温度制御されている。図中８８は加熱機構である。なお、図１５では、開閉バルブＶａ及び送液ポンプＰは図示を省略しているが、これらは図３と同様に共通流路８１に設けられている。
【００５６】
このような構成では、ウエハＷに置換液を供給するときには、共用ノズル５を供給位置に移動すると共に、流量調整バルブＶ６を開き、流路８６を介して外管８３に置換液を供給する。そして、ウエハＷに処理液を供給するときには、例えば先ず流量調整バルブＶ６と共に流量調整バルブＶ５を開く。こうして、流路８６を介して外管８３に置換液を供給する一方、流路８５を介して内管８２に処理液を供給する。これにより、前記領域８４にて、置換液と処理液とが混合し、共用ノズル５の流路５０を介して吐出口５ａからウエハＷに供給される。次いで、流量調整バルブＶ６を徐々に絞っていき、処理液のみの供給に切り替える。一方、処理液の液膜の形成が終了した後、共用ノズル５を待機位置に移動する。そして、流量調整バルブＶ５、Ｖ７を開き、ＩＰＡ供給源８６Ａから流路８７、流路８５を介して共用ノズル５の流路５０へ置換液を供給し、図示しない排液部に排出する。これにより、内管８２や共用ノズル５の内部５０に昇華性物質の固化物が付着したとしても、当該固化部物が置換液によって溶解され、除去される。
【００５７】
このような構成の共用ノズル５では、外管８３に高温の置換液を供給しているので、内管８２の周囲が加温される。このため、置換液に次いで処理液を内管８２に供給したときに、当該内管８２通流中に昇華性物質が固化してしまうことを抑えることができる。
【００５８】
また、本発明では、図１６及び図１７に示すように、スピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に、置換液を供給する第１のノズル９１と、スピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に、処理液を供給する第２のノズル９２と、を別個に設けるようにしてもよい。これら第１のノズル９１及び第２のノズル９２は、夫々移動機構９１Ａ及び移動機構９２Ａにより、ウエハＷ表面の中心部に置換液や処理液を供給する供給位置と、処理カップ３の外側の待機位置との間で移動自在に構成されている。
【００５９】
そして、図１７に示すように、第１のノズル９１は、流量調整バルブＶ８を備えた供給路９３を介して置換液の供給源（ＩＰＡ供給源）９３Ａに接続されている。また、図１８及び図１９に示すように、第２のノズル９２は、流量調整バルブＶ９を備えた供給路９４を介して処理液供給源（ＰＤＣＢ供給源）９４Ａに接続されている。ここで、供給路９４の流量調整バルブＶ９の上流側は、流量調整バルブＶ１０を備えた流路９５を介して、昇華性物質の溶剤の供給源９５Ａに接続されている。なお、ＩＰＡ供給源９３Ａ、ＰＤＣＢ供給源９４Ａ及び溶剤供給源９５Ａは図示しない加熱部により、夫々の液体が例えば７０℃になるように加熱されている。図１９中９６は排液部である。また、前記昇華性物質の溶剤は、置換液であってもよいし、他の有機溶媒であってもよい。
【００６０】
このような構成では、ウエハＷに置換液を供給するときには、第１のノズル９１を供給位置に移動すると共に、流量調整バルブＶ８を開き、流路９３を介して置換液を供給する。そして、ウエハＷに処理液を供給するときには、第１のノズル９１から置換液の供給を停止し、第１のノズル９１を待機位置に移動させた後、第２のノズル９２を供給位置に移動すると共に、流量調整バルブＶ９を開き、流路９４を介して処理液を供給する。処理液の液膜の形成が終了した後、第２のノズル９２を待機位置に移動する。次いで、流量調整バルブＶ９、Ｖ１０を開き、溶剤供給源９５Ａから流路９５、流路９４を介して、第２のノズル９２へ溶剤を供給し、液捨て部９６に排出する。これにより、仮に第２のノズル９２や供給路９４内に昇華性物質の固化物が付着したとしても、当該固化物が溶剤により溶解され、除去される。
【００６１】
さらに、本発明の固化検出部は、図２０及び図２１に示すように構成してもよい。この例の固化検出部６Ａは、ウエハＷ表面により反射された光を選択的に受光するために、スリット部材６を備えている。このスリット部材６５は、図２０に示すように、ウエハＷ表面に液膜６７が形成されているときには、発光部６１から照射された光が液膜６７を透過してウエハＷ表面により反射され、スリット部材６５の開口部６６を介して受光部６２に入射するように構成されている。
【００６２】
また、ウエハＷ表面に、固化した昇華性物質６８が形成されているときには、図２１に示すように、発光部６１から照射された光は、ウエハＷ表面の昇華性物質６８により反射される。従って、昇華性物質６８の厚さ分反射するときの高さ位置が異なるので、反射光の光路が異なってくる。この際、スリット部材６５の開口部６６は、図２０の状態のときに反射光を透過させるように形成されているため、図２１の状態のように固体の昇華性物質６８の層が形成されているときには、反射光が開口部６６を透過せずにスリット部材６５により遮ぎられ、受光部６２には入射しないように構成されている。
【００６３】
従って、ウエハＷ表面に存在する昇華性物質が液体の状態から固体の状態になると、光量が予め決められた閾値よりも低くなるので、このとき検出信号「１」を制御部８に出力するように構成することによって、ウエハＷ表面に存在する昇華性物質が固化したことを検出することができる。
【００６４】
また、固化検出部６Ｂは、ウエハＷの表面にレーザ光を照射し、その反射光に基づいて、ウエハＷとの距離を把握し、これによってウエハＷ表面に存在する昇華性物質が固化したことを検出する構成であってもよい。図２２はウエハＷに昇華性物質の液膜６７が形成された状態、図２３は固化した昇華性物質６８の層が形成されている状態、図２４は固化した昇華性物質が昇華した状態を夫々示している。図２２のように、ウエハＷに昇華性物質の液膜６７が形成された状態では、ウエハＷまでの距離を測定すると、ウエハＷ表面の液膜６７を透過してウエハＷ表面までの距離Ｌ１が検出される。また、図２３のように固化した昇華性物質６８の層が形成されると、当該昇華性物質６８の層の表面までの距離Ｌ２が検出され、図２４のように昇華性物質が昇華すると、再びウエハＷまでの距離Ｌ１が検出される。従って、距離の閾値を求めておき、この距離がこの閾値よりも短くなったときに、昇華性物質が固化していると検出するように固化検出部６Ｂを構成するようにしてもよい。
【００６５】
以上において、本発明では、スピンチャック２によりウエハＷを保持した状態で、固化した昇華性物質の昇華までを行い、ウエハＷの乾燥処理を終了させるようにしてもよい。この際、固化検出部により昇華性物質が昇華したことを検出するようにしてもよい。また、このようにスピンチャック２上で昇華性物質の昇華を行い、昇華性物質が昇華したことを検出する場合には、前記昇華検出の信号は、スピンチャック２からウエハＷを搬出するためのトリガ信号として使用してもよい。
【００６６】
例えば、図４及び図５に示す固化検出部６では、昇華性物質が昇華すると、ウエハＷの地色が見える状態になるので、反射光の光量が大きくなる。このため、例えば処理液の供給を開始してから、固化検出部６による検出を開始し、固化により光量が閾値より大きくなり、再び光量が閾値より小さくなったときに、昇華性物質が昇華したことを検出するように固化検出部６を構成するようにしてもよい。
【００６７】
また、図２０及び図２１に示す固化検出部６Ａでは、昇華性物質が昇華すると、反射光がスリット部材６５の開口部６６を通過して受光部６２に入射するので光量が増大する。このため、例えば処理液の供給を開始してから、固化検出部６Ａによる検出を開始し、固化により閾値よりも小さくなった光量が、再び閾値よりも大きくなったときに、昇華性物質が昇華したことを検出するように固化検出部６Ａを構成するようにしてもよい。
【００６８】
さらに、図２２〜図２４にて説明した固化検出部６Ｂでは、昇華性物質が昇華すると、ウエハＷまでの距離Ｌ１が検出される。従って、例えば処理液の供給を開始してから、固化検出部６Ｂによる検出を開始し、固化により閾値よりも小さくなった距離が、再び閾値よりも大きくなったときに、昇華性物質が昇華したことを検出するように固化検出部６Ｂを構成するようにしてもよい。
