【課題】基板の乾燥処理時に基板から液滴を迅速かつ良好に滴下させて、基板処理装置のスループットを向上させるとともに、基板を良好に乾燥させること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、処理液で基板（６）の液処理を行う液処理槽（７）と、前記液処理槽（７）の上方に設けられ、前記基板（６）の乾燥処理を行う乾燥処理槽（２２）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間に設けられ、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）とを遮蔽可能な遮蔽扉（３３）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間で前記基板（６）の搬送を行う基板搬送手段（５）と、前記液処理を行った前記基板（６）から液滴を除去するために前記基板（６）の外周縁部に対して相対的に接離可能に設けた液滴除去部材（４６）とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】水シミの発生を充分に抑制でき、しかも、安定に連続運転できる水切り乾燥方法を提供する。
【解決手段】処理槽４内の第１の処理液に、物品Ｗを浸漬させたまま、処理槽４内に第２の処理液を供給し、処理槽４の上部から第１の処理液を排出し、処理槽４内の第１の処理液を第２の処理液に置換する。物品Ｗを第２の処理液に浸漬させた状態に維持した後、第２の処理液から物品Ｗを引き上げる。この際に、第１の処理液としてアルコール水溶液を用い、第２の処理液として、フッ素系溶剤とアルコールとの混合液を用いる。 （もっと読む）

【課題】洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄された基板を乾燥させる処理を、簡易な装置構成で速やかに進行させること。
【解決手段】ウエハＷ表面に、昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように加熱された置換液を供給し、次いで、液状の昇華性物質を含む処理液を前記凝固点よりも高い温度にして共用ノズル５を介して供給する。前記置換液の供給により、リンス液の置換液による置換とウエハＷの表面の加熱を同時に行うことができ、加熱されたウエハＷに、前記凝固点よりも高い温度の処理液を供給しているので、ウエハＷ上に処理液の液膜を薄く広げることができる。加熱した置換液や処理液をウエハＷ表面に供給しているので装置構成が簡易なものとなり、また、処理液の薄い液膜を形成することができるため、昇華性物質の固化や昇華に要する時間が短縮され、基板を乾燥させるための処理が速やかに進行する。 （もっと読む）

【課題】高圧流体と接触させて基板に付着した液体を除去する処理を実施する過程で、基板にパーティクルが付着しにくい基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面の乾燥防止用の液体を除去する処理が行われる処理容器３１内に高圧流体を供給する際、流体供給路３５１に設けられた遮断部を開き、流量調整部３５４により流量を調整した状態で開閉弁３５２を開いて処理容器３１に高圧流体を導入し（または原料流体を処理容器３１内で高圧流体に変化させ）、基板Ｗの表面から乾燥防止用の液体を除去するステップと、次いで、前記遮断部を遮断状態とする一方、開閉弁３５２と減圧弁３４２とを開き、処理容器３１に接続された排出路３４１を介して流体供給路３５１と処理容器３１とを併せて減圧するステップと、その後、前記基板Ｗを当該処理容器３１から搬出するステップと、を実行するように制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】金属膜が形成された基板においてパターンの倒壊を抑制すること。
【解決手段】水を含むリンス液が、金属膜が形成された基板に供給される（Ｓ２）。その後、水酸基を含まない第１溶剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が第１溶剤に置換される（Ｓ４、Ｓ５）。その後、水酸基を含まない第２溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が疎水化剤に置換される（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を一括して容易に乾燥することができる乾燥ユニットおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】乾燥部７０は、複数の基板Ｗを一括して乾燥させる乾燥ユニットである。乾燥部７０は、主として、乾燥チャンバ７１と、貯留槽７２と、排出管７１ａ、７２ａと、バルブ７１ｂ、７２ｂと、吐出ノズル８７（８７ａ、８７ｂ）と、を備えている。ＩＰＡによる純水の置換処理において、貯留槽７２に複数の基板Ｗが浸漬されると、吐出ノズル８７から乾燥チャンバ７１内にＩＰＡの蒸気が供給され、純水８０ａの液面８０ｂにＩＰＡの液膜８０ｃが形成される。続いて、貯留槽７２から純水８０ａが排出され、ＩＰＡの液膜８０ｃが、下降させられる。そして、各基板Ｗの基板面とＩＰＡの液膜８０ｃとが接触することによって、各基板Ｗに付着した純水が、ＩＰＡに置換される。 （もっと読む）

