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Fターム[5F157BC68]の内容

Fターム[5F157BC68]に分類される特許

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【課題】パターン形成後の配線形状を維持しつつ、銅等の金属不純物と凝集粒子の異物とを除去する。
【解決手段】基材10を準備する工程と、基材10の上方に金属膜20を形成する工程と、金属膜20上にレジスト膜30を形成する工程と、レジスト膜30をマスクとして金属膜20をエッチングして配線20Aを形成する工程と、レジスト膜30を剥離する工程と、基材10を洗浄する工程と、を含み、基材10を洗浄する工程は、酸洗浄液を用いて基材10を洗浄する第1の洗浄工程と、アルカリ洗浄液を用いて基材10を洗浄する第2の洗浄工程とを含む。アルカリ洗浄液の濃度は、当該洗浄液の中に析出される粒子の表面電位が基材10の表面電位と同一極性となる濃度以上で、かつ、配線20Aをエッチングしない濃度であり、酸洗浄液の濃度は、基材10に残った金属微粒子20aが洗浄液中に溶解する濃度以上で、かつ、配線20Aをエッチングしない濃度である。 (もっと読む)


【課題】乾式洗浄と湿式洗浄とを選択的に実施できる基板処理設備及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理設備は、基板が載せられた容器が置かれるポート1100及びインデックスロボット1200を有するインデックス部1000と、基板処理を遂行する処理部200と、処理部200とインデックス部1000との間に配置されてこれらの間に搬送される基板が一時的に留まるバッファユニット4000と、を含み、処理部200は、基板を搬送するための移送路に沿って配置されるグルー除去用処理モジュール、基板冷却処理モジュール、加熱処理モジュール、及び機能水処理モジュールを含む。 (もっと読む)


【課題】電子材料上のレジストを短時間で確実に剥離除去する。
【解決手段】電子材料を過硫酸含有硫酸溶液で洗浄してレジストを剥離洗浄し、その後ガス溶解水でウェット洗浄する。過硫酸含有硫酸溶液によるレジスト剥離後のウェット洗浄を、ガス溶解水を用いて行うことにより、洗浄に要する時間を従来法に比べて大幅に短縮することができる。過硫酸含有硫酸溶液は、硫酸溶液を電気分解することによって製造されたものであることが好ましく、レジストの剥離洗浄装置からの過硫酸濃度が低下した硫酸溶液を電解反応装置に送給して再生し、過硫酸濃度を十分に高めた硫酸溶液を洗浄装置に循環することにより、高濃度の過硫酸によりレジストを効率的に剥離除去すると共に、硫酸溶液を繰り返し使用することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、洗浄によるウェーハの表面粗さの悪化を低減し、かつ、効果的にウェーハの洗浄を行うことができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハを洗浄する方法であって、前記半導体ウェーハをSC1洗浄液により洗浄する工程と、前記SC1洗浄液により洗浄された半導体ウェーハをフッ酸により洗浄する工程と、前記フッ酸により洗浄された半導体ウェーハを、オゾン濃度が3ppm以上のオゾン水により洗浄する工程とを含み、前記SC1洗浄液による半導体ウェーハのエッチング代を0.1〜2.0nmとすることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】CARE法のメリットを延ばし、CARE法のデメリットを補完することで、十分な加工速度を確保しながら、被加工物の加工後における加工表面にダメージを残すことなく該加工表面の平坦度を高めた表面除去加工を行うことができるようにする。
【解決手段】緩衝剤を含む第1処理液中に被加工物を配し、ガラス系金属酸化物からなる触媒定盤を透過させて被加工物の被加工面に光を照射させながら、触媒定盤の表面を被加工物の被加工面に接触または極接近させる光照射触媒基準エッチングで初期表面除去工程を行い、ハロゲン化水素酸、過酸化水素水またはオゾン水からなる第2処理液中に被加工物を配し、少なくとも表面が、白金、金、セラミックス系固体触媒、遷移金属、及びガラス系金属酸化物の何れかのみからなる触媒定盤の該表面を被加工物の被加工面に接触または極接近させる触媒基準エッチングで最終表面除去工程を行う。 (もっと読む)