【００６９】
以上において、本発明では第１の加熱部と第２の加熱部として共通の恒温槽を用いたが、夫々別個の恒温槽により置換液と処理液とを加熱するようにしてもよい。また、第１の加熱部と第２の加熱部は、恒温槽以外に、置換液の供給源や処理液供給源を加熱機構により加熱する構成であってもよいし、供給路、置換液及び処理液を各々加熱する構成であってもよい。
【００７０】
さらに、ウエハＷ表面への置換液の供給と処理液の供給の切り替え時は、置換液の供給を停止してから、処理液の供給を開始してもよい。また、本発明では、図２５に示すように、第１のノズル、第２のノズル又は共用ノズルとして、ウエハＷの径方向に薬液を吐出する吐出口を備えた長尺ノズル９７を用い、当該ノズル９７とウエハＷと相対的に移動させてウエハＷに置換液や処理液を供給するようにしてもよい。このようなノズル９７であっても、液状の昇華性物質を含む処理液を薄く均一に塗布することができる。
【００７１】
また、本発明では、ウエハＷの表面を洗浄液で洗浄し、次いでリンス液で洗浄する処理は他の液処理装置で行ない、その表面にリンス液が残存するウエハＷを本発明の基板処理装置に搬送して、当該ウエハＷを乾燥させる処理を行うようにしてもよい。さらに、本発明は必ずしも固化検出部を設ける必要はない。
【符号の説明】
【００７２】
Ｗ ウエハ
２ スピンチャック
２２ 回転駆動部
５ 共用ノズル
５６ 恒温槽
５３ 共通流路
５４ 第１の流路
５５ 第２の流路
５５Ａ ＰＤＣＢ供給源
６ 固化検出部
６１ 発光部
６２ 受光部
７ 制御部
Ｖ１〜Ｖ１０ 流量調整バルブ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面を洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄した後に当該基板を乾燥させる基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
被処理基板である例えば半導体ウエハ（以下、ウエハという）の洗浄を行う枚葉式のスピン洗浄装置では、ウエハの表面に例えばアルカリ性や酸性の薬液を供給しながらウエハを回転させることによって、ウエハ表面のごみ等を除去している。ウエハ表面に残存する薬液は例えば純水などを利用したリンス洗浄により除去され、次いでウエハを回転させることにより、残った液体を振り飛ばす振切乾燥などが行われている。
【０００３】
ところが半導体装置の高集積化に伴い、こうした液体などを除去する処理において、いわゆるパターン倒れの問題が大きくなってきている。パターン倒れは、ウエハ表面においてパターンを形成する凹凸の例えば凸部の左右に残っている液体が不均一に乾燥することにより、この凸部を左右に引っ張る表面張力のバランスが崩れ、液体が多く残っている方向に凸部が倒れる現象である。
【０００４】
このパターン倒れの発生を抑えつつウエハ表面に残った液体を除去する手法として、表面張力の少ないＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を、純水によるリンス洗浄後にウエハ表面に供給し、純水をＩＰＡにより置換してからＩＰＡを気体に状態変化させて乾燥させる方法が知られている。しかしながら、ＩＰＡは表面張力がゼロではないため、この手法には原理的に限界がある。
【０００５】
また、高圧流体の一種である超臨界状態の流体（超臨界流体）を用いた乾燥方法も知られている。この手法では、超臨界流体と平衡状態にある液体や気体との間で界面が存在しないため、ウエハ上の液体を超臨界流体と置換し、しかる後超臨界流体を気体に状態変化させると、表面張力の影響を受けることなく液体を乾燥させることができる。しかしながら、この手法は高圧機器が必要になり、装置が大掛かりになってしまう。
【０００６】
また、特許文献１には、フォトマスクのドライ洗浄方法において、露光後のフォトマスクにナフタレンのイソプロピルアルコール溶液を滴下してナフタレンの保護膜をスピンコートし、その後基板を加熱して、保護膜とゴミを除去する技術が記載されている。さらに、特許文献２には、基板をＩＰＡ溶液に浸漬して基板上の純水をＩＰＡに置換した後、基板をナフタレン溶液に浸漬する。そして、基板を空気中に引き上げることでナフタレンを固化した後、昇華させる技術が記載されている。さらにまた、特許文献３には、基板上の液体を、当該液体と混合しにくく、この液体よりも凝固点が低い置換液により置換した後、液体のみ凝固させて置換液を除去してから、液体の凝固体を除去して乾燥させる技術が記載されている。しかしながら、これらの手法を用いても、洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄された基板を乾燥させる処理を、簡易な装置構成で速やかに進行させることは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６３−４１８５５号公報
【特許文献２】特開平９−１９０９９６号公報（段落００２７，００３４）
【特許文献３】特開２００８−６６２７２号公報（段落００１７，００３４，００３８〜００４０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄された基板を乾燥させる処理を、簡易な装置構成で速やかに進行させる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このため、本発明の基板処理装置は、基板の表面を洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄した後に当該基板を乾燥させるための処理を行う装置において、
基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板上のリンス液を置換するための両極性液体からなる置換液を基板の表面に供給する第１のノズルと、
この第１のノズルから置換液が供給された基板の表面に、液状の昇華性物質を含む処理液を処理液供給源から供給するための第２のノズルと、
前記第１のノズルから吐出される置換液の温度が前記昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように置換液を予め加熱するための第１の加熱部と、
前記処理液供給源から第２のノズルの吐出口に至るまでの処理液の温度が前記昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように処理液を加熱するための第２の加熱部と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の基板処理方法は、基板の表面を洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄した後に当該基板を乾燥させるために行う処理方法において、
基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
前記基板保持部に保持された基板の表面に両極性液体からなる置換液を供給して当該基板上のリンス液を置換液により置換する工程と、
前記置換液が供給された基板の表面に、液状の昇華性物質を含む処理液を処理液供給源からノズルを介して供給する工程と、
前記置換液を基板の表面に供給する前に、当該置換液の温度が昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように置換液を予め加熱する工程と、