【課題】高圧流体を使用した被処理基板の処理を行う際に、この処理が行われる処理容器に設けられた配管を介した他の機器への高圧流体の流れ込みを防止することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器３１では、超臨界状態または亜臨界状態である高圧流体により、被処理基板Ｗに対して処理を行い、この処理容器３１には流体の流れ方向に第１の配管部材７１及び第２の配管部材７２に分割され、流体が通流する配管４０６、４０８、４１１が接続されている。接離機構７０は、第１の配管部材７１と第２の配管部材７２とを互いに接続する位置と、離間させる位置との間で、これら第１、第２の配管部材７１、７２の少なくとも一方側を移動させ、開閉弁７４１、７４２は第１、第２の配管部材７１、７２に各々設けられ、これら配管部材７１、７２を離間させるときに閉じられる。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡ等の乾燥用流体の使用量を抑えつつ、基板を効率的に乾燥させる。
【解決手段】純水リンス工程の後、純水が付着した基板を回転させながら、乾燥用流体および不活性ガスを基板に供給する乾燥工程を行う。このとき、基板に対する不活性ガスの供給位置が乾燥用流体の供給位置よりも基板回転中心（Ｐｏ）に近くなるように保ちつつ、流体ノズル（１２）及び不活性ガスノズル（１３）の位置を基板回転中心に対して半径方向外側へ向かって移動させる。乾燥工程の開始時には、まず不活性ガスノズルを基板回転中心より手前側に位置させた状態で流体ノズル及び不活性ガスノズルの移動を開始すると共に乾燥用流体の供給を開始し、次いで、不活性ガスノズルが基板回転中心にきたときに不活性ガスの供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】短時間で被処理基板の周縁部の温度を上げて薬液による処理効率を高めることが可能な液処理装置などを提供する。
【解決手段】鉛直軸周りに回転する被処理基板Ｗに、薬液供給部６２から薬液を供給して液処理を行う液処理装置１において、被処理基板Ｗの上面に空間を介して対向するように設けられたカバー部材５には、ガス供給口５１が設けられており、このガス供給口５１から空間に向けてガスを供給する。このガスはカバー部材５１の周縁部に下方側に突出して設けられた突出部と被処理基板Ｗとの隙間を介して当該空間から流出する。さらにこの空間には被処理基板Ｗの周縁部を加熱するランプヒーター６１が被処理基板Ｗの周方向に沿って配置されており、薬液供給部６２から供給される薬液はこのランプヒーター６１の配置位置よりも周縁部寄りに供給される。 （もっと読む）

【課題】 乾燥すべき基板が大サイズとなった場合においても、装置コストや稼働コストを低減しながら基板を確実に乾燥させることができ、また、装置のメンテナンスを容易に実行することが可能な乾燥装置を提供する。
【解決手段】 移動支持部を構成する整流板４１と接続する一対の仕切板４７に連結された１０本の支持棒３１およびその支持棒３１に配設された支持ピン３２を、一対のスライドレール７１の作用により、メンテナンス位置に移動させる。そして、扉部６２を側壁６１から取り外すことにより、オペレータがメンテナンス空間にアクセスすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】二酸化炭素を回収、再生、再利用し、かつ、半導体基板上に生じるパーティクルを低減する。
【解決手段】超臨界乾燥方法は、表面が超臨界置換溶媒で濡れた半導体基板をチャンバ内に導入する工程と、チャンバ内に第１の二酸化炭素に基づく第１の超臨界流体を供給する工程と、前記第１の超臨界流体の供給後に、前記チャンバ内に、第２の二酸化炭素に基づく第２の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、前記第２の超臨界流体を気化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。第１の二酸化炭素は、チャンバから排出される二酸化炭素を回収し再生したものである。第２の二酸化炭素は、超臨界置換溶媒を含まないか又は第１の二酸化炭素よりも超臨界置換溶媒の含有濃度が低いものである。 （もっと読む）

【課題】マランゴニ乾燥に比べて、基板に液滴が残留することをより効果的に防止し、ウォーターマークの発生を抑えることができる基板乾燥装置及び基板乾燥方法を提供する。
【解決手段】反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる基板乾燥装置に、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石４と、磁石４を、基板に沿って該基板の縁側へ移動させる磁石搬送手段５とを備える。また、反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる際、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石４を、基板に接近させ、磁石４を前記基板に沿って該基板の縁側へ移動させる。 （もっと読む）

