【課題】リンス処理によって静電気が発生して静電破壊が発生したり、洗浄したシリコンウェハ表面に静電気によってゴミが付着したりすることがなく、シリコンウェハのリンス処理時における金属不純物の付着を防止することができるとともに、コストにも配慮しつつ、更には、残渣が生じる懸念のないクリーンなリンス液を用いたリンス処理を行うことのできるシリコンウェハ清浄化方法及びシリコンウェハ清浄化装置を提供する。
【解決手段】洗浄液により洗浄したシリコンウェハを、炭酸水によりリンスする。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１疎水化剤が基板に供給されることにより、基板の表面が疎水化される（Ｓ１０４）。その後、溶剤が基板に供給されることにより、第１疎水化剤が溶剤に置換される（Ｓ１０７）。そして、第１疎水化剤とは異なる第２疎水化剤が基板に供給されることにより、溶剤が第２疎水化剤に置換され、基板の表面がさらに疎水化される（Ｓ１０８）。その後、溶剤が基板に供給されることにより、第２疎水化剤が溶剤に置換される（Ｓ１０９）。そして、溶剤が基板から除去されることにより、基板が乾燥する（Ｓ１１０）。 （もっと読む）

【課題】リンス処理時間の低減、及び、リンス液の使用量を低減させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】第１の処理液で処理してから第２の処理液で処理する基板処理装置１００は、第１、第２の処理液を半導体ウェーハに向けて供給する上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１と、半導体ウェーハＷ上面の膜厚を検出可能な膜厚検出手段８１，８２と、各処理液及び処理の特性等の情報を記憶したデータベース９０と、膜厚検出手段により検出された膜厚とデータベース９０に記憶された情報とに基いて、半導体ウェーハＷ上の液膜が第１の処理液から第２の処理液へと置換されたか否かを判定する制御装置７と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第１の処理液を分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行い、現像斑の発生を抑制する。
【解決手段】被処理基板Ｇを平流し搬送する基板搬送路２と、前記基板搬送路を搬送される被処理基板に第１の処理液を供給する第１の処理液供給手段９と、前記基板搬送路を搬送され、前記第１の処理液が供給された前記被処理基板に対し、所定のガス流を鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付ける気体供給手段２１と、前記気体供給手段によりガス流が吹き付けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し、所定の流速で第２の処理液を供給する第１のリンス手段２２と、前記第２の処理液が供給され、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し、前記第１のリンス液供給手段よりも高流速で前記第２の処理液を供給する第２のリンス手段２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】稼動中に装置が使用する電力、エア、純水の消費量を、待機中のとき大幅削減し、且つ、再稼動において、直ちに洗浄を開始することができる液晶枚葉洗浄装置を提供する。
【解決手段】搬送手段１５を具備するロードバッファ部１０とアンロードバッファ部５０と、ブラシ洗浄手段２５を具備するロールブラシ部２０と、バブルジェット手段３５を具備するバブルジェットアクアナイフ部３０と、エア噴射手段４５を具備するエアナイフ部４０と、純水供給制御手段６４を具備する純水供給部６０と、装置コントロール手段７５を具備する装置制御部７０とを有し、装置コントロール手段７５は、待機のとき、待機信号により純水供給機能以外の全ての機能を停止させ、純水供給制御手段６４は、待機信号を受けて純水供給手段６２の純水の供給を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の全域に対し、均一にエッチング処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの上面におけるフッ硝酸の着液点Ｐ１は、アーム支持軸を中心とする円弧形状（ほぼ直線状）のスキャン経路Ｓ１に沿って移動する。スキャン経路Ｓ１は、ウエハＷの回転中心Ｃを通る円弧形状の軌道のうち、ウエハＷの回転中心Ｃから微小間隔Ｌ１だけ隔てた近接位置Ｓ１１と、この近接位置Ｓ１１よりもウエハＷの回転半径方向に設けられ、ウエハＷの回転中心Ｃから間隔Ｌ２だけ隔てた離隔位置Ｓ１２との間を結ぶ線分とみなせる。フッ硝酸の着液点Ｐ１は、近接位置Ｓ１１と、離隔位置Ｓ１２との間で往復移動する。フッ硝酸は、ウエハＷの上面の回転中心Ｃおよび周縁領域には直接供給されない。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、ＤＩＷ供給停止後、所定時間（０．５秒間）が経過してパドル状の液膜の膜厚ｔ1がほぼ均一になるのを待って、ＩＰＡが基板表面Ｗfの表面中央部に向けて例えば１００（ｍＬ／ｍｉｎ）の流量で吐出される。このＩＰＡ供給によって、基板Ｗの表面中央部ではＤＩＷがＩＰＡに置換されて置換領域ＳＲが形成される。さらにＩＰＡ供給から３秒が経過すると、基板Ｗの回転速度が１０ｒｐｍから３００ｒｐｍに加速される。これによって、置換領域ＳＲが基板Ｗの径方向に拡大して基板表面Ｗfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 （もっと読む）

【課題】基板表面のパターンが破壊されるのを防止することができ、また、ウォータマークの発生を防止することができる半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板を回転させながら基板表面を洗浄する洗浄工程を有する半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程は、前記基板に対して洗浄液を供給して前記基板表面を洗浄する工程（ステップＳ１６）と、前記基板に対して純水を含むリンス水を供給して前記洗浄後の前記基板表面をリンスする工程（ステップＳ１８）と、前記リンス後の前記基板を乾燥させる工程（ステップＳ２２）と、を有し、前記基板表面をリンスする工程では、前記リンス水にＨＦを添加する。
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【課題】ウォータマークを発生させず，レジストの溶解もなく安全に処理することができる，基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理槽６０の下部から第１の処理液を供給して、処理槽６０内において第１の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０の下部から第１の処理液よりも比重が重い第２の処理液を供給しつつ、処理槽６０の上部から第１の処理液を排液して、処理槽６０内の第１の処理液を第２の処理液に置換し、処理槽６０内において第２の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０内から処理槽６０の上方に設けられた乾燥室に基板Ｗを引き上げる工程を有している。 （もっと読む）

本出願は、基板を乾燥させるためのシステムを説明し、そのシステムは、チャンバと、チャンバ内に位置決めされた上部エッジを有する内側容器とを含む。プロセス流体が、内側容器の中へ向けられ、そして、上部エッジを越えて流れ落ちる。内側容器の上部エッジが下げられ、それによって、基板の表面を横断するカスケードレベルを下げ、それと同時に、乾燥蒸気が、チャンバの中へ流し込まれる。カスケードレベルが、基板の表面を横断するように減少するにつれて、基板表面は、乾燥蒸気に曝される。境界層を薄くすることを使用した乾燥を促進するために、高周波超音波エネルギーが、内側容器の中へ送出されてもよい。 （もっと読む）