前記処理液供給源から前記ノズルの吐出口に至るまでの処理液の温度が前記昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように処理液を加熱する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板に液状の昇華性物質を含む処理液を供給する前に、当該基板に昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように加熱された置換液を供給しているので、リンス液の置換液による置換と基板の表面の加熱を同時に行うことができる。また、こうして加熱された基板に、前記凝固点よりも高い温度の処理液をノズルを介して供給しているので、基板上に処理液の液膜を薄く広げることができる。このように加熱した置換液や処理液を基板表面に供給しているので、装置構成が簡易なものとなり、また、基板上に処理液の薄い液膜を形成することができるため、昇華性物質の固化や昇華に要する時間が短縮され、基板を乾燥させるための処理を速やかに進行させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す縦断面図である。
【図２】前記基板処理装置を示す平面図である。
【図３】前記基板処理装置に設けられる共用ノズルと、この共用ノズルの供給系を示す構成図である。
【図４】前記基板処理装置に設けられる固化検出部を示す構成図である。
【図５】ウエハＷの表面状態を示す斜視図である。
【図６】前記基板処理装置にて実施される基板処理方法を説明する斜視図である。
【図７】前記基板処理方法を説明する斜視図である。
【図８】本発明の作用を説明する縦断面図である。
【図９】本発明の作用を説明する縦断面図である。
【図１０】本発明の作用を説明する縦断面図である。
【図１１】本発明の作用を説明する縦断面図である。
【図１２】本発明の作用を説明する縦断面図である。
【図１３】本発明の作用を説明する縦断面図である。
【図１４】本発明の作用を説明する縦断面図である。
【図１５】本発明の共用ノズルの他の例を示す構成図である。
【図１６】本発明の基板処理装置の他の例を示す平面図である。
【図１７】図１６に示す例の作用を説明する側面図である。
【図１８】図１６に示す例の作用を説明する側面図である。
【図１９】図１６に示す例の作用を説明する側面図である。
【図２０】固化検出部の他の例を示す側面図である。
【図２１】固化検出部の他の例を示す側面図である。
【図２２】固化検出部の他の例を示す側面図である。
【図２３】固化検出部の他の例を示す側面図である。
【図２４】固化検出部の他の例を示す側面図である。
【図２５】処理液を供給するノズルの他の例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明に係る基板処理装置１の一実施の形態について説明する。図１に示すように、基板処理装置１は、処理容器１０の内部に、基板例えばウエハＷを水平に保持するスピンチャック２を備えている。このスピンチャック２は基板保持部をなすものであり、回転軸２１を介して回転駆動部２２により鉛直軸回りに回転自在及び昇降自在に構成されている。
【００１４】
前記スピンチャック２の周囲には、処理カップ３が設けられている。この処理カップ３は、前記スピンチャック２上に保持されるウエハＷの裏面周縁部に対向するように配置された内側カップ３１と、スピンチャック２上のウエハＷの側方上方側の雰囲気を周方向に亘って覆うように設けられた外側カップ３２と、から構成されている。図中３３は液受け部であり、この液受け部３３の下面には、処理液を排出するために排液路３４が接続されていて、ウエハＷの周縁部から流れ落ちる処理液等が、前記内側カップ３１を介して当該排液路３４へとガイドされるようになっている。また、液受け部３３には、処理容器１０内の雰囲気を排気するために排気路３５が接続されている。
【００１５】
前記処理容器１０内には、ウエハＷの表面に対して薬液である洗浄液を吐出する洗浄液ノズル４１と、リンス液を吐出するリンス液ノズル４２とが設けられている。前記洗浄液としては、例えばＳＣ１液（アンモニアと過酸化水素水の混合液）やＤＨＦ（希フッ酸）、ＳＣ２液（塩酸と過酸化水素水の混合液）、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合物）等が用いられ、リンス液として純水が用いられる。これらノズル４１，４２は、図１及び図２に示すように、例えばウエハＷの中心部に洗浄液等を供給する供給位置と、処理カップ３の外側の待機位置との間で移動自在に構成されている。この例では、洗浄液ノズル４１は、アーム４３により支持されて、昇降機構４３Ａにより昇降自在及び進退機構４３Ｂにより進退自在に構成されている。また、リンス液ノズル４２は、アーム４４により支持されて、図示しない昇降機構により昇降自在及び進退機構４４Ｂにより進退自在に構成されている。
【００１６】
前記洗浄液ノズル４１は、流量調整バルブＶ１を備えた供給路４５を介して洗浄液であるＳＣ１液の供給源４５Ａに接続されている。また、前記リンス液ノズル４２は、流量調整バルブＶ２を備えた供給路４６を介してリンス液である純水の供給源４６Ａに接続されている。
【００１７】
さらに、処理容器１０内には共用ノズル５が設けられている。この共用ノズル５は、スピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に対して、両極性液体からなる置換液と、液状の昇華性物質を含む処理液とを供給するものである。両極性液体とは、水に溶解し、かつ有機物を溶解する性質を有する液体であり、例えばＩＰＡ、メタノール及びエタノール等のアルコール類からなる。また、昇華性物質とは、大気中で固体から気体に昇華する物質であり、例えばパラジクロロベンゼン（ＰＤＣＢ）やナフタレンからなる。液状の昇華性物質としては、昇華性物質を融解させたものを用いてもよいし、昇華性物質を置換液に溶解させたものを用いてもよい。ここでは、両極性液体である置換液としてＩＰＡ、処理液として液状のＰＤＣＢを用いる場合を例にして説明を続ける。
【００１８】
この共用ノズル５は、図１及び図２に示すように、例えばウエハＷの中心部に置換液や処理液を供給する供給位置と、処理カップ３の外側の待機位置との間で移動自在に構成されている。この例では、ノズル５は、アーム５１により支持されて、昇降機構５２Ａにより昇降自在及び進退機構５２Ｂにより進退自在に構成されている。
【００１９】
共用ノズル５の内部には、図３に示すように、置換液や処理液の流路５０が設けられており、当該ノズルの下端には吐出口５ａが形成されている。また、共用ノズル５の流路５０には共通流路５３を介して置換液及び処理液が供給されるようになっている。この共通流路５３の上流側は第１の流路５４及び第２の流路５５に分岐すると共に、第１の流路５４が流量調整バルブＶ３を介してＩＰＡ供給源５４Ａに接続され、第２の流路５５が流量調整バルブＶ４を介して処理液供給源であるＰＤＣＢ供給源５５Ａに接続されている。前記第１の流路５４は置換液を専用に流すための流路、第２の流路５５は処理液を専用に流すための流路であり、流量調整バルブＶ３，Ｖ４が流路切替え機構に相当する。ＩＰＡ供給源５４Ａ及びＰＤＣＢ供給源５５Ａは、夫々バルブＶａ，Ｖｂを備えた供給路５１１，５１２を介して例えば窒素ガス等の圧送用ガスのガス供給源５１３に接続されている。そして、制御部８からバルブＶ３，Ｖ４，Ｖａ，Ｖｂに制御信号を出力して、ＩＰＡ供給源５４Ａ及びＰＤＣＢ供給源５５Ａに、夫々圧送用ガスを供給することにより、ＩＰＡ供給源５４Ａ及びＰＤＣＢ供給源５５Ａから共通流路５３を介して共用ノズル５にＩＰＡ及び液状のＰＤＣＢが供給されるように構成され、ＩＰＡ及び液状のＰＤＣＢを別々にあるいは同時に供給することができるようになっている。
【００２０】
さらに、この例では、共通流路５３の上流側の部分、つまり第１の流路５４、第２の流路５５、流量調整バルブＶ３，Ｖ４、ＩＰＡ供給源５４Ａ及びＰＤＣＢ供給源５５Ｂは恒温槽５６内に設けられている。この恒温槽５６は、共用ノズル５から吐出される置換液の温度が、昇華性物質であるＰＤＣＢの凝固点よりも高い温度になるように置換液を予め加熱するための第１の加熱部に相当すると共に、ＰＤＣＢ供給源５５Ａから共用ノズル５の吐出口５ａに至るまでの処理液の温度が昇華性物質であるＰＤＣＢの凝固点よりも高い温度になるように処理液を加熱するための第２の加熱部に相当する。
【００２１】