【課題】 アルカリ成分がオゾン洗浄液に混入することを抑制して、オゾン洗浄能力の低下が抑制できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】 チャック部材で、予めオゾン洗浄槽内のオゾン洗浄液に浸漬していた他の被処理物を保持するに先立ち、搬送アームの一部およびチャック部材に付着したアルカリ成分を洗浄除去して、アルカリ成分がオゾン洗浄液に混入するのを抑制することを特徴とする洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】基板に疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合において、基板の周縁部においてエッチング不良が発生することなく、かつエッチング幅の精度を向上させることができる基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体を提供する。
【解決手段】まず、ポリシリコン膜が形成された基板Wを回転させながら当該基板Wの周縁部にフッ酸を供給することにより基板Wの周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる。次に、ポリシリコン膜が露出された基板Wを回転させながら当該基板Wの周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する。このような動作は、基板液処理装置1の制御部50が回転駆動部20、フッ酸供給部54およびフッ硝酸供給部52を制御することにより行われる。 (もっと読む)


【課題】Pt残留物、Pt汚染物あるいはPt膜を効果的にエッチングし、且つ、エッチング装置の金属部材の腐食進行を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含む半導体基板1上または半導体基板1上に形成されたシリコンを含む導電膜4上に、貴金属膜または貴金属を含む金属膜を形成する工程(a)と、工程(a)の後、半導体基板1に対して熱処理を行い、半導体基板1上または導電膜4上に貴金属を含むシリサイド膜7を形成する工程(b)と、工程(b)の後、第1の薬液を用いて未反応の貴金属を活性化する工程(c)と、第2の薬液を用いて工程(c)で活性化された未反応の貴金属を溶解する工程(d)とを行う。工程(d)は、工程(c)から30分以内に行う。 (もっと読む)


【課題】高温で不安定な過酸化水素水を使用せずに、硫酸を用いて基板表面のレジスト残渣を効率よく除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】硫酸を含む第1の処理液及び水よりなる第2の処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、基板の少なくとも一方の面に常温より高温に保持された前記第1の処理液の液膜を形成する液膜形成手段10、31と、前記基板の前記第1の処理液の液膜が形成された面に、前記第2の処理液の蒸気又はミストを供給する蒸気・ミスト供給手段40とを有することを特徴とする基板処理装置。 (もっと読む)


【課題】高温で不安定な過酸化水素水を使用しながら、硫酸を用いて基板表面のレジスト残渣を効率よく除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】硫酸を含む第1の処理液及び過酸化水素水を含む第2の処理液を用いて処理容器5中で基板を処理する基板処理装置であって、第1の処理液を常温より高温の状態で貯留する処理槽10と、処理槽10と処理容器5との間で基板を昇降させる基板昇降機構31と、基板昇降機構31によって基板を処理槽10から引上げるか又は処理槽10に浸漬させる際に、基板の第1の処理液の液面近傍に、第2の処理液のミストを供給するミスト供給手段40とを有することを特徴とする基板処理装置。 (もっと読む)


【課題】洗浄等の半導体ウェーハの処理方法は大口径化に従って、エッジ部分のダメージ増加、洗浄品質維持、洗浄装置の巨大化、スループットの点で十分とは言えない。
【解決手段】半導体ウェーハの表面を撥水化する撥水工程と、酸化性ガスにより表面を親水化する親水工程とを含む半導体ウェーハの処理方法を提供する。該半導体ウェーハの例としてのシリコンウェーハの撥水化処理は、表面の酸化膜除去を行うことを含んでよい。上記親水化の際に若しくはその前にウェット化又は湿潤化工程を含んでもよい。酸化性ガスは、酸素を含むガス、水蒸気を含むガス、その他半導体ウェーハの表面を酸化できるものを含んでよい。 (もっと読む)


【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部PCは、4つの硫酸過水処理チャンバ1と、4つのアンモニア過水処理チャンバ2とを備えている。硫酸過水処理チャンバ1内において、ウエハWに対して、SPMを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハWは、硫酸過水処理チャンバ1からアンモニア過水処理チャンバ2へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ2内において、SC1を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ2は、硫酸過水処理チャンバ1から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ2内には、SPMのミストが存在しない。 (もっと読む)


【課題】半導体基板等の基板の洗浄には、少なくとも5工程からなる洗浄を行う必要があった。
【解決手段】オゾンを含有する超純水によって洗浄する第1工程、界面活性剤を含む超純水によって洗浄する第2工程、及び、超純水と2−プロパノールを含む洗浄液によって界面活性剤由来の有機物を除去する第3工程とを含む洗浄方法が得られる。第3工程後、クリプトン等の希ガスのプラズマを照射して、界面活性剤由来の有機物を更に除去する。 (もっと読む)


