【課題】洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄された基板を乾燥させる処理を、簡易な装置構成で速やかに進行させること。
【解決手段】ウエハＷ表面に、昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように加熱された置換液を供給し、次いで、液状の昇華性物質を含む処理液を前記凝固点よりも高い温度にして共用ノズル５を介して供給する。前記置換液の供給により、リンス液の置換液による置換とウエハＷの表面の加熱を同時に行うことができ、加熱されたウエハＷに、前記凝固点よりも高い温度の処理液を供給しているので、ウエハＷ上に処理液の液膜を薄く広げることができる。加熱した置換液や処理液をウエハＷ表面に供給しているので装置構成が簡易なものとなり、また、処理液の薄い液膜を形成することができるため、昇華性物質の固化や昇華に要する時間が短縮され、基板を乾燥させるための処理が速やかに進行する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された凹部の内部を薬液により処理するにあたって、凹部の内部に速やかに薬液を侵入させること。
【解決手段】液処理方法は、薬液より表面張力が小さい有機溶剤を基板に供給して凹部の内部を濡らすプリウエット工程と、その後、薬液からなる洗浄液を基板に供給して、凹部の内部の液体を薬液で置換して、この薬液によって前記凹部の内部を洗浄する薬液洗浄工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】溶剤の取り扱い上の危険性を解決し、半導体基板に付着したワックス、研磨剤、パーティクル（研削屑等の異物）等に対し高い洗浄性を発揮し、ファイナル洗浄後の基板清浄度が飛躍的に向上する半導体基板の洗浄方法の提供。
【解決手段】本発明の半導体基板の洗浄方法は、炭化水素化合物、グリコールエーテル、アニオン界面活性剤、及び水を少なくとも含有する洗浄剤組成物（Ａ）により、半導体基板を洗浄する第１の洗浄工程と、水により、前記半導体基板を洗浄する第２の洗浄工程と、水酸化第４級アンモニウム、ドナー原子である窒素とカルボキシル基とを含むキレート剤、及び水を少なくとも含有する洗浄剤組成物（Ｂ）により、前記半導体基板を洗浄する第３の洗浄工程と、を少なくとも含み、前記第１の洗浄工程、前記第２の洗浄工程、前記第３の洗浄工程の順に、前記半導体基板を洗浄する。 （もっと読む）

洗浄方法は、液体を介して基板を露光する際に用いられかつ前記液体と接する部材を洗浄する。前記部材をアルカリ溶液で洗浄し、次いで、前記部材を過酸化水素を含む溶液で洗浄する。
（もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の表面からパーティクル汚染物質を洗浄するための装置及び方法は、粘弾性材料の層を表面上に塗布することを含む。粘弾性材料は、薄い膜として塗布され、実質的な液体様特性を示す。粘弾性材料を塗布された表面の第１のエリアには、粘弾性材料を塗布された表面の第２のエリアがその加えられる力を実質的に受けないように、外力が加えられる。外力は、粘弾性材料の固体様特性にアクセスするために、粘弾性材料の固有時間よりも短い持続時間にわたって加えられる。固体様特性を示す粘弾性材料は、表面上に存在するパーティクル汚染物質の少なくとも一部と少なくとも部分的に相互作用する。粘弾性材料は、固体様特性を示している間、パーティクル汚染物質の少なくとも一部と併せて表面の第１のエリアの領域から除去される。 （もっと読む）