この恒温槽５６は、その内部に流体５７例えば水が満たされていると共に、加熱機構５８を備えている。こうして、加熱機構５８により流体５７を加熱することにより、ＩＰＡ供給源５４Ａ内のＩＰＡ及びＰＤＣＢ供給源５５Ａ内のＰＤＣＢを所定温度に維持するように構成されている。この例では、共通流路５３の上流端付近まで流体５７により覆われている。
【００２２】
この際、共用ノズル５の吐出口５ａからＰＤＣＢが吐出されるときには、共通流路５３の通流により多少温度が低下することを想定し、この温度低下があったとしても、前記吐出口５ａから吐出されるときのＰＤＣＢの温度が凝固点より高くなるように恒温槽５６内の温度が設定される。このため、ＰＤＣＢの融点が５５℃であることから、恒温槽５６内は、ＩＰＡ供給源５４Ａ内のＩＰＡの温度とＰＤＣＢ供給源５５Ａ内のＰＤＣＢの温度が例えば６０℃〜１２０℃好ましくは７０℃に維持されるように温度設定されている。
【００２３】
前記洗浄液ノズル４１、リンス液ノズル４２及び共用ノズル５は、通常は待機位置に設けられており、ウエハＷに各種の薬液を供給するときには、夫々供給位置まで移動する。この際、これら洗浄液ノズル４１、リンス液ノズル４２及び共用ノズル５は、互いに干渉せずに、待機位置と供給位置との間で移動できるように設けられている。また、待機位置にある共用ノズル５の下方側には排液部５９が設けられており、共用ノズル５が待機位置にあるときには、当該ノズル５の吐出口５ａから当該排液部５９に置換液や処理液を排出できるようになっている。
【００２４】
さらに、処理容器１０には固化検出部６が設けられている。この固化検出部６は、ウエハＷの表面に光を照射し、その反射光に基づいてウエハＷの表面に存在する昇華性物質が固化したことを検出するものである。この例の固化検出部６は、例えば図４に示すように、スピンチャック２上のウエハＷに向けて光を照射する発光部６１と、ウエハＷ表面により反射された光を受光する受光部６２とを備えている。この受光部６２は、例えば反射光の光量を検出し、閾値に基づいて二値化信号（０、１）を後述する制御部８に出力するように構成されている。
【００２５】
つまり、後述するようにウエハＷに昇華性物質の液膜が形成された状態では、当該液膜は無色透明であるため、ウエハＷの地色が見えた状態である。次いで、昇華性物質が固化すると白濁し、さらに、昇華性物質が昇華すると再びウエハＷの地色が見える状態になる。図５において、点のハッチングはウエハＷの地色、斜線のハッチングは昇華性物質の固化物の白濁色とすると、図５（ａ）は、昇華性物質の液膜が形成された状態、図５（ｂ）は昇華性物質が固化した状態、図５（ｃ）は昇華性物質が昇華した状態を夫々示している。このように、昇華性物質が固化すると、色が白濁色に変化するので反射光の光量が小さくなる。このため、例えば予め光量の閾値を求めておき、この閾値よりも小さくなったときに、検出信号「１」を制御部８に出力するように構成する。
【００２６】
この固化検出部６は、例えば支持部材６３により、例えばウエハの周縁近傍に発光部６１から光を照射できる位置に設けられている。また、固化検出部６は、スピンチャック２と図示しない外部の搬送機構との間のウエハＷの受け渡しや、洗浄液ノズル４１、リンス液ノズル４２及び共用ノズル５の移動を妨げない位置であって、これらノズル４１，４２，５により光線が遮られない位置に設けられる。
【００２７】
さらに処理容器１０には、天井面に当該処理容器１０の内部に対して清浄な気体を供給するためのファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１１が接続されると共に、底面には排気管１２が接続され、こうして処理容器１０内には下降気流が形成される。なお、図２中１３はこの処理容器１０内に対してウエハＷの搬入出を行うための搬送口、１４は前記搬送口１３を開閉するためのシャッタである。
【００２８】
このような液処理装置１は、制御部８により、液処理装置１における各機器の動作が統括制御されるようになっている。この制御部８は、例えばコンピュータからなり、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、後述の作用で説明する基板を乾燥させるための処理が行われるように命令が組まれたプログラムが格納される。そして、このプログラムが制御部８に読み出されることで、制御部８は、スピンチャック２の回転駆動部２２や、各流量調整バルブＶ１〜Ｖ４、開閉バルブＶａ、送液ポンプＰ、各ノズル４１，４２，５の昇降機構４３Ａ，５２Ａや進退機構４３Ｂ，４４Ｂ，５２Ｂ等に制御信号を出力する。前記プログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００２９】
また、制御部８は、固化検出部６からの検出信号に基づいて、ウエハＷ上の昇華性物質の固化のタイミングを判断し、前記信号をスピンチャック２からウエハＷを搬出するためのトリガ信号として使用するように構成されている。つまり、ウエハ上に供給された昇華性物質が固化した後は、昇華性物質は後述するように自然に放置することにより昇華していく。このため、昇華性物質が固化したタイミングでスピンチャック２からウエハＷを搬出して、後段の処理を行うことによりウエハＷの乾燥が速やかに進行する。この後段の処理とは、自然放置や減圧乾燥処理である。従って、昇華性物質が固化したことを検出し、この検出信号をスピンチャック２からウエハＷを搬出するためのトリガ信号として使用することにより、固化が終了したウエハＷは後段の処理へ搬送し、スピンチャック２には次のウエハＷを搬送することができ、処理のスループットを向上させることができる。
【００３０】
このため、制御部８は、例えばウエハＷに洗浄液を供給する時点から固化検出部６の出力信号を監視し、固化検出部６からの検出信号が「１」となったタイミングで、昇華性物質の固化終了と判断し、スピンチャック２からウエハＷを搬出するために、スピンチャック２及び外部の搬送機構に制御信号を出力するように構成されている。また、固化検出部６からの検出信号が「１」となったタイミングで図示しない表示部に固化終了の旨を表示し、この表示に基づいてオペレータがスピンチャック２からウエハＷを搬出するために、スピンチャック２及び外部の搬送機構に指令を出力するようにしてもよい。
【００３１】
次に、上述の実施の形態の作用について、図６〜図１４を参照しながら説明する。先ず、図示しない外部の搬送機構によって、搬送口１３より処理容器１０内にウエハＷを搬入し、処理カップ３の上方側まで上昇させたスピンチャック２に受け渡す。そして、スピンチャック２によりウエハＷを保持させ、処理カップ３内の所定位置まで下降させる。一方、搬送機構を退避させて、シャッタ１４は閉じておく。
【００３２】
そして、洗浄液ノズル４１を供給位置へ移動させて、ウエハＷを回転させながらウエハＷ表面に洗浄液であるＳＣ１液を吐出する（図６（ａ））。これにより、ウエハＷ表面に付着したパーティクルや有機性の汚染物質が除去される。次いで、リンス液ノズル４２を供給位置へ移動させて、ウエハＷを回転させながら、ウエハＷ表面にリンス液である純水を吐出する（図６（ｂ））。こうして、ウエハＷ表面の洗浄液がリンス液により洗い流される。
【００３３】
続いて、共用ノズル５を供給位置へ移動させる（図６（ｃ））。そして、ウエハＷを回転させながら、流量調整バルブＶ３を開いてＩＰＡ供給源５４Ａから、第１の流路５４及び共通流路５３を介して共用ノズル５にＩＰＡを供給する。こうして、共用ノズル５から、高温の両極性液体である７０℃のＩＰＡを吐出して、ウエハＷ上のリンス液をＩＰＡにより置換する（図８）。
【００３４】
ここで、図８〜図１４は、ウエハＷ表面にパターン７１が形成された様子を概略的に示すものである。ウエハＷ表面にＩＰＡが供給されると、遠心力により外方に向けて拡散してウエハＷ表面全体に行き渡り、こうしてウエハＷ表面のリンス液がＩＰＡに置換される。この際、パターン７１の内部にＩＰＡが入り込み、パターン７１の表面にＩＰＡの液膜７２が形成される。さらに約７０℃のＩＰＡを供給してウエハＷ表面に拡散させているので、ウエハＷ表面が、昇華性物質であるＰＤＣＢの凝固点よりも高い温度に加熱される。
