【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第１の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第２の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】化学処理を伴うウェーハ表面処理方法において、従来のウェット処理等、拡散律速型処理による表面処理で問題視されていた反応ムラを効果的に抑制し、表面性状に優れたウェーハを提供する。
【解決手段】化学処理を伴うウェーハ表面処理方法であって、前記化学処理が、反応律速型処理工程と、該反応律速型処理工程に続く拡散律速型処理工程とを含むことを特徴とする、ウェーハ表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不揮発性記憶装置の表面に形成された壁体間に残留する液体の表面張力の影響を抑制することができるとともに、ガルバニック腐食を抑制することができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記憶層を有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、壁体が形成された基体の表面に水よりも表面張力が小さくかつ水と実質的に相溶性のない液体を供給し、前記基体の洗浄を行う工程を有すること、を特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

【課題】形成されたパターンに与えるダメージが少ない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の表面にドライエア又は不活性ガスの気流にのせた洗浄用の微粒子を基板に衝突させて、前記基板の洗浄を行う洗浄工程と、前記洗浄用の微粒子を除去する除去工程と、を有することを特徴とする基板洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】洗浄等の半導体ウェーハの処理方法は大口径化に従って、エッジ部分のダメージ増加、洗浄品質維持、洗浄装置の巨大化、スループットの点で十分とは言えない。
【解決手段】半導体ウェーハの表面を撥水化する撥水工程と、酸化性ガスにより表面を親水化する親水工程とを含む半導体ウェーハの処理方法を提供する。該半導体ウェーハの例としてのシリコンウェーハの撥水化処理は、表面の酸化膜除去を行うことを含んでよい。上記親水化の際に若しくはその前にウェット化又は湿潤化工程を含んでもよい。酸化性ガスは、酸素を含むガス、水蒸気を含むガス、その他半導体ウェーハの表面を酸化できるものを含んでよい。 （もっと読む）

【課題】基板上の不要物を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】バキュームチャック１１の上方には、ほぼ円錐形状の遮断板１２が配置されている。遮断板１２の下面１２１には、それぞれエッチング液、純水および窒素ガスを吐出する開口１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃが形成されている。エッチング液、純水および窒素ガスは、ウエハＷの回転半径外方に向かうにつれてウエハＷに近づくように傾斜した方向に吐出されて、それぞれウエハＷの表面のエッチング液供給位置Ｐｅ、純水供給位置Ｐｄおよび窒素ガス供給位置Ｐｎに供給される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的に低温かつ簡便な処理工程で、上記高温水素プラズマ照射結果と同程度以上のクリーンな窒化物半導体の表面が得られる処理工程を提供することを課題とする。
【解決手段】窒化物半導体（Ｂ_zＡｌ_xＧａ_1-x-y-zＩｎ_yＮ_1-p-qＰ_pＡｓ_q、但し０≦ｘ、ｙ、ｚ、ｐ、ｑ＜１、かつｘ＋ｙ＋ｚ＜１、ｐ＋ｑ＜１）の表面に原子状水素を照射して自然酸化膜を除去する工程と、酸素プラズマを照射して人工酸化膜を形成する工程と、湿式エッチングにより人工酸化膜を選択的に除去する工程と、人工酸化膜が除去された窒化物半導体の表面を硫黄処理することにより表面保護層を形成する工程と、熱処理により表面保護層を除去する工程とを含む窒化物半導体の表面清浄化方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦレジスト膜等の難剥離性膜を容易に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＡｒＦレジスト膜を伴ったウエハからこのＡｒＦレジスト膜を除去する処理方法である。ＡｒＦレジスト膜に紫外線照射処理を施し、次にＡｒＦレジスト膜にオゾンガスと水蒸気を供給して処理することにより、このＡｒＦレジスト膜を水溶性に変性させる。その後、水溶性に変性したＡｒＦレジスト膜に純水を供給することにより、ＡｒＦレジスト膜を基板から剥離する。チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、チャンバ内に収容されたウエハに結露が生じないように、チャンバへ水蒸気を一定流量で供給しながら、水蒸気に対するオゾンの供給量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン製若しくはガラス製の基板表面、または基板表面に形成された無機系被膜表面に強固に付着している無機系の異物を表面粗さの増加を抑えながら容易に除去することができ、しかも一度除去された異物が基板表面に再付着することが防止された異物除去方法の提供。
【解決手段】シリコン製若しくはガラス製の基板表面または該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法であって、前記基板材料、前記無機系被膜材料および前記無機系異物のうち少なくとも１つに対して０．０１／ｃｍ以上の光吸収係数となる波長域の光線を、酸素若しくはオゾン含有雰囲気下にて前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面に照射量１０Ｊ／ｃｍ²以上で照射した後、負の表面電位を有する前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面にｐＨ≦６の酸性溶液を曝すことを特徴とする基板表面若しくは該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法。 （もっと読む）

【課題】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置１は、基板を支持する支持部１０と、基板上部のフォトレジストを除去する乾式処理部２０と、基板上部のフォトレジストを除去する湿式処理部３０を有する。基板は、支持部によって支持された状態で、基板上部のフォトレジストは、乾式処理部２０によって１次的に除去され、湿式処理部３０によって２次的に除去される。乾式処理部２０は、基板上面にプラズマを供給するプラズマ供給ユニット２００と移動ユニットを有し、移動ユニットは、プラズマ供給ユニット２００と基板の相対的な位置を変化させる。 （もっと読む）

【課題】平流し方式において被処理基板に気体を吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミストの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質を向上させる。
【解決手段】この乾燥処理室Ｍ5は隔壁１９４により搬送方向に沿って２つの室Ｍ5a，Ｍ5bに分割されており、隔壁１９４には搬送路１１４上の基板Ｇがわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部１９２が設けられている。搬送路１１４上で基板Ｇが隔壁１９４の開口部１９２を通り抜ける時、基板Ｇと開口部１９２との間にはわずかな隙間Ｋが形成され、この隙間Ｋを通って下流側の高圧室Ｍ5bから上流側の低圧室Ｍ5aに向って空気流Ａが吹き抜けることにより、基板Ｇの表面に付着している液Ｒa，Ｒbは空気流Ａの風圧によって基板後方へ払い落とされると同時に、一部がミストｍとなって上流側の室Ｍ5a内で飛散ないし拡散する。 （もっと読む）