【課題】基板の洗浄時において基板の回路パターンの倒壊を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板の回路パターンを形成した表面を洗浄液で洗浄した後に、洗浄後の基板の表面をリンス液でリンス処理し、その後、基板の回路パターンの間に形成される凹部に残留するリンス液を充填剤で置換して凹部を充填剤で充填固化した後に、基板の表面から充填剤を除去することにした。また、前記充填剤としてポリマーを用い、前記除去工程でプラズマ処理により充填剤としてのポリマーを除去することにした。また、前記充填剤としてフォトレジストを用い、前記除去工程で現像処理により充填剤としてのフォトレジストを除去することにした。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の多結晶シリコンの乾燥方法を提供する。
【解決手段】洗浄液で洗浄した塊状の多結晶シリコン（ナゲット１２）の乾燥方法であって、前記多結晶シリコンに前記多結晶シリコンまたは前記洗浄液の吸収帯域の波長を有する電磁波を照射して前記多結晶シリコンを昇温し、前記昇温により前記多結晶シリコン表面に付着した洗浄液が気化する間に前記電磁波の照射を停止することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面上の液膜を蒸発乾燥させることなく当該液膜を薄膜化する。
【解決手段】リンス工程においてＤＩＷ供給部から低温ＤＩＷを基板表面に供給して基板および液膜の温度が雰囲気の露点以下に調整し、基板表面上に形成された液膜を薄膜化する間（薄膜形成工程）、液膜および基板の温度が雰囲気の露点以下となっているため、基板表面上の液膜が蒸発乾燥することなく当該液膜を所望の厚さに薄膜化することができる。凍結工程を実行する際に冷却高湿度窒素ガスを凍結用冷媒として用いているが、単にＤＩＷの凝固点よりも低い温度まで冷やされた冷却ガスを用いるのではなく、水蒸気を飽和した高湿度状態のものを用いることで冷却高湿度窒素ガスの露点を凍結膜の温度とほぼ同一温度に調整している。したがって、液膜の薄膜化から凍結膜の形成に切り替わる際、凍結前の液膜が蒸発乾燥するのを防止することができる。 （もっと読む）

【解決手段】板状物品を乾燥させるための方法が開示される。該方法は、水性すすぎ液によるすすぎと、有機溶媒による後続のすすぎとを含み、有機溶媒は、２０重量％未満の含水量を有し、有機溶媒は、少なくとも３０℃で、かつ６０℃を超えない溶媒温度で供給される。 （もっと読む）

【課題】処理空間の開閉動作に伴う基板の汚染を抑制しつつ開閉動作を行うことが可能な高圧処理装置を提供する。
【解決手段】上部材２２と下部材２１とを重ね合わせることにより形成される処理空間２０内にて、基板Ｗに対して高圧の処理流体により処理を行う高圧処理装置において、係止用突起部２１１は前記処理空間２０の外側にて下部材２１に固定して設けられ、前記下部材２１の周方向に沿って互いに間隔をおいて複数配置されると共に、各々横方向に突出してその下面が係止面２１２を形成し、押圧部材２３は上部材２２を下部材２１側に押圧する。また被係止用突起部２３１は押圧部材２３に前記複数の係止用突起部２１１に夫々対応して設けられ、各々横方向に突出してその上面が前記係止面２１２に係止される被係止面２３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】所定の熱風の生成量を制御することが可能で、且つ、熱風の清浄化において失われる熱損失の削減を図ることが可能となる熱風循環型乾燥装置を提供する。
【解決手段】熱源手段１０と、送風手段２０と、熱風清浄手段３０と、乾燥室４０とを有し、熱源手段１０は、熱源となるヒーター１４と、熱源のヒーターが配備された部位における熱風の経路の開口面積を制御する熱風制御板１６とを有し、熱風清浄手段３０の有する熱風清浄のためのろ過フィルターを格納する筐体３０−１、及び筐体３０−１の上蓋３０−２の内側が、断熱板３６を有する。 （もっと読む）

【課題】加熱槽内の状態に応じてポンプの運転状態を切り換えることにより、溶剤濃度を高く維持して基板の乾燥処理を好適に行うことができるとともに、ポンプの負担を軽減することができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部は、処理液に基板を浸漬させて処理液による処理を行った後、基板の乾燥を行う際に、チャンバ内を減圧するとともに、温度検出器３７による測定温度と、圧力検出器３９による測定圧力と、飽和蒸気曲線データとに基づきベローズポンプ８７の動作速度を切り換える。したがって、加熱槽７７内における有機溶剤の状態に応じてベローズポンプ８７を動作させることができるので、有機溶剤の状態に係わらず、有機溶剤を蒸発皿８１に対して十分に供給きる。その結果、基板の乾燥不良を防止できる。また、ベローズポンプ８７の空運転を防止できるので、ベローズポンプ８７の負担を軽減できる。 （もっと読む）

シリコンから成る太陽電池のための基板（１３）を処理する方法において、複数回のエッチング後に、脱イオン水で該基板を洗浄する（１８）。その後、複数の乾燥場（２２，２５）内で該基板（１３を加熱乾燥する。その後に、酸化場（３０）内で、或る量のオゾンを有する酸化ガス（３４）により該加熱された基板（１３）を酸化する。 （もっと読む）