【００３５】
続いて、共用ノズル５からウエハＷに供給される薬液を、置換液から処理液である液状のＰＤＣＢに切り替えると共に、固化検出部６からの検出を開始する。例えば薬液の切替え時には、流量調整バルブＶ３と共に流量調整バルブＶ４を開き、共通流路５３を介して共用ノズル５内にＩＰＡ供給源５４Ａ及びＰＤＣＢ供給源５５Ａから夫々所定流量のＩＰＡ及び液状のＰＤＣＢを供給する（図９参照）。この段階では、ウエハＷ表面には、ＩＰＡにＰＤＣＢが溶解した液膜７３が形成されている。
【００３６】
そして、徐々に流量調整バルブ３を絞っていき、最終的に液状のＰＤＣＢのみを供給する（図７（ａ）、図１０）。この際、ＰＤＣＢを供給するときには、ウエハＷを、ＰＤＣＢの薄い液膜が形成できる程度の高い回転数、例えば１０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍ回転数で回転させる。このように、ウエハＷをＰＤＣＢの薄い液膜が形成できる程度の回転数で回転させるのは、ＰＤＣＢとＩＰＡとを同時に供給するときでもよいし、ＰＤＣＢのみを供給するときでもよい。
【００３７】
これにより、ウエハＷ表面のＰＤＣＢが遠心力により外方に向けて拡散してウエハＷ表面全体に行き渡る。このように液状のＰＤＣＢを供給することにより、ウエハＷ表面のＩＰＡはＰＤＣＢに置換されるが、ＩＰＡはＰＤＣＢを溶解する性質であることから、ＩＰＡの一部はＰＤＣＢ中に残存する。こうして、ウエハＷ表面には、ＰＤＣＢの濃度が前記液膜７３よりも大きい液膜７４が形成される。
【００３８】
この際、前工程で約７０℃のＩＰＡが供給されて、ウエハＷ表面が昇華性物質の凝固点よりも高い温度に加温されているので、液状のＰＤＣＢがウエハＷ上で直ぐに固化することが抑えられる。また、ウエハＷを既述の回転数で回転させることから、液状のＰＤＣＢがウエハＷ表面に均一に薄く広がり、膜厚が薄いＰＤＣＢの液膜を形成することができる。さらに、昇華性物質の供給前に共通流路５３及び共用ノズル５の流路５０に高温の置換液を供給しているので、これら共通流路５３及び流路５０の内壁が高温の置換液により加温される。このため、置換液に次いで処理液を共通流路５３及び流路５０に供給したときに、当該共通流路５３等の通流中に昇華性物質が固化してしまうことを抑えることができる。
【００３９】
こうして、ＰＤＣＢの液膜７４を形成した後、流量調整バルブＶ４を閉じて共用ノズル５からのＰＤＣＢの吐出を停止すると共に、ウエハＷの回転数を５０ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍ程度まで低下させて、当該共用ノズル５を待機位置まで移動させる。そして、ウエハＷを５０ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍ程度の回転数で回転を続行させると、ＰＤＣＢは融点が５５℃であり、また厚さが薄いので、回転の気流によって生じる渦流などにより自然に冷却され、固化される。
【００４０】
一方、待機位置にある共用ノズル５に対しては、図７（ｂ）に示すように、流量調整バルブＶ３を開き、ＩＰＡ供給源５４Ａから第１の流路５４及び共通流路５３を介してノズル５内の流路５０に所定量のＩＰＡを供給し、排液部５９に排出させる。こうして、共通流路５３及び共用ノズル５の流路５０に高温のＩＰＡを通流させることにより、仮に共通流路５３や共用ノズル５の流路５０にＰＤＣＢが固化して付着したとしても、その固化物がＩＰＡに溶解して除去される。
【００４１】
既述のように、液状のＰＤＣＢを供給することにより、ウエハＷ表面のＩＰＡはＰＤＣＢに置換されるが、ＩＰＡの一部はＰＤＣＢ中に残存している。そして、図１１に示すように、ＰＤＣＢの固化の際、ＰＤＣＢ中のＩＰＡが揮発していくため、図１２に示すように、固化したＰＤＣＢの内部ではＩＰＡが抜けた部分が微細な孔７５として存在し、ＰＤＣＢの固化物７６はポーラスな状態となっている。
【００４２】
ところで、既述のように、ＰＤＣＢが固化すると、固化検出部６から制御部８に検出信号「１」が出力される。従って、制御部８では、処理液の供給開始から常時固化検出部６からの検出信号を取得しておき、検出信号が「１」が入力されたときに、スピンチャック２からウエハＷを搬出するためのトリガ信号を取得したと判断する。そして、例えばスピンチャック２の回転を停止して、スピンチャック２を受け渡し位置まで上昇させると共に、例えば図示しない搬送機構に、スピンチャック２上のウエハＷの搬出指令を出力する。
【００４３】
前記搬送機構は、ＰＤＣＢが固化したウエハＷを受け取り、後段の処理を行う領域にウエハＷを搬送する。この後段の処理を行う領域とは、例えば、ウエハＷを大気雰囲気に置かれた載置台に載置した状態で昇華性物質を自然放置により昇華させる領域であってもよいし、ウエハＷを減圧乾燥させて昇華性物質を昇華させる減圧乾燥装置であってもよい。
【００４４】
こうして、図１３に示すように、固体状態のＰＤＣＢを昇華させることによりウエハ表面のパターン７３内からＰＤＣＢが徐々に除去されていき、図１４に示すように、全てのＰＤＣＢが除去されてウエハを乾燥させる処理が終了する。この際、既述のように、薄いＰＤＣＢの液膜が形成されるため、ＰＤＣＢの固化物７６も薄く、また当該固化物７６はポーラス状に構成されているので、昇華速度が大きく、昇華が短時間で終了する。
【００４５】
上述の実施の形態によれば、ウエハＷ上のリンス液を置換液により置換し、次いで当該置換液を処理液により置換した後、当該昇華性物質を固化し、昇華させている。従って、ウエハＷの表面を洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄した後に、当該ウエハＷを乾燥させるための処理を行うにあたり、固体の昇華を利用しているので、表面張力が発生するおそれがなく、パターン倒れの発生を抑えて、ウエハＷを乾燥させることができる。
【００４６】
この際、リンス液により洗浄されたウエハＷに対して、液状の昇華性物質を含む処理液を供給する前に、両極性液体からなる置換液を供給している。一般的に昇華性物質はリンス液である純水と混ざりにくいが、前記両極性液体は、水に溶解し、かつ有機物を溶解する性質を有するため、リンス液及び昇華性物質の双方と混ざりやすい。このため、リンス液を両極性液体により置換し、次いで両極性液体を昇華性物質により置換することで、結果的にリンス液を昇華性物質により速やかに置換することができる。
【００４７】
また、前記両極性液体からなる置換液は第１の加熱部により、共用ノズル５から吐出される置換液の温度が昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように、予め加熱されている。このため、この置換液の供給により、ウエハＷが昇華性物質の凝固点以上の温度に加温され、置換液の供給という簡易な手法でウエハＷを加熱することができる。この際、置換液はＩＰＡ供給源５４Ａを第１の加熱部である恒温槽５６内に配置することにより前記温度に加熱されるため、置換液の加熱自体も簡易な装置構成で行うことができる。一方、ウエハＷ自体を加熱するためにスピンチャック２に加熱機構を設けることを考えると、スピンチャック２は回転自在に構成されることから、スピンチャック２の構造が複雑化する。また、ウエハ面内を均一に加熱するためにはスピンチャック２自体を大型化する必要があり、処理装置全体で見ると大掛りな装置構成となってしまう。
【００４８】
さらに、この実施の形態では、ＰＤＣＢ供給源５５Ａから共用ノズル５の吐出口５ａに至るまでの処理液の温度が、昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように、処理液が第２の加熱部により加熱されているので、昇華性物質の固化を抑えて共用ノズル５から液状の昇華性物質をウエハＷ表面に供給することができる。この際、処理液は、ＰＤＣＢ供給源５５Ａを第２の加熱部でもある恒温槽５６内に配置することにより加熱されるので、簡易な装置構成で処理液を加熱することができる。また、上述の実施の形態のように、共通の恒温槽５６内にＩＰＡ供給源５４ＡとＰＤＣＢ供給源５５Ａとを配置するようにすれば、一つの加熱部で置換液と処理液の両方を加熱することができ、より装置構成が簡易なものとなる。
