【課題】処理槽に貯留される処理液から基板を直立姿勢で当該処理槽に貯留される処理液の液面より鉛直方向の上方の待機位置まで引き上げる際に、基板を自然乾燥させることなく、基板に付着している処理液の量を効率的に削減する。
【解決手段】処理槽１内でのリンス処理が完了した後に待機位置ＷＰで置換処理を行うために、単に基板Ｗを待機位置ＷＰに引き上げるのではなく、その引き上げ処理中にリンス処理で使用した処理液と同じ成分の蒸気、つまりＤＩＷ蒸気が基板Ｗに対して水平方向よりも下方向きに向けて供給される。このため、ＤＩＷ蒸気の動圧によって基板Ｗに付着しているＤＩＷが下方へ押し流されて基板Ｗに残存するＤＩＷ量が低下する。また、基板ＷのうちＤＩＷ蒸気供給を直接受ける領域では水蒸気の凝集によってＤＩＷの凝集膜が形成されて当該表面領域の自然乾燥が防止される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にダメージを与えることなく良好に洗浄することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法並びに基板洗浄プログラムを提供すること。
【解決手段】本発明では、洗浄液の液層（５２）を形成するノズル（４０）を備えた液層保持手段（２５）と、基板（２）の表面を洗浄液の沸点以上に加熱する基板加熱手段（２４）と、ノズル（４０）を基板（２）に近接させる昇降機構（４１ａ）とを有し、ノズル（４０）に形成した液層（５２）を基板加熱手段（２４）で加熱した基板（２）の表面の熱で沸騰させて基板（２）の表面と液層（５２）との間に蒸気層（６０）を形成するように昇降機構（４１ａ）を制御して、基板（２）の表面を洗浄することにした。 （もっと読む）

【解決課題】 熱膨張係数が大きく異なる基板同士を接合する場合でも貼り合わせ強度を高めて基板破損を回避することができる貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ３０％水溶液換算のＨ_２Ｏ_２の容量に対する２９％水溶液換算のＮＨ_４ＯＨの容量が、体積比で１を超え２００以下となる溶液によりハンドル基板を洗浄し、然る後にドナー基板と貼り合わせる工程を含む貼り合わせ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを非回転状態で保持する基板保持手段と、ノズル４と、処理液供給手段と、制御手段とを含む。ノズル４は、基板保持手段に保持された基板Ｗの主面の中央部に向けて流体を吐出する中央吐出口１１、主面の中央部を取り囲む環状の中間領域Ｔ１に向けて外向きに流体を吐出する中間吐出口１２、および中間領域Ｔ１を取り囲む環状の周縁領域Ｔ２に向けて外向きに流体を吐出する周縁吐出口１３を有する。処理液供給手段は、中央吐出口１１、中間吐出口１２、および周縁吐出口１３に個別に処理液を供給する。制御手段は、処理液供給手段を制御して、中央吐出口１１、中間吐出口１２、周縁吐出口１３の順番で処理液を吐出させる。 （もっと読む）