【課題】支持部材の先端部を基板の下面に当接して基板を略水平姿勢で支持しながら支持部材に押し付けて保持した基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および方法において基板保持力を高める。
【解決手段】基板Ｗの保持モードとして、第１保持モードと第２保持モードが設けられている。第１保持モードでは、基板裏面Ｗｂを支持ピンＰＮで支持しながら基板表面Ｗｆに窒素ガスを供給して基板Ｗを支持ピンＰＮに向けて押圧力Ｆａで押圧するのみであるが、第２保持モードでは、上記押圧力Ｆａに加え、基板裏面Ｗｂより基板Ｗに吸引力Ｆｂを与えている。このように、吸引力Ｆｂを付加した分だけ基板Ｗの保持力を高めることができ、基板Ｗを高速回転させる際にも安定して基板Ｗを保持することができ、その結果、基板処理を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】フッ素化合物を用いて高度な洗浄効果が得られるようにした洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくともフッ素化合物を含有する洗浄液（フッ素系溶剤）３に、被洗浄物１を浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、浸漬工程における、洗浄液３の温度ｔが、洗浄液３に含まれるフッ素化合物の１気圧における標準沸点または１００℃のいずれか低い方の温度以上であり、かつ雰囲気圧力が温度ｔにおいてフッ素化合物が液体状態となる圧力であることを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】変質、硬化したレジストを短時間に効率よく除去する。
【解決手段】図１に示す洗浄方法は、基板の表面に形成された硬化した不要なレジストを除去するため、一枚毎に洗浄する枚葉装置を用いた洗浄方法である。この洗浄方法は、以下の工程を有する。被洗浄物にレジスト剥離剤を供給する（ステップＳ１）。その後、被洗浄物にエッチング液を供給する（ステップＳ２）。その後、ステップＳ１およびステップＳ２を少なくとも２回繰り返したか否かを判断する（ステップＳ３）。少なくとも２回繰り返していない場合（ステップＳ３のＮｏ）、ステップＳ１に移行してステップＳ１以降の処理を引き続き行う。一方、少なくとも２回繰り返した場合（ステップＳ３のＹｅｓ）、次工程に移行する。または処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】複雑な機構を用いることなく、効率的に薬液を回収することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置において、制御部１２１は、リンス液によるリンス処理後に薬液による薬液処理を制御する。この際に、最初に、リンス処理用の回転数以上の回転数で基板Ｗを回転させながら基板上に薬液を供給して排液カップを薬液により洗浄し、その際に排液カップ５１で受けた液を廃棄ライン１１３によって廃棄する。その後、薬液処理用の回転数で基板を回転させながら基板上に薬液を供給して基板の薬液処理を行い、その際に排液カップで受けた液を回収ライン１１２によって回収する。 （もっと読む）

【課題】 枚葉式の回転式基板処理装置において、使用した薬液の回収率を高める。装置価格を引き下げる。振動を抑える。薬液と廃液の雰囲気分離を行う。
【解決手段】 基板１を水平に支持して回転させる回転機構１０の周囲に、基板１から飛散する液体を受けるカップ２０を設ける。カップ２０に、筒状で昇降式の上段液体ガイド３０及び下段液体ガイド４０を組み合わせる。上段液体ガイド３０は、下方の待機位置で下段液体ガイド４０に重なって、両ガイド間に形成される液体導入口を閉じ、待機位置から上方への回収位置へ移動して、基板１から飛散する第１の液体をカップ２０の外へ導く。下段液体ガイド４０は、待機位置から上方への回収位置へ移動して、基板１から飛散する第２の液体をカップ２０内へ導く。 （もっと読む）

可動プラテンに搭載された基板（５）を清浄化する装置である。例示的な実施形態では、装置は、プラテンが基板を搬送するときに基板表面（５）を溶剤（７）で湿潤化する溶剤吐出ノズル（２５）を有する第１のチャンバ（２０）を備える。プラテンは、基板をプロセスチャンバの中へ搬送するときに、所定の方向へ所定の走査速度で移動する。プロセスチャンバは基板表面（５）から所定の高さ（ｈ）に高温ソース（３０）を有し、高温ソースは基板表面へ向けられた熱エネルギーを供給し、熱エネルギーが基板表面に吐出された溶剤（７）を蒸発させ、プラテンが基板を第１のチャンバ（２０）からプロセスチャンバの中へ搬送するときに、溶剤蒸発が基板表面から微粒子（３５）を除去する。清浄化された基板は、精密フォトマスク、又は、ウェハを含む。
（もっと読む）

エッチングチャンバ、レジスト剥離チャンバ等の、半導体基板が処理されるプラズマ処理チャンバ用の構成要素の石英表面のウェット洗浄方法は、石英表面を、少なくとも一つの有機溶媒、塩基溶液及び複数の異なる酸溶液と接触させて、石英表面から有機汚染物質及び金属汚染物質を除去する工程を含む。石英表面は、好ましくは、少なくとも２回酸溶液の一つと接触させられる。 （もっと読む）

本発明は、一般に材料を処理するための方法に関する。より詳細には、本発明は反応性流体、および被覆材料、金属、非金属、層状材料、有機物、ポリマーおよび半導体材料を非限定的に含む付着材料を除去するための反応性流体の使用に関する。本発明は、半導体チップ生産のような商用プロセスに適用することが可能である。

（もっと読む）