【００４９】
そして、共用ノズル５から処理液を供給すると、ウエハＷ表面が置換液の供給により加熱されていることから、昇華性物質が直ぐに固化してしまうことが抑えられる。このため処理液を薄く広げることができるので、薄い処理液の液膜を形成することができる。この際、共用ノズル５からウエハＷの中心に処理液を供給すると共に、ウエハＷを例えば１０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍの回転数で回転させることにより、処理液が薄く伸ばされ、より薄く厚さが均一な処理液の液膜を形成することができる。このように、処理液の液膜を薄く形成することができると、昇華性物質の量が少ないため、昇華性物質の固化や、固化した昇華性物質の昇華に要する時間が短縮され、ウエハＷを乾燥させる処理が速やかに進行し、当該乾燥させる処理に要する時間が短縮される。
【００５０】
また、共用ノズル５を用い、流路切替え機構により共通流路５３に供給される液を、置換液と処理液との間で切り替えて供給しているので、共用ノズル５に処理液を供給した後、流路を切り替えて当該共用ノズル５に置換液を供給することができる。これにより、仮に共通流路５３や共用ノズル５の流路５０に昇華性物質の固化物が付着したとしても、その後に昇華性物質の凝固点以上の温度に加熱された置換液を通流させることによって、前記付着した昇華性物質の固化物を置換液に溶解して除去することができる。
【００５１】
また、共用ノズル５からウエハＷに置換液及び処理液を供給する際、これらの切り替え時には、置換液と処理液とを同時にウエハＷ表面に供給することができる。このため、昇華性物質がウエハＷの表面で直ぐに固化することが抑えられ、処理液をウエハＷ表面に広げやすくなる。
【００５２】
さらに、上述の実施の形態では、置換液と処理液とを切り替えて供給し、最終的には処理液のみを供給しているので、リンス液と置換液の置換、置換液と処理液との置換を確実に行うことができる。このため、処理液を供給が終了した後には、既述のようにウエハＷ表面には昇華性物質と両極性液体とが混合した状態であるものの、昇華性物質の濃度が大きい。このため、昇華性物質の固化や昇華が速やかに行われ、ウエハＷを乾燥させるための処理が迅速に進行する。
【００５３】
さらにまた、本発明は、固化検出部６を用いて、ウエハＷ表面に存在する昇華性物質が固化したことを反射光に基づいて検出している。従って、昇華性物質の固化の終了時点の判断を容易かつ正確に行うことができる。また、この検出信号を、スピンチャックからウエハＷを搬出するためのトリガ信号として使用しているので、固化が終了したウエハＷは、速やかに処理容器１０から搬出される。従って、固化が終了したウエハＷをスピンチャック２から搬出し、次のウエハＷをスピンチャック２に搬送することができるので、スループットを向上させることができる。
【００５４】
以上において、本発明では、図１５に示すように、共用ノズル５に置換液及び処理液を供給する共通流路８１は２重管構造であってもよい。この共通流路８１は、内管８２と、この内管８２の周囲が流路となる外管８３と、を備えており、前記内管８２には処理液が供給され、外管８３には置換液が供給される。この外管８３は置換液を専用に流すための第１の流路に相当し、内管８２は処理液を専用に流すための第２の流路に相当する。例えば内管８２の先端側（共用ノズル５側）は、外管８３よりも短くなっており、内管８２の先端よりも共用ノズル５側の領域８４は、置換液と処理液の共通流路となっている。
【００５５】
前記内管８２の基端側は、流量調整バルブＶ５を備えた流路８５により、処理液供給源であるＰＤＣＢ供給源８５Ａに接続されている。また、前記外管８３の基端側は、流量調整バルブＶ６を備えた流路８６により、置換液の供給源であるＩＰＡ供給源８６Ａに接続されている。また、流路８５と流路８６は流量調整バルブＶ７を備えた流路８７により接続されている。さらに、流路８５〜８７、流量調整バルブＶ５〜Ｖ７、ＰＤＣＢ供給源８５Ａ及びＩＰＡ供給源８６Ａは、共通の恒温槽８７に配置されており、ＩＰＡ供給源８６Ａ内のＩＰＡ、ＰＤＣＢ供給源８５Ａ内のＰＤＣＢが例えば６０℃〜１２０℃好ましくは７０℃になるように温度制御されている。図中８８は加熱機構である。なお、図１５では、開閉バルブＶａ及び送液ポンプＰは図示を省略しているが、これらは図３と同様に共通流路８１に設けられている。
【００５６】
このような構成では、ウエハＷに置換液を供給するときには、共用ノズル５を供給位置に移動すると共に、流量調整バルブＶ６を開き、流路８６を介して外管８３に置換液を供給する。そして、ウエハＷに処理液を供給するときには、例えば先ず流量調整バルブＶ６と共に流量調整バルブＶ５を開く。こうして、流路８６を介して外管８３に置換液を供給する一方、流路８５を介して内管８２に処理液を供給する。これにより、前記領域８４にて、置換液と処理液とが混合し、共用ノズル５の流路５０を介して吐出口５ａからウエハＷに供給される。次いで、流量調整バルブＶ６を徐々に絞っていき、処理液のみの供給に切り替える。一方、処理液の液膜の形成が終了した後、共用ノズル５を待機位置に移動する。そして、流量調整バルブＶ５、Ｖ７を開き、ＩＰＡ供給源８６Ａから流路８７、流路８５を介して共用ノズル５の流路５０へ置換液を供給し、図示しない排液部に排出する。これにより、内管８２や共用ノズル５の内部５０に昇華性物質の固化物が付着したとしても、当該固化部物が置換液によって溶解され、除去される。
【００５７】
このような構成の共用ノズル５では、外管８３に高温の置換液を供給しているので、内管８２の周囲が加温される。このため、置換液に次いで処理液を内管８２に供給したときに、当該内管８２通流中に昇華性物質が固化してしまうことを抑えることができる。
【００５８】
また、本発明では、図１６及び図１７に示すように、スピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に、置換液を供給する第１のノズル９１と、スピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に、処理液を供給する第２のノズル９２と、を別個に設けるようにしてもよい。これら第１のノズル９１及び第２のノズル９２は、夫々移動機構９１Ａ及び移動機構９２Ａにより、ウエハＷ表面の中心部に置換液や処理液を供給する供給位置と、処理カップ３の外側の待機位置との間で移動自在に構成されている。
【００５９】
そして、図１７に示すように、第１のノズル９１は、流量調整バルブＶ８を備えた供給路９３を介して置換液の供給源（ＩＰＡ供給源）９３Ａに接続されている。また、図１８及び図１９に示すように、第２のノズル９２は、流量調整バルブＶ９を備えた供給路９４を介して処理液供給源（ＰＤＣＢ供給源）９４Ａに接続されている。ここで、供給路９４の流量調整バルブＶ９の上流側は、流量調整バルブＶ１０を備えた流路９５を介して、昇華性物質の溶剤の供給源９５Ａに接続されている。なお、ＩＰＡ供給源９３Ａ、ＰＤＣＢ供給源９４Ａ及び溶剤供給源９５Ａは図示しない加熱部により、夫々の液体が例えば７０℃になるように加熱されている。図１９中９６は排液部である。また、前記昇華性物質の溶剤は、置換液であってもよいし、他の有機溶媒であってもよい。
【００６０】
このような構成では、ウエハＷに置換液を供給するときには、第１のノズル９１を供給位置に移動すると共に、流量調整バルブＶ８を開き、流路９３を介して置換液を供給する。そして、ウエハＷに処理液を供給するときには、第１のノズル９１から置換液の供給を停止し、第１のノズル９１を待機位置に移動させた後、第２のノズル９２を供給位置に移動すると共に、流量調整バルブＶ９を開き、流路９４を介して処理液を供給する。処理液の液膜の形成が終了した後、第２のノズル９２を待機位置に移動する。次いで、流量調整バルブＶ９、Ｖ１０を開き、溶剤供給源９５Ａから流路９５、流路９４を介して、第２のノズル９２へ溶剤を供給し、液捨て部９６に排出する。これにより、仮に第２のノズル９２や供給路９４内に昇華性物質の固化物が付着したとしても、当該固化物が溶剤により溶解され、除去される。