本発明の目的は、ウエハの損傷を低減することができ、ガスの使用量を低減することができるウエハ乾燥装置およびこれを用いたウエハ乾燥方法を提供することである。本発明は、ウエハ乾燥装置およびこれを用いたウエハ乾燥方法に関する。当該装置は、側面に第１の回転軸が固定され、上部に移動可能な第２の回転軸が形成され、下部に第１の排水口が形成されているチャンバと、上記第１の回転軸と上記第２の回転軸に固定され、ウエハを実装するカセットが端部に固定されるチルトアームと、上記カセットにＩＰＡ／窒素ガスを供給する第１のノズルと、上記第２の回転軸を第１の方向または第２の方向に移動させるスクリューと、上記スクリューを回転させる駆動モータと、を備える。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムの増大による生産性の低下を生じることなく、被洗浄物の表面にシミのない清浄な乾燥状態を得る。
【解決手段】搬送治具１３ａに載置された被洗浄物１３をＩＰＡ蒸気雰囲気４に浸漬して蒸気乾燥を行うＩＰＡ蒸気乾燥槽２の後段に余熱乾燥槽６を設け、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２で蒸気乾燥を終え、ＩＰＡ蒸気雰囲気４の潜熱によって所定の温度まで加熱された状態にある被洗浄物１３および搬送治具１３ａを、余熱乾燥槽６に搬入し、当該被洗浄物１３および搬送治具１３ａ自体が持つ余熱によって乾燥を加速させ、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２におけるＩＰＡ蒸気雰囲気４への反復浸漬等の煩雑な操作を必要とすることなく、被洗浄物１３や搬送治具１３ａの表面における液滴の残留に起因する被洗浄物１３のシミ等の欠陥の発生を確実に防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不揮発性記憶装置の表面に形成された壁体間に残留する液体の表面張力の影響を抑制することができるとともに、ガルバニック腐食を抑制することができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記憶層を有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、壁体が形成された基体の表面に水よりも表面張力が小さくかつ水と実質的に相溶性のない液体を供給し、前記基体の洗浄を行う工程を有すること、を特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

【課題】洗浄等の半導体ウェーハの処理方法は大口径化に従って、エッジ部分のダメージ増加、洗浄品質維持、洗浄装置の巨大化、スループットの点で十分とは言えない。
【解決手段】半導体ウェーハの表面を撥水化する撥水工程と、酸化性ガスにより表面を親水化する親水工程とを含む半導体ウェーハの処理方法を提供する。該半導体ウェーハの例としてのシリコンウェーハの撥水化処理は、表面の酸化膜除去を行うことを含んでよい。上記親水化の際に若しくはその前にウェット化又は湿潤化工程を含んでもよい。酸化性ガスは、酸素を含むガス、水蒸気を含むガス、その他半導体ウェーハの表面を酸化できるものを含んでよい。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の基板の洗浄には、少なくとも５工程からなる洗浄を行う必要があった。
【解決手段】オゾンを含有する超純水によって洗浄する第１工程、界面活性剤を含む超純水によって洗浄する第２工程、及び、超純水と２−プロパノールを含む洗浄液によって界面活性剤由来の有機物を除去する第３工程とを含む洗浄方法が得られる。第３工程後、クリプトン等の希ガスのプラズマを照射して、界面活性剤由来の有機物を更に除去する。 （もっと読む）

【課題】洗浄効率が高く、被洗浄物に与えるダメージが小さい洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄装置１には、熱交換部材８と、熱交換部材８内に挿通された一次冷却ライン１１と、熱交換部材８内に挿通された二次冷却ライン１２と、二次冷却ライン１２から噴射された二次冷媒が接触する位置に被洗浄物である半導体基板Ｓを保持する保持部材９と、が設けられている。そして、一次冷却ライン１１に一次冷媒である液体窒素を流通させ、二次冷却ライン１２に二次冷媒であるヘリウムガスを流通させる。これにより、液体窒素により熱交換部材８を介してヘリウムガスを冷却し、十分に冷却され且つ液体飛沫を含まないヘリウムガスを真空雰囲気中で半導体基板Ｓに向けて噴射して、半導体基板Ｓを冷却する。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークの発生を抑制することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック５９と、ウエハＷに処理液および乾燥ガスを吐出口から吐出方向に吐出する吐出ノズル７５と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ処理液を供給する処理液供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズルに接続され、ウエハＷに処理液を吐出させた後で乾燥ガスを吐出する前に、吐出ノズルの内部に残留する処理液を吐出方向と逆方向に吸引する処理液吸引機構１０３ａと、処理液吸引機構に接続され、処理液供給機構と乾燥ガス供給機構から処理液および前記乾燥ガスの一方が吐出ノズルへ供給されるように、処理流体を切り替える開閉バルブ１０２ａ・１０２ｂ・１０２ｄとを具備する。 （もっと読む）