【課題】弗酸処理によって半導体基板上に形成された酸化膜を除去する際に、ウォーターマークの発生や異物の付着を効果的に防止しうる半導体基板の処理方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を弗酸処理して酸化膜を除去する工程と、半導体基板の表面を親水化する工程とを有し、半導体基板の表面を親水化する工程は、過酸化水素水を投入した処理槽内で半導体基板を処理する工程と、処理槽内にアンモニア水を更に投入して半導体基板をアンモニア過酸化水素水で処理する工程とを有し、半導体基板の表面を親水化する工程の後に、半導体基板を塩酸過酸化水素水で処理する工程を更に有する。 (もっと読む)


【課題】短いサイクル時間を可能にし、表面の粗さを許容できないほど増大させずに効果的な清浄化を可能にする方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素とオゾンを含有する第一の水性液膜を、清浄化されるべき半導体ウェハの表面上に形成させることと、前記第一の液膜を、フッ化水素とオゾンを含有する第二の水性液膜と置き換えることと、前記第二の液膜を除去することとを含み、前記第二の液膜中のフッ化水素の濃度が前記第一の液膜中よりも低い、半導体ウェハの清浄化方法によって解決される。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハ等の基板の表面からレジスト膜を効果的に剥離する。
【解決手段】基板処理装置1は、硫酸103を貯留する硫酸槽102と、過酸化水素水143を貯留する過酸化水素水槽142とを備える。基板処理装置1では、過酸化水素水143に半導体ウエハWを浸漬することにより半導体ウエハWの表面に過酸化水素水の液膜を形成し、表面に過酸化水素水の液膜が形成された半導体ウエハWを高温の硫酸103に浸漬することにより、混合直後の高温SPMを半導体ウエハWに接触させる。 (もっと読む)


【課題】少なくとも基板の熱洗浄によって表面の不純物および酸化物の除去が可能な程度に表面が清浄なGaAs半導体基板を提供する。
【解決手段】本GaAs半導体基板10は、X線光電子分光法により、光電子取り出し角θが10°の条件で測定されるGa原子およびAs原子の3d電子スペクトルを用いて算出される、GaAs半導体基板10の表面層10aにおける全As原子に対する全Ga原子の構成原子比Ga/Asが0.5以上0.9以下であり、表面層10aにおける全Ga原子および全As原子に対するO原子と結合しているAs原子の比(As−O)/{(Ga)+(As)}が0.15以上0.35以下であり、表面層10aにおける全Ga原子および全As原子に対するO原子と結合しているGa原子の比(Ga−O)/{(Ga)+(As)}が0.15以上0.35以下である。 (もっと読む)


【課題】ワンバス方式の基板洗浄装置において、薬液の種類に応じた最適な閾値を使用して比抵抗値のチェックを行い、リンス処理の終了動作を適正化できる技術を提供する。
【解決手段】本発明の基板洗浄装置では、リンス処理時に行われる比抵抗値のチェックに使用される閾値を、レシピ設定画面42a上で工程毎に個別に設定できる。このため、リンス処理の直前に使用される薬液の種類に応じて各閾値を設定すれば、各工程のリンス処理において最適な閾値を使用して比抵抗値をチェックできる。また、これにより、各工程のリンス処理を適正に終了させることができる。 (もっと読む)


【課題】フォトマスク用途に使用することもできる、水晶のような基材表面の前処理ステップにおいて使用する、様々なpH領域と伝導度を持つアルカリ性ベースの組成物を用いる方法を提供する。
【解決手段】NHOH:H:HOが、容積比で1:2:200〜1:1:100となる希釈比で、水酸化アンモニウム、過酸化水素及び脱イオン水を含有する、pHが8〜12のudSC1組成物を用いて基材表面を処理し、次いで、ノニオン系洗浄剤と脱イオン水を容積比で1〜100となる希釈比で含有し、pHが8〜11のノニオン系洗浄剤組成物を用いて前記基材の表面を処理する基材表面の洗浄方法。前記udSC1のpHが、前記ノニオン系洗浄剤組成物のpHより高いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハー基板上に形成されたシリコン含有有機膜を除去するリワークプロセスにおいて、シリコン化合物残渣が発生し、この除去が困難であった。
【解決手段】半導体ウェハー基板上に形成されたシリコン含有有機膜を除去した表面を、アンモニア水溶液により洗浄処理を行う第1のステップと、希釈フッ酸水溶液により洗浄処理を行う第2のステップを少なくとも有する方法で処理する。アンモニア水溶液中のアンモニア濃度は、0.01重量パーセント以上、30重量パーセント以下であることが好ましい。希釈フッ酸水溶液中のフッ酸濃度は、0.01重量パーセント以上、2.0重量パーセント以下であることが好ましい。 (もっと読む)


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