【００６１】
さらに、本発明の固化検出部は、図２０及び図２１に示すように構成してもよい。この例の固化検出部６Ａは、ウエハＷ表面により反射された光を選択的に受光するために、スリット部材６を備えている。このスリット部材６５は、図２０に示すように、ウエハＷ表面に液膜６７が形成されているときには、発光部６１から照射された光が液膜６７を透過してウエハＷ表面により反射され、スリット部材６５の開口部６６を介して受光部６２に入射するように構成されている。
【００６２】
また、ウエハＷ表面に、固化した昇華性物質６８が形成されているときには、図２１に示すように、発光部６１から照射された光は、ウエハＷ表面の昇華性物質６８により反射される。従って、昇華性物質６８の厚さ分反射するときの高さ位置が異なるので、反射光の光路が異なってくる。この際、スリット部材６５の開口部６６は、図２０の状態のときに反射光を透過させるように形成されているため、図２１の状態のように固体の昇華性物質６８の層が形成されているときには、反射光が開口部６６を透過せずにスリット部材６５により遮ぎられ、受光部６２には入射しないように構成されている。
【００６３】
従って、ウエハＷ表面に存在する昇華性物質が液体の状態から固体の状態になると、光量が予め決められた閾値よりも低くなるので、このとき検出信号「１」を制御部８に出力するように構成することによって、ウエハＷ表面に存在する昇華性物質が固化したことを検出することができる。
【００６４】
また、固化検出部６Ｂは、ウエハＷの表面にレーザ光を照射し、その反射光に基づいて、ウエハＷとの距離を把握し、これによってウエハＷ表面に存在する昇華性物質が固化したことを検出する構成であってもよい。図２２はウエハＷに昇華性物質の液膜６７が形成された状態、図２３は固化した昇華性物質６８の層が形成されている状態、図２４は固化した昇華性物質が昇華した状態を夫々示している。図２２のように、ウエハＷに昇華性物質の液膜６７が形成された状態では、ウエハＷまでの距離を測定すると、ウエハＷ表面の液膜６７を透過してウエハＷ表面までの距離Ｌ１が検出される。また、図２３のように固化した昇華性物質６８の層が形成されると、当該昇華性物質６８の層の表面までの距離Ｌ２が検出され、図２４のように昇華性物質が昇華すると、再びウエハＷまでの距離Ｌ１が検出される。従って、距離の閾値を求めておき、この距離がこの閾値よりも短くなったときに、昇華性物質が固化していると検出するように固化検出部６Ｂを構成するようにしてもよい。
【００６５】
以上において、本発明では、スピンチャック２によりウエハＷを保持した状態で、固化した昇華性物質の昇華までを行い、ウエハＷの乾燥処理を終了させるようにしてもよい。この際、固化検出部により昇華性物質が昇華したことを検出するようにしてもよい。また、このようにスピンチャック２上で昇華性物質の昇華を行い、昇華性物質が昇華したことを検出する場合には、前記昇華検出の信号は、スピンチャック２からウエハＷを搬出するためのトリガ信号として使用してもよい。
【００６６】
例えば、図４及び図５に示す固化検出部６では、昇華性物質が昇華すると、ウエハＷの地色が見える状態になるので、反射光の光量が大きくなる。このため、例えば処理液の供給を開始してから、固化検出部６による検出を開始し、固化により光量が閾値より大きくなり、再び光量が閾値より小さくなったときに、昇華性物質が昇華したことを検出するように固化検出部６を構成するようにしてもよい。
【００６７】
また、図２０及び図２１に示す固化検出部６Ａでは、昇華性物質が昇華すると、反射光がスリット部材６５の開口部６６を通過して受光部６２に入射するので光量が増大する。このため、例えば処理液の供給を開始してから、固化検出部６Ａによる検出を開始し、固化により閾値よりも小さくなった光量が、再び閾値よりも大きくなったときに、昇華性物質が昇華したことを検出するように固化検出部６Ａを構成するようにしてもよい。
【００６８】
さらに、図２２〜図２４にて説明した固化検出部６Ｂでは、昇華性物質が昇華すると、ウエハＷまでの距離Ｌ１が検出される。従って、例えば処理液の供給を開始してから、固化検出部６Ｂによる検出を開始し、固化により閾値よりも小さくなった距離が、再び閾値よりも大きくなったときに、昇華性物質が昇華したことを検出するように固化検出部６Ｂを構成するようにしてもよい。
【００６９】
以上において、本発明では第１の加熱部と第２の加熱部として共通の恒温槽を用いたが、夫々別個の恒温槽により置換液と処理液とを加熱するようにしてもよい。また、第１の加熱部と第２の加熱部は、恒温槽以外に、置換液の供給源や処理液供給源を加熱機構により加熱する構成であってもよいし、供給路、置換液及び処理液を各々加熱する構成であってもよい。
【００７０】
さらに、ウエハＷ表面への置換液の供給と処理液の供給の切り替え時は、置換液の供給を停止してから、処理液の供給を開始してもよい。また、本発明では、図２５に示すように、第１のノズル、第２のノズル又は共用ノズルとして、ウエハＷの径方向に薬液を吐出する吐出口を備えた長尺ノズル９７を用い、当該ノズル９７とウエハＷと相対的に移動させてウエハＷに置換液や処理液を供給するようにしてもよい。このようなノズル９７であっても、液状の昇華性物質を含む処理液を薄く均一に塗布することができる。
【００７１】
また、本発明では、ウエハＷの表面を洗浄液で洗浄し、次いでリンス液で洗浄する処理は他の液処理装置で行ない、その表面にリンス液が残存するウエハＷを本発明の基板処理装置に搬送して、当該ウエハＷを乾燥させる処理を行うようにしてもよい。さらに、本発明は必ずしも固化検出部を設ける必要はない。
【符号の説明】
【００７２】
Ｗ ウエハ
２ スピンチャック
２２ 回転駆動部
５ 共用ノズル
５６ 恒温槽
５３ 共通流路
５４ 第１の流路
５５ 第２の流路
５５Ａ ＰＤＣＢ供給源
６ 固化検出部
６１ 発光部
６２ 受光部
７ 制御部
Ｖ１〜Ｖ１０ 流量調整バルブ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面を洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄した後に当該基板を乾燥させるための処理を行う装置において、
基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板上のリンス液を置換するための両極性液体からなる置換液を基板の表面に供給する第１のノズルと、
前記第１のノズルから置換液が供給された基板の表面に、液状の昇華性物質を含む処理液を処理液供給源から供給するための第２のノズルと、
前記第１のノズルから吐出される置換液の温度が前記昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように置換液を予め加熱するための第１の加熱部と、
前記処理液供給源から第２のノズルの吐出口に至るまでの処理液の温度が前記昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように処理液を加熱するための第２の加熱部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記置換液及び前記処理液を夫々専用に流すための第１の流路及び第２の流路と、これら流路の下流側に流路切替え機構を介して接続された共通流路と、を備え、
前記第１のノズル及び第２のノズルは共用化され、前記共通流路の下流端に接続された共用ノズルとして構成されていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板保持部は、回転駆動部により基板が鉛直軸回りに回転できるように構成され、
置換液が基板に供給されているとき及び処理液が基板に供給されているときに基板を回転できることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板の表面に光を照射し、その反射光に基づいて基板の表面に存在する昇華性物質が固化したことを検出する固化検出部を備え、
固化検出の信号は、前記基板保持部から基板を搬出するためのトリガ信号として使用されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板の表面を洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄した後に当該基板を乾燥させるために処理を行う方法において、
基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
前記基板保持部に保持された基板の表面に両極性液体からなる置換液を供給して当該基板上のリンス液を置換液により置換する工程と、
前記置換液が供給された基板の表面に、液状の昇華性物質を含む処理液を処理液供給源からノズルを介して供給する工程と、
前記置換液を基板の表面に供給する前に、当該置換液の温度が昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように置換液を予め加熱する工程と、
前記処理液供給源から前記ノズルの吐出口に至るまでの処理液の温度が前記昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように処理液を加熱する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
前記置換液を基板の表面に供給する工程は、置換液を第１の流路及びノズルを介して基板の表面に供給する工程であり、
前記処理液を基板の表面に供給する工程は、流路切替え機構により前記第１の流路から第２の流路に切替え、処理液を当該第２の流路及び前記ノズルを介して基板の表面に供給する工程であることを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
【請求項７】
置換液を基板に供給しているとき及び処理液を基板に供給しているときには基板が回転していることを特徴とする請求項５または６記載の基板処理方法。
【請求項８】
基板の表面に光を照射し、その反射光に基づいて基板の表面に存在する昇華性物質が固化したことを検出する工程と、
昇華性物質が固化したことを検出した後、前記基板保持部から基板を搬出する工程と、を含むことを特徴とする請求項５ないし７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項９】
基板の表面に存在する前記昇華性物質は、ポーラス状に固化することを特徴とする請求項５ないし８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１】
基板の表面を洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄した後に当該基板を乾燥させるための処理を行う装置において、
基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板上のリンス液を置換するための両極性液体からなる置換液を基板の表面に供給する第１のノズルと、
前記第１のノズルから置換液が供給された基板の表面に、液状の昇華性物質を含む処理液を処理液供給源から供給するための第２のノズルと、
前記第１のノズルから吐出される置換液の温度が前記昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように置換液を予め加熱するための第１の加熱部と、
前記処理液供給源から第２のノズルの吐出口に至るまでの処理液の温度が前記昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように処理液を加熱するための第２の加熱部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記置換液及び前記処理液を夫々専用に流すための第１の流路及び第２の流路と、これら流路の下流側に流路切替え機構を介して接続された共通流路と、を備え、
前記第１のノズル及び第２のノズルは共用化され、前記共通流路の下流端に接続された共用ノズルとして構成されていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板保持部は、回転駆動部により基板が鉛直軸回りに回転できるように構成され、
置換液が基板に供給されているとき及び処理液が基板に供給されているときに基板を回転できることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板の表面に光を照射し、その反射光に基づいて基板の表面に存在する昇華性物質が固化したことを検出する固化検出部を備え、
固化検出の信号は、前記基板保持部から基板を搬出するためのトリガ信号として使用されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板の表面を洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄した後に当該基板を乾燥させるために処理を行う方法において、
基板を基板保持部に水平に保持する工程と、
前記基板保持部に保持された基板の表面に両極性液体からなる置換液を供給して当該基板上のリンス液を置換液により置換する工程と、
前記置換液が供給された基板の表面に、液状の昇華性物質を含む処理液を処理液供給源からノズルを介して供給する工程と、
前記置換液を基板の表面に供給する前に、当該置換液の温度が昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように置換液を予め加熱する工程と、
前記処理液供給源から前記ノズルの吐出口に至るまでの処理液の温度が前記昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように処理液を加熱する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
前記置換液を基板の表面に供給する工程は、置換液を第１の流路及びノズルを介して基板の表面に供給する工程であり、
前記処理液を基板の表面に供給する工程は、流路切替え機構により前記第１の流路から第２の流路に切替え、処理液を当該第２の流路及び前記ノズルを介して基板の表面に供給する工程であることを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
【請求項７】
置換液を基板に供給しているとき及び処理液を基板に供給しているときには基板が回転していることを特徴とする請求項５または６記載の基板処理方法。
【請求項８】
基板の表面に光を照射し、その反射光に基づいて基板の表面に存在する昇華性物質が固化したことを検出する工程と、
昇華性物質が固化したことを検出した後、前記基板保持部から基板を搬出する工程と、を含むことを特徴とする請求項５ないし７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項９】
基板の表面に存在する前記昇華性物質は、ポーラス状に固化することを特徴とする請求項５ないし８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【公開番号】特開２０１３−３３８１７（Ｐ２０１３−３３８１７Ａ）
【公開日】平成２５年２月１４日（２０１３．２．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１６８５２９（Ｐ２０１１−１６８５２９）
【出願日】平成２３年８月１日（２０１１．８．１）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月１４日（２０１３．２．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月１日（２０１１．